JPH0787110A - 信号伝送用lsi - Google Patents

信号伝送用lsi

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JPH0787110A
JPH0787110A JP5230170A JP23017093A JPH0787110A JP H0787110 A JPH0787110 A JP H0787110A JP 5230170 A JP5230170 A JP 5230170A JP 23017093 A JP23017093 A JP 23017093A JP H0787110 A JPH0787110 A JP H0787110A
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transmission
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Noboru Kanzaki
昇 神崎
Yutaka Yoshida
豊 吉田
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    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 伝送路を介してマルチドロップ式に接続され
る各端末で、本質安全防爆(本安ともいう)条件を満た
しつつLSI化を図る。 【構成】 耐圧保護を要する第1の回路部10Aと、耐
圧保護を要しない第2の回路部10Bとの分離構造と
し、第1の回路部10Aの出力端と第2の回路部10B
の入力端を外部端子として設け、本安が不要なときは上
記2つの外部端子をLSI外部で直接接続し、本安が必
要なときは第1の回路部10Aの代わりに、過電圧阻止
用回路を第2の回路部10Bの前段に接続する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、工業計測や制御等の
分野で、本質安全防爆(以下、単に本安ともいう)の条
件を満たすとともに、伝送路に接続された端末に直接電
源を供給しながら、信号を重畳させて端末間で交信する
ための大規模集積回路(LSI)に関する。具体的には
現在IEC(International Elect
ro−technical Commission:国
際電気標準会議)等の機関において標準化が進められて
いる、通信規格“フィールドバス”で使用して好適な信
号伝送用LSIに関する。
【0002】
【従来の技術】(I)請求項1に対する従来技術 図5は出願人が先に提案した方式(特開平5−4170
9号:提案方式ともいう)の概要を説明するための説明
図である。同図において、Dは爆発性ガスが存在または
存在する危険性のある危険区域、Sはこのような危険の
ない安全区域を示す。本安ではこの危険区域Dに流入す
る電圧,電流を制限するため、その境界にツェナーバリ
ヤ(単に、バリヤともいう)3を配置している。
【0003】1対の電線からなる伝送線5に並列に接続
された端末7は、このバリヤ3を介して他の端末(マス
タ)6とも接続されており、伝送線5の両端には抵抗と
直流カットのためのコンデンサからなるターミネータ4
が接続されている。端末7はバリヤ3および伝送線5を
介して、定電圧源であるバス電源1より直流電源を供給
される。インダクタ2は、この直流分と端末が交信する
ときに発生する信号の交流分とを分離するために設けら
れている。端末(マスタ)6および端末7は、バス電源
1から供給される直流に信号を重畳させることにより、
信号を伝送するようにしている。
【0004】図6に図5の提案方式で用いられる端末の
1例を示す(特開平5−41709号,特願平5−23
060号など参照)。図6において、11,14は演算
増幅器(オペアンプ)、12は電圧リファレンス(正確
な定電圧を作るためのIC回路)、13は抵抗、15,
16はトライステートゲートを示している。また、TX
ENは送信時にはハイレベル(H)、非送信時にはロー
レベル(L)となる制御信号、TXDはデータ信号をそ
れぞれ示す。
【0005】すなわち、同図のP1点の電圧は2Vの電
圧リファレンス12、その一定電圧(2V)をリファレ
ンス電圧とするオペアンプ11等により、例えば常に
4.0Vに安定化され、これが各端末の内部電源として
利用される。トライステートゲート16はTXENをコ
ントロール信号として受け、これがHのときは遮断(ハ
イインピーダンス)状態となり、Lのときは通常のバッ
ファとして作用する。同様に、トライステートゲート1
5はTXENを反転させた信号をコントロール信号とし
て受け、これがLのときは遮断状態となり、Hのときは
