JPS58161317A - 半導体処理装置 - Google Patents
半導体処理装置Info
- Publication number
- JPS58161317A JPS58161317A JP4269282A JP4269282A JPS58161317A JP S58161317 A JPS58161317 A JP S58161317A JP 4269282 A JP4269282 A JP 4269282A JP 4269282 A JP4269282 A JP 4269282A JP S58161317 A JPS58161317 A JP S58161317A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- processing furnace
- tube
- purge
- inert gas
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体基板への酸化膜の形成による不良の発生
を防止する半導体処理装置に関するものである。
を防止する半導体処理装置に関するものである。
従来、半導体製品の製造過程において半導体基板（ウニ
・・）の上に拡散法およびＣＶ Ｄ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ
Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ ）法で薄膜を形
成する場合、多数のウェハな石英治具に垂直に並べて反
応炉に搬入、搬出している。
・・）の上に拡散法およびＣＶ Ｄ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ
Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ ）法で薄膜を形
成する場合、多数のウェハな石英治具に垂直に並べて反
応炉に搬入、搬出している。
ところが、この従来方式では、ウェハを反応炉に搬入す
る際にウェハ間の隙間に大気中の酸素が巻き込まれてし
まうので１反応炉内でたとえばポリシリコンのデポジシ
ョンを行う以前にウエノ・表面に酸化膜が形成され、導
通不良や高抵抗化不良等を生じる原因となるおそれがち
る。
る際にウェハ間の隙間に大気中の酸素が巻き込まれてし
まうので１反応炉内でたとえばポリシリコンのデポジシ
ョンを行う以前にウエノ・表面に酸化膜が形成され、導
通不良や高抵抗化不良等を生じる原因となるおそれがち
る。
本発明の目的は、前記従来技術の欠点を解消し、ウェハ
表面への酸化膜の形成を阻止し、良質の薄膜を安定して
形成できる半導体処理装置を提供することにある。
表面への酸化膜の形成を阻止し、良質の薄膜を安定して
形成できる半導体処理装置を提供することにある。
この目的を達成するため、本発明による半導体処理装置
は、処理炉への搬入時にウエノ・の周囲雰囲気を不活性
ガスでパージする手段を処理炉の搬入口部に設けたもの
でちる。
は、処理炉への搬入時にウエノ・の周囲雰囲気を不活性
ガスでパージする手段を処理炉の搬入口部に設けたもの
でちる。
以下、本発明を図面に示す実施例にしたがって詳細に説
明する。
明する。
第１図・工率発明による半導体処理装置の一実施例を示
す斜視図である。
す斜視図である。
本実施例において、ウエノ・への薄膜形成のために用い
られる拡散炉型の処理炉１は、多数のウェハ２を先端部
上面に垂直に並べて該処理炉１の内外に搬入、搬出する
搬出入へ構としてソフトランディング装置３を有してい
る。このソフトランデインク装＠３は処理炉１へのウエ
ノ・３の搬出入を行うため、一端を処理炉１の側壁向に
取り付けたレール４に沿って処理炉１に接近または離反
する方向に往復移動する。
られる拡散炉型の処理炉１は、多数のウェハ２を先端部
上面に垂直に並べて該処理炉１の内外に搬入、搬出する
搬出入へ構としてソフトランディング装置３を有してい
る。このソフトランデインク装＠３は処理炉１へのウエ
ノ・３の搬出入を行うため、一端を処理炉１の側壁向に
取り付けたレール４に沿って処理炉１に接近または離反
する方向に往復移動する。
前記処理炉１のウェハ搬入口部５に、は、パージ管６が
レール４と平行に水平方向に突設され、このパージ管６
の中間部の上下方向には不活性ガス源（図示せず）に通
じるガス供給管７の一端が連通可能に接続され、またこ
のガス供給管７からの不活性ガス、たとえば窒素ガス（
Ｎ２）やアルゴン（Ａｒ）ガスを排出するために排気管
８がパージ管６と処理炉１との間にＬ字状に接続されて
いる。
レール４と平行に水平方向に突設され、このパージ管６
の中間部の上下方向には不活性ガス源（図示せず）に通
じるガス供給管７の一端が連通可能に接続され、またこ
のガス供給管７からの不活性ガス、たとえば窒素ガス（
Ｎ２）やアルゴン（Ａｒ）ガスを排出するために排気管
８がパージ管６と処理炉１との間にＬ字状に接続されて
いる。
前記パージ管６は、ソフトランディング装置１１３で処
理炉１に搬出入されるウエノ・２がこのパージ管６の中
を通って処理炉１の中に搬入される時にガス供給管７か
らパージ管６の中を通って排気管８の方向に不活性ガス
を噴出することにより、多数のウェハ２どうじの間に巻
き込まれた酸素をウェハ２間の隙間から追い出すために
設けられている。このパージ管６．ガス供給管７．排気
管８よりなるパージ機構を設けたことにより、ウェハ２
間の酸素がウェハ２と同拌して処理炉１の中に持ち込ま
れて薄膜形成前の該ウニ・・２上に酸化膜を形成するこ
とを防止できる。
理炉１に搬出入されるウエノ・２がこのパージ管６の中
を通って処理炉１の中に搬入される時にガス供給管７か
らパージ管６の中を通って排気管８の方向に不活性ガス
を噴出することにより、多数のウェハ２どうじの間に巻
き込まれた酸素をウェハ２間の隙間から追い出すために
設けられている。このパージ管６．ガス供給管７．排気
管８よりなるパージ機構を設けたことにより、ウェハ２
間の酸素がウェハ２と同拌して処理炉１の中に持ち込ま
れて薄膜形成前の該ウニ・・２上に酸化膜を形成するこ
とを防止できる。
すなわち１本実施例によれば、ソフトランディング装Ｗ
１３により処理炉１に搬入中のウェハ２がパージ管６の
中を通過中にガス供給管７からウェハ２の直立方向上側
からウエノ・２間に不活性ガスを噴射することにより、
ウェハ２間の酸素はウェハ２間の隙間から追い出され、
