JPH05326420A - 成膜装置 - Google Patents
成膜装置Info
- Publication number
- JPH05326420A JPH05326420A JP12750892A JP12750892A JPH05326420A JP H05326420 A JPH05326420 A JP H05326420A JP 12750892 A JP12750892 A JP 12750892A JP 12750892 A JP12750892 A JP 12750892A JP H05326420 A JPH05326420 A JP H05326420A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- injector
- film
- wafer
- heater
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Abstract
(57)【要約】
【目的】本発明は、２種以上の反応ガスを炉内に導入し
て成膜する成膜装置に関し、加熱領域以外の領域におけ
る反応生成物によるパーティクルの発生を防止すること
を目的とする。 【構成】ウェハＷを収納する炉１，３と、前記炉１，３
内を加熱するヒータ４と、前記ヒータ４による加熱領域
から外れた領域にあるパーティクル生成温度領域に先端
を配置する第１のガス放出用のインジェクター８と、前
記パーティクル生成温度領域よりも前記ウェハＷに近い
領域に先端を延在させ、かつ前記第１のガス放出用のガ
スインジェクター８よりもガス流量が少ない第２のガス
放出用のインジェクター９とを含み構成する。
て成膜する成膜装置に関し、加熱領域以外の領域におけ
る反応生成物によるパーティクルの発生を防止すること
を目的とする。 【構成】ウェハＷを収納する炉１，３と、前記炉１，３
内を加熱するヒータ４と、前記ヒータ４による加熱領域
から外れた領域にあるパーティクル生成温度領域に先端
を配置する第１のガス放出用のインジェクター８と、前
記パーティクル生成温度領域よりも前記ウェハＷに近い
領域に先端を延在させ、かつ前記第１のガス放出用のガ
スインジェクター８よりもガス流量が少ない第２のガス
放出用のインジェクター９とを含み構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、成膜装置に関し、より
詳しくは、２種以上の反応ガスを炉内に導入して成膜す
る成膜装置に関する。
詳しくは、２種以上の反応ガスを炉内に導入して成膜す
る成膜装置に関する。
【０００２】デバイスの高集積化・微細化に伴い、化学
気相反応により成膜する際に生じるパーティクルの低減
が要求され、これを極力減らす必要がある。
気相反応により成膜する際に生じるパーティクルの低減
が要求され、これを極力減らす必要がある。
【０００３】
【従来の技術】縦型ＣＶＤ装置には、図２に例示するよ
うに、ウェハＷを収納する上部開放形のインナーチュー
ブ２１と、このインナーチューブ２１の全体を上から覆
うアウターチューブ２２と、アウターチューブ２２の周
囲に配置されたヒータ２３を備えたものがある。
うに、ウェハＷを収納する上部開放形のインナーチュー
ブ２１と、このインナーチューブ２１の全体を上から覆
うアウターチューブ２２と、アウターチューブ２２の周
囲に配置されたヒータ２３を備えたものがある。
【０００４】この装置によりウェハＷ表面に例えば SiN
膜を形成する場合には、ヒーター２３によりアウターチ
ューブ２２の内部を加熱するとともに、インナーチュー
ブ２１とアウターチューブ２２の間の排気管２４からそ
れらの内部を排気、減圧し、また、インナーチューブ２
１の下部のマニホールド２５、２６の近くに取付けられ
た２つのインジェクター２７、２８を通してそれぞれア
ンモニア(NH3) とトリクロルシラン(SiHCl3)を導入して
ウェハＷの表面に SiN膜を気相成長するようにしてい
る。
膜を形成する場合には、ヒーター２３によりアウターチ
ューブ２２の内部を加熱するとともに、インナーチュー
ブ２１とアウターチューブ２２の間の排気管２４からそ
れらの内部を排気、減圧し、また、インナーチューブ２
１の下部のマニホールド２５、２６の近くに取付けられ
た２つのインジェクター２７、２８を通してそれぞれア
ンモニア(NH3) とトリクロルシラン(SiHCl3)を導入して
ウェハＷの表面に SiN膜を気相成長するようにしてい
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、インジェクタ
ー２７、２８の先端は、ヒータ２３の加熱領域から外れ
たマニホールド２５、２６近傍の低温領域に配置されて
いるので、この領域ではSiNは生成されず、NH3 とSiHCl
3が低温下で反応して塩化アンモニウム（NH4Cl)が生成
され、これがガス流路（図中矢印）に沿って移動し、ウ
ェハＷ表面にパーティクルとして付着するといった問題
がある。
ー２７、２８の先端は、ヒータ２３の加熱領域から外れ
たマニホールド２５、２６近傍の低温領域に配置されて
いるので、この領域ではSiNは生成されず、NH3 とSiHCl
3が低温下で反応して塩化アンモニウム（NH4Cl)が生成
