JPH0339481A

JPH0339481A - 膜形成用反応装置

Info

Publication number: JPH0339481A
Application number: JP17245289A
Authority: JP
Inventors: Takashi Shibuya; 澁谷　尚; Satoo Yanagiura; 聡生柳浦
Original assignee: Sanyo Electric Co Ltd
Current assignee: Sanyo Electric Co Ltd
Priority date: 1989-07-04
Filing date: 1989-07-04
Publication date: 1991-02-20

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】（イ）産業上の利用分野本発明は、プラズマＣＶＤ法を用いて膜を形成するため
の膜形成用反応装置に関する。

（ロ）従来の技術プラズマＣＶＤ法を用いて基板上に所望の膜を形成する
装置において、優れた品質の膜を形成するための要因と
して、反応室内に外部がら不所望な不純物ができるだけ
混入しないようにすること、反応室内に生ゼしぬられる
プラズマ放電を安定させること等が考えられる。

また、基板上に異なる種類の膜を形成する場合、例えば
、基板上にｐ−１−ｎ構造の光起電力装置を形成する場
合、ｐ型層を形成した後、ｉ型層を形成することになる
が、この時、ｉ型層中にｐ型層の不純物が混入しないよ
うにすることが必要である。このために、特開昭６０−
３０１８２号公報によれば、各層を形成する反応室をそ
れぞれに分離して連接したｔｐｔ造の製造装置にて、各
校を形成するようにしている。

（ハ）発明が解決しようとする課題ところで、膜を形成する基板は、上記公報にら見られる
ように、トレー上に載置された状態で反応室に送り込ま
れる。

従って、反応室内に、トレーを介して外部から不純物が
取り込まれる可能性がある。

また、このようにトレーを用いると、上述のような光起
電力装置を形成する場合、ｐ型層を形成し多彩のｐ型不
純物が、トレーを通じてｉ型層を形成する反応室に取り
込まれ、純粋なｉ型層が形成されないこととなる。

更に、基板を載置したトレーを搬送する搬送装置は、反
応室内にて発生するプラズマ放電内に存在するためにこ
のプラズマ放電を乱してしまう。

（ニ）課題を解決するための手段本発明の膜形成用反応装置は、反応室と、膜が形成される基板の一方の面を下に向けた状態で基板
の端部を支持しながらこれを上記反応室内の所定領域に
搬送すると共に、暎形成時に上記所定領域外へ退避する
基板搬送手段と、上記所定領域内に搬送された基板を保
持する保持部と、上記反応室内に原料ガスを導入する導入口と、上記反応
室内を排気する排気口と１、Ｌ記保持部にて保持された基板の下面と対向して設け
られた放電電極と、を備えたことを特徴とする。

（ホ）作用膜が形成される基板は、反応室内の所定の領域に搬送さ
れると、保持部にて保持される。その後、基板の搬送手
段は、反応室内にて発生されるプラズマ放電を乱さない
ように、プラズマ発生領域外へ退避する。この状態で、
基板の下面に所望の膜が形成される。

（へ）実施例図は本発明の一実施例を示しており、基板の搬送方向と
垂直方向の断面図である。

１は反応室、２は膜が形成される基板３を反応ｉｌ内の
所定領域に搬送するべく、反応室１の両側壁に並設して
設けられた搬送手段であり、この搬送子段２は、遭遇自
在に設けられたころ状部材４と、この部材４の先端に設
けられたテーバ状のローラ５と、ころ状部材４を回転駆
動する駆動手段６とからなる。７は搬送手段２にて搬送
される基板３が所定領域に搬送されてきたときにこの基
板３の下面と対向するように設けられた平板状の放電！
極であり、上下方向に可動である。また、この放ｉｔ極
７は、反応室１内へ原料ガスを導入する導入口としても
動くように、内部に原料ガスの通路が形成され、また基
板３との対向面に複数の原料ガス噴出口が形成されてい
る。８は所定領域内に搬送されてきた基板３をその領域
内で保持するアーム状の保持部であり、これら保持部８
は、ＴＩＬｔ電極７の上面の四隅に設けられており、放
１１極７が上方に移動すると基板３の四隅に５按じて基
板３を保持するようになっている。９は反応室１内を排
気し、所定の気圧に保持する排気室、１０は基板３の上
面と対向するように反応室１の上方に設けられたヒータ
である。

