JPH06333866A - 半導体製造装置の反応管 - Google Patents
半導体製造装置の反応管Info
- Publication number
- JPH06333866A JPH06333866A JP14159993A JP14159993A JPH06333866A JP H06333866 A JPH06333866 A JP H06333866A JP 14159993 A JP14159993 A JP 14159993A JP 14159993 A JP14159993 A JP 14159993A JP H06333866 A JPH06333866 A JP H06333866A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- reaction tube
- opaquely
- tube
- opaque
- reaction
- Prior art date
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【目的】半導体製造装置の反応管の炉口部からの輻射熱
を抑制し、反応管下部の温度の安定を図る。 【構成】半導体製造装置の反応管１１に於いて反応管下
部所要範囲１２を不透明にし、反応管下部からの熱輻射
を抑制し、反応管下部の温度が安定することで、処理品
質が向上する。
を抑制し、反応管下部の温度の安定を図る。 【構成】半導体製造装置の反応管１１に於いて反応管下
部所要範囲１２を不透明にし、反応管下部からの熱輻射
を抑制し、反応管下部の温度が安定することで、処理品
質が向上する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体製造装置の１つで
ある拡散装置、或はＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐ
ｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔ）装置の反応室を画成する反応管
に関するものである。
ある拡散装置、或はＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐ
ｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔ）装置の反応室を画成する反応管
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図３に於いて拡散装置の概略を説明す
る。
る。
【０００３】反応管１はヒータユニット２内に嵌装さ
れ、前記反応管１とヒータユニット２との間には均熱管
３が設けられている。前記反応管１には上部に連通する
ガス導入管４が設けられ、又反応管１の下部には排ガス
口５が設けられ、該排ガス口５には排気管６が接続され
ている。前記反応管１内にはウェーハ７がボート８によ
り水平姿勢で多段に保持されて装入される。図中、９は
反応管１の炉口１０を気密に閉塞する炉口フランジであ
る。
れ、前記反応管１とヒータユニット２との間には均熱管
３が設けられている。前記反応管１には上部に連通する
ガス導入管４が設けられ、又反応管１の下部には排ガス
口５が設けられ、該排ガス口５には排気管６が接続され
ている。前記反応管１内にはウェーハ７がボート８によ
り水平姿勢で多段に保持されて装入される。図中、９は
反応管１の炉口１０を気密に閉塞する炉口フランジであ
る。
【０００４】ヒータユニット２で反応管１内部が７００
℃以上に加熱され、前記ガス導入管４より反応ガスが導
入され、前記ウェーハ７表面への成膜、熱拡散等熱処理
が行われ、導入されたガスは前記排気管６より排気され
る。前記反応管１は図２で示す様に全体が透明な石英製
である。
℃以上に加熱され、前記ガス導入管４より反応ガスが導
入され、前記ウェーハ７表面への成膜、熱拡散等熱処理
が行われ、導入されたガスは前記排気管６より排気され
る。前記反応管１は図２で示す様に全体が透明な石英製
である。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】前記した様に、熱処理
温度は７００℃以上であり、又前記反応管１は構造上炉
口部近傍が前記ヒータユニット２より下方に露出する。
この為炉口部近傍から輻射熱が放射され、この熱輻射に
より反応管１の下部は温度が不安定となる。熱は膜厚、
膜質を左右する大きな要因であり、反応管１の下部の温
度の不安定は、ボート８下部のウェーハ７の膜厚、膜質
の不均一を招き、製品品質の低下、歩留りの低下の原因
となっていた。
温度は７００℃以上であり、又前記反応管１は構造上炉
口部近傍が前記ヒータユニット２より下方に露出する。
この為炉口部近傍から輻射熱が放射され、この熱輻射に
より反応管１の下部は温度が不安定となる。熱は膜厚、
膜質を左右する大きな要因であり、反応管１の下部の温
度の不安定は、ボート８下部のウェーハ７の膜厚、膜質
の不均一を招き、製品品質の低下、歩留りの低下の原因
となっていた。
【０００６】本発明は斯かる実情に鑑み、半導体製造装
置反応管の炉口部からの輻射熱を抑制し、反応管下部の
温度の安定化を図ろうとするものである。
置反応管の炉口部からの輻射熱を抑制し、反応管下部の
温度の安定化を図ろうとするものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、半導体製造装
置の反応管に於いて反応管の下部所要範囲を不透明にし
たことを特徴とするものである。
置の反応管に於いて反応管の下部所要範囲を不透明にし
たことを特徴とするものである。
【０００８】
【作用】不透明にすることで、反応管下部からの熱輻射
が抑制され、反応管下部の温度が安定し、処理品質が向
上する。
が抑制され、反応管下部の温度が安定し、処理品質が向
上する。
【０００９】
【実施例】以下、図面を参照しつつ本発明の一実施例を
