JP3208937B2 - Ｃｖｄ装置 - Google Patents
Ｃｖｄ装置Info
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- JP3208937B2 JP3208937B2 JP17980793A JP17980793A JP3208937B2 JP 3208937 B2 JP3208937 B2 JP 3208937B2 JP 17980793 A JP17980793 A JP 17980793A JP 17980793 A JP17980793 A JP 17980793A JP 3208937 B2 JP3208937 B2 JP 3208937B2
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- Japan
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- gas
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＣＶＤ装置、特にプロ
セスガスを多数のノズルが配設されたガス供給部から下
方のウェハに向けて噴出させ、反応室の上部中央から排
気して該ウェハ表面にＣＶＤ膜を形成するようにしたＣ
ＶＤ装置に関する。
セスガスを多数のノズルが配設されたガス供給部から下
方のウェハに向けて噴出させ、反応室の上部中央から排
気して該ウェハ表面にＣＶＤ膜を形成するようにしたＣ
ＶＤ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】常圧ＣＶＤ装置としてプロセスガスを多
数のノズルが配設されたガス供給部から下方のウェハに
向けて噴出させ、反応室の上部中央から排気して該ウェ
ハ表面にＣＶＤ膜を形成するようにしたＣＶＤ装置が知
られており、図４（Ａ）、（Ｂ）はそのような常圧ＣＶ
Ｄ装置の従来例の一つを示すものであり、（Ａ）は縦断
面図、（Ｂ）はＢ−Ｂ線視平面図である。図面におい
て、１は反応室、２は該反応室１の底面上を移動して半
導体ウェハ３、３を搬送する搬送ベルトで、例えば４０
０℃に加熱されている。４は排気用フードで、その天井
中央部が開口され、その開口に排気管５が連通されてい
る。
数のノズルが配設されたガス供給部から下方のウェハに
向けて噴出させ、反応室の上部中央から排気して該ウェ
ハ表面にＣＶＤ膜を形成するようにしたＣＶＤ装置が知
られており、図４（Ａ）、（Ｂ）はそのような常圧ＣＶ
Ｄ装置の従来例の一つを示すものであり、（Ａ）は縦断
面図、（Ｂ）はＢ−Ｂ線視平面図である。図面におい
て、１は反応室、２は該反応室１の底面上を移動して半
導体ウェハ３、３を搬送する搬送ベルトで、例えば４０
０℃に加熱されている。４は排気用フードで、その天井
中央部が開口され、その開口に排気管５が連通されてい
る。
【０００３】６はガス供給部で、複数のガス供給管７
ａ、７ｂ、７ｃから供給された異なるガス（例えばＯ2
ガス、Ｎ2 ガス、ＳｉＨ4 ガス等）を底面に配設された
ノズル８、８、…から下方に、具体的には半導体ウェハ
３、３上に噴出する。該ノズル８、８、…の配設密度
は、従来においてはガス供給部６の全長に渡って均一で
あった。該ガス供給部６はガス供給管７ａ、７ｂ、７ｃ
から供給された異なるガスを内部において混合すること
なく、即ちセパレートしたまま噴出するようになってい
る。というのは、各ガスの混合を半導体ウェハ３、３、
上において行わせしめて出来るだけ半導体ウェハ３、３
上のみにＣＶＤ膜が形成されるようにし、ガス供給部６
内部において気相成長反応が生じないようにするためで
ある。
ａ、７ｂ、７ｃから供給された異なるガス（例えばＯ2
ガス、Ｎ2 ガス、ＳｉＨ4 ガス等）を底面に配設された
ノズル８、８、…から下方に、具体的には半導体ウェハ
３、３上に噴出する。該ノズル８、８、…の配設密度
は、従来においてはガス供給部６の全長に渡って均一で
あった。該ガス供給部６はガス供給管７ａ、７ｂ、７ｃ
から供給された異なるガスを内部において混合すること
なく、即ちセパレートしたまま噴出するようになってい
る。というのは、各ガスの混合を半導体ウェハ３、３、
上において行わせしめて出来るだけ半導体ウェハ３、３
上のみにＣＶＤ膜が形成されるようにし、ガス供給部６
内部において気相成長反応が生じないようにするためで
ある。
【０００４】そして、半導体ウェハ３、３（３ａはオリ
エンテーションフラット）に向けて下方に噴射されたガ
スは半導体ウェハ３、３上で反応を起し、ＣＶＤ膜を形