データ信号(TXD)に応じてHまたはLとなる。
【0006】したがって、非送信時(TXEN信号がL
のとき)には、トライステートゲート15の出力はハイ
インピーダンス、トライステートゲート16の出力はL
となり、P2点の電圧を例えば4.4Vに安定化するよ
うな基準電圧を、オペアンプ14に対して与える。この
とき、P1点とP2間の100オームの抵抗13を流れ
る電流は4mAとなり、端末としては4mAの電流を引
き込むことになる。
【0007】一方、送信時すなわちTXEN信号がHの
ときは、トライステートゲート16の出力はハイインピ
ーダンス、トライステートゲート15の出力はデータ信
号(TXD)に従ってHまたはLとなって、オペアンプ
14に与える基準電圧を電圧リファレンス12が作る2
Vの電圧を中心に振ることになる。オペアンプ14はこ
の基準電圧に従い、P2の電圧を4.05〜5.55に
振るので、端末は8mAを中心に15mApp(pp:
peak−to−peak)の電流を伝送路より引き込
むことができる。
【0008】ところで、上述のような危険区域Dで使用
される端末の本安を満たす条件は、端末に供給される電
圧と流入する電流の関係が、電気火花による爆発性ガス
の点火限界値を越えないことである。この点火限界値は
端末に供給される電圧が低ければ低い程、流入する電流
を大きくすることができ、しかも伝送路より見たときに
端末内でエネルギー源となるインダクタンスや容量値
も、端末に供給される電圧が低ければ低い程大きな値ま
で使用可能となるので、端末の内部回路設計が容易とな
る。
【0009】また、伝送路より電源が供給される端末に
おいて本安を実現するには、伝送路より電源を形成する
電源回路をディスクリート部品で構成するとともに、電
源回路の出力端、つまり端末の内部電源供給入力端に、
ツェナーダイオードからなる過電圧阻止用回路を接続
し、この阻止用回路で規定される電圧値により端末の内
部回路への流入電流や、伝送線路から見たインダクタン
ス値や容量値を本安の設計条件としている。
【0010】一方、電源回路をLSI化する場合、LS
Iは本安の規定によって故障モードとして設計条件を立
てることになっているため、端末の内部回路には伝送線
路電圧値がそのまま印加されるものとして設計しなけれ
ばならない。そのため、伝送線路の電圧が高い場合は端
末の内部回路への流入電流や、伝送線路から見たインダ
クタンス値や容量値を大きくすることができず、線路に
接続し得る端末数の増大を図ることが困難となる。
【0011】(II)請求項2に対する従来技術 端末内部回路の低消費電力化については、使用している
処理回路(CPU)のクロックを停止するスリープモー
ド運転を行ない、CPUを間欠制御したり、論理回路に
供給する同期用クロックを低速にしたりする方法が知ら
れている。
【0012】
【発明が解決しようとする課題】(I)請求項1に対す
る課題 すなわち、従来の端末ではLSI化を図りつつ本安条件
を満足させるのが難しいという問題がある。したがっ
て、この発明の課題は容易に本安条件を満足させること
ができ、しかも本安条件が不必要な回路との兼用が可能
な信号伝送用LSIを提供することにある。 (II)請求項2に対する課題 スリープモード運転を行なってCPUを間欠動作させる
ものにおいては、クロックの安定発信までに数10ms
掛かるため、動作レスポンスが遅いという問題がある。
また、同期用クロックを低速にする方法では、高速な伝
送信号には論理回路が追従できない、という問題があ
る。したがって、この発明の課題はこのような問題のな
い端末、特にその低消費電力化を図ることにある。
【0013】
【課題を解決するための手段】(I)このような課題を
解決するため、第1の発明では、複数の端末間を伝送路
を介してマルチドロップ式に接続し、各端末へは伝送路
より電源を供給しつつ信号の伝送を行なう信号伝送用L
SIにおいて、第1の外部端子より入力される電源を整
流する整流器とその出力をオン,オフする半導体スイッ
チとからなり、この半導体スイッチの制御用信号を入力
する第2の外部端子および半導体スイッチの出力端子と
しての第3の外部端子を持つ第1の回路部と、2つの電
圧安定化回路を有し、第1の電圧安定化回路の安定化電
源出力を抵抗を介して外部端子電位として外部へ引き出
し、第2の電圧安定化回路には前記外部端子電位を抵抗
分割した電位を一方の入力端子に与え、他方の入力端子
には伝送信号送信回路からの出力を入力し、かつ、前記
第2の電圧安定化回路の出力端を外部端子として持つ第
2の回路部とから構成し、本質安全防爆構造にするとき
は、前記第2の回路部の前段に過電圧抑制回路を接続す
ることを特徴としている。
