CN210015857U - 氮化铝陶瓷板结构 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了氮化铝陶瓷板结构，包括基板本体，所述基板本体的顶部热熔连接有第一透光层，所述第一透光层的顶部粘黏有第一粘结层，所述第一粘结层的顶部固定连接有导电层，所述导电层的顶部粘黏有第二粘结层，所述第二粘结层的顶部热熔连接有第二透光层，所述第二透光层的顶部热熔连接有陶瓷板，所述陶瓷板的表面涂覆有防污层。本实用新型通过设置第一透光层与第二透光层，能够对基板本体与陶瓷板的透光率起到增益的功效，解决了现有的氮化铝陶瓷基板透光性能较差、导致封装芯片在使用过程中显指显示度降低且高耗能，无法满足高显指产品的生产需求，不便于大规模推广的问题，该氮化铝陶瓷板结构，具备透光性能好等优点。

Description

氮化铝陶瓷板结构

技术领域

本实用新型涉及陶瓷板技术领域，具体为氮化铝陶瓷板结构。

背景技术

陶瓷基板是指铜箔在高温下直接键合到氧化铝或氮化铝陶瓷基片表面上的特殊工艺板，所制成的超薄复合基板具有优良电绝缘性能，高导热特性，优异的软钎焊性和高的附着强度，并可像PCB板一样能刻蚀出各种图形，具有很大的载流能力，因此，陶瓷基板已成为大功率电力电子电路结构技术和互连技术的基础材料。

现有的氮化铝陶瓷基板透光性能较差、导致封装芯片在使用过程中显指显示度降低且高耗能，无法满足高显指产品的生产需求，不便于大规模推广。

实用新型内容

（一）解决的技术问题

针对现有技术的不足，本实用新型提供了氮化铝陶瓷板结构，具备透光性能好等优点，解决了现有的氮化铝陶瓷基板透光性能较差、导致封装芯片在使用过程中显指显示度降低且高耗能，无法满足高显指产品的生产需求，不便于大规模推广的问题。

（二）技术方案

为实现上述的目的，本实用新型提供如下技术方案：氮化铝陶瓷板结构，包括基板本体，所述基板本体的顶部热熔连接有第一透光层，所述第一透光层的顶部粘黏有第一粘结层，所述第一粘结层的顶部固定连接有导电层，所述导电层的顶部粘黏有第二粘结层，所述第二粘结层的顶部热熔连接有第二透光层，所述第二透光层的顶部热熔连接有陶瓷板，所述陶瓷板的表面涂覆有防污层。

优选的，所述第一粘结层与第二粘结层均为光学胶膜层与液态光学胶层所构成，所述液态光学胶层由液态光学胶经涂布和固化后形成，所述光学胶膜层固定连接在液态光学胶层的顶部，所述液态光学胶层的材质为丙烯酸类树脂和溶剂，所述光学胶膜层的材质为改性聚甲基丙烯酸树脂和环氧聚酯。

优选的，所述液态光学胶层的邵氏硬度为5～50A，厚度为50～200微米，所述光学胶膜层的邵氏硬度为15～50D，厚度为50～150微米。

优选的，所述第一透光层和第二透光层均为一层或多层硅氧化物，所述第一透光层和第二透光层的材质均为硅氧加硅氮的化合材料，所述第一透光层和第二透光层的厚度均介于620nm～680nm之间，所述第一透光层和第二透光层均通过脉冲激光热熔制法进行热熔连接。

优选的，所述导电层的材质为铟锡氧化物半导体与金属锌镀膜，所述金属锌镀膜涂覆在铟锡氧化物半导体的表面。

优选的，所述防污层的材质为二氧化硅，所述防污层的厚度各介于100nm～130nm之间。

（三）有益效果

与现有技术相比，本实用新型提供了氮化铝陶瓷板结构，具备以下有益效果：

1、该氮化铝陶瓷板结构，通过设置第一透光层与第二透光层，能够对基板本体与陶瓷板的透光率起到增益的功效，通过设置第一粘结层与第二粘结层，能够使基板本体具有适合的硬度和弹性，通过设置导电层，能够提高基板本体的导电效果，使基板本体具备有适宜的屏蔽效能，基板本体透光率提升至百分之八十，解决了现有的氮化铝陶瓷基板透光性能较差、导致封装芯片在使用过程中显指显示度降低且高耗能，无法满足高显指产品的生产需求，不便于大规模推广的问题，该氮化铝陶瓷板结构，具备透光性能好等优点。

2、该氮化铝陶瓷板结构，通过将第一粘结层与第二粘结层的胶层设计成不同硬度的多层结构，能够使其显示出良好的填充性，通过对第一粘结层与第二粘结层的厚度进行限定，能够降低胶膜生产时胶层的固化难度，提高生产效率，使基板本体的透光性提高，通过将第一透光层和第二透光层设置为一层或多层硅氧化物，能够对陶瓷基板的透光率起到增益的功效，提高基板本体使用时的显指度，通过将导电层的材质设置为铟锡氧化物半导体，能够提高基板本体的透光性，其电阻率较低，基板本体透光率提升至百分之八十以上，通过在陶瓷板的表面设置防污层，能够提高基板本体的耐高温与耐酸性、防止基板本体出现膨胀的现象。

附图说明

图1为本实用新型结构示意图；

图2为本实用新型透光层结构主视剖面图；

图3为本实用新型导电层结构主视剖面图；

图4为本实用新型陶瓷板结构立面示意图。

图中：1基板本体、2第一透光层、3第一粘结层、4导电层、5第二粘结层、6第二透光层、7陶瓷板、8防污层、9光学胶膜层、10液态光学胶层、401氧化物半导体、402金属锌镀膜。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

请参阅图1-4，氮化铝陶瓷板结构，包括基板本体1，基板本体1的顶部热熔连接有第一透光层2，第一透光层2的顶部粘黏有第一粘结层3，第一粘结层3的顶部固定连接有导电层4，导电层4的材质为铟锡氧化物半导体401与金属锌镀膜402，金属锌镀膜402涂覆在铟锡氧化物半导体401的表面，通过将导电层4的材质设置为铟锡氧化物半导体401，能够提高基板本体1的透光性，其电阻率较低，基板本体1透光率提升至百分之八十以上，导电层4的顶部粘黏有第二粘结层5，第一粘结层3与第二粘结层5均为光学胶膜层9与液态光学胶层10所构成，液态光学胶层10由液态光学胶经涂布和固化后形成，光学胶膜层9固定连接在液态光学胶层10的顶部，液态光学胶层10的材质为丙烯酸类树脂和溶剂，光学胶膜层9的材质为改性聚甲基丙烯酸树脂和环氧聚酯，通过将第一粘结层3与第二粘结层5的胶层设计成不同硬度的多层结构，能够使其显示出良好的填充性，液态光学胶层10的邵氏硬度为5～50A，厚度为50～200微米，光学胶膜层9的邵氏硬度为15～50D，厚度为50～150微米，通过对第一粘结层3与第二粘结层5的厚度进行限定，能够降低胶膜生产时胶层的固化难度，提高生产效率，使基板本体1的透光性提高，第二粘结层5的顶部热熔连接有第二透光层6，第一透光层2和第二透光层6均为一层或多层硅氧化物，第一透光层2和第二透光层6的材质均为硅氧加硅氮的化合材料，第一透光层2和第二透光层6的厚度均介于620nm～680nm之间，第一透光层2和第二透光层6均通过脉冲激光热熔制法进行热熔连接，通过将第一透光层2和第二透光层6设置为一层或多层硅氧化物，能够对陶瓷基板的透光率起到增益的功效，提高基板本体1使用时的显指度，第二透光层6的顶部热熔连接有陶瓷板7，陶瓷板7的表面涂覆有防污层8，防污层8的材质为二氧化硅，防污层8的厚度各介于100nm～130nm之间，通过在陶瓷板7的表面设置防污层8，能够提高基板本体1的耐高温与耐酸性、防止基板本体1出现膨胀的现象。

在使用时，通过将第一透光层2和第二透光层6设置为一层或多层硅氧化物，能够对基板本体1的透光率起到增益的功效，提高基板本体1使用时的显指度，然后将第一粘结层3与第二粘结层5固定在第一透光层2和第二透光层6的内侧，能够提高导电层4的连接效果，通过将第一粘结层3与第二粘结层5的胶层设计成不同硬度的多层结构，使第一粘结层3与第二粘结层5具有适合的硬度和弹性，从而使其显示出良好的填充性，通过导电层4，能够减少基板本体1的电阻值，降低基板本体1能耗，防污层8能够防止基板本体1表面粘黏灰尘，同时可以提高基板本体1的耐高温与耐酸性，氮化铝材料制成的陶瓷板7能够具备较佳地透光性、其热传导系数与电气绝缘性较高，耐磨及较抗风蚀性较好，提高基板本体1使用寿命。

综上所述，该氮化铝陶瓷板结构，通过设置第一透光层2与第二透光层6，能够对基板本体1与陶瓷板7的透光率起到增益的功效，通过设置第一粘结层3与第二粘结层5，能够使基板本体1具有适合的硬度和弹性，通过设置导电层4，能够提高基板本体1的导电效果，使基板本体1具备有适宜的屏蔽效能，基板本体1透光率提升至百分之八十，解决了现有的氮化铝陶瓷基板透光性能较差、导致封装芯片在使用过程中显指显示度降低且高耗能，无法满足高显指产品的生产需求，不便于大规模推广的问题，该氮化铝陶瓷板结构，具备透光性能好等优点。

需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。

尽管已经示出和描述了本实用新型的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本实用新型的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本实用新型的范围由所附权利要求及其等同物限定。

Claims (6)

1.氮化铝陶瓷板结构，包括基板本体（1），其特征在于：所述基板本体（1）的顶部热熔连接有第一透光层（2），所述第一透光层（2）的顶部粘黏有第一粘结层（3），所述第一粘结层（3）的顶部固定连接有导电层（4），所述导电层（4）的顶部粘黏有第二粘结层（5），所述第二粘结层（5）的顶部热熔连接有第二透光层（6），所述第二透光层（6）的顶部热熔连接有陶瓷板（7），所述陶瓷板（7）的表面涂覆有防污层（8）。

2.根据权利要求1所述的氮化铝陶瓷板结构，其特征在于：所述第一粘结层（3）与第二粘结层（5）均为光学胶膜层（9）与液态光学胶层（10）所构成，所述液态光学胶层（10）由液态光学胶经涂布和固化后形成，所述光学胶膜层（9）固定连接在液态光学胶层（10）的顶部，所述液态光学胶层（10）的材质为丙烯酸类树脂和溶剂，所述光学胶膜层（9）的材质为改性聚甲基丙烯酸树脂和环氧聚酯。

3.根据权利要求2所述的氮化铝陶瓷板结构，其特征在于：所述液态光学胶层（10）的邵氏硬度为5～50A，厚度为50～200微米，所述光学胶膜层（9）的邵氏硬度为15～50D，厚度为50～150微米。

4.根据权利要求1所述的氮化铝陶瓷板结构，其特征在于：所述第一透光层（2）和第二透光层（6）均为一层或多层硅氧化物，所述第一透光层（2）和第二透光层（6）的材质均为硅氧加硅氮的化合材料，所述第一透光层（2）和第二透光层（6）的厚度均介于620nm～680nm之间，所述第一透光层（2）和第二透光层（6）均通过脉冲激光热熔制法进行热熔连接。

5.根据权利要求1所述的氮化铝陶瓷板结构，其特征在于：所述导电层（4）的材质为铟锡氧化物半导体（401）与金属锌镀膜（402），所述金属锌镀膜（402）涂覆在铟锡氧化物半导体（401）的表面。

6.根据权利要求1所述的氮化铝陶瓷板结构，其特征在于：所述防污层（8）的材质为二氧化硅，所述防污层（8）的厚度各介于100nm～130nm之间。

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