JPH0787076B2 - 帯電防止効果を有する反射防止多層膜の集電部の形成方法 - Google Patents
帯電防止効果を有する反射防止多層膜の集電部の形成方法Info
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- JPH0787076B2 JPH0787076B2 JP63113576A JP11357688A JPH0787076B2 JP H0787076 B2 JPH0787076 B2 JP H0787076B2 JP 63113576 A JP63113576 A JP 63113576A JP 11357688 A JP11357688 A JP 11357688A JP H0787076 B2 JPH0787076 B2 JP H0787076B2
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Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、帯電防止効果を有する反射防止多層膜の集電
部の形成方法に関するものである。
部の形成方法に関するものである。
［従来の技術］ 従来ブラウン管などのディスプレイ装置の前面又は前面
に設置されるパネルには、外部光の反射によって像が写
り画面が見にくくなるのを防ぐために種々の単層又は多
層の反射防止膜がコーティングされ、反射率の低減が計
られている。その際の反射防止膜の構成としては、低屈
折率を有する物質を反射防止したい波長のλ/4の光学膜
厚でコートした単層の反射防止膜、空気側より低屈折率
層−高屈折率層を、光学厚みλ/4-λ/2でコートした２
層の反射防止膜、空気側より低屈折率層−高屈折率層−
中屈折率層を光学厚みλ4/-λ/2-λ/4でコートした３層
の反射防止膜、空気側より低屈折率層−高屈折率層−中
屈折率層−低屈折率層を光学厚みλ/4-λ/2-λ/4-λ/4
でコートした４層の反射防止膜などが典型的な例として
知られている。
に設置されるパネルには、外部光の反射によって像が写
り画面が見にくくなるのを防ぐために種々の単層又は多
層の反射防止膜がコーティングされ、反射率の低減が計
られている。その際の反射防止膜の構成としては、低屈
折率を有する物質を反射防止したい波長のλ/4の光学膜
厚でコートした単層の反射防止膜、空気側より低屈折率
層−高屈折率層を、光学厚みλ/4-λ/2でコートした２
層の反射防止膜、空気側より低屈折率層−高屈折率層−
中屈折率層を光学厚みλ4/-λ/2-λ/4でコートした３層
の反射防止膜、空気側より低屈折率層−高屈折率層−中
屈折率層−低屈折率層を光学厚みλ/4-λ/2-λ/4-λ/4
でコートした４層の反射防止膜などが典型的な例として
知られている。
一方、通常ブラウン管や前面パネルに用いられるガラス
やプラスチックには導電性がなく、ブラウン管動作中に
多量に発生する静電気により表面が帯電し、人体との間
で放電を起こしたり、ほこりが吸着しやすいという問題
が指摘されており、コンピューターの端末やワープロの
ディスプレイ装置等においても大きな問題となってお
り、このため反射防止膜に導電性を付与したもの、即
ち、少なくとも一層を透明で導電性を有する材料で構成
した反射防止膜が研究されている。しかしながら、透明
導電膜の材料としては、ITO（錫をドープした酸化イン
ジウム）、SnO2（酸化錫）などが知られているが、どれ
も屈折率が高く（例えばITOでは約2.0、SnO2では1.
9）、このため反射防止膜の膜構成が制限される。即
ち、かかる透明導電膜は屈折率が高いため単層の反射防
止膜としては働かず、かえって反射率を増加させてしま
うし、又、多層の反射防止膜の場合では上述の反射防止
膜の構成からもわかるように、空気側の最外層には、低
屈折率の膜が構成される必要があり、透明導電膜の材料
には必要な低屈折率を満足するものがない為、透明導電
膜は内層に構成され、最外層は、低屈折率を有するMg
F2,SiO2などの絶縁性材料で対応せざるを得ない。
やプラスチックには導電性がなく、ブラウン管動作中に
多量に発生する静電気により表面が帯電し、人体との間
で放電を起こしたり、ほこりが吸着しやすいという問題
が指摘されており、コンピューターの端末やワープロの
ディスプレイ装置等においても大きな問題となってお
り、このため反射防止膜に導電性を付与したもの、即
ち、少なくとも一層を透明で導電性を有する材料で構成
した反射防止膜が研究されている。しかしながら、透明
導電膜の材料としては、ITO（錫をドープした酸化イン
ジウム）、SnO2（酸化錫）などが知られているが、どれ
も屈折率が高く（例えばITOでは約2.0、SnO2では1.