排気管８を経て処理炉１方向に排出される。したがって
、本実施例では、ウェハ２間の酸素がウェハ２と共に処
理炉１の中に持ち込まれて薄膜形成前のウェハ２の表面
に酸化膜を形成することを阻止でき、導通不良や高抵抗
化不良を生じることがなくなるので、ウェハ２上に良質
の薄膜を安定して形成できる。
１３により処理炉１に搬入中のウェハ２がパージ管６の
中を通過中にガス供給管７からウェハ２の直立方向上側
からウエノ・２間に不活性ガスを噴射することにより、
ウェハ２間の酸素はウェハ２間の隙間から追い出され、
排気管８を経て処理炉１方向に排出される。したがって
、本実施例では、ウェハ２間の酸素がウェハ２と共に処
理炉１の中に持ち込まれて薄膜形成前のウェハ２の表面
に酸化膜を形成することを阻止でき、導通不良や高抵抗
化不良を生じることがなくなるので、ウェハ２上に良質
の薄膜を安定して形成できる。
第３図は本発明に用いられるパージ機構の変形例を示す
拡大部分断面図である。この例では、ガス供給管７の中
途部からパージ管６０入ロ部にかけてガス分岐路９を設
け、このガス分岐路９を通ってパージ管６の入口部に不
活性ガスをエアカーテン状に噴出させる。したがって１
本実施例では。
拡大部分断面図である。この例では、ガス供給管７の中
途部からパージ管６０入ロ部にかけてガス分岐路９を設
け、このガス分岐路９を通ってパージ管６の入口部に不
活性ガスをエアカーテン状に噴出させる。したがって１
本実施例では。
ガス供給管７かも排気管８への主ガス供給路の作用によ
〜てバージ管６０入ロ部から管内に大気中の酸素が引き
込まれることを防止する。その結果。
〜てバージ管６０入ロ部から管内に大気中の酸素が引き
込まれることを防止する。その結果。
この実施例の場合、酸素のパージをより良好に行うこと
ができ、さらに良質の薄膜を形成できる。
ができ、さらに良質の薄膜を形成できる。
なお、本発明は前記実施例に限定されるものではなく、
たとえばガス供給管７や排気管８を水平方向に設けるこ
と等も可能である。
たとえばガス供給管７や排気管８を水平方向に設けるこ
と等も可能である。
以上説明したように１本発明によれば、半導体基板（ウ
エノ・）間の酸素を処理炉内への搬入前に追い出すこと
ができ、酸化膜の形成を防止できることにより、導通不
良や高抵抗化不良を排除し。
エノ・）間の酸素を処理炉内への搬入前に追い出すこと
ができ、酸化膜の形成を防止できることにより、導通不
良や高抵抗化不良を排除し。
良質の薄膜を安定して形成できる。
第１図は本発明による半導体処理装置の一実施例を示す
斜視図、第２図はパージ機構の拡大部分断面図、第３図
はパージ機構の変形例を示す拡大部分断面図である。 ■・・・処理炉、２・・・ウエノ１，３・・・ソフトラ
ンディ／グ装置、６・・・パージ管、７・・・ガス供給
管、８・・・排気管。
斜視図、第２図はパージ機構の拡大部分断面図、第３図
はパージ機構の変形例を示す拡大部分断面図である。 ■・・・処理炉、２・・・ウエノ１，３・・・ソフトラ
ンディ／グ装置、６・・・パージ管、７・・・ガス供給
管、８・・・排気管。
Claims (1)
- 半導体基板を処理炉内に搬出入する機構を備えた半導体
処理装置において、処理炉の搬入口部に、搬入中の半導
体基板の周囲雰囲気を不活性ガスでパージする機構を設
けたことを特徴とする半導体処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4269282A JPS58161317A (ja) | 1982-03-19 | 1982-03-19 | 半導体処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4269282A JPS58161317A (ja) | 1982-03-19 | 1982-03-19 | 半導体処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58161317A true JPS58161317A (ja) | 1983-09-24 |
Family
ID=12643091
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4269282A Pending JPS58161317A (ja) | 1982-03-19 | 1982-03-19 | 半導体処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58161317A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61198717A (ja) * | 1985-02-28 | 1986-09-03 | Mitsubishi Electric Corp | 化学的気相成長装置 |
| JPH05175186A (ja) * | 1991-12-24 | 1993-07-13 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体製造装置 |
| JP2008306613A (ja) * | 2007-06-11 | 2008-12-18 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 利得可変回路 |
-
1982
- 1982-03-19 JP JP4269282A patent/JPS58161317A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61198717A (ja) * | 1985-02-28 | 1986-09-03 | Mitsubishi Electric Corp | 化学的気相成長装置 |
| JPH05175186A (ja) * | 1991-12-24 | 1993-07-13 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体製造装置 |
| JP2008306613A (ja) * | 2007-06-11 | 2008-12-18 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 利得可変回路 |
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