【0014】(II)第2の発明では、複数の端末間を
伝送路を介してマルチドロップ式に接続し、各端末へは
伝送路より電源を供給しつつ信号の伝送を行なう信号伝
送用LSIにおいて、伝送信号を受信して2値化する受
信回路部と、その出力を蓄積し蓄積値が所定のレベルを
越えたときのみクロック信号を論理回路及び処理回路部
に供給するゲート回路部とを設け、伝送信号を受けたと
きのみ前記論理回路及び処理回路部にクロック信号を供
給することを特徴としている。
【0015】
【作用】(I)請求項1に対する作用 伝送用LSIの内部を、耐圧保護を要する第1の回路部
と、耐圧保護を要しない第2の回路部との分離構造と
し、第1の回路部の出力端と第2の回路部の入力端をそ
れぞれ外部端子として設ける。そして、本安が不要な場
合は上記2つの外部端子をLSI外部で直接接続し、本
安が必要なときは第1の回路部の代わりにディスクリー
ト部品からなる過電圧阻止用回路を接続する。 (II)請求項2に対する作用 クロック信号の発信回路には、伝送路の接続と同時に電
源が供給されるので、伝送路に敷設された後は発信状態
にあり、信号受信から発信安定化までの遅延時間は0で
受信動作を開始することができ、しかも受信信号が未到
来時には、発信回路からのクロックは端末内部の論理回
路やCPUに供給されないので、低消費電力化を達成す
ることができる。
【0016】
【実施例】(I)請求項1に対する実施例 図1はこの発明の実施例を示す回路図で、本安不適用の
場合の例である。同図のA,A’は伝送路に接続される
LSIの外部端子で、この外部端子に与えられる電源は
D1〜D4からなる整流器により整流され、B端子と接
地GND間には、整流された電源が現れる。Tr1,T
r2はC端子より制御される半導体スイッチで、その出
力はLSIの外部端子Dに現れる。これらにより、第1
の回路部10Aが構成される。
【0017】IC2は第2の電圧安定化回路としてのオ
ペアンプで、その入力端(−)には抵抗R1,R2,R
3により分圧された電源が印加され、入力端(+)には
送信回路101の出力が接続される。IC1は第1の電
圧安定化回路としてのオペアンプで、P2点の電位は電
圧リファレンス12および抵抗R4,R5により、例え
ば4.0Vになるように安定化され、受信回路100や
送信回路101等に対して電源電位を供給する。これら
により、第2の回路部10Bが構成される。この第2の
回路部は図6と基本的に同じものであり、IC1,IC
2は図6の符号11,14に、またツェナーダイオード
ZD1,抵抗R1は同じく符号12,13にそれぞれ対
応している。
【0018】また、この第2回路部のP1点の電位は、
送信回路101からの出力信号が与えられるオペアンプ
IC2などにより、或る電位に安定化される。つまり、
送信回路101からの‘1’,‘0’信号によって制御
されるが、その出力は抵抗R1を介して4.0Vの電位
につながっていることから、オペアンプIC2が伝送路
より引き込む電流を、送信信号の‘1’,‘0’に対応
させることができる。ここでは、本安不適用とされるこ
とから、第1回路部と第2回路部とは、LSIの外部で
D−D’間、C−C’間およびB−B’間が直接接続さ
れる。なお、受信信号を伝送路から引き込むルートとし
てのB−B’間は、直流カット用コンデンサC1と電流
制限用抵抗R10を介して接続される。
【0019】図2は本安適用時の例を示す回路図であ
る。同図からも明らかなように、ここでは伝送路がディ
スクリート部品からなる過電圧阻止用回路(端子X,
X’)300に接続され、半導体スイッチTR11,T
R12の制御端はオペアンプIC2の出力端C’に接続
され、ツェナーダイオードZD10およびZD11によ
り過電圧を抑止される。また、半導体スイッチTR1
1,TR12の出力は端子D’に接続するとともに、ツ
ェナーダイオードZD12およびZD13により過電圧
を抑止しつつ第2の回路部10Bに入力する。さらに、
端子B’は、ツェナーダイオードZD14およびZD1
5により過電圧を抑止されつつ受信回路100に接続さ
れる。こうして、LSIに対して過電圧抑止が行なわれ
るので、本安要件を満たすための設計は、ツェナーダイ
オードZD10〜ZD15で決まる抑止電圧で、その内
部回路を設計すれば良いことになる。
【0020】(II)請求項2に対する実施例 図3はこの発明の他の実施例を示す回路図である。ここ
では、受信信号は直流カット用コンデンサC19と、電
流制限用抵抗R19を介して受信回路100Aのb点に
接続される。コンパレータCPは受信信号を2値化し、
さらにコンデンサC26を含む平滑回路で平滑化し、抵
抗R20,R21、ダイオードD20およびコンデンサ
C20等よりなる積分回路に、キャリア信号として与え