9）、このため反射防止膜の膜構成が制限される。即
ち、かかる透明導電膜は屈折率が高いため単層の反射防
止膜としては働かず、かえって反射率を増加させてしま
うし、又、多層の反射防止膜の場合では上述の反射防止
膜の構成からもわかるように、空気側の最外層には、低
屈折率の膜が構成される必要があり、透明導電膜の材料
には必要な低屈折率を満足するものがない為、透明導電
膜は内層に構成され、最外層は、低屈折率を有するMg
F2,SiO2などの絶縁性材料で対応せざるを得ない。
［発明の解決しようとする課題］ このような透明導電膜を内層に有する反射防止多層膜か
ら透明導電膜が帯電してたまった電荷をアースして取り
出すための集電部の形成方法としては種々の方法が試み
られて来た。
ら透明導電膜が帯電してたまった電荷をアースして取り
出すための集電部の形成方法としては種々の方法が試み
られて来た。
通常のはんだは反射防止膜の最外層、具体的にはMgF2や
SiO2とのぬれ性が悪いので用いることができない為、金
属板の板バネを直接反射防止膜の最外層上に接触させて
アース取り出しを試みたが、導電性のない最外層を介し
ていることに加えて板バネの完全な接触が得られないた
め透明導電膜との間の抵抗値が非常に高くなり、反射防
止多層膜の一部が絶縁破壊を起こすという現象が生じ、
膜が劣化してしまうという問題が生じた。
SiO2とのぬれ性が悪いので用いることができない為、金
属板の板バネを直接反射防止膜の最外層上に接触させて
アース取り出しを試みたが、導電性のない最外層を介し
ていることに加えて板バネの完全な接触が得られないた
め透明導電膜との間の抵抗値が非常に高くなり、反射防
止多層膜の一部が絶縁破壊を起こすという現象が生じ、
膜が劣化してしまうという問題が生じた。
又、銅はくに接着剤を塗布した導電性テープを貼りつけ
る方法も試みたが接着剤の導電性が十分でなく、やはり
絶縁破壊現象が起こるという問題点が生じた。
る方法も試みたが接着剤の導電性が十分でなく、やはり
絶縁破壊現象が起こるという問題点が生じた。
［課題を解決するための手段］ 本発明は前述の問題点を解決すべくなされたものであ
り、導電層を内層に持ち、絶縁性の膜を最外層に持つ帯
電防止効果を有する反射防止多層膜上に形成される集電
部の形成方法において、Pb-Sn合金を主成分としこれにZ
n,Sb,Al,Ti,Si,Cuのうち少なくとも１種を添加した合金
はんだを超音波振動下接触させ、該合金はんだを最外層
から内層へ向かって浸透させることを特徴とする帯電防
止効果を有する反射防止多層膜の集電部の形成方法を提
供するものである。
り、導電層を内層に持ち、絶縁性の膜を最外層に持つ帯
電防止効果を有する反射防止多層膜上に形成される集電
部の形成方法において、Pb-Sn合金を主成分としこれにZ
n,Sb,Al,Ti,Si,Cuのうち少なくとも１種を添加した合金
はんだを超音波振動下接触させ、該合金はんだを最外層
から内層へ向かって浸透させることを特徴とする帯電防
止効果を有する反射防止多層膜の集電部の形成方法を提
供するものである。
本発明において用いる合金はんだは、Pb-Sn合金を主成
分とし、これにZn,Sb,Al,Ti,Si,Cuのうち少なくとも１
種を微量添加した合金であり、好ましくはPbを40〜98wt
％,Snを1.8〜50wt％,Znを0.05〜10wt％,Sbを0.05〜10wt
％含んだものである。より好ましくは、Pbを40〜98wt
％,Snを1.8〜50wt％,Znを0.05〜10wt％,Sbを0.05〜10wt
％,Alを0.1％以下含んだものであり、特に好ましくは、
Pbを40〜98wt％,Snを1.8〜50wt％,Znを0.05〜10wt％,Al
を0.1wt％以下、Si＋Ti合計量を0.5wt％以下、Cuを３％
以下含んだものである。本発明における合金はんだはMg
F2、SiO2などの反射防止膜の最外層とのぬれ性も良好
で、低抵抗で強い接着強度を有する集電部の形成が可能
となるからである。
分とし、これにZn,Sb,Al,Ti,Si,Cuのうち少なくとも１
種を微量添加した合金であり、好ましくはPbを40〜98wt
％,Snを1.8〜50wt％,Znを0.05〜10wt％,Sbを0.05〜10wt
％含んだものである。より好ましくは、Pbを40〜98wt
％,Snを1.8〜50wt％,Znを0.05〜10wt％,Sbを0.05〜10wt
％,Alを0.1％以下含んだものであり、特に好ましくは、
Pbを40〜98wt％,Snを1.8〜50wt％,Znを0.05〜10wt％,Al
を0.1wt％以下、Si＋Ti合計量を0.5wt％以下、Cuを３％
以下含んだものである。本発明における合金はんだはMg
F2、SiO2などの反射防止膜の最外層とのぬれ性も良好
で、低抵抗で強い接着強度を有する集電部の形成が可能
となるからである。
本発明においては、上記合金はんだを帯電防止効果を有
する反射防止多層膜の最外層上の一部に供給し、超音波
振動下接触させることによって成される。というのは、
低抵抗で十分な接着強度を持って集電部の形成を行なう
には、反射防止多層膜の最外層と合金はんだとの界面に
存在する気泡を摩擦操作などによって除去し、完全な接
触を得、さらには合金はんだの反射防止膜への浸透を促
進する必要があり、その為には超音波の振動エネルギー
を利用することが実用上最も効率的であるからである。
する反射防止多層膜の最外層上の一部に供給し、超音波
振動下接触させることによって成される。というのは、
低抵抗で十分な接着強度を持って集電部の形成を行なう
には、反射防止多層膜の最外層と合金はんだとの界面に
存在する気泡を摩擦操作などによって除去し、完全な接
触を得、さらには合金はんだの反射防止膜への浸透を促
進する必要があり、その為には超音波の振動エネルギー
を利用することが実用上最も効率的であるからである。
本発明の集電部の形成は、第１図のようにハンダごてに
超音波振動を与えながら180〜400℃程度に加熱した合金
はんだ４を供給して反射防止多層膜２の最外層と金具や
リード線３を直接接着してもよいし、第２図のように反
射防止多層膜２上に超音波振動を与えながら180〜400℃
程度に加熱した合金はんだ４をコートし、その上に金具
やリード線３を普通のはんだ５を用いて接着してもよ
い。
超音波振動を与えながら180〜400℃程度に加熱した合金
はんだ４を供給して反射防止多層膜２の最外層と金具や
リード線３を直接接着してもよいし、第２図のように反
射防止多層膜２上に超音波振動を与えながら180〜400℃
程度に加熱した合金はんだ４をコートし、その上に金具
やリード線３を普通のはんだ５を用いて接着してもよ
い。
本発明の集電部は反射防止多層膜の最外層上の周辺部の
１点に形成されていてもよいし、周辺部に帯状に形成さ
れてもよい。
１点に形成されていてもよいし、周辺部に帯状に形成さ
れてもよい。
本発明の集電部の形成方法が適用される反射防止多層膜
は特に限定されるものではなく、基板/ITO/SiO2、基板
／Al2O3/ITO/MgF2、基板/ITO/SiO2／MgF2、基板/ITO/Mg
F2/ITO/MgF2など、各種反射防止多層膜に適用でき、透
明導電膜が空気側から何層目に構成されていてもよい。
は特に限定されるものではなく、基板/ITO/SiO2、基板
／Al2O3/ITO/MgF2、基板/ITO/SiO2／MgF2、基板/ITO/Mg
F2/ITO/MgF2など、各種反射防止多層膜に適用でき、透
明導電膜が空気側から何層目に構成されていてもよい。
本発明において、帯電防止効果を有する反射防止多層膜
が形成される基板は屈折率、集電部形成時の耐熱性など
の点からガラス板が好ましいが、合成樹脂板又はフィル
ムであってもよい。
が形成される基板は屈折率、集電部形成時の耐熱性など
の点からガラス板が好ましいが、合成樹脂板又はフィル
ムであってもよい。
［作用］ 本発明の方法においては、Pb,Sn合金を主成分とし、こ
れにZn,Sb,Al,Ti,Si,Cuのうち少なくとも１種を微量添
加した合金はんだを用いる。かかる通常のPb-Sn合金は
んだへのかかる元素の微量添加は接着性、気密性、耐湿
性、導電性の向上、さらに合金の融点低下に寄与してい
る。
れにZn,Sb,Al,Ti,Si,Cuのうち少なくとも１種を微量添
加した合金はんだを用いる。かかる通常のPb-Sn合金は
んだへのかかる元素の微量添加は接着性、気密性、耐湿
性、導電性の向上、さらに合金の融点低下に寄与してい
る。
又、本発明において上記合金はんだは反射防止膜上に超
音波振動下接触させる。これは、超音波のエネルギーに
より反射防止膜の最外層と該合金はんだとの界面に存在
する気泡を除去し完全な接触をもたらすことができ、
又、該合金はんだが反射防止多層膜の最外層から内層へ
向かって浸透していく現象が促進されるため、低抵抗で
の集電部の形成が可能となり、さらにリード線又は金属
板等の機械的付着強度も向上すると考えられる。
音波振動下接触させる。これは、超音波のエネルギーに
より反射防止膜の最外層と該合金はんだとの界面に存在
する気泡を除去し完全な接触をもたらすことができ、
又、該合金はんだが反射防止多層膜の最外層から内層へ
向かって浸透していく現象が促進されるため、低抵抗で
の集電部の形成が可能となり、さらにリード線又は金属
板等の機械的付着強度も向上すると考えられる。
［実施例］ 実施例１ 第３図に示すように、 Glass/ITO/MgF2／ZrO2＋TiO2／MgF2 170Å 260Å 1200Å 900Å の構成を有する反射防止多層膜12が形成されたガラス11
をブラウン管15の表面にシール材（接着剤）16を介して
貼りつけてなる導電性反射防止多層膜付ディスプレイ装
置の最外層のMgF2層の周辺部の１点において、Pb93％,S
n 4％,Zn 2％,Sb 0.95％,Al 0.05％（いずれも重量％）
なる組成を有する合金はんだを350℃程度に加熱して供
給し、超音波振動を与えながら第１図のようにリード線
13を直接接着した。ITO層とリード線間の抵抗は104Ω以
下であった。リード線をアースした状態でディスプレイ
装置のスイッチのON-OFFを１万回繰返したが絶縁破壊な
どの問題は全く生じなかった。
をブラウン管15の表面にシール材（接着剤）16を介して
貼りつけてなる導電性反射防止多層膜付ディスプレイ装
置の最外層のMgF2層の周辺部の１点において、Pb93％,S
n 4％,Zn 2％,Sb 0.95％,Al 0.05％（いずれも重量％）
なる組成を有する合金はんだを350℃程度に加熱して供
給し、超音波振動を与えながら第１図のようにリード線
13を直接接着した。ITO層とリード線間の抵抗は104Ω以
下であった。リード線をアースした状態でディスプレイ
装置のスイッチのON-OFFを１万回繰返したが絶縁破壊な
どの問題は全く生じなかった。
実施例２ Glass/ITO/MgF2／ZrO2／MgF2 170Å 260Å 1200Å 900Å の構成を有する反射防止多層膜が形成されたガラス板の
周辺部の１点において、最外層MgF2層上に、Pb81％,Sn
9％,Zn 6％,Sb 3.49％,Al 0.05％,Si 0.06％,Cu 0.4％
なる組成を有する合金はんだを300℃程度に加熱して、
超音波振動を与えながらコートし、その上に通常のはん
だ（Pb約60wt％,Sn約40wt％）を供給し、第２図のよう
に金属板を接着した。かかるガラス板の反射防止多層膜
が形成されていない面をシール材を介してブラウン管に
貼りつけ、導電性反射防止多層膜付ディスプレイ装置を
形成した。反射防止多層膜のITO層と金属板間の抵抗は1
04Ω以下であった。金属板をアースし、ディスプレイ装
置のスイッチのON-OFFを１万回繰り返したが絶縁破壊な
どの問題は全く生じなかった。
周辺部の１点において、最外層MgF2層上に、Pb81％,Sn
9％,Zn 6％,Sb 3.49％,Al 0.05％,Si 0.06％,Cu 0.4％
なる組成を有する合金はんだを300℃程度に加熱して、
超音波振動を与えながらコートし、その上に通常のはん
だ（Pb約60wt％,Sn約40wt％）を供給し、第２図のよう
に金属板を接着した。かかるガラス板の反射防止多層膜
が形成されていない面をシール材を介してブラウン管に
貼りつけ、導電性反射防止多層膜付ディスプレイ装置を
形成した。反射防止多層膜のITO層と金属板間の抵抗は1
04Ω以下であった。金属板をアースし、ディスプレイ装
置のスイッチのON-OFFを１万回繰り返したが絶縁破壊な
どの問題は全く生じなかった。
比較例 実施例１と同様のディスプレイ装置の周辺部の１点にお
いて板バネを接触させて電極とした。ITO層と板バネ間
の抵抗は108Ω台であった。板バネをアースしてディス
プレイ装置のスイッチを１万回ON-OFFさせたところ板バ
ネ部において絶縁破壊が生じ反射防止多層膜は著しく劣
化した。
いて板バネを接触させて電極とした。ITO層と板バネ間
の抵抗は108Ω台であった。板バネをアースしてディス
プレイ装置のスイッチを１万回ON-OFFさせたところ板バ
ネ部において絶縁破壊が生じ反射防止多層膜は著しく劣
化した。
［発明の効果］ 本発明によれば、帯電防止効果を有する反射防止多層膜
の集電部を低抵抗で形成することができ、絶縁破壊によ
る反射防止多層膜の劣化が生じることがない。
の集電部を低抵抗で形成することができ、絶縁破壊によ
る反射防止多層膜の劣化が生じることがない。
又、本発明によって形成された集電部は接着強度が高
く、気密性、耐湿性にも優れている。
く、気密性、耐湿性にも優れている。
さらに、本発明の集電部の形成方法はどのような構成の
反射防止膜にも適用でき、特に導電性を有する層が集電
部を形成する空気側から遠く基板に近い層に構成されて
いる反射防止多層膜にも十分に適用できるものである。
反射防止膜にも適用でき、特に導電性を有する層が集電
部を形成する空気側から遠く基板に近い層に構成されて
いる反射防止多層膜にも十分に適用できるものである。
又、本発明において用いる合金はんだは反射防止多層膜
上に180℃〜400℃程度で供給される。かかる温度は、通
常反射防止多層膜の劣化が生じる500℃程度より十分低
いので、反射防止多層膜の材料としては耐熱性の点から
制限されることはほとんどなく、本発明の集電部の形成
方法が適用できる反射防止多層膜の範囲は大変広い。
上に180℃〜400℃程度で供給される。かかる温度は、通
常反射防止多層膜の劣化が生じる500℃程度より十分低
いので、反射防止多層膜の材料としては耐熱性の点から
制限されることはほとんどなく、本発明の集電部の形成
方法が適用できる反射防止多層膜の範囲は大変広い。
第１図及び第２図は本発明による集電部の概念的な横断
面図、第３図は本発明の実施例１に従って集電部を形成
したディスプレイ装置の概略断面図である。 1:基板 2,12:帯電防止効果を有する反射防止多 3:リード線または金属板 4,14:合金はんだ 5:普通はんだ 11:ガラス板 13:リード線 15:ブラウン管 16:シール材（接着剤）
面図、第３図は本発明の実施例１に従って集電部を形成
したディスプレイ装置の概略断面図である。 1:基板 2,12:帯電防止効果を有する反射防止多 3:リード線または金属板 4,14:合金はんだ 5:普通はんだ 11:ガラス板 13:リード線 15:ブラウン管 16:シール材（接着剤）
Claims (3)
- 【請求項１】導電層を内層に持ち、絶縁性の膜を最外層
に持つ帯電防止効果を有する反射防止多層膜上に形成さ
れる集電部の形成方法において、Pb,Snを主成分とし、
これにZn,Sb,Al,Ti,Si,Cuのうち少なくとも１種を添加
した合金はんだを超音波振動下接触させ、該合金はんだ
を最外層から内層へ向かって浸透させることを特徴とす
る帯電防止効果を有する反射防止多層膜の集電部の形成
方法。 - 【請求項２】合金はんだが少なくともPbを40〜98wt％、
Snを1.8〜50wt％,Znを0.05〜10wt％,Sbを0.05〜10wt％
含んだものであることを特徴とする帯電防止効果を有す
る反射防止多層膜の集電部の形成方法。 - 【請求項３】導電層を内層に持ち、絶縁性の膜を最外層
に持つ帯電防止効果を有する反射防止多層膜の最外層上
に、Pb,Snを主成分とし、これにZn,Sb,Al,Ti,Si,Cuのう
ち少なくとも１種を添加した合金はんだを供給して形成
された集電部を有することを特徴とする帯電防止効果を
有する反射防止多層膜付ディスプレイ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63113576A JPH0787076B2 (ja) | 1988-05-12 | 1988-05-12 | 帯電防止効果を有する反射防止多層膜の集電部の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63113576A JPH0787076B2 (ja) | 1988-05-12 | 1988-05-12 | 帯電防止効果を有する反射防止多層膜の集電部の形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01286229A JPH01286229A (ja) | 1989-11-17 |
| JPH0787076B2 true JPH0787076B2 (ja) | 1995-09-20 |
Family
ID=14615743
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63113576A Expired - Fee Related JPH0787076B2 (ja) | 1988-05-12 | 1988-05-12 | 帯電防止効果を有する反射防止多層膜の集電部の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0787076B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05151915A (ja) * | 1991-11-26 | 1993-06-18 | Mitsubishi Electric Corp | 機能性プラスチツクフイルム付陰極線管及びその製造方法 |
| JP6171299B2 (ja) * | 2012-10-03 | 2017-08-02 | 日油株式会社 | 透明導電性フィルム |
| JP6171300B2 (ja) * | 2012-10-03 | 2017-08-02 | 日油株式会社 | 透明導電性フィルム、及び透明粘着層を積層した透明導電性粘着フィルム |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS595594A (ja) * | 1982-06-30 | 1984-01-12 | 日本精機株式会社 | 電界発光素子 |
-
1988
- 1988-05-12 JP JP63113576A patent/JPH0787076B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01286229A (ja) | 1989-11-17 |
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