JPH02256089A - 帯電防止効果を有する反射防止多層膜付パネル及びその製造方法 - Google Patents

帯電防止効果を有する反射防止多層膜付パネル及びその製造方法

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JPH02256089A
JPH02256089A JP1314177A JP31417789A JPH02256089A JP H02256089 A JPH02256089 A JP H02256089A JP 1314177 A JP1314177 A JP 1314177A JP 31417789 A JP31417789 A JP 31417789A JP H02256089 A JPH02256089 A JP H02256089A
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Toshiaki Isomura
磯村 俊明
Tsunemitsu Koizumi
小泉 常光
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、帯電防止効果を有する反射防止多層膜付パネ
ル及びその製造方法に関するものである。
[従来の技術J 従来ブラウン管などのデイスプレィ装置の前面又は前面
に設置されるパネルには、外部光の反射によって像が写
り画面が見にく(なるのを防ぐために種々の単層又は多
層の反射防止膜がコーティングされ、反射率の低減が計
られている。その際の反射防止膜の構成としては、低屈
折率を有する物質を反射防止したい波長のλ/4の光学
膜厚でコートした単層の反射防止膜、空気側より低屈折
率層−高屈折率層を、光学厚みλ/4−λ/2でコート
した2層の反射防止膜、空気側より低屈折率層−高屈折
率層−中屈折率層を光学厚みλ/4−λ/2−λ/4で
コートした3層の反射防止膜、空気側より低屈折率層−
高屈折率層一中屈折率層一低屈折率層を光学厚みえ/4
−λ/2−λ/4−λ/4でコートした4層の反射防止
膜などが典型的な例として知られている。
一方、通常ブラウン管や前面パネルに用いられるガラス
やプラスチックには導電性がな(、ブラウン管動作中に
多量に発生する静電気により表面が帯電し、人体との間
で放電を起こしたり、はこりが吸着しやすいという問題
が指摘されており、コンピューターの端末やワープロの
デイスプレィ装置等においても大きな問題となっており
、このため反射防止膜に導電性を付与したもの、即ち、
少なくとも一層を透明で導電性を有する材料で構成した
反射防止膜が研究されている。しかしながら、透明導電
膜の材料としては、ITO(錫をドープした酸化インジ
ラム) 、 Snow (酸化錫)などが知られている
が、どれも屈折率が高く(例えばITOでは約2.0、
SnO□では1.9 ) 、このため反射防止膜の膜構
成が制限される。即ち、かかる透明導電膜は屈折率が高
いため単層の反射防止膜としては働かず、かえって反射
率を増加させてしまうし、又、多層の反射防止膜の場合
では上述の反射防止膜の構成からもわかるように、空気
側の最外層には、低屈折率の膜が構成される必要があり
、透明導電膜の材料には必要な低屈折率を満足するもの
がない為、透明導電膜は内層に構成され、最外層は、低
屈折率を有するMgF2.SiO□なとの絶縁性材料で
対応せざるを得ない。
[発明の解決しようとする課題] このような透明導電膜を内層に有する反射防止多層膜か
ら透明導電膜が帯電してたまった電荷をアースして取り
出せるような反射防止多層膜付パネルの製造方法として
は種々の方法が試みられて来た。
通常のはんだを反射防止膜の最外層に設けて、アース取
り出しを試みたところ、はんだと反射防止膜最外層、具
体的にはMgF、やSiO□とのぬれ性があまり良好で
な(、導電性のない層を介している為、このようなはん
だを最外層上に設けただけでは、十分に低い抵抗値でア
ース取り出しを行うことはできなかった。
又、金属の板バネを直接反射防止膜の最外層上に接触さ
せてアース取り出しを試みたが、導電性のない最外層を
介していることに加えて板バネの完全な接触が得られな
いため透明導電膜との間の抵抗値が非常に高(なり、反
射防止多層膜の一部が絶縁破壊を起こすという現象が生
じ、膜が劣化してしまうという問題が生じた。
又、銅はくに接着剤を塗布した導電性テープを貼りつけ
る方法も試みたが接着剤の導電性が十分でなく、やはり
絶縁破壊現象が起こるという問題点が生じた。
[課題を解決するための手段] 本発明は前述の問題点を解決すべくなされたものであり
、 ガラス基板上に、 導電性フリットペーストを焼付けて形成された、表面に
凹凸を有する静電気導出用の集電部と、 該集電部の少なくとも一部を覆うように上記ガラス基板
状に形成され、導電層を内層に持ち、上記集電部の表面
粗さの最大高さ以下の膜厚を有する帯電防止効果を有す
る反射防止多層膜と、 該反射防止膜の最外層上の上記集電部の上部の位置に設
けられたアース取り出し端子とを有し、 上記反射防止多層膜付ガラス基板上に生じた静電気を、
該反射防止多層膜中の導電層を通じて上記集電部に集め
、該集電部から上記アース取り出し端子を通じて外部へ
導出できるようにした帯電防止効果を有する反射防止多
層膜付パネル を提供するものである。
以下、本発明の帯電防止効果を有する反射防止多層膜付
パネルの製造方法を第1図に従って説明する。第1図に
おいて、lはガラス基板、2は導電性フリットペースト
からなる集電部、3は導電層を内層に持つ帯電防止効果
を有する反射防止多層膜、4はアース取り出し端子、5
は本発明の帯電防止効果を有する反射防止多層膜付パネ
ルを示す。
まず、第1図(1)に示したように、洗浄されたガラス
基板1上の周辺に近い部分に導電性フリットペースト2
をロールコータ−又はメニスカスコーター等を用いて塗
布、又はスクリーン印刷する。この時導電性フリットペ
ースト2は点状に形成されても良いし、ある程度の長さ
を持って線状に形成されても良い。又、所望に応じ、ガ
ラス基板1上に複数設けられても良い。
次に導電性フリットペースト2を80”C〜120℃程
度に加熱して予備乾燥し、次いで固有の焼成温度で焼成
してガラス基板上に焼き付ける。
本発明において用いられる導電性フリットペースト2と
しては、銀、アルミニウム、金。
銅、白金、パラジウム等の良導電性の金属の粒子を低融
点のガラスフリット(例えば、pbo −820、系、
 PbO−820s  Si0g系又はPbO−ZnO
−B20.系等の低融点のガラスフリット)と混合し、
これに有機溶媒、増粘剤、その他所窓の成分を添加して
ペースト状にしたものであって、ガラスの曲げ加工(5
80℃〜640℃)又は強化加工(61O℃〜680℃
)のための加熱温度で焼付けられる様な焼成温度範囲を
有するものであれば、所望の曲面、例えば、陰極線管(
CRT)等の表面に貼り付けられるような曲面を有する
パネル、又は強化加工を施されたパネルを該導電性ガラ
スフリット2の焼成と同時に製造することができるので
好ましい。第1図(2)には、導電性フリットペースト
2の焼成と同時に、ガラス基板1に、所望の曲げ成形を
施した場合を示した。
導電性フリットペースト2の焼成温度は、その組成によ
って決まるが、ガラスの軟化点と同程度か又は非常に近
い為、所望の曲面、例えば、陰極線管(CRT)等の表
面に貼り付けられるような曲面を有するパネルを製造し
たい場合には、導電性フリットペースト2の焼成と前後
して、又は同時にガラス基板を曲げ成形することができ
る。第1図(2)には、所望に応じ、ガラス基板lに曲
げ成形を施した場合を示した。
次に、導電性フリットペースト2が焼き付けられたガラ
ス基板上に帯電防止効果を有する反射防止多層膜3を形
成する。この際、反射防止多層膜3を、第1図−(3)
の(a)に示した様に、導電性フリットペーストからな
る集電部2の一部又は全体をを覆う様に形成しても良い
し、第1図(3)の(b)に示した様に、集電部2をマ
スクするなどの方法で、集電部2を除いた部分に、該集
電部2に接するように形成しても良い。
本発明における反射防止膜の最外層は、上述のように低
屈折率を有する絶縁性材料により構成せざるを得ない、
かかる最外層の材料としては、MgF*、 5top、
 CaFz、氷晶石等、低屈折率を有するものであれば
良いが、特に化学的、及び物理的耐久性や量産性、入手
しやすさ等の点から、MgF2又は5iOzが好ましい
。又、SiOxにZr。
11f、 Ti、 In、 Ta、 Sn等を微量含有
せしめて耐酸性を更に向上させた材料、例えば5iTi
え0つ、 5iZrxOy等を用いることもできる。
最後に、アース取り出し端子4を、第1図(4)の(a
)に示した様に、反射防止膜3の最外層上の集電部2の
上部の位置に施すか、又は、第1図(4)の(b)に示
した様に、集電部2上に施して、本発明の帯電防止効果
を有する反射防止多層膜付パネル5が製造される。アー
ス取り出し端子4は、はんだによって形成しても良いし
、単に板バネを接触させるだけでも良い。
反射防止多層膜付パネルを枠組みに嵌め込む際に板バネ
を挾み込むようにしても良い。
[作用] 以上の様にして製造された本発明の帯電防止効果を有す
る反射防止多層膜付パネル5においては、反射防止多層
膜付ガラス基板上に生じた静電気を、該反射防止多層膜
中の導電層を通じて集電部2に集め、該集電部2からア
ース取り出し端子4を通じて外部へ導出できるようにさ
れている。
第1図 (4)の(b)に示した5(b)のような構成
の場合には、導電層が反射防止多層膜3においてガラス
基板から第何層目に形成されていても、帯電防止効果を
有する反射防止多層膜3中の導電層の端部と集電部2、
集電部2とアース取り出し端子4は互いに直接接してい
る為、反射防止多層膜3中の導電層とアース取り出し端
子4との間の抵抗が0.5Ω〜3Ω程度と非常に低い抵
抗値をもってアース取り出しが可能となる。
第1図 (4)の(a)に示した5(a)のような構成
の場合には、反射防止多層膜3の中の導電層と集電部2
、集電部2とアース取り出し端子4が両方とも直接接す
ることがなく、絶縁層を介して静電気の導出が行なわれ
ることになり、反射防止多贋膜3中の導電層とアース取
り出し端子4との間の抵抗は上記4(b)の場合よりも
幾らか高くなるが、本発明においては、導電性フリット
ペーストからなる集電部をその表面が反射防止多層膜の
膜厚以上、特に0.5μm以上の最大高さの表面粗さを
有するように形成するので、かかる集電部の上から反射
防止多層膜(通常2000〜3000人程度)を形成し
ても、かかる集電部2の凹凸の一部が反射防止多層膜3
をつきぬけて表面に露出しく第3図(a)参照)、又は
、非常に表面近くに存在する(第3図(b)参照)ため
、十分低抵抗なアース取り出しが可能となる。
本発明において、“表面粗さ”、及び“最大高さ”とは
JIS 80601−1982において定義される表面
粗さ、及び最大高さ(R,、、)を指す。
[実施例j 実施例1 ガラス基板1 (450mm X 350mmm)上の
周辺部の一点に、有機バインダー10%、Ag  81
%、PbO6,6%、 B20*  1.2%、 Si
O□ 0.6%、  Al2O*0.6%(以上いずれ
も重量%)の組成の導電性フリットペーストをロールコ
ータ−で塗布し、100℃で5分間乾燥した後、加熱炉
中にて700℃に4分間加熱焼成して導電性フリットか
らなる集電部2を形成した。加熱過程に於て、ガラス板
は曲げ型の上に載置され、集電部の形成された面が凸面
となるように、重力の作用によって曲げられた。次いで
急冷され強化された。
次いで、かかるガラス基板1の凸面上に、集電部をマス
クした状態で、 第1層/第2層/第3層/第4層 ガラス/ I T O/ MgFm/ Zr0z + 
TiO2/ MgF。
170人  260人  1200  人  900人
の構成を有する反射防止多層膜を、上記の膜厚で、それ
ぞれ真空蒸着法により、第1図(4) (b)のように
、集電部2以外の部分に形成し、本発明の帯電防止効果
を有する反射防止多層膜付パネル(サンプルAとする)
を製造した。
又、この他にも耐熱性試験(−40℃、150℃でそれ
ぞれ4時間放置)、溶解性試験(50%CHsCOOH
aqに24時間浸漬、10% NaC1aqに24時間
浸漬)をそれぞれ施したが、反射防止多層膜も集電部も
、試験前と全く変化がなかった。
さらに、サンプルAの反射防止多層膜及び集電部につい
て、摩擦試験(消しゴム20回往復)、接着テープによ
る密着性試験を実施したが、やはり全く変化がなかった
又、サンプルAの集電部lO上に、通常のはんだ14を
設けてアース取り出し端子を形成したところ、反射防止
多層膜12中の導電層(ITO層)と該アース取り出し
端子との間の抵抗値は約0.5Ω程度であった。かかる
パネルをブラウン管15表面に接着剤16によって、第
2図に示すように接着し、デイスプレィ装置を形成した
アース取り出し端子をリード線13によりアースし、ブ
ラウン管のスイッチの0N−OFFを1万回繰り返した
が、絶縁破壊等の問題は全く生じず、又、表面を指で触
れてもビリツとしたりすることはなかった。
実施例2 実施例1と同様にして導電性フリットペーストを焼き付
けてなる集電部を有するガラス基板を形成した。かかる
集電部の表面は最大高さが約0.5μmの表面粗さを有
していた。次いで、実施例1と同様の反射防止多層膜を
、第1図(4) (a)のように、該ガラス基板の一面
に形成し、本発明の帯電防止効果を有する反射防止多層
膜付パネル(サンプルBとする)を製造した。
かかるサンプルBに、MIL−C−675Aに規定され
ている耐湿性試験を実施例1と同様の方法で行ったとこ
ろ、実施例1と同様、試験後も反射防止多層膜及び集電
部共、試験前と変化なく劣化していなかった。
又、実施例1と同様に耐熱性、溶解性、摩擦、密着性の
各試験を実施したが、全く変化がなかった。
又、サンプルBの反射防止多層膜の最外層(MgF2層
)上の集電部の上部の位置に板バネを接触させてアース
取り出し端子としたところ、反射防止多層膜中の導電層
(ITO層)と該アース取り出し端子(板バネ)との間
の抵抗値は約1Ωであった。
かかるパネルを実施例1と同様、ブラウン管表面に接着
剤によって接着し、デイスプレィ装置を形成した。次に
、アース取り出し端子をリード線によりアースし、ブラ
ウン管のスイッチの0N−OFFを1万回繰り返したが
、絶縁破壊等の問題は全く生じず、又、表面を指で触れ
てもビリゾとしたりすることはなかった。
比較例 実施例1と同じガラス基板上に、集電部は形成せず、直
接実施例1と同様の反射防止多層膜を一面に形成した(
サンプルCとする)。
サンプルCの反射防止多層膜の最外層(MgF2層)上
の周辺部の1点に板バネを接触させてアース取り出し端
子としたところ、該アース取り出し端子と反射防止多層
膜中の導電層(ITO層)との間の抵抗値はio’Ω台
であった。かかるパネルを実施例1.2と同様、ブラウ
ン管表面に接着し、アース取り出し端子をリード線によ
りアースし、ブラウン管のスイッチのON−OFFを1
万回繰り返したところ、板バネ付近で絶縁破壊が生じ反
射防止多層膜は著しく劣化した。
[発明の効果] 本発明によれば、反射防止多層膜付ガラス基板上にたま
った静電気を、十分な低抵抗でアース取り出しが可能で
、絶縁破壊や反射防止多層膜の劣化が生じることのない
帯電防止効果を有する反射防止多層膜付パネルを製造す
ることができる。
又、本発明は、どのような構成の反射防止多層膜にも適
用できる。
即ち、導電層がガラス基板に最も近い層に構成されてい
る場合でも、導電層がガラス基板から第2層又はそれよ
り遠い層に構成されている場合でも、導電性フリットペ
ーストを焼き付けてなる集電部の存在により十分低抵抗
で、アース取り出しが可能となるものである。
又、本発明においては、集電部を導電性フリットペース
トをガラス基板に高温で焼き付けて形成するので、集電
部はガラスに密着しており、付着強度が高く、又、実施
例からも明白なように、耐湿性にも優れ、化学的にも機
械的にも安定しており、実用性が非常に高い。
さらに、本発明においては、かがる集電部を、ガラス基
板の曲げ加工又は/かっ強化加工工程と同時に形成(焼
成)することができるので、本発明のパネルを非常に効
率的に製造することができる。又、反射防止多層膜を形
成する前に、あらかじめ集電部を形成してお(ため、該
反射防止多層膜形成後に膜をキズつけることなく安定的
な供給が可能である。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の帯電防止効果を有する反射防止多層膜
付パネルの製造方法を順次示す該パネルの断面図、第2
図は本発明の実施例1に従って本発明のパネルをブラウ
ン管表面に接着したデイスプレィ装置の概略断面図、第
3図は本発明のパネルの集電部近傍の一部拡大断面図で
ある。 1ニガラス基板 2:導電性フリットペーストからなる集電部3:帯電防
止効果を有する反射防止多層膜4:アース取り出し端子 5:本発明の帯電防止効果を有する反射防止多層膜付パ
ネル llニガラス板 12:反射防止多層膜 13: リード線 14:はんだ 15ニブラウン管 16:接着剤層 ぢ掘l ↓ 山趙触梼頑形成 躬 ! 図 冷 図

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)ガラス基板上に、 導電性フリットペーストを焼付けて形成さ れた、表面に凹凸を有する静電気導出用の集電部と、 該集電部の少なくとも一部を覆うように上 記ガラス基板上に形成され、導電層を内層に持ち、上記
    集電部の表面粗さの最大高さ以下の膜厚を有する帯電防