され、これがガス流路（図中矢印）に沿って移動し、ウ
ェハＷ表面にパーティクルとして付着するといった問題
がある。
【０００６】本発明はこのような問題に鑑みてなされた
ものであって、加熱領域以外の領域における反応生成物
によるパーティクルの発生を防止できる成膜装置を提供
することを目的とする。
ものであって、加熱領域以外の領域における反応生成物
によるパーティクルの発生を防止できる成膜装置を提供
することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記した課題は、図１に
例示するように、ウェハＷを収納する炉１，３と、前記
炉１，３内を加熱するヒータ４と、前記ヒータ４による
加熱領域から外れた領域にあるパーティクル生成温度領
域に先端を配置する第１のガス放出用のインジェクター
８と、前記パーティクル生成温度領域よりも前記ウェハ
Ｗに近い領域に先端を延在させ、かつ前記第１のガス放
出用のガスインジェクター８よりもガス流量が少ない第
２のガス放出用のインジェクター９とを有することを特
徴とする成膜装置によって達成する。
例示するように、ウェハＷを収納する炉１，３と、前記
炉１，３内を加熱するヒータ４と、前記ヒータ４による
加熱領域から外れた領域にあるパーティクル生成温度領
域に先端を配置する第１のガス放出用のインジェクター
８と、前記パーティクル生成温度領域よりも前記ウェハ
Ｗに近い領域に先端を延在させ、かつ前記第１のガス放
出用のガスインジェクター８よりもガス流量が少ない第
２のガス放出用のインジェクター９とを有することを特
徴とする成膜装置によって達成する。
【０００８】
【作 用】本発明によれば、反応ガスの少なくとも一種
類を放出するインジェクター９の先端を、パーティクル
生成温度領域よりもウェハＷに近い領域に配置してい
る。
類を放出するインジェクター９の先端を、パーティクル
生成温度領域よりもウェハＷに近い領域に配置してい
る。
【０００９】このため、パーティクル生成温度領域では
ガスの反応はなく、加熱されたウェハＷの表面の反応に
よって膜が成長するだけとなり、ウェハＷのパーティク
ルの付着がなくなる。
ガスの反応はなく、加熱されたウェハＷの表面の反応に
よって膜が成長するだけとなり、ウェハＷのパーティク
ルの付着がなくなる。
【００１０】しかも、ガス流量の少ない方のインジェク
ター９をウェハＷに近づけているために、ガスの混合は
十分となり、膜の成長が円滑に行われる。
ター９をウェハＷに近づけているために、ガスの混合は
十分となり、膜の成長が円滑に行われる。
【００１１】
【実施例】そこで、以下に本発明の実施例を図面に基づ
いて説明する。図１は、本発明の一実施例を示す縦型Ｃ
ＶＤ装置の構成図である。
いて説明する。図１は、本発明の一実施例を示す縦型Ｃ
ＶＤ装置の構成図である。
【００１２】図において符号１は、基台２に載せられた
アウターチューブで、この中には基台２を貫通して取り
付けられた上面開放形のインナーチューブ３が配置され
ている。また、アウターチューブ１の内部は、その外周
のヒータ４により加熱され、さらに、アウターチューブ
１とインナーチューブ３に挟まれた領域の基台２には排
気管５が取り付けられ、それらのチューブ１，３内を減
圧するように構成されている。
アウターチューブで、この中には基台２を貫通して取り
付けられた上面開放形のインナーチューブ３が配置され
ている。また、アウターチューブ１の内部は、その外周
のヒータ４により加熱され、さらに、アウターチューブ
１とインナーチューブ３に挟まれた領域の基台２には排
気管５が取り付けられ、それらのチューブ１，３内を減
圧するように構成されている。
【００１３】さらに、インナーチューブ３の底面にはウ
ェハＷを収納するウェハバスケットＢが載置され、ま
た、その内部のうち、ヒータ４の下方にある複数のマニ
ホールド６，７近傍にはガスインジェクター８、９が複
数接続され、そのうち第１のガスインジェクター８の先
端はヒーター４による加熱領域から外れた低温領域に配
置されているのに対して、第２のガスインジェクター９
の先端は、加熱領域に達する位置であって膜成長領域よ
りも下の部分に延在されていて、第１のガスインジェク
ター９よりも少量のガスを放出するように構成されてい
る。
ェハＷを収納するウェハバスケットＢが載置され、ま
た、その内部のうち、ヒータ４の下方にある複数のマニ
ホールド６，７近傍にはガスインジェクター８、９が複
数接続され、そのうち第１のガスインジェクター８の先
端はヒーター４による加熱領域から外れた低温領域に配
置されているのに対して、第２のガスインジェクター９
の先端は、加熱領域に達する位置であって膜成長領域よ
りも下の部分に延在されていて、第１のガスインジェク
ター９よりも少量のガスを放出するように構成されてい
る。
【００１４】なお、図中符号１０は、排気管５の排気経
路内に取付けられたバルブを示している。上記した成膜
装置を用いて SiN膜をウェハに形成する方法について説
明する。
路内に取付けられたバルブを示している。上記した成膜
装置を用いて SiN膜をウェハに形成する方法について説
明する。
【００１５】まず、複数枚のウェハＷをウェハバスケッ
トＢに取付け、アウターチューブ１に囲まれたインナー