この反応装置において、反応室１内に挿入された基板３
は、搬送手段２におけるローラ５に支持された状態で、
反応室１内の所定領域に搬送さ！Ｌる。すると、放を電
極７が上方に移動して保持部８が基板３の四隅を保持し
、更に、放電電極７は、基板３がヒータ９と近接するま
で移動する。

その後、搬送手段２のころ状部材４が、放電電極７から
できるだけ離れた位置に退避する。

この状態で、放ｉｔ極７の上面に設けられたガス噴出口
から原料ガスが反応室ｌ内に導入され、放１電極７に電
力が印加されてプラズマ放電が生ぜしめられることによ
り、基板３の下面に膜が形成される。

膜形成後、原料ガスの導入が停止されると、放ＩＥ電極
７が下降すると共に、搬送手段２のころ状部材４が再び
突出し、保持部８に保持されていた基板３がローラ５に
て保持される。この状態で、ころ状部材４が回転駆動さ
れることにより、基板３が反応室ｌ外へ搬送される。

このような反応装置によれば、反応室１内には、基板３
のみが挿入されるだけであるので、従来のように基板３
を載置していたトレーを介して不純物が反応室】内に侵
入することがない。

また、基板３上への膜形成時、搬送手段２のころ状部材
４は放電電極７からできるだけ離れた位置に退避してい
るので、生起されたプラズマ放電が不所望に乱されるこ
とがない。

なお、上記実施例によれば、基板３を保持する保持部８
は放電電極７に設けられているために放電電極７と一体
に移動するが、それぞれ独立して移動できるように配し
てもよい。この場合、基板３と放電電極７との間隔を任
意に調整することが可能となる。

ところで、基板３上に異なる種類の膜を形成する場合、
例えば、基板３上にｐ−１−ｎ構造の光起電力装置を形
成する場合、ｐ型層、ｉ型層及び＋１型層を形成する反
応室を、上述の構成でもってそれぞれ個別に設け、そし
て各反応室を、周知のシでツタ手段を介して連接した構
成とする。

（ト）発明の効果本発明によれば、反応室と、膜が形成される基板の一方
の面を下に向けた状態で基板の端部を支持しながら二ｉ
ｔを上記反応室内の所定領域に搬送すると共に、膜形成
時に上記所定領域外へ退避する基板搬送手段と、上記所
定領域内に搬送された基板を保持する保持部と、上記反
応室内に原料ガスを導入する導入口と、上記反応室内を
排気する排気口と、上記保持部にて保持された基板の下
面と対向して設けられた放電電極とを備えているので、
反応室内に不所望な不純物が取り込まれるのが抑制され
、また反応室内で生起されるプラズマ放電が安定するの
で、高品質の膜を形成することができる。

【図面の簡単な説明】

図は本発明の一実施例を示す断面図である。１・・・反応室、２・・・搬送手段、３・・・基板、７
・・・放電電極、８・・・保持部。

Claims

【特許請求の範囲】

（１）反応室と、膜が形成される基板の一方の面を下に向けた状態で基板
の端部を支持しながらこれを上記反応室内の所定領域に
搬送すると共に、膜形成時に上記所定領域外へ退避する
基板搬送手段と、上記所定領域内に搬送された基板を保持する保持部と、上記反応室内に原料ガスを導入する導入口と、上記反応
室内を排気する排気口と、上記保持部にて保持された基板の下面と対向して設けら
れた放電電極と、を備えたことを特徴とする膜形成用反応装置。
（２）上記反応室の複数が、シャッタ手段を介して連接
されていることを特徴とする請求項１記載の膜形成用反
応装置。