成すると共に、半導体ウェハ３、３上からガス供給部６
の両側［図４（Ｂ）における上側及び下側、図４（Ａ）
における紙面側及び紙背側］を経て排気用フード４に入
り、排気管５からＣＶＤ装置外部に排気される。
エンテーションフラット）に向けて下方に噴射されたガ
スは半導体ウェハ３、３上で反応を起し、ＣＶＤ膜を形
成すると共に、半導体ウェハ３、３上からガス供給部６
の両側［図４（Ｂ）における上側及び下側、図４（Ａ）
における紙面側及び紙背側］を経て排気用フード４に入
り、排気管５からＣＶＤ装置外部に排気される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、図４に示し
た従来のＣＶＤ装置によれば、ＣＶＤ膜の膜厚の均一性
が図５のように低かった。具体的には、反応室１の両側
部においてＣＶＤ膜の膜厚が厚くなるという問題が生じ
た。図５から明らかなように、反応室１の中央部付近で
は膜厚が５８０〜５９０ｎｍなのに反応室１の両側部で
は６２５〜６３５ｎｍにもなってしまうのである。
た従来のＣＶＤ装置によれば、ＣＶＤ膜の膜厚の均一性
が図５のように低かった。具体的には、反応室１の両側
部においてＣＶＤ膜の膜厚が厚くなるという問題が生じ
た。図５から明らかなように、反応室１の中央部付近で
は膜厚が５８０〜５９０ｎｍなのに反応室１の両側部で
は６２５〜６３５ｎｍにもなってしまうのである。
【０００６】この原因を追究したところ、排気が反応室
１の中央部において行われる結果、反応室１の両側部に
おける排気が中央部における程は円滑に行われ得ず、そ
のため、図４における９で示すような滞流が反応室１の
両側部で発生し、かかる滞流による成膜によってＣＶＤ
膜の膜厚が反応室１の側部で厚くなるという現象が生じ
ることが判明した。ところで、かかる膜厚の不均一性は
看過できず、そこで、反応室１のウェハ搬送方向と直交
する方向における温度勾配をつけることにより膜厚の均
一性を高めることが試みられた。具体的には搬送ベルト
２の両端部の温度を中央部の温度よりも低くすることが
試みられた。しかし、この方法はＣＶＤ膜の特性（不純
物濃度の均一性等）に悪い影響を及ぼす虞れがあるので
採り得ない。
１の中央部において行われる結果、反応室１の両側部に
おける排気が中央部における程は円滑に行われ得ず、そ
のため、図４における９で示すような滞流が反応室１の
両側部で発生し、かかる滞流による成膜によってＣＶＤ
膜の膜厚が反応室１の側部で厚くなるという現象が生じ
ることが判明した。ところで、かかる膜厚の不均一性は
看過できず、そこで、反応室１のウェハ搬送方向と直交
する方向における温度勾配をつけることにより膜厚の均
一性を高めることが試みられた。具体的には搬送ベルト
２の両端部の温度を中央部の温度よりも低くすることが
試みられた。しかし、この方法はＣＶＤ膜の特性（不純
物濃度の均一性等）に悪い影響を及ぼす虞れがあるので
採り得ない。
【０００７】本発明はこのような問題点を解決すべく為
されたものであり、プロセスガスを多数のノズルが配設
されたガス供給部から下方のウェハに向けて噴出させ、
反応室の上部中央から排気して上記ウェハ表面にＣＶＤ
膜を形成するようにしたＣＶＤ装置において、温度分布
等、成膜の特性に重大な影響を及ぼす条件の変更を伴う
ことなく膜厚の均一性を高めることを目的とする。
されたものであり、プロセスガスを多数のノズルが配設
されたガス供給部から下方のウェハに向けて噴出させ、
反応室の上部中央から排気して上記ウェハ表面にＣＶＤ
膜を形成するようにしたＣＶＤ装置において、温度分布
等、成膜の特性に重大な影響を及ぼす条件の変更を伴う
ことなく膜厚の均一性を高めることを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】請求項１のＣＶＤ装置
は、ガス供給部のノズルの配設密度を中央部においてよ
りも両端部において疎にしたことを特徴とする。請求項
２のＣＶＤ装置は、反応室の上部両側部と、排気をする
上部中央から上に延びる部分との間にも排気経路を設け
たことを特徴とする。
は、ガス供給部のノズルの配設密度を中央部においてよ
りも両端部において疎にしたことを特徴とする。請求項
２のＣＶＤ装置は、反応室の上部両側部と、排気をする
上部中央から上に延びる部分との間にも排気経路を設け
たことを特徴とする。
【０００９】
【作用】請求項１のＣＶＤ装置によれば、膜厚の均一性
のノズルの配設密度を中央部においてよりも両端部にお
いて疎にしたので、両端部における単位面積当りのガス
