JPH06140350A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
- Publication number
- JPH06140350A JPH06140350A JP28723592A JP28723592A JPH06140350A JP H06140350 A JPH06140350 A JP H06140350A JP 28723592 A JP28723592 A JP 28723592A JP 28723592 A JP28723592 A JP 28723592A JP H06140350 A JPH06140350 A JP H06140350A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafers
- furnace
- nitrogen gas
- vertical
- oxide film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【目的】縦型炉芯管に入炉中の石英ボートに複数枚のウ
ェハを水平に搭載し、このウェハ間に残存する空気を除
去することにより、高品質の酸化膜（ゲート酸化膜等）
を形成する。 【構成】複数枚のウェハ２を石英ボート４に水平に搭載
して縦型の石英管３に下方向から入炉させ、ウェハ２の
酸化，拡散散処理を行う半導体製造装置において、石英
管３の炉口部に窒素ガスパージノズル１を設け、入炉中
のウェハ２と平行方向に窒素ガスを吹き出す構造を有す
る。
ェハを水平に搭載し、このウェハ間に残存する空気を除
去することにより、高品質の酸化膜（ゲート酸化膜等）
を形成する。 【構成】複数枚のウェハ２を石英ボート４に水平に搭載
して縦型の石英管３に下方向から入炉させ、ウェハ２の
酸化，拡散散処理を行う半導体製造装置において、石英
管３の炉口部に窒素ガスパージノズル１を設け、入炉中
のウェハ２と平行方向に窒素ガスを吹き出す構造を有す
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体製造装置に関し、
特に半導体基板の酸化，拡散処理を行なう縦型拡散炉に
関する。
特に半導体基板の酸化，拡散処理を行なう縦型拡散炉に
関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種の半導体製造装置（以下、
縦型拡散炉と呼ぶ）は、図３の断面図に示す様に、石英
管３を縦型とし、上部から酸素又は窒素等のガスを流し
ながら半導体基板（以下、ウェハ２と呼ぶ）を水平に石
英ボート４に載せて石英管３の下部より入炉させる構造
である。この縦型炉はウェハ２を入炉させる際、横型炉
よりも空気の巻き込みを低減することはできるが、ウェ
ハ間に残存する空気は除去しきれず、ウェハ表面に低級
自然酸化膜が成長する。
縦型拡散炉と呼ぶ）は、図３の断面図に示す様に、石英
管３を縦型とし、上部から酸素又は窒素等のガスを流し
ながら半導体基板（以下、ウェハ２と呼ぶ）を水平に石
英ボート４に載せて石英管３の下部より入炉させる構造
である。この縦型炉はウェハ２を入炉させる際、横型炉
よりも空気の巻き込みを低減することはできるが、ウェ
ハ間に残存する空気は除去しきれず、ウェハ表面に低級
自然酸化膜が成長する。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】この従来の縦型拡散炉
では、ウェハ間に空気が残存したまま炉内へ入炉する
為、ウェハ表面に低級自然酸化膜が成長し、ゲート酸化
膜等の膜質を劣化させ、半導体装置の信頼性低下、製造
歩留り低下の原因となっていた。
では、ウェハ間に空気が残存したまま炉内へ入炉する
為、ウェハ表面に低級自然酸化膜が成長し、ゲート酸化
膜等の膜質を劣化させ、半導体装置の信頼性低下、製造
歩留り低下の原因となっていた。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体製造装置
は、複数のウェハを石英ボートに水平に搭載して縦型炉
芯管に下方向から入炉させ、ウェハの酸化，拡散処理を
行う際、縦型炉芯管の炉口部に窒素ガスパージノズルを
設け、入炉中のウェハと平行方向に窒素ガスを吹き出
し、ウェハ間に残存する空気を除去する構造を備えてい
る。
は、複数のウェハを石英ボートに水平に搭載して縦型炉
芯管に下方向から入炉させ、ウェハの酸化，拡散処理を
行う際、縦型炉芯管の炉口部に窒素ガスパージノズルを
設け、入炉中のウェハと平行方向に窒素ガスを吹き出
し、ウェハ間に残存する空気を除去する構造を備えてい
る。
【０００５】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。
る。
【０００６】図１は本発明の一実施例を示す縦型拡散炉
の断面図、図２は図１のＡ−Ａ断面における構造説明図
である。
の断面図、図２は図１のＡ−Ａ断面における構造説明図
である。
【０００７】本実施例の縦型拡散炉は、石英管３の炉口
に装備された窒素ガスパージノズル１からウェハ２と水
平方向に窒素ガスをパージさせることにより、入炉中の
ウェハ間に残存する空気を除去することができる。窒素
ガスパージノズル１は石英管３の炉口周辺に複数の窒素
ガス吹出し口を有し、石英ボート４に水平間隔に搭載さ
れている入炉中のウェハ２に向けて窒素ガスを吹きつけ
る構造となっている。
に装備された窒素ガスパージノズル１からウェハ２と水
平方向に窒素ガスをパージさせることにより、入炉中の
ウェハ間に残存する空気を除去することができる。窒素
ガスパージノズル１は石英管３の炉口周辺に複数の窒素
ガス吹出し口を有し、石英ボート４に水平間隔に搭載さ
れている入炉中のウェハ２に向けて窒素ガスを吹きつけ
る構造となっている。
【０００８】
【発明の効果】以上説明した様に本発明は、ウェハが炉
内に入炉する際、ウェハ間に残存する空気を除去するこ
とができ、低級自然酸化膜の成長を防止し、ゲート酸化
膜の膜質を向上させることができる。この為、半導体装
置の信頼性、製造歩留りの向上が期待できる。
内に入炉する際、ウェハ間に残存する空気を除去するこ
とができ、低級自然酸化膜の成長を防止し、ゲート酸化
膜の膜質を向上させることができる。この為、半導体装
置の信頼性、製造歩留りの向上が期待できる。
【図１】本発明の一実施例の断面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ断面における構造説明図である。
【図３】従来の半導体製造装置の断面図である。
１ 窒素ガスパージノズル ２ ウェハ ３ 石英管 ４ 石英ボート
Claims (1)
- 【請求項１】 複数の半導体基板をボートに水平に搭載
して縦型炉芯管に下方向から入炉させ、半導体基板の酸
化，拡散処理を行う半導体製造装置において、前記縦型
炉芯管の炉口部に窒素ガスパージノズルを設け、入炉中
の半導体基板と平行方向に窒素ガスを吹き出すことを特
徴とする半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28723592A JPH06140350A (ja) | 1992-10-26 | 1992-10-26 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28723592A JPH06140350A (ja) | 1992-10-26 | 1992-10-26 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06140350A true JPH06140350A (ja) | 1994-05-20 |
Family
ID=17714788
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28723592A Pending JPH06140350A (ja) | 1992-10-26 | 1992-10-26 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06140350A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105908260A (zh) * | 2016-05-18 | 2016-08-31 | 广东爱康太阳能科技有限公司 | 一种晶体硅太阳能电池扩散炉 |
-
1992
- 1992-10-26 JP JP28723592A patent/JPH06140350A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105908260A (zh) * | 2016-05-18 | 2016-08-31 | 广东爱康太阳能科技有限公司 | 一种晶体硅太阳能电池扩散炉 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19990406 |