JPH0774474A - 多層配線基板の製造方法 - Google Patents
多層配線基板の製造方法Info
- Publication number
- JPH0774474A JPH0774474A JP12957793A JP12957793A JPH0774474A JP H0774474 A JPH0774474 A JP H0774474A JP 12957793 A JP12957793 A JP 12957793A JP 12957793 A JP12957793 A JP 12957793A JP H0774474 A JPH0774474 A JP H0774474A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wiring board
- polyimide precursor
- multilayer wiring
- insulating film
- group
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/46—Manufacturing multilayer circuits
- H05K3/4644—Manufacturing multilayer circuits by building the multilayer layer by layer, i.e. build-up multilayer circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/46—Manufacturing multilayer circuits
- H05K3/4644—Manufacturing multilayer circuits by building the multilayer layer by layer, i.e. build-up multilayer circuits
- H05K3/4673—Application methods or materials of intermediate insulating layers not specially adapted to any one of the previous methods of adding a circuit layer
- H05K3/4676—Single layer compositions
Landscapes
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】基板上に形成した第１層の金属配線と、該第１
層の金属配線上に積層される第１層のポリイミド絶縁膜
と、該第１層のポリイミド絶縁膜に形成されたスルーホ
ールを介して前記第１層の金属配線に接続された第２層
の金属配線とを最小構成単位として含む多層配線基板の
製造方法において、前記ポリイミド絶縁膜を、ポジ型感
光性ポリイミド前駆体組成物を用いて形成することを特
徴とする多層配線基板の製造方法。 【効果】本発明によってポジ型の感光性ポリイミド前駆
体を用いることで、ピンホール欠陥の減少に有効な効果
があり、信頼性や歩留まりの向上した優れた多層配線基
板を提供できる。かつ、多層配線基板の製造工程数の低
減に寄与するものである。
層の金属配線上に積層される第１層のポリイミド絶縁膜
と、該第１層のポリイミド絶縁膜に形成されたスルーホ
ールを介して前記第１層の金属配線に接続された第２層
の金属配線とを最小構成単位として含む多層配線基板の
製造方法において、前記ポリイミド絶縁膜を、ポジ型感
光性ポリイミド前駆体組成物を用いて形成することを特
徴とする多層配線基板の製造方法。 【効果】本発明によってポジ型の感光性ポリイミド前駆
体を用いることで、ピンホール欠陥の減少に有効な効果
があり、信頼性や歩留まりの向上した優れた多層配線基
板を提供できる。かつ、多層配線基板の製造工程数の低
減に寄与するものである。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、多層配線基板の製造方
法に関するものであり、さらに詳しくはポリイミドを絶
縁膜として用いたＬＳＩ搭載用実装基板の製造方法に関
するものである。
法に関するものであり、さらに詳しくはポリイミドを絶
縁膜として用いたＬＳＩ搭載用実装基板の製造方法に関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】ポリイミドを絶縁膜として用いたＬＳＩ
搭載用実装基板は、例えば「日経エレクトロニクス」１
０５頁、１９８３年１月３１日号、同じく１４５〜１４
８頁、１９８４年８月２７日号などで知られている。こ
のポリイミド絶縁膜の形成には、配線用のスルーホール
を形成するためにパターン加工が必要であるが、非感光
性のポリイミド樹脂は、ポジレジストをマスクにしてポ
ジレジストの現像と同時にポリイミドのエッチングを行
う方法（例えば、Ｒ．Ａ．Ｄｉｎｅ−Ｈａｒｔ，他 Ｂ
ｒ．Ｐｏｌｙｍ．Ｊ．３，２２２（１９７１））やネガ
レジストをマスクにしてネガレジストの現像後にポリイ
ミドをヒドラジンのような有機アルカリでエッチングす
る方法（例えば、特開昭５３−４９７０１号公報）でパ
