JPH0786262A - 半導体製造装置の反応炉 - Google Patents
半導体製造装置の反応炉Info
- Publication number
- JPH0786262A JPH0786262A JP18202293A JP18202293A JPH0786262A JP H0786262 A JPH0786262 A JP H0786262A JP 18202293 A JP18202293 A JP 18202293A JP 18202293 A JP18202293 A JP 18202293A JP H0786262 A JPH0786262 A JP H0786262A
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- Japan
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- semiconductor manufacturing
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- gas introduction
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Abstract
(57)【要約】
【目的】複数の反応ガスを導入する半導体製造装置の反
応炉に於いて、導入された複数の反応ガスの混合状態を
改善し、炉口部近傍のウェーハの膜厚均一性を向上す
る。 【構成】ガス導入ノズル１２，１３を複数有し、複数の
反応ガスを炉内に導入する半導体製造装置の反応炉に於
いて、ガス導入ノズルの先端を近接させ、導入されたガ
スが直ちに混合される様にする。
応炉に於いて、導入された複数の反応ガスの混合状態を
改善し、炉口部近傍のウェーハの膜厚均一性を向上す
る。 【構成】ガス導入ノズル１２，１３を複数有し、複数の
反応ガスを炉内に導入する半導体製造装置の反応炉に於
いて、ガス導入ノズルの先端を近接させ、導入されたガ
スが直ちに混合される様にする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体製造装置の反応
炉、特に反応炉の反応ガス導入ノズルの改良に関するも
のである。
炉、特に反応炉の反応ガス導入ノズルの改良に関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】図２、図３に於いて、従来の半導体製造
装置の反応炉について説明する。
装置の反応炉について説明する。
【０００３】半導体製造装置の反応炉は外管１、該外管
１内に同心に挿入された内管２、前記外管１の下端に設
けられた炉口フランジ３、及び前記外管１を囲繞して設
けられたヒータ（図示せず）から構成され、前記内管２
内にはボート４がボートエレベータ（図示せず）により
装入される。該ボート４にはウェーハ５が水平姿勢で多
段に装入され、該ボート４はボートキャップ６を介して
炉口蓋７に乗載され、該炉口蓋７は前記図示しないボー
トエレベータに設けられ昇降可能であり、上昇時には前
記炉口フランジ３に密着し、炉口を閉塞する。
１内に同心に挿入された内管２、前記外管１の下端に設
けられた炉口フランジ３、及び前記外管１を囲繞して設
けられたヒータ（図示せず）から構成され、前記内管２
内にはボート４がボートエレベータ（図示せず）により
装入される。該ボート４にはウェーハ５が水平姿勢で多
段に装入され、該ボート４はボートキャップ６を介して
炉口蓋７に乗載され、該炉口蓋７は前記図示しないボー
トエレベータに設けられ昇降可能であり、上昇時には前
記炉口フランジ３に密着し、炉口を閉塞する。
【０００４】前記炉口フランジ３には前記内管２内部に
開口する第１ガス導入ノズル８、第２ガス導入ノズル９
が設けられ、又前記外管１と内管２が成す円筒状の空間
１１には排気口１０が設けられている。
開口する第１ガス導入ノズル８、第２ガス導入ノズル９
が設けられ、又前記外管１と内管２が成す円筒状の空間
１１には排気口１０が設けられている。
【０００５】前記第１ガス導入ノズル８、第２ガス導入
ノズル９は図３に見られる様に、直管であり、内管２に
対して放射状に設けられている。
ノズル９は図３に見られる様に、直管であり、内管２に
対して放射状に設けられている。
【０００６】ウェーハ５の成膜処理は図示しないヒータ
により炉内を加熱した状態で、ウェーハ５を装填したボ
ート４をボートエレベータにより炉内に装入し、前記炉
口蓋７により炉口を閉塞して前記排気口１０より排気す
る。真空排気後、前記第１ガス導入ノズル８、前記第２
ガス導入ノズル９より第１反応ガス、第２反応ガスがそ
れぞれ導入され、導入後ボート下部に於いて混合して上
昇し、混合した反応ガスが加熱され、ウェーハ５に接触
することでウェーハ表面に蒸着し、薄膜を生成する。更
に、反応後のガスは前記内管２の上端より前記円筒状の
空間１１に回込み、下降後前記排気口１０から排気され
る。
により炉内を加熱した状態で、ウェーハ５を装填したボ
ート４をボートエレベータにより炉内に装入し、前記炉
口蓋７により炉口を閉塞して前記排気口１０より排気す
る。真空排気後、前記第１ガス導入ノズル８、前記第２
ガス導入ノズル９より第１反応ガス、第２反応ガスがそ
れぞれ導入され、導入後ボート下部に於いて混合して上
昇し、混合した反応ガスが加熱され、ウェーハ５に接触
することでウェーハ表面に蒸着し、薄膜を生成する。更
に、反応後のガスは前記内管２の上端より前記円筒状の
空間１１に回込み、下降後前記排気口１０から排気され
る。
【０００７】前記ボートエレベータ５の成膜処理に於い
て、ＨＴＯ膜（Ｈｉｇｈ Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｏ
ｘｉｄａｔｉｏｎ Ｆｉｌｍ）を成膜する場合は、第
１、第２反応ガスとしてＳｉＨ4 又はＳｉ2 Ｈ6 とＮ2
Ｏを導入し、Ｓｉ3 Ｎ4 膜を成膜する場合は、第１、第
２反応ガスとしてＳｉＨ2 Ｃｌ2 とＮＨ3 を導入し、Ｐ
−Ｄｏｐｅｄ Ｐｏｌｙ Ｓｉ膜を生成する場合は、第
１、第２反応ガスとしてＳｉＨ4 とＰＨ3 を導入する。
て、ＨＴＯ膜（Ｈｉｇｈ Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｏ
ｘｉｄａｔｉｏｎ Ｆｉｌｍ）を成膜する場合は、第
１、第２反応ガスとしてＳｉＨ4 又はＳｉ2 Ｈ6 とＮ2
Ｏを導入し、Ｓｉ3 Ｎ4 膜を成膜する場合は、第１、第
２反応ガスとしてＳｉＨ2 Ｃｌ2 とＮＨ3 を導入し、Ｐ
−Ｄｏｐｅｄ Ｐｏｌｙ Ｓｉ膜を生成する場合は、第
１、第２反応ガスとしてＳｉＨ4 とＰＨ3 を導入する。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】上記従来例に於いて
は、第１反応ガス、第２反応ガスが導入された近傍では
混合状態が充分でなく、ボート４上のウェーハ５に関し
て炉口部に近い位置にあるウェーハ程ウェーハ内での膜
厚均一性が悪いという問題があった。
は、第１反応ガス、第２反応ガスが導入された近傍では
混合状態が充分でなく、ボート４上のウェーハ５に関し
て炉口部に近い位置にあるウェーハ程ウェーハ内での膜
厚均一性が悪いという問題があった。
【０００９】本発明は斯かる実情に鑑み、導入された複
数の反応ガスの混合状態を改善し、炉口部近傍のウェー
ハの膜厚均一性を向上しようとするものである。
数の反応ガスの混合状態を改善し、炉口部近傍のウェー
ハの膜厚均一性を向上しようとするものである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は、ガス導入ノズ
ルを複数有し、複数の反応ガスを炉内に導入する半導体
製造装置の反応炉に於いて、ガス導入ノズルの先端を近
接させたことを特徴とするものである。
ルを複数有し、複数の反応ガスを炉内に導入する半導体
製造装置の反応炉に於いて、ガス導入ノズルの先端を近
接させたことを特徴とするものである。
【００１１】
【作用】ガス導入ノズルの先端が近接してあるので、導
入されたガスは直ちに混合し、ウェーハには均質な混合
ガスが供給される。
入されたガスは直ちに混合し、ウェーハには均質な混合
ガスが供給される。
【００１２】
【実施例】以下、図面を参照しつつ本発明の一実施例を
説明する。
説明する。
【００１３】図１は本実施例の要部を示すものであり、
図中、図３と同一のものには同符号を付してある。
図中、図３と同一のものには同符号を付してある。
【００１４】炉口フランジ３に内管２内部に開口する第
１ガス導入ノズル１２、第２ガス導入ノズル１３を設け
る。前記第１ガス導入ノズル１２の先端部をＬ字状に屈
曲させ、該第１ガス導入ノズル１２の先端を第２ガス導
入ノズル１３先端に近接させる。
１ガス導入ノズル１２、第２ガス導入ノズル１３を設け
る。前記第１ガス導入ノズル１２の先端部をＬ字状に屈
曲させ、該第１ガス導入ノズル１２の先端を第２ガス導
入ノズル１３先端に近接させる。
【００１５】而して、第１ガス導入ノズル１２、第２ガ
ス導入ノズル１３から導入された第１、第２反応ガスは
導入直後に混合し、内管２に供給される。又、導入後早
期に混合することで均質な混合ガスが得られる。
ス導入ノズル１３から導入された第１、第２反応ガスは
導入直後に混合し、内管２に供給される。又、導入後早
期に混合することで均質な混合ガスが得られる。
【００１６】単一ウェーハ内に於ける本実施例と従来例
との膜厚の均一性の比較を表１に示す。
との膜厚の均一性の比較を表１に示す。
【００１７】
【表１】 表１中、測定したウェーハはボートに装入されたものの
内、最も均一性の悪かったものである。
内、最も均一性の悪かったものである。
【００１８】尚、第１ガス導入ノズル１２、第２ガス導
入ノズル１３は先端の開口位置が近接しておればよく、
第１ガス導入ノズル１２、第２ガス導入ノズル１３がそ
れぞれＬ字状をしていても、或は第１ガス導入ノズル１
２、第２ガス導入ノズル１３を共に直管とし一方の管を
他方の管に対して傾斜させ、先端の開口位置を近接させ
てもよい等、種々変更が可能であることは言う迄もな
い。又、本発明は縦型炉の他、横型炉にも実施可能であ
ることも勿論である。
入ノズル１３は先端の開口位置が近接しておればよく、
第１ガス導入ノズル１２、第２ガス導入ノズル１３がそ
れぞれＬ字状をしていても、或は第１ガス導入ノズル１
２、第２ガス導入ノズル１３を共に直管とし一方の管を
他方の管に対して傾斜させ、先端の開口位置を近接させ
てもよい等、種々変更が可能であることは言う迄もな
い。又、本発明は縦型炉の他、横型炉にも実施可能であ
ることも勿論である。
【図１】本発明の一実施例の要部を示すＡ−Ａ矢視図相
当図である。
当図である。
【図２】縦型反応炉を示す断面概略図である。
【図３】従来例の要部を示すＡ−Ａ矢視図である。
１ 外管 ２ 内管 ３ 炉口フランジ ４ ボート １０ 排気口 １１ 円筒状の空間 １２ 第１ガス導入管 １３ 第２ガス導入管
Claims (1)
- 【請求項１】 ガス導入ノズルを複数有し、複数の反応
ガスを炉内に導入する半導体製造装置の反応炉に於い
て、ガス導入ノズルの先端を近接させたことを特徴とす
る半導体製造装置の反応炉。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18202293A JP3305818B2 (ja) | 1993-06-28 | 1993-06-28 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18202293A JP3305818B2 (ja) | 1993-06-28 | 1993-06-28 | 半導体製造装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0786262A true JPH0786262A (ja) | 1995-03-31 |
| JP3305818B2 JP3305818B2 (ja) | 2002-07-24 |
Family
ID=16110978
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18202293A Ceased JP3305818B2 (ja) | 1993-06-28 | 1993-06-28 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3305818B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007081186A (ja) * | 2005-09-15 | 2007-03-29 | Ricoh Co Ltd | Ｃｖｄ装置 |
-
1993
- 1993-06-28 JP JP18202293A patent/JP3305818B2/ja not_active Ceased
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007081186A (ja) * | 2005-09-15 | 2007-03-29 | Ricoh Co Ltd | Ｃｖｄ装置 |
| JP4698354B2 (ja) * | 2005-09-15 | 2011-06-08 | 株式会社リコー | Ｃｖｄ装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3305818B2 (ja) | 2002-07-24 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| RVOP | Cancellation by post-grant opposition |