説明する。
説明する。
【００１０】図１は本実施例に係る反応管１１を示すも
のであり、該反応管１１の下部、即ち前記ヒータユニッ
ト２より露出する部分（図中斜線で示す）１２を不透明
にする。不透明部分は露出する部分に限ってもよく、不
透明部分の上部が若干（５cm〜１０cm）入込んでもよ
い。又、前記ガス導入管４についても同様に下部を不透
明にしてもよい。
のであり、該反応管１１の下部、即ち前記ヒータユニッ
ト２より露出する部分（図中斜線で示す）１２を不透明
にする。不透明部分は露出する部分に限ってもよく、不
透明部分の上部が若干（５cm〜１０cm）入込んでもよ
い。又、前記ガス導入管４についても同様に下部を不透
明にしてもよい。
【００１１】前記反応管１１の下部を不透明にする手段
は、石英材の中に微細な気泡を混入するか、石英材の表
面を粗面とする。
は、石英材の中に微細な気泡を混入するか、石英材の表
面を粗面とする。
【００１２】前記反応管１１の下部を不透明にすること
で、熱輻射が抑制される。
で、熱輻射が抑制される。
【００１３】而して、反応管１１の下部からの熱輻射が
抑制されることで、反応管下部の温度が安定し、ボート
８下部のウェーハ７の膜厚、膜質の均一性が向上する。
抑制されることで、反応管下部の温度が安定し、ボート
８下部のウェーハ７の膜厚、膜質の均一性が向上する。
【００１４】又、反応炉の熱処理温度が１０００℃以上
と更に高温の場合、炉口部からの熱輻射は炉口部周辺の
構成部品の熱劣化を招くが、上記実施例で炉口部の熱輻
射を抑制できるところから炉口部周辺の構成部品の寿命
の延長を図れ、更に高温プロセスの採用を有利にする。
と更に高温の場合、炉口部からの熱輻射は炉口部周辺の
構成部品の熱劣化を招くが、上記実施例で炉口部の熱輻
射を抑制できるところから炉口部周辺の構成部品の寿命
の延長を図れ、更に高温プロセスの採用を有利にする。
【００１５】尚、石英材への気泡の混入、石英材の表面
の粗面は厳密には半透明状態であるが、熱線の透過を抑
制するものであり、不透明に包含される。更に、より不
透明にする為、石英材の中に不透明物資を混入するか、
或は反応管の外面側に金属を蒸着する等してもよい。
の粗面は厳密には半透明状態であるが、熱線の透過を抑
制するものであり、不透明に包含される。更に、より不
透明にする為、石英材の中に不透明物資を混入するか、
或は反応管の外面側に金属を蒸着する等してもよい。
【００１６】
【発明の効果】以上述べた如く本発明によれば、炉口部
からの熱輻射を抑制でき反応管下部の温度の安定が図
れ、ウェーハの成膜品質の向上、歩留りの向上が図れる
と共に炉口部周辺の構成部品の熱劣化を防止できるとい
う優れた効果を発揮する。
からの熱輻射を抑制でき反応管下部の温度の安定が図
れ、ウェーハの成膜品質の向上、歩留りの向上が図れる
と共に炉口部周辺の構成部品の熱劣化を防止できるとい
う優れた効果を発揮する。
【図１】本発明の一実施例に係る反応管の斜視図であ
る。
る。
【図２】従来例の反応管の斜視図である。
【図３】拡散装置の一例を示す概略図である。
４ ガス導入管 ５ 排ガス口 １１ 反応管 １２ 露出部分
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 新川 修司 東京都港区虎ノ門二丁目３番13号 国際電 気株式会社内
Claims (1)
- 【請求項１】 下部所要範囲を不透明にしたことを特徴
とする半導体製造装置の反応管。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14159993A JPH06333866A (ja) | 1993-05-20 | 1993-05-20 | 半導体製造装置の反応管 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14159993A JPH06333866A (ja) | 1993-05-20 | 1993-05-20 | 半導体製造装置の反応管 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06333866A true JPH06333866A (ja) | 1994-12-02 |
Family
ID=15295762
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14159993A Pending JPH06333866A (ja) | 1993-05-20 | 1993-05-20 | 半導体製造装置の反応管 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06333866A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5862302A (en) * | 1994-09-28 | 1999-01-19 | Tokyo Electron Limited | Thermal processing apparatus having a reaction tube with transparent and opaque portions |
-
1993
- 1993-05-20 JP JP14159993A patent/JPH06333866A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5862302A (en) * | 1994-09-28 | 1999-01-19 | Tokyo Electron Limited | Thermal processing apparatus having a reaction tube with transparent and opaque portions |
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