チューブ３内に収納した後に、排気管５を通して内部を
減圧してその圧力を約0.２Torrとするとともに、ヒータ
４を調整してウェハＷを７８０℃前後の温度に設定す
る。
トＢに取付け、アウターチューブ１に囲まれたインナー
チューブ３内に収納した後に、排気管５を通して内部を
減圧してその圧力を約0.２Torrとするとともに、ヒータ
４を調整してウェハＷを７８０℃前後の温度に設定す
る。
【００１６】そして、第１のガスインジェクター８から
NH3 を約６００cc／min の流量で導入し、また、第２の
ガスインジェクター９からSiHCl3を約２００cc／min の
流量で導入すると、これらのガスは、インナーチューブ
３内を通って排気管５から排出される。
NH3 を約６００cc／min の流量で導入し、また、第２の
ガスインジェクター９からSiHCl3を約２００cc／min の
流量で導入すると、これらのガスは、インナーチューブ
３内を通って排気管５から排出される。
【００１７】この場合、ガス流量の多い第一のガスイン
ジェクター８の先端は、マニホールド６近傍の低温領域
に位置する一方、第２のガスインジェクター９の先端は
マニホールド７から離れた加熱領域に配置されているた
めに、高温領域では SiNが生成されてウェハＷの表面に
SiN膜が成長する。これに対して、マニホールド６近傍
の低温領域には、SiHCl3が存在しないので、反応生成
物、即ちNH4Cl は発生せず、NH4Cl によるパーティクル
はウェハＷに殆ど付着しない。
ジェクター８の先端は、マニホールド６近傍の低温領域
に位置する一方、第２のガスインジェクター９の先端は
マニホールド７から離れた加熱領域に配置されているた
めに、高温領域では SiNが生成されてウェハＷの表面に
SiN膜が成長する。これに対して、マニホールド６近傍
の低温領域には、SiHCl3が存在しないので、反応生成
物、即ちNH4Cl は発生せず、NH4Cl によるパーティクル
はウェハＷに殆ど付着しない。
【００１８】また、第１のガスインジェクター８により
供給されるNH3 の量は、それより上の第２のガスインジ
ェクター９の先端から放出されるSiHCl3よりも多く、Si
HCl3はNH3 の流れにしたがって十分に混合され、膜の成
長速度が遅れたり膜質が低下することはない。
供給されるNH3 の量は、それより上の第２のガスインジ
ェクター９の先端から放出されるSiHCl3よりも多く、Si
HCl3はNH3 の流れにしたがって十分に混合され、膜の成
長速度が遅れたり膜質が低下することはない。
【００１９】なお、先端が加熱領域に伸びているガスイ
ンジエクター９の先端形状は、図１(b) に示すように直
線状であってもよいが、ガス拡散が十分でないときに
は、同図(c),(d) に示すようにＴ字形或いは三叉形状に
して、ガスの拡散を効率良く進めることができ、その先
端を上部に延在させることによる弊害はない。
ンジエクター９の先端形状は、図１(b) に示すように直
線状であってもよいが、ガス拡散が十分でないときに
は、同図(c),(d) に示すようにＴ字形或いは三叉形状に
して、ガスの拡散を効率良く進めることができ、その先
端を上部に延在させることによる弊害はない。
【００２０】
【発明の効果】以上述べたように本発明によれば、反応
ガスの少なくとも一種類を放出するインジェクターの先
端を、パーティクル生成温度領域よりもウェハに近い領
域に配置しているので、パーティクル生成温度領域では
ガスの反応はなく、加熱されたウェハの表面の反応によ
って膜が成長するだけとなり、ウェハのパーティクルの
付着を防止できる。
ガスの少なくとも一種類を放出するインジェクターの先
端を、パーティクル生成温度領域よりもウェハに近い領
域に配置しているので、パーティクル生成温度領域では
ガスの反応はなく、加熱されたウェハの表面の反応によ
って膜が成長するだけとなり、ウェハのパーティクルの
付着を防止できる。
【００２１】しかも、ガス流量の少ない方のインジェク
ターをウェハに近づけているので、ガスの混合は十分と
なり、膜の成長を円滑に行うことができる。
ターをウェハに近づけているので、ガスの混合は十分と
なり、膜の成長を円滑に行うことができる。
【図１】本発明の一実施例を示す装置の構成図、及びガ
スインジェクターの先端形状の一例を示す側面図であ
る。
スインジェクターの先端形状の一例を示す側面図であ
る。
【図２】従来装置の一例を示す構成図である。
１ アウターチューブ ２ 基台 ３ インナーチューブ ４ ヒータ ５ 排気管 ６、７ マニホールド ８、９ ガスインジェクター １０ バルブ Ｂ ウェハバスケット Ｗ ウェハ
Claims (1)
- 【請求項１】ウェハＷを収納する炉（１，３）と、 前記炉（１，３）内を加熱するヒータ（４）と、 前記ヒータ（４）による加熱領域から外れた領域にある
パーティクル生成温度領域に先端を配置する第１のガス
放出用のインジェクター（８）と、 前記パーティクル生成温度領域よりも前記ウェハ（Ｗ）
に近い領域に先端を延在させ、かつ前記第１のガス放出
用のガスインジェクター（８）よりもガス流量が少ない
第２のガス放出用のインジェクター（９）とを有するこ