    止効果を有する反射防止多層膜と、 該反射防止膜の最外層上の上記集電部の上 部の位置に設けられたアース取り出し端子とを有し、 上記反射防止多層膜付ガラス基板上に生じ た静電気を、該反射防止多層膜中の導電層を通じて上記
    集電部に集め、該集電部から上記アース取り出し端子を
    通じて外部へ導出できるようにした帯電防止効果を有す
    る反射防止多層膜付パネル。
  2. (2)集電部の表面が、最大高さが0.5μm以上の表
    面粗さを有することを特徴とする請求項1記載の帯電防
    止効果を有する反射防止多層膜付パネル。
  3. (3)ガラス基板上に、 導電性フリットペーストを焼付けて形成さ れた静電気導出用の集電部と、 上記基板上の該集電部を除く部分に、その 端部が該集電部と接するように形成された導電層を内層
    に持つ帯電防止効果を有する反射防止多層膜と、 上記集電部上に設けられたアース取り出し 端子とを有し、 上記反射防止多層膜付ガラス基板上に生じ た静電気を、該反射防止多層膜中の導電層を通じて上記
    集電部に集め、該集電部から上記アース取り出し端子を
    通じて外部へ導出できるようにした帯電防止効果を有す
    る反射防止多層膜付パネル。
  4. (4)反射防止多層膜の最外層がMgF_2又はSiO
    _2からなることを特徴とする請求項1〜3いずれか1
    項記載の帯電防止効果を有する反射防止多層膜付パネル
  5. (5)請求項1〜4いずれか1記載の帯電防止効果を有
    する反射防止多層膜付パネルが、その反射防止多層膜が
    形成されていない面が陰極線管前面部に接着されている
    ことを特徴とする陰極線管。
  6. (6)ガラス基板上に導電性フリットペーストを印刷又
    は塗布した後乾燥及び焼成して静電気導出用の集電部を
    、その表面が、次に形成する反射防止多層膜の膜厚以上
    の最大高さの表面粗さを有するように形成し、次いで、
    該集電部が形成されたガラス基板面上に、導電層を内層
    に持つ帯電防止効果を有する反射防止多層膜を上記集電
    部の少なくとも一部を覆うように形成し、次に、該反射
    防止多層膜の最外層上の上記集電部の上部の位置にアー
    ス取り出し端子を設けることを特徴とする帯電防止効果
    を有する反射防止多層膜付パネルの製造方法。
  7. (7)ガラス基板上に導電性フリットペーストを印刷又
    は塗布した後乾燥及び焼成して静電気導出用の集電部を
    形成し、次いで、該集電部が形成されたガラス基板面上
    の上記集電部を除く部分に導電層を内層に持つ帯電防止
    効果を有する反射防止多層膜を上記集電部に接するよう
    に形成し、次に、上記集電部上にアース取り出し端子を
    設けることを特徴とする帯電防止効果を有する反射防止
    多層膜付パネルの製造方法。
  8. (8)導電性フリットペーストを焼成する工程において
    、同時にガラス基板に曲げ加工を施すことを特徴とする
    請求項6又は7記載の帯電防止効果を有する反射防止多
    層膜付パネルの製造方法。
  9. (9)導電性フリットペーストを焼成する工程において
    、同時にガラス基板に強化加工を施すことを特徴とする
    請求項6〜8いずれか1項記載の帯電防止効果を有する
    反射防止多層膜付パネルの製造方法。
JP1314177A 1988-12-06 1989-12-05 帯電防止効果を有する反射防止多層膜付パネル及びその製造方法 Expired - Lifetime JPH0614248B2 (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010153173A (ja) * 2008-12-25 2010-07-08 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 成膜用基板および発光装置の作製方法

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2010153173A (ja) * 2008-12-25 2010-07-08 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 成膜用基板および発光装置の作製方法

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