供給量を少なくすることができる。従って、これにより
図２に示すように排ガスの滞溜によるＣＶＤ膜の膜厚の
不均一性を是正することができる。
のノズルの配設密度を中央部においてよりも両端部にお
いて疎にしたので、両端部における単位面積当りのガス
供給量を少なくすることができる。従って、これにより
図２に示すように排ガスの滞溜によるＣＶＤ膜の膜厚の
不均一性を是正することができる。
【００１０】請求項２のＣＶＤ装置によれば、反応室の
上部両側部にも排気経路を設けたので、排気経路により
滞溜を軽減しないしは皆無にできる。従って、排気ガス
の滞溜により生じていたＣＶＤ膜の膜厚の不均一性を軽
減しないしはなくすことができる。
上部両側部にも排気経路を設けたので、排気経路により
滞溜を軽減しないしは皆無にできる。従って、排気ガス
の滞溜により生じていたＣＶＤ膜の膜厚の不均一性を軽
減しないしはなくすことができる。
【００１１】
【実施例】以下、本発明ＣＶＤ装置を図示実施例に従っ
て詳細に説明する。図１は本発明ＣＶＤ装置の一つの実
施例を示す断面図である。本実施例は、図４に示した従
来のＣＶＤ装置とは、ガス供給部６のノズル８、８、…
の配設密度において相違するが、それ以外の点では共通
し、共通する部分については既に説明済みなので説明を
省略し、相違する点についてのみ説明する。
て詳細に説明する。図１は本発明ＣＶＤ装置の一つの実
施例を示す断面図である。本実施例は、図４に示した従
来のＣＶＤ装置とは、ガス供給部６のノズル８、８、…
の配設密度において相違するが、それ以外の点では共通
し、共通する部分については既に説明済みなので説明を
省略し、相違する点についてのみ説明する。
【００１２】本ＣＶＤ装置のガス供給部６は、従来その
全長に渡って均一であったノズル８、８、…の配設密度
を、中央部においてよりも両端部においての方を疎にし
てなる。従って、本ＣＶＤ装置によれば、両端部におけ
る単位面積当りのガス供給量を少なくすることができ、
これにより図２に示すように排ガスの滞溜によるＣＶＤ
膜の膜厚の不均一性を是正することができる。
全長に渡って均一であったノズル８、８、…の配設密度
を、中央部においてよりも両端部においての方を疎にし
てなる。従って、本ＣＶＤ装置によれば、両端部におけ
る単位面積当りのガス供給量を少なくすることができ、
これにより図２に示すように排ガスの滞溜によるＣＶＤ
膜の膜厚の不均一性を是正することができる。
【００１３】図３は本発明ＣＶＤ装置の他の実施例を示
す断面図である。本実施例は、図４に示した従来のＣＶ
Ｄ装置とは、反応室の上部両側部と、排気をする上部中
央から上に延びる部分との間にも排気経路を設けたこと
を特徴とする点で相違するが、それ以外の点では共通
し、共通する部分については既に説明済みなので説明を
省略し、相違する点についてのみ説明する。
す断面図である。本実施例は、図４に示した従来のＣＶ
Ｄ装置とは、反応室の上部両側部と、排気をする上部中
央から上に延びる部分との間にも排気経路を設けたこと
を特徴とする点で相違するが、それ以外の点では共通
し、共通する部分については既に説明済みなので説明を
省略し、相違する点についてのみ説明する。
【００１４】本ＣＶＤ装置の排気用フード４は、従来、
上部の中央部においてのみ設けられていた排気管５を上
部の両側部にも設けてなる。５ａ、５ａはその両側部に
設けたところの排気管である。従って、本ＣＶＤ装置に
よれば、反応室１の中央部においてのみ排気することか
ら反応室１両側部において生じていた滞溜を、その排気
管５ａ、５ａによってなくすことができ、延いては排気
ガスの滞溜により生じていたＣＶＤ膜の膜厚の不均一性
を軽減しないしはなくすことができる。
上部の中央部においてのみ設けられていた排気管５を上
部の両側部にも設けてなる。５ａ、５ａはその両側部に
設けたところの排気管である。従って、本ＣＶＤ装置に
よれば、反応室１の中央部においてのみ排気することか
ら反応室１両側部において生じていた滞溜を、その排気
管５ａ、５ａによってなくすことができ、延いては排気
ガスの滞溜により生じていたＣＶＤ膜の膜厚の不均一性
を軽減しないしはなくすことができる。
【００１５】
【発明の効果】請求項１のＣＶＤ装置は、膜厚の均一性
のノズルの配設密度を中央部においてよりも両端部にお
いて疎にしたことを特徴とするものである。従って、請
求項１のＣＶＤ装置によれば、両端部における単位面積
当りのガス供給量を少なくすることができる。依って、
排ガスの滞溜によるＣＶＤ膜の膜厚の不均一性を是正す
ることができる。
