JPH01286229A - 帯電防止効果を有する反射防止多層膜の集電部の形成方法 - Google Patents
帯電防止効果を有する反射防止多層膜の集電部の形成方法Info
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- JPH01286229A JPH01286229A JP63113576A JP11357688A JPH01286229A JP H01286229 A JPH01286229 A JP H01286229A JP 63113576 A JP63113576 A JP 63113576A JP 11357688 A JP11357688 A JP 11357688A JP H01286229 A JPH01286229 A JP H01286229A
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Landscapes
- Surface Treatment Of Optical Elements (AREA)
- Formation Of Various Coating Films On Cathode Ray Tubes And Lamps (AREA)
- Vessels, Lead-In Wires, Accessory Apparatuses For Cathode-Ray Tubes (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、帯電防止効果を有する反射防止多層膜の集電
部の形成方法に関するものである。
部の形成方法に関するものである。
[従来の技術]
従来ブラウン管などのディスプレイ装置の前面又は前面
に設置されるパネルには、外部光の反射によって像が写
り画面が見にくくなるのを防ぐために種々の単層又は多
層の反射防止膜がコーティングされ、反射率の低減が計
られている。その際の反射防止膜の構成としては、低屈
折率を有する物質を反射防止したい波長のλ/4の光学
膜厚でコートした単層の反射防止膜、空気側より低屈折
率層−高屈折率層を、光学厚みλ/4−λ/2でコート
した2Nの反射防止膜、空気側より低屈折率層−高屈折
率層一中屈折率層を光学厚みλ/4−λ/2−λ/4で
コートした3Nの反射防止膜、空気側より低屈折率層−
高屈折率屑一中屈折率屑一低屈折率層を光学厚みλ/4
−λ/2−λ/4−λ/4でコートした4Nの反射防止
膜などが典型的な例として知られている。
に設置されるパネルには、外部光の反射によって像が写
り画面が見にくくなるのを防ぐために種々の単層又は多
層の反射防止膜がコーティングされ、反射率の低減が計
られている。その際の反射防止膜の構成としては、低屈
折率を有する物質を反射防止したい波長のλ/4の光学
膜厚でコートした単層の反射防止膜、空気側より低屈折
率層−高屈折率層を、光学厚みλ/4−λ/2でコート
した2Nの反射防止膜、空気側より低屈折率層−高屈折
率層一中屈折率層を光学厚みλ/4−λ/2−λ/4で
コートした3Nの反射防止膜、空気側より低屈折率層−
高屈折率屑一中屈折率屑一低屈折率層を光学厚みλ/4
−λ/2−λ/4−λ/4でコートした4Nの反射防止
膜などが典型的な例として知られている。
一方、通常ブラウン管や前面パネルに用いられるガラス
やプラスチックには導電性がなく、ブラウン管動作中に
多量に発生する静電気により表面が帯電し、人体との間
で放電を起こしたり、はこりが吸着しやすいという問題
が指摘されており、コンピューターの端末やワープロの
ディスプレイ装置等においても大きな問題となっており
、このため反射防止膜に導電性を付与したもの、即ち、
少なくとも一層を透明で導電性を有する材料で構成した
反射防止膜が研究されている。しかしながら、透明導電
膜の材料としては、ITO(錫をドープした酸化インジ
ウム) 、SnO,(酸化11 ’)などが知られてい
るが、どれも屈折率が高く(例えばITOでは約2.0
、Snowでは1.9 ) 、このため反射防+F、M
tのIr!X構成が制限される。即ち、かかる透明導電
膜は屈折率が高いため単層の反射防止膜としては働かず
、かえって反射率を増加させてしまうし、又、多層の反
射防止膜の場合では上述の反射防止膜の構成からもわか
るように、空気側の最外層には、低屈折率の膜が構成さ
れる必要があり、透明導電膜の材料には必要な低屈折率
を満足するものがない為、透明導電膜は内層に構成され
、最外層は、低屈折率を有するMgF2,5i02など
の絶縁性材料で対応せざるを得ない。
やプラスチックには導電性がなく、ブラウン管動作中に
多量に発生する静電気により表面が帯電し、人体との間
で放電を起こしたり、はこりが吸着しやすいという問題
が指摘されており、コンピューターの端末やワープロの
ディスプレイ装置等においても大きな問題となっており
、このため反射防止膜に導電性を付与したもの、即ち、
少なくとも一層を透明で導電性を有する材料で構成した
反射防止膜が研究されている。しかしながら、透明導電
膜の材料としては、ITO(錫をドープした酸化インジ
ウム) 、SnO,(酸化11 ’)などが知られてい
るが、どれも屈折率が高く(例えばITOでは約2.0
、Snowでは1.9 ) 、このため反射防+F、M
tのIr!X構成が制限される。即ち、かかる透明導電
膜は屈折率が高いため単層の反射防止膜としては働かず
、かえって反射率を増加させてしまうし、又、多層の反
射防止膜の場合では上述の反射防止膜の構成からもわか
るように、空気側の最外層には、低屈折率の膜が構成さ
れる必要があり、透明導電膜の材料には必要な低屈折率
を満足するものがない為、透明導電膜は内層に構成され
、最外層は、低屈折率を有するMgF2,5i02など
の絶縁性材料で対応せざるを得ない。
[発明の解決しようとする課M]
このような透明導電膜を内層に有する反射防止多層膜か
ら透明導電膜が帯電してたまった電荷をアースして取り
出すための集電部の形成方法としては種々の方法が試み
られて来た。
ら透明導電膜が帯電してたまった電荷をアースして取り
出すための集電部の形成方法としては種々の方法が試み
られて来た。
通常のはんだは反射防止膜の最外層、具体的にはMgF
tや5i02とのぬれ性が悪いので用いることができな
い為、金篤板の板バネを直接反射防止膜の最外層上に接
触させてアース取り出しを試みたが、導電性のない最外
層を介していることに加えて板バネの完全な接触が得ら
れないため透明導電膜との間の抵抗値が非常に高くなり
、反射防止膜NWAの一部が絶縁破壊を起こすという現
象が生じ、膜が劣化してしまうという問題が生じた。
tや5i02とのぬれ性が悪いので用いることができな
い為、金篤板の板バネを直接反射防止膜の最外層上に接
触させてアース取り出しを試みたが、導電性のない最外
層を介していることに加えて板バネの完全な接触が得ら
れないため透明導電膜との間の抵抗値が非常に高くなり
、反射防止膜NWAの一部が絶縁破壊を起こすという現
象が生じ、膜が劣化してしまうという問題が生じた。
又、銅はくに接着剤を塗布した導電性テープを貼りつけ
る方法も試みたが接着剤の導電性が十分でなく、やはり
絶縁破壊現象が起こるという問題点が生じた。
る方法も試みたが接着剤の導電性が十分でなく、やはり
絶縁破壊現象が起こるという問題点が生じた。
[課題を解決するための手段]
本発明は前述の問題点を解決すべくなされたものであり
、導電層を内層に持つ帯電防止効果を有する反射防止多
層膜に、Pb−Sn合金を主成分としこれにZn、Sb
、Al、Ti、Si、Cuのうち少なくとも1種を微量
銹加した合金はんだを超音波振動子接触させることを特
徴とする帯電防止効果を有する反射防止多層膜の集電部
の形成方法を提供するものである。
、導電層を内層に持つ帯電防止効果を有する反射防止多
層膜に、Pb−Sn合金を主成分としこれにZn、Sb
、Al、Ti、Si、Cuのうち少なくとも1種を微量
銹加した合金はんだを超音波振動子接触させることを特
徴とする帯電防止効果を有する反射防止多層膜の集電部
の形成方法を提供するものである。
本発明において用いる合金はんだは、Pb−Sn合金を
主成分とし、これにZn、Sb、Al、 Ti、 St
。
主成分とし、これにZn、Sb、Al、 Ti、 St
。
Cuのうち少なくとも1種を微量添加した合金であり、
好ましくはPbを40〜98wt%、 Snを1.8〜
50wt%、 Znを0.05〜10wt%、Sbを0
.05〜10vt%含んだものである。より好ましくは
、Pbを40〜98wt%、 Snを1.8〜50wt
%、 Znを0.05〜10wt%。
好ましくはPbを40〜98wt%、 Snを1.8〜
50wt%、 Znを0.05〜10wt%、Sbを0
.05〜10vt%含んだものである。より好ましくは
、Pbを40〜98wt%、 Snを1.8〜50wt
%、 Znを0.05〜10wt%。
sbを0.05〜10wt%、 AIを0.1%以下含
んだものであり、特に好ましくは、Pbを40〜98w
t%、 Snを1.8〜50wt%、 Znを0.05
〜10wt%、 AIを0.1vt%以下、Si+TL
合計量を0.5wt%以下、Cuを3%以下含んだもの
である0本発明における合金はんだはMgFx、Sto
wなどの反射防止膜の最外層とのぬれ性も良好で、低抵
抗で強い接着強度を有する集電部の形成が可能となるか
らである。
んだものであり、特に好ましくは、Pbを40〜98w
t%、 Snを1.8〜50wt%、 Znを0.05
〜10wt%、 AIを0.1vt%以下、Si+TL
合計量を0.5wt%以下、Cuを3%以下含んだもの
である0本発明における合金はんだはMgFx、Sto
wなどの反射防止膜の最外層とのぬれ性も良好で、低抵
抗で強い接着強度を有する集電部の形成が可能となるか
らである。
本発明においては、上記合金はんだを帯電防止効果を有
する反射防止膜yisの最外層上の一部に供給し、超音
波振動子接触させることによって成される。というのは
、低抵抗で十分な接着強度を持って集電部の形成を行な
うには、反射防止多M膜の最外層と合金はんだとの界面
に存在する気泡を摩擦操作などによって除去し、完全な
接触を得、さらには合金はんだの反射防止膜への浸透を
促進する必要があり、その為には超音波の振動エネルギ
ーを利用することが実用上置も効率的であるからである
。
する反射防止膜yisの最外層上の一部に供給し、超音
波振動子接触させることによって成される。というのは
、低抵抗で十分な接着強度を持って集電部の形成を行な
うには、反射防止多M膜の最外層と合金はんだとの界面
に存在する気泡を摩擦操作などによって除去し、完全な
接触を得、さらには合金はんだの反射防止膜への浸透を
促進する必要があり、その為には超音波の振動エネルギ
ーを利用することが実用上置も効率的であるからである
。
本発明の集電部の形成は、第1図のようにハンダごてに
超音波振動を与えながら 180〜400℃程度に加熱
した合金はんた4を供給して反射防止多層Jl!12の
最外層と金具やリード線3を直接接着してもよいし、第
2図のように反射防止多層膜2上に超音波振動を与えな
がら 180〜400°C程度に加熱した合金はんだ4
をコートし、その上に金具やリード線3を普通のはんだ
5を用いて接着してもよい。
超音波振動を与えながら 180〜400℃程度に加熱
した合金はんた4を供給して反射防止多層Jl!12の
最外層と金具やリード線3を直接接着してもよいし、第
2図のように反射防止多層膜2上に超音波振動を与えな
がら 180〜400°C程度に加熱した合金はんだ4
をコートし、その上に金具やリード線3を普通のはんだ
5を用いて接着してもよい。
本発明の集電部は反射防止多層膜の最外層上の周辺部の
1点に形成されていてもよいし、周辺部に帯状に形成さ
れてもよい。
1点に形成されていてもよいし、周辺部に帯状に形成さ
れてもよい。
本発明の集電部の形成方法が適用される反射防止膜層膜
は特に限定されるものではなく、基板/ I T O/
S i O2、基板/A1.03 / I T O/
MgF*、基板/ITO/SiO□/MgF*、基板/
I T O/ MgF2層 I T O/ MgF*な
ど、各種反射防止多層膜に適用でき、透明導電膜が空気
側から何層目に構成されていてもよい。
は特に限定されるものではなく、基板/ I T O/
S i O2、基板/A1.03 / I T O/
MgF*、基板/ITO/SiO□/MgF*、基板/
I T O/ MgF2層 I T O/ MgF*な
ど、各種反射防止多層膜に適用でき、透明導電膜が空気
側から何層目に構成されていてもよい。
本発明において、帯電防止効果を有する反射防止多層膜
が形成される基板は屈折率、集電部形成時の耐熱性など
の点からガラス板が好ましいが、合成樹脂板又はフィル
ムであってもよい。
が形成される基板は屈折率、集電部形成時の耐熱性など
の点からガラス板が好ましいが、合成樹脂板又はフィル
ムであってもよい。
[作用]
本発明の方法においては、Pb、 Sn合金を主成分と
し、これにZn、Sb、Al、Ti、Si、Cuのうち
少なくともlilを微量添加した合金はんだを用いる。
し、これにZn、Sb、Al、Ti、Si、Cuのうち
少なくともlilを微量添加した合金はんだを用いる。
かかる通常のPb−Sn合金はんだへのかかる元素のa
m添加は接着性、気密性、耐湿性、導電性の向上、さら
に合金の融点低下に寄与している。
m添加は接着性、気密性、耐湿性、導電性の向上、さら
に合金の融点低下に寄与している。
又、本発明において上記合金はんだは反射防止膜上に超
音波振動下接触させる。これは、超音波のエネルギーに
より反射防止膜の最外層と該合金はんだとの界面に存在
する気泡を除去し完全な接触をもたらすことができ、又
、該合金はんだが反射防止膜層膜の最外層から内層へ向
かって浸透していく現象が促進されるため、低抵抗での
集電部の形成が可能となり、さらにリード線又は金属板
等の機械的付着強度も向上すると考えられる。
音波振動下接触させる。これは、超音波のエネルギーに
より反射防止膜の最外層と該合金はんだとの界面に存在
する気泡を除去し完全な接触をもたらすことができ、又
、該合金はんだが反射防止膜層膜の最外層から内層へ向
かって浸透していく現象が促進されるため、低抵抗での
集電部の形成が可能となり、さらにリード線又は金属板
等の機械的付着強度も向上すると考えられる。
[実施例]
実施例1
第3図に示すように、
Glass/ITO/MgF*/ Zr0z+TiO*
/MgF2170人 260人 1200 人 90
0 人の構成を有する反射防止膜N812が形成され
たガラス11をブラウン管15の表面にシール材(接着
剤)16を介して貼りつけてなる導電性反射防止多層膜
付ディスプレイ装置の最外層のMgF、層の周辺部の1
点において、Pb93%、Sn4%、 Zn2%、 S
b O,95%、 AI 0.05%(いずれも重量%
)なる組成を有する合金はんだを350°C程度に加熱
して供給し、超音波振動を与えながら第1図のようにリ
ード!113を直接接着した。IToMとリード線間の
抵抗は104Ω以下であった。リード線をアースした状
愈でディスプレイ装置のスイッチの0N−OFFを1万
回繰返したが絶縁破壊などの開運は全く生じなかった。
/MgF2170人 260人 1200 人 90
0 人の構成を有する反射防止膜N812が形成され
たガラス11をブラウン管15の表面にシール材(接着
剤)16を介して貼りつけてなる導電性反射防止多層膜
付ディスプレイ装置の最外層のMgF、層の周辺部の1
点において、Pb93%、Sn4%、 Zn2%、 S
b O,95%、 AI 0.05%(いずれも重量%
)なる組成を有する合金はんだを350°C程度に加熱
して供給し、超音波振動を与えながら第1図のようにリ
ード!113を直接接着した。IToMとリード線間の
抵抗は104Ω以下であった。リード線をアースした状
愈でディスプレイ装置のスイッチの0N−OFFを1万
回繰返したが絶縁破壊などの開運は全く生じなかった。
実施例2
Glass / ITO/ MgFm/ Zr0t /
MgF2170人 260人 1200人 900
人の構成を有する反射防止多層膜が形成されたガラス
板の周辺部の1点において、最外lMgF2層上に、P
b81%、 Sn 9%、Zn6%、 Sb 3.49
X、 AIo、05 %、 St O,06%、 C
u O,4%なる組成を有する合金はんだを300℃程
度に加熱して、超音波振動を与えながらコートし、その
上に通常のはんだ(Pb約60wtX、 Sn約40f
t%)を供給し、第2図のように金属板を接着した。か
かるガラス板の反射防止多層膜が形成されていない面を
シール材を介してブラウン管に貼りつけ、導電性反射防
止多層膜付ディスプレイ装置を形成した。
MgF2170人 260人 1200人 900
人の構成を有する反射防止多層膜が形成されたガラス
板の周辺部の1点において、最外lMgF2層上に、P
b81%、 Sn 9%、Zn6%、 Sb 3.49
X、 AIo、05 %、 St O,06%、 C
u O,4%なる組成を有する合金はんだを300℃程
度に加熱して、超音波振動を与えながらコートし、その
上に通常のはんだ(Pb約60wtX、 Sn約40f
t%)を供給し、第2図のように金属板を接着した。か
かるガラス板の反射防止多層膜が形成されていない面を