とを特徴とする成膜装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12750892A JPH05326420A (ja) | 1992-05-20 | 1992-05-20 | 成膜装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12750892A JPH05326420A (ja) | 1992-05-20 | 1992-05-20 | 成膜装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05326420A true JPH05326420A (ja) | 1993-12-10 |
Family
ID=14961733
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12750892A Withdrawn JPH05326420A (ja) | 1992-05-20 | 1992-05-20 | 成膜装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05326420A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7504325B2 (en) | 2002-11-05 | 2009-03-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Laser doping processing method and method for manufacturing semiconductor device |
-
1992
- 1992-05-20 JP JP12750892A patent/JPH05326420A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7504325B2 (en) | 2002-11-05 | 2009-03-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Laser doping processing method and method for manufacturing semiconductor device |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4889173B2 (ja) | 半導体ウエハ上に窒化珪素層を形成するための方法 | |
| JP6998106B2 (ja) | 基板処理装置、半導体装置の製造方法、プログラムおよび反応管 | |
| JP3265042B2 (ja) | 成膜方法 | |
| US9263269B2 (en) | Reaction tube, substrate processing apparatus and method of manufacturing semiconductor device | |
| KR100273602B1 (ko) | 반도체 장치의 제조 방법 | |
| JP2001230248A (ja) | 半導体装置の製造方法および半導体製造装置 | |
| KR20200099073A (ko) | 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 프로그램 | |
| US4781945A (en) | Process for the formation of phosphosilicate glass coating | |
| JPH03255618A (ja) | 縦型ｃｖｄ装置 | |
| JP2006032610A (ja) | 成膜装置 | |
| JPS592374B2 (ja) | プラズマ気相成長装置 | |
| JPH05326420A (ja) | 成膜装置 | |
| JPH05251359A (ja) | 気相シリコンエピタキシャル成長装置 | |
| JPH11200052A (ja) | 化学的気相成長装置 | |
| JP2012136743A (ja) | 基板処理装置 | |
| JP3415491B2 (ja) | シリコン窒化膜の成膜方法 | |
| JP2001068468A (ja) | 成膜方法 | |
| JPH0897154A (ja) | 真空成膜装置 | |
| US20040065256A1 (en) | Systems and methods for improved gas delivery | |
| JPH02200784A (ja) | Ｃｖｄ電極 | |
| JP3108466B2 (ja) | 縦型熱処理装置 | |
| JP2004095940A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH05251360A (ja) | 膜形成装置 | |
| JP2002289615A (ja) | 薄膜形成方法及び薄膜形成装置 | |
| JPH07249584A (ja) | 化学的気相成長装置及びこれを用いた成膜方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990803 |