られる。キャリア信号はこの積分回路で積分され、ゲー
トG1に入力される。ゲートG1は所定のしきい値を有
しており、積分回路出力が所定値以上になったときの
み、IC19:発信子X1およびコンデンサC22,C
23等からなる発信回路からのクロック信号を、論理回
路及びCPU部200に供給する。
【0021】図4に図3の各部波形を示す。いま、受信
データが図5(イ)に示すように「L」,「H」の電位
を繰り返すと、上記キャリア信号は受信信号がLからH
へ変化するときは、積分回路の抵抗R20,R21の並
列抵抗分とコンデンサC20で決まる時定数で充電され
る。一方、受信信号がHからLへ変化するときは、抵抗
R21とコンデンサC20で決まる時定数で放電される
ので、図5(ロ)のように充電動作は速く放電動作は遅
くなる。そして、受信信号が或る一定の時間「L」,
「H」の電位を繰り返すと、ゲートG1が図5(ハ)の
ようにオンとなり、これにより図5(ニ)に示すような
発信回路からのクロック信号が、論理回路及びCPU部
200に供給されることになる。
【0022】なお、受信信号がなくなると、積分回路で
は抵抗R21と、コンデンサC20によって決まる時定
数で放電が行なわれるので、ゲートG1はオフとなる。
こうして、受信信号が与えられたときのみ、論理回路及
びCPU部200に対してクロック信号が与えられるの
で、消費電流を低減することが可能となる。
【0023】
【発明の効果】(I)この発明によれば、同一の回路を
用いて本安と非本安のいずれにも対処することができ、
融通性を持たせることができる。 (II)この発明によれば、受信信号があるときのみ論
理回路およびCPU部を動作させることができるので、
受信信号のプリアンブル信号(データ信号に先立って発
生する回路立ち上げ用信号)を短くすることができて伝
送効率を向上させることが可能となり、低消費電力化を
実現し得る利点が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本安を実施しない場合のこの発明の実施例を示
す回路図である。
【図2】本安を行なう場合のこの発明の実施例を示す回
路図である。
【図3】この発明の他の実施例を示す回路図である。
【図4】図3の動作を説明するための各部波形図であ
る。
【図5】従来例を説明するための概要図である。
【図6】図5で用いられる端末例を示す回路図である。
【符号の説明】
10A…第1の回路部、10B…第2の回路部、10
0,100A…受信回路、200…論理回路及びCPU
部、300…過電圧阻止用回路、IC1,IC2…演算
増幅器(オペアンプ)。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H01L 21/822

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 複数の端末間を伝送路を介してマルチド
    ロップ式に接続し、各端末へは伝送路より電源を供給し
    つつ信号の伝送を行なう信号伝送用LSIにおいて、 第1の外部端子より入力される電源を整流する整流器と
    その出力をオン,オフする半導体スイッチとからなり、
    この半導体スイッチの制御用信号を入力する第2の外部
    端子および半導体スイッチの出力端子としての第3の外
    部端子を持つ第1の回路部と、 2つの電圧安定化回路を有し、第1の電圧安定化回路の
    安定化電源出力を抵抗を介して外部端子電位として外部
    へ引き出し、第2の電圧安定化回路には前記外部端子電
    位を抵抗分割した電位を一方の入力端子に与え、他方の
    入力端子には伝送信号送信回路からの出力を入力し、か
    つ、前記第2の電圧安定化回路の出力端を外部端子とし
    て持つ第2の回路部とから構成し、 本質安全防爆構造にするときは、前記第2の回路部の前
    段に過電圧抑制回路を接続することを特徴とする信号伝
    送用LSI。
  2. 【請求項2】 複数の端末間を伝送路を介してマルチド
    ロップ式に接続し、各端末へは伝送路より電源を供給し
    つつ信号の伝送を行なう信号伝送用LSIにおいて、 伝送信号を受信して2値化する受信回路部と、その出力
    を蓄積し蓄積値が所定のレベルを越えたときのみクロッ
    ク信号を論理回路及び処理回路部に供給するゲート回路
    部とを設け、伝送信号を受けたときのみ前記論理回路及
    び処理回路部にクロック信号を供給することを特徴とす
    る信号伝送用LSI。
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