のノズルの配設密度を中央部においてよりも両端部にお
いて疎にしたことを特徴とするものである。従って、請
求項１のＣＶＤ装置によれば、両端部における単位面積
当りのガス供給量を少なくすることができる。依って、
排ガスの滞溜によるＣＶＤ膜の膜厚の不均一性を是正す
ることができる。
【００１６】請求項２のＣＶＤ装置は、反応室の上部両
側部と、排気をする上部中央から上に延びる部分との間
にも排気経路を設けたことを特徴とする。従って、請求
項２のＣＶＤ装置によれば、反応室の上部両側部と、排
気をする上部中央との間にも生じていた滞溜をその排気
経路により小さくしないしは皆無にできる。依って、排
気ガスの滞溜により生じていたＣＶＤ膜の膜厚の不均一
性を軽減しないしはなくすことができる。
側部と、排気をする上部中央から上に延びる部分との間
にも排気経路を設けたことを特徴とする。従って、請求
項２のＣＶＤ装置によれば、反応室の上部両側部と、排
気をする上部中央との間にも生じていた滞溜をその排気
経路により小さくしないしは皆無にできる。依って、排
気ガスの滞溜により生じていたＣＶＤ膜の膜厚の不均一
性を軽減しないしはなくすことができる。
【図１】本発明ＣＶＤ装置の一つの実施例を示す断面図
である。
である。
【図２】上記実施例のＣＶＤ膜の膜厚分布図である。
【図３】本発明ＣＶＤ装置の他の実施例を示す断面図で
ある。
ある。
【図４】（Ａ）、（Ｂ）はＣＶＤ装置の従来例を示すも
ので、（Ａ）は断面図、（Ｂ）は（Ａ）のＢ−Ｂ線視平
面図である。
ので、（Ａ）は断面図、（Ｂ）は（Ａ）のＢ−Ｂ線視平
面図である。
【図５】図４に示した従来のＣＶＤ装置の問題点を示す
ところのＣＶＤ膜の膜厚分布図である。
ところのＣＶＤ膜の膜厚分布図である。
１ 反応室 ３ ウェハ ５ 排気管 ５ａ 排気管（排気経路） ６ ガス供給部 ８ ノズル １０ ＣＶＤ膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/205 C23C 16/52
Claims (2)
- 【請求項１】 プロセスガスを多数のノズルが配設され
たガス供給部から下方のウェハに向けて噴出させ、反応
室の上部中央から排気して該ウェハ表面にＣＶＤ膜を形
成するようにしたＣＶＤ装置において、 上記ガス供給部のノズルの配設密度を中央部においてよ
りも両端部において疎にしたことを特徴とするＣＶＤ装
置 - 【請求項２】 プロセスガスを多数のノズルが配設され
たガス供給部から下方のウェハに向けて噴出させ、反応
室の上部中央から上に延びる部分を経由して排気して該
ウェハ表面にＣＶＤ膜を形成するようにしたＣＶＤ装置
において、 反応室の上部両側部と、排気をする上記上部中央から上
に延びる部分との間にも排気経路を設けたことを特徴と
するＣＶＤ装置
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17980793A JP3208937B2 (ja) | 1993-06-25 | 1993-06-25 | Ｃｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17980793A JP3208937B2 (ja) | 1993-06-25 | 1993-06-25 | Ｃｖｄ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0714789A JPH0714789A (ja) | 1995-01-17 |
| JP3208937B2 true JP3208937B2 (ja) | 2001-09-17 |
Family
ID=16072241
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17980793A Expired - Fee Related JP3208937B2 (ja) | 1993-06-25 | 1993-06-25 | Ｃｖｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3208937B2 (ja) |
-
1993
- 1993-06-25 JP JP17980793A patent/JP3208937B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0714789A (ja) | 1995-01-17 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |