JPH0775335A - 高圧発生回路 - Google Patents

高圧発生回路

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Publication number
JPH0775335A
JPH0775335A JP5221196A JP22119693A JPH0775335A JP H0775335 A JPH0775335 A JP H0775335A JP 5221196 A JP5221196 A JP 5221196A JP 22119693 A JP22119693 A JP 22119693A JP H0775335 A JPH0775335 A JP H0775335A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
voltage
winding
switching element
flyback
flyback transformer
Prior art date
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Pending
Application number
JP5221196A
Other languages
English (en)
Inventor
Yutaka Sakagami
豊 坂上
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Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Publication of JPH0775335A publication Critical patent/JPH0775335A/ja
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 高性能な高圧発生回路を安価で小型に構成す
る。 【構成】 フライバックトランス5が1次巻線4と密に
結合したクランプ巻線10を持ち、クランプ巻線10の
一端に平滑コンデンサ8を接続し、クランプ巻線10の
他端に電界効果トランジスタ11を接続し、電界効果ト
ランジスタ11のボディダイオードによりクランプ巻線
10の誘起電圧を整流し、平滑コンデンサ9を充電し、
この平滑コンデンサ9の電圧を電界効果トランジスタ1
1の動作により制御することにより、クランプ電圧を制
御し、1次巻線電圧を制御し、高圧出力電圧の制御を行
う。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、CRTディスプレイ
装置等にフライバックトランスを使用して高電圧を供給
する高圧発生回路に関するものである。
【0002】
【従来の技術】図4に従来の高圧発生回路の一例の回路
図を示す。図4に示した高圧発生回路は、フライバック
トランスの1次側電圧を矩形波状にクランプするととも
に、2次側の負荷増加時の出力電圧降下を電圧補償用ト
ランスを使用して補償するものであり、特にCRTディ
スプレイ等のマルチスキャン動作に適している。
【0003】図4において、25はフライバックトラン
スで、フェライトコアに1次巻線24,2次巻線26お
よび1次側電圧をクランプするクランプ巻線29を巻装
している。21は一端をフライバックトランス25の1
次巻線24の一端に接続し他端をグラウンドに接続した
バイポーラトランジスタからなるスイッチング素子、2
2はバイポーラトランジスタ21に逆並列に接続したダ
ンパーダイオード、23はスイッチング素子21と並列
に接続した共振コンデンサである。
【0004】27はフライバックトランス25の2次巻
線26の一端に接続したダイオードからなる整流素子で
ある。28は正極をフライバックトランス25の1次巻
線24の他端に接続し負極をグラウンドに接続した直流
電源、30はフライバックトランス25の1次巻線24
の他端とクランプ巻線29の一端との間に接続したクラ
ンプダイオードで、クランプ巻線29の他端はグラウン
ドに接続している。
【0005】31および32はフライバックトランス2
5の2次巻線26の出力電圧を検出するための検出抵
抗、33は調整用可変抵抗である。35はフライバック
トランス25の2次出力電圧の低下を補償する電圧補償
用トランスで、1次巻線36と2次巻線37を有し、1
次巻線36の一端を直流電源28の正極に接続し、1次
巻線36の他端を電界効果トランジスタからなるスイッ
チング素子38を介してグラウンドに接続し、2次巻線
37の一端をダイオードからなる整流素子39を介して
フライバックトランス25の2次巻線26の他端に接続
し、2次巻線37の他端をグラウンドに接続している。
【0006】34は検出抵抗31,32および調整用可
変抵抗33を介して検出したフライバックトランス25
の2次巻線26の出力電圧の高低に応じかつスイッチン
グ素子21のオフに応答してスイッチング素子38のオ
ンオフを制御する制御回路である。この高圧発生回路
は、スイッチング素子21を周期的にオンオフすること
により、フライバックトランス25の1次巻線24を励
磁すると、スイッチング素子21がオフとなったときに
フライバックトランス25の1次巻線26にフライバッ
ク電圧が発生し、フライバックトランス25の2次巻線
26にも1次2次の巻数比に応じた高圧パルス電圧が発
生する。
【0007】このとき、クランプ巻線29の誘起電圧が
1次巻線24の誘起電圧に減極性に重畳されるため、1
次側電圧(フライバック電圧)が矩形波状にクランプさ
れることになる。また、制御回路34は、フライバック
トランス25の2次巻線26の出力電圧が所定値より低
下したときには、スイッチング素子38のオンオフを開
始させて電圧補償用トランス35の1次巻線36に電圧
を断続的に印加し、これによって電圧補償用トランス3
5の2次巻線37に電圧を誘起させ、この誘起電圧をフ
ライバックトランス25の2次巻線26の誘起電圧に重
畳して負荷が増加することによる電圧低下を補償するよ
うにしている。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】しかし、図4の従来例
では、高圧制御用の電圧補償用トランス35が別途必要
であり、コスト高になるとともに電圧補償用トランス3
5の設置スペースの増大により大型化するという問題が
あった。また、制御回路34についても、集積回路等で
構成される複雑な回路が必要であり、この点でもコスト
が高くなるという問題があった。
【0009】したがって、この発明の目的は、高圧制御
用の電圧補償用トランスを不要としてコストを低く抑え
ることができるとともに小型化を達成でき、さらに制御
回路の構成を簡単化してコストを低く抑えることができ
る高圧発生回路を提供することである。
【0010】
【課題を解決するための手段】この発明の高圧発生回路
は、フライバックトランスの1次巻線に電流供給用の直
流電源および電流断続用の第1のスイッチング素子を接
続し、フライバックトランスの2次巻線に第1の整流素
子を接続し、フライバックトランスのクランプ巻線の一
端とグラウンドとの間に平滑コンデンサを接続し、フラ
イバックトランスのクランプ巻線の他端とグラウンドと
の間に第2のスイッチング素子を接続し、この第2のス
イッチング素子と逆並列に第2の整流素子を設け、フラ
イバックトランスの2次電圧の高低に応じて第2のスイ
ッチング素子をオンオフ制御するようにしている。
【0011】
【作用】この発明の構成によれば、第1のスイッチング
素子がオンとなると、直流電源からフライバックトラン
スの1次巻線に電流が流れる。このとき、クランプ巻線
に流れる電流が第2の整流素子を通して平滑コンデンサ
を充電する。この後、第1のスイッチング素子がオフと
なると、1次巻線にはフライバック電圧が発生し、2次
巻線からも1次2次の巻数比に応じた高圧パルス電圧が
第1の整流素子を通して出力される。第2のスイッチン
グ素子をオンにしてあると、1次巻線にフライバック電
圧が発生したときに、平滑コンデンサの蓄積電荷がクラ
ンプ巻線を通して放出され、このときにクランプ巻線に
電流が流れることにより、フライバックトランスを1次
巻線とは逆極性に励磁し1次巻線の誘起電圧を矩形波状
にクランプする。この結果、1次巻線に生じるフライバ
ック電圧がクランプ分だけ低くなり、したがって2次巻
線に現れる高圧パルス電圧がそれに対応して低くなる。
一方、第2のスイッチング素子をオフのままにしてある
と、第1のスイッチング素子をオフにしたときに、クラ
ンプ巻線に電流は流れず、1次巻線のフライバック電圧
はクランプされない。したがって、2次巻線に現れる高
圧パルス電圧は高くなる。第2のスイッチング素子のオ
ンオフを制御することで、フライバックトランスの2次
巻線から出力される高圧パルス電圧の波高値を調整する
ことができる。
【0012】
【実施例】以下、この発明の実施例を図面を参照しなが
ら説明する。図1にこの発明の第1の実施例の高圧発生
回路の回路図を示す。図1において、5はフライバック
トランスで、フェライトコアに1次巻線4,2次巻線6
および1次側電圧をクランプするクランプ巻線(1次巻
線4と密に結合している)10を巻装している。1は一
端をフライバックトランス5の1次巻線4の一端に接続
し他端をグラウンドに接続したバイポーラトランジスタ
からなる第1のスイッチング素子、2はバイポーラトラ
ンジスタ1に逆並列に接続したダンパーダイオード、3
はスイッチング素子1と並列に接続した共振コンデンサ
である。
【0013】7はフライバックトランス5の2次巻線6
の一端に接続したダイオードからなる第1の整流素子で
ある。8は正極をフライバックトランス5の1次巻線4
の他端に接続し負極をグラウンドに接続した電流供給用
の電圧EB の直流電源である。9はフライバックトラン
ス5のクランプ巻線10の一端とグラウンドとの間に接
続した平滑コンデンサ、11はフライバックトランス5
のクランプ巻線10の他端とグラウンドとの間に接続し
た電界効果トランジスタからなる第2のスイッチング素
子である。この第2のスイッチング素子11には、ボデ
ィダイオード(寄生ダイオード)が逆並列接続された状
態に存在しており、第2の整流素子として作用する。
【0014】つぎに、この高圧発生回路の動作を説明す
る。第1のスイッチング素子1がオンとなると、直流電
源8からフライバックトランス5の1次巻線4に電流が
流れ、1次巻線4にエネルギーが蓄積される。このと
き、クランプ巻線10に電圧が誘起し、クランプ巻線1
0に流れる電流が第2の整流素子、つまり第2のスイッ
チング素子11のボディダイオードを通して平滑コンデ
ンサ9を充電する。
【0015】この後、第1のスイッチング素子1がオフ
となると、フライバックトランス5の1次巻線4の蓄積
エネルギーによって、1次巻線にフライバック電圧が生
じ、2次巻線6にも1次2次の巻数比に応じた高圧パル
ス電圧が第1の整流素子7を通して出力される。第2の
スイッチング素子11をオンにしてあると、1次巻線4
にフライバック電圧が発生したときに、平滑コンデンサ
9の蓄積電荷がクランプ巻線10を通して放出され、こ
のときにクランプ巻線10に電流が流れることにより、
フライバックトランス5を1次巻線4とは逆極性に励磁
し1次巻線4の誘起電圧を矩形波状にクランプする。こ
の結果、1次巻線4に生じるフライバック電圧がクラン
プ分だけ低くなり、したがって2次巻線6に現れる高圧
パルス電圧がそれに対応して低くなる。
【0016】一方、第2のスイッチング素子11をオフ
のままにしてあると、第1のスイッチング素子1をオフ
にしたときに、クランプ巻線10に電流は流れず、フラ
イバックトランス5の1次巻線4の電圧はクランプされ
ない。したがって、2次巻線6に現れる高圧パルス電圧
は高くなる。第2のスイッチング素子11のオンオフを
制御することで、フライバックトランス5の2次巻線6
から出力される高圧パルス電圧の波高値を調整すること
ができる。
【0017】今、第2のスイッチング素子11を動作さ
せず、オフのままに保持した場合においては、クランプ
巻線10による1次巻線4の誘起電圧(1次巻線4の一
端(スイッチング素子1が接続された方の端子)の電
圧)のクランプは行われず、1次巻線4の誘起電圧、つ
まりフライバック電圧は図2(a)のような波形とな
る。このフライバック電圧のピーク値をV1 とし、フラ
イバックトランス5の1次巻線4の巻数nP とクランプ
巻線10の巻数nC が等しいとすると、第1のスイッチ
ング素子1がオンとなったときに、平滑コンデンサ9の
充電電圧は、直流電源8の電圧をEB とすると、電圧V
C が次式の値まで充電されたときに安定する。
【0018】
【数1】VC ≒(V1 −EB )・nC /nP 一方、スイッチング素子11をオンにしてあると、電圧
C まで充電された平滑コンデンサ9からクランプ巻線
10およびスイッチング素子11を通して電荷が放出さ
れるので、平滑コンデンサ9の端子電圧が低下すること
になる。このとき、クランプ巻線10と1次巻線4とは
密に結合しているので、クランプ巻線10に発生する磁
束により、1次巻線4の誘起電圧が図2(b)のように
矩形波状にクランプされることになる。このときの1次
巻線4の誘起電圧のピーク値Vは、次式のようになる。
【0019】
【数2】V≒EB +VC ・nP /nC 以上述べたように、スイッチング素子11を動作させる
かさせないかを切り換えることにより、フライバックト
ランス5の1次巻線4の誘起電圧の波形を図2(b)ま
たは(a)のように変化させることができ、つまり誘起
電圧のピーク値を変化させることができるのである。
【0020】この実施例の高圧発生回路によれば、従来
例のような電圧補償用トランスが不要で、フライバック
トランス5の構成も従来例と比べて変更する必要がな
く、コストを低く抑えることができるとともに、小型化
を達成でき、また第2のスイッチング素子11をオンオ
フ制御する制御回路も第1のスイッチング素子のオンオ
フと同期をとることは不要で単にフライバックトランス
5の2次出力電圧の高低に応じてオンオフするだけでよ
く、従来例のような電圧補償用トランスが省略できるこ
とから、簡単で安価な集積回路を用いて構成でき、コス
トを一層下げることができる。
【0021】図3に負荷の増加によってフライバックト
ランスの2次巻線の出力電圧が低下したときにフライバ
ックトランスの2次巻線の出力電圧を高めることができ
るように構成したこの発明の第2の実施例の高圧発生回
路の回路図を示す。図3において、12はフライバック
トランス5の2次巻線6の出力電圧を検出する検出抵
抗、13は調整用可変抵抗である。14は演算増幅器、
15は直流電源、16はトランジスタ、17は直流電
源、18は偏向トランスである。
【0022】この高圧発生回路においては、フライバッ
クトランス5の2次巻線6から出力される高圧パルス電
圧が高くなると、演算増幅器14の出力がローレベルと
なり、トランジスタ16が動作せず、スイッチング素子
11のゲートがオンとなり、スイッチング素子11がオ
ンとなって、1次巻線4のフライバック電圧をクランプ
し、1次巻線4のフライバック電圧を低下させて、2次
巻線6の高圧パルス電圧を上昇を補償する。一方、フラ
イバックトランス5の2次巻線6から出力される高圧パ
ルス電圧が低くなると、演算増幅器14の出力がハイレ
ベルとなり、トランジスタ16が動作し(オンとな
り)、スイッチング素子11のゲートがオフとなり、ス
イッチング素子11がオフとなって、1次巻線4のフラ
イバック電圧のクランプが中止され、1次巻線4のフラ
イバック電圧を上昇させて、2次巻線6の高圧パルス電
圧の低下を補償する。
【0023】ここで、演算増幅器14は、点Aの電圧分
割して得た点Bの電圧と直流電源15の電圧とを比較し
ている。つまり、図3の回路において、出力電流IL
増大すると点Aの電圧が低下するので、その電圧低下を
検知する構成となっている。また、偏向トランス18
は、スイッチング素子1がオフの期間に、スイッチング
素子11がオンとなるように、スイッチング素子11の
ゲートに入力するパルスのタイミングを合わせるのに用
いている。
【0024】以上のように、この実施例では、2次巻線
6の高圧パルス電圧の変化を検出してスイッチング素子
11のオンオフを制御することで、1次巻線4のフライ
バック電圧のクランプを行うか行わないかを切り換え
て、2次巻線6の負荷の変動による2次巻線6の高圧パ
ルス電圧の変動を補償し、2次巻線6の高圧パルス電圧
を安定化させている。
【0025】この実施例によれば、2次巻線6の高圧パ
ルス電圧の高低に応じて第2のスイッチング素子11を
オンオフ制御しているので、負荷の変動にかかわりなく
2次巻線6の高圧パルス電圧を安定化することができ
る。また、制御回路としてシャントレギュレータのよう
な簡単で安価な集積回路を用いて構成でき、コストを下
げることができる。その他の効果は前記実施例と同様で
ある。
【0026】
【発明の効果】この発明の高圧発生回路によれば、電圧
補償用トランスが不要で、フライバックトランスの構成
も従来例と比べて変更する必要がなく、コストを低く抑
えることができるとともに、小型化を達成でき、また第
2のスイッチング素子をオンオフ制御する制御回路も第
1のスイッチング素子のオンオフと同期をとることは不
要で単にフライバックトランスの2次出力電圧の高低に
応じてオンオフするだけでよく、電圧補償用トランスを
省略できることから、シャントレギュレータのような簡
単で安価な集積回路を用いて構成でき、コストを一層下
げることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の第1の実施例の高圧発生回路の回路
図である。
【図2】同じくこの発明の第1の実施例の高圧発生回路
の出力電圧波形図である。
【図3】この発明の第2の実施例の高圧発生回路の回路
図である。
【図4】従来の高圧発生回路の一例の回路図である。
【符号の説明】
1 第1のスイッチング素子 2 ダンパーダイオード 3 共振コンデンサ 4 1次巻線 5 フライバックトランス 6 2次巻線 7 第1の整流素子 8 直流電源 9 平滑コンデンサ 10 クランプ巻線 11 第2のスイッチング素子

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 1次巻線,2次巻線および1次側電圧を
    クランプするクランプ巻線を有するフライバックトラン
    スと、このフライバックトランスの1次巻線に電流を流
    す直流電源と、前記フライバックトランスの1次巻線に
    流れる電流を断続する第1のスイッチング素子と、前記
    フライバックトランスの2次巻線に接続した第1の整流
    素子と、前記フライバックトランスのクランプ巻線の一
    端とグラウンドとの間に接続した平滑コンデンサと、前
    記フライバックトランスのクランプ巻線の他端とグラウ
    ンドとの間に接続した第2のスイッチング素子と、この
    第2のスイッチング素子と逆並列に設けた第2の整流素
    子とを備え、 前記フライバックトランスの2次電圧の高低に応じて前
    記第2のスイッチング素子をオンオフ制御するようにし
    たことを特徴とする高圧発生回路。
JP5221196A 1993-09-06 1993-09-06 高圧発生回路 Pending JPH0775335A (ja)

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JP5221196A JPH0775335A (ja) 1993-09-06 1993-09-06 高圧発生回路

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6381108B1 (en) * 1999-10-22 2002-04-30 Lucent Technologies Inc. Technique for regulating a DC source voltage
CN115242078A (zh) * 2022-09-22 2022-10-25 广东希荻微电子股份有限公司 功率因数校正电路及方法、电子设备
US11923763B1 (en) 2022-08-23 2024-03-05 Halo Microelectronics International Ripple cancellation apparatus and control method

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