シール材を介してブラウン管に貼りつけ、導電性反射防
止多層膜付ディスプレイ装置を形成した。
反射防止膜WJaのITO層と金属板間の抵抗は104
Ω以下であった。金属板をアースし、ディスプレイ装置
のスイッチの0N−OFFを1万回繰り返したが絶縁破
壊などの問題は全く生じなかった。
Ω以下であった。金属板をアースし、ディスプレイ装置
のスイッチの0N−OFFを1万回繰り返したが絶縁破
壊などの問題は全く生じなかった。
比較例
実施例1と同様のディスプレイ装置の周辺部の1点にお
いて板バネを接触させて電極とした。ITOIと板バネ
間の抵抗は106Ω台であった。板バネをアースしてデ
ィスプレイ装置のスイッチを1万回0N−OFFさせた
ところ板バネ部において絶縁破壊が生じ反射防止膜層膜
は著しく劣化した。
いて板バネを接触させて電極とした。ITOIと板バネ
間の抵抗は106Ω台であった。板バネをアースしてデ
ィスプレイ装置のスイッチを1万回0N−OFFさせた
ところ板バネ部において絶縁破壊が生じ反射防止膜層膜
は著しく劣化した。
[発明の効果]
本発明によれば、帯電防止効果を有する反射防止多層膜
の集電部を低抵抗で形成することができ、絶縁破壊によ
る反射防止多層膜の劣化が生じることがない。
の集電部を低抵抗で形成することができ、絶縁破壊によ
る反射防止多層膜の劣化が生じることがない。
又、本発明によって形成された集電部は接着強度が高く
、気密性、耐湿性にも優れている。
、気密性、耐湿性にも優れている。
さらに、本発明の集電部の形成方法はどのような構成の
反射防止膜にも適用でき、特に導電性を有する層が集電
部を形成する空気側から遠く基板に近い層に構成されて
いる反射防止多層膜にも十分に適用できるものである。
反射防止膜にも適用でき、特に導電性を有する層が集電
部を形成する空気側から遠く基板に近い層に構成されて
いる反射防止多層膜にも十分に適用できるものである。
又、本発明において用いる合金はんだは反射防止多層膜
上に 180°C〜400°C程度で供給される。かか
る温度は、通常反射防止膜層膜の劣化が生じる 500
°C程度より十分低いので、反射防止多層膜の材料とし
ては耐熱性の点から制限されることはほとんどなく、本
発明の集電部の形成方法が適用できる反射防止多層膜の
範囲は大変広い。
上に 180°C〜400°C程度で供給される。かか
る温度は、通常反射防止膜層膜の劣化が生じる 500
°C程度より十分低いので、反射防止多層膜の材料とし
ては耐熱性の点から制限されることはほとんどなく、本
発明の集電部の形成方法が適用できる反射防止多層膜の
範囲は大変広い。
第1図及び第2図は本発明による集電部の概念的な横断
面図、第3図は本発明の実施例1に従って集電部を形成
したディスプレイ装置の概略断面図である。 1:基板 2.12:帯電防止効果を有する反射防止膜3:リード
線または金属板 4.14:合金はんた 5:普通はんだ 11ニガラス板 13:リード線 15ニブラウン管 16:シール材(接着剤) 粘I 旧 惑?叉 狛3囲
面図、第3図は本発明の実施例1に従って集電部を形成
したディスプレイ装置の概略断面図である。 1:基板 2.12:帯電防止効果を有する反射防止膜3:リード
線または金属板 4.14:合金はんた 5:普通はんだ 11ニガラス板 13:リード線 15ニブラウン管 16:シール材(接着剤) 粘I 旧 惑?叉 狛3囲
Claims (3)
- (1)導電層を内層に持つ帯電防止効果を有する反射防
止多層膜上に、Pb、Snを主成分とし、これにZn、
Sb、Al、Ti、Si、Cuのうち少なくとも1種を
微量添加した合金はんだを超音波振動子接触させること
を特徴とする帯電防止効果を有する反射防止多層膜の集
電部の形成方 法。 - (2)合金はんだが少なくともPbを40〜98wt%
、Snを1.8〜50wt%、Znを0.05〜10w
t%、Sbを0.05〜10wt%含んだものであるこ
とを特徴とする帯電防止効果を有する反射防止多層膜の
集電部の形成方法。 - (3)導電層を内層に持つ帯電防止効果を有する反射防
止多層膜の最外層上にPb、Snを主成分とし、これに
Zn、Sb、Al、Ti、Si、Cuのうち少なくとも
1種を微量添加した合金はんだを供給して形成された集
電部を有することを特徴とする帯電防止効果を有する反
射防止多層膜付ディスプレイ装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63113576A JPH0787076B2 (ja) | 1988-05-12 | 1988-05-12 | 帯電防止効果を有する反射防止多層膜の集電部の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63113576A JPH0787076B2 (ja) | 1988-05-12 | 1988-05-12 | 帯電防止効果を有する反射防止多層膜の集電部の形成方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01286229A true JPH01286229A (ja) | 1989-11-17 |
JPH0787076B2 JPH0787076B2 (ja) | 1995-09-20 |
Family
ID=14615743
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63113576A Expired - Fee Related JPH0787076B2 (ja) | 1988-05-12 | 1988-05-12 | 帯電防止効果を有する反射防止多層膜の集電部の形成方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0787076B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05151915A (ja) * | 1991-11-26 | 1993-06-18 | Mitsubishi Electric Corp | 機能性プラスチツクフイルム付陰極線管及びその製造方法 |
JP2014073613A (ja) * | 2012-10-03 | 2014-04-24 | Nof Corp | 色調補正フィルム及びこれを用いた透明導電性フィルム |
JP2014073614A (ja) * | 2012-10-03 | 2014-04-24 | Nof Corp | 色調補正フィルムとそれを用いた透明導電性フィルム、及び透明粘着層を積層した透明導電性粘着フィルム |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS595594A (ja) * | 1982-06-30 | 1984-01-12 | 日本精機株式会社 | 電界発光素子 |
-
1988
- 1988-05-12 JP JP63113576A patent/JPH0787076B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS595594A (ja) * | 1982-06-30 | 1984-01-12 | 日本精機株式会社 | 電界発光素子 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05151915A (ja) * | 1991-11-26 | 1993-06-18 | Mitsubishi Electric Corp | 機能性プラスチツクフイルム付陰極線管及びその製造方法 |
JP2014073613A (ja) * | 2012-10-03 | 2014-04-24 | Nof Corp | 色調補正フィルム及びこれを用いた透明導電性フィルム |
JP2014073614A (ja) * | 2012-10-03 | 2014-04-24 | Nof Corp | 色調補正フィルムとそれを用いた透明導電性フィルム、及び透明粘着層を積層した透明導電性粘着フィルム |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0787076B2 (ja) | 1995-09-20 |
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Legal Events
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---|---|---|---|
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