ターン加工されるため工程が繁雑である。そのため、ポ
リイミド前駆体に感光性を付与し、直接パターンを形成
する方法（例えば、特開昭５４−１４５７９４号公報、
特公昭５４−４４４５３号公報、特公昭５９−５２８２
２号公報）が用いられている。
搭載用実装基板は、例えば「日経エレクトロニクス」１
０５頁、１９８３年１月３１日号、同じく１４５〜１４
８頁、１９８４年８月２７日号などで知られている。こ
のポリイミド絶縁膜の形成には、配線用のスルーホール
を形成するためにパターン加工が必要であるが、非感光
性のポリイミド樹脂は、ポジレジストをマスクにしてポ
ジレジストの現像と同時にポリイミドのエッチングを行
う方法（例えば、Ｒ．Ａ．Ｄｉｎｅ−Ｈａｒｔ，他 Ｂ
ｒ．Ｐｏｌｙｍ．Ｊ．３，２２２（１９７１））やネガ
レジストをマスクにしてネガレジストの現像後にポリイ
ミドをヒドラジンのような有機アルカリでエッチングす
る方法（例えば、特開昭５３−４９７０１号公報）でパ
ターン加工されるため工程が繁雑である。そのため、ポ
リイミド前駆体に感光性を付与し、直接パターンを形成
する方法（例えば、特開昭５４−１４５７９４号公報、
特公昭５４−４４４５３号公報、特公昭５９−５２８２
２号公報）が用いられている。
【０００３】しかしながら、該ポリイミド前駆体に感光
性を付与し、直接パターンを形成する方法に用いられる
感光性ポリイミド前駆体は、露光した部分が現像により
残るネガ型のものであった。該ネガ型の感光性ポリイミ
ド前駆体でポリイミドパターンを形成した場合、露光時
に使用するマスクなどにダストなどが付着しているとそ
の部分が現像時に溶解除去され、ポリイミド絶縁膜にピ
ンホール欠陥が形成されるため、デバイスの不良などが
起こり、信頼性の高い多層配線基板を製造する上で大き
な障害になっていた。
性を付与し、直接パターンを形成する方法に用いられる
感光性ポリイミド前駆体は、露光した部分が現像により
残るネガ型のものであった。該ネガ型の感光性ポリイミ
ド前駆体でポリイミドパターンを形成した場合、露光時
に使用するマスクなどにダストなどが付着しているとそ
の部分が現像時に溶解除去され、ポリイミド絶縁膜にピ
ンホール欠陥が形成されるため、デバイスの不良などが
起こり、信頼性の高い多層配線基板を製造する上で大き
な障害になっていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、かかる従来
技術に鑑み創案されたもので、その目的は、上記欠点、
すなわち、感光性ポリイミド前駆体を用いた場合に生じ
る信頼性が低下する問題を解決し、ポリイミド絶縁膜の
形成が簡略化され、信頼性の向上した多層配線基板の製
造方法を提供することにある。
技術に鑑み創案されたもので、その目的は、上記欠点、
すなわち、感光性ポリイミド前駆体を用いた場合に生じ
る信頼性が低下する問題を解決し、ポリイミド絶縁膜の
形成が簡略化され、信頼性の向上した多層配線基板の製
造方法を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】かかる本発明の目的は、
基板上に形成した第１層の金属配線と、該第１層の金属
配線上に積層される第１層のポリイミド絶縁膜と、該第
１層のポリイミド絶縁膜に形成されたスルーホールを介
して前記第１層の金属配線に接続された第２層の金属配
線とを最小構成単位として含む多層配線基板の製造方法
において、前記ポリイミド絶縁膜を、ポジ型感光性ポリ
イミド前駆体組成物を用いて形成することを特徴とする
多層配線基板の製造方法により達成される。
基板上に形成した第１層の金属配線と、該第１層の金属
配線上に積層される第１層のポリイミド絶縁膜と、該第
１層のポリイミド絶縁膜に形成されたスルーホールを介
して前記第１層の金属配線に接続された第２層の金属配
線とを最小構成単位として含む多層配線基板の製造方法
において、前記ポリイミド絶縁膜を、ポジ型感光性ポリ
イミド前駆体組成物を用いて形成することを特徴とする
多層配線基板の製造方法により達成される。
【０００６】本発明における多層配線基板は、基板上に
形成した第１層の金属配線と、該第１層の金属配線上に
積層される第１層のポリイミド絶縁膜と、該第１層のポ
リイミド絶縁膜に形成されたスルーホールを介して前記
第１層の金属配線に接続された第２層の金属配線とを最
小構成単位として含むものである。
形成した第１層の金属配線と、該第１層の金属配線上に
積層される第１層のポリイミド絶縁膜と、該第１層のポ
リイミド絶縁膜に形成されたスルーホールを介して前記
第１層の金属配線に接続された第２層の金属配線とを最
小構成単位として含むものである。
【０００７】基板としては、シリコン、アルミニウム、
セラミックス、サファイヤなどが用いられるが、これら
に限定されない。
セラミックス、サファイヤなどが用いられるが、これら
に限定されない。
【０００８】金属配線としては、基板上に設けられた電
気伝導性の材料が所望の機能を果たすように、パタ−ン
状または全面に形成された層である。電気伝導性の材料
としては、アルミニウム、銅、金、ニッケル、クロム、
モリブデン、チタン、ニクロム、パラジウム、銀などが
単独あるいは合金で単層あるいは復層で好ましく用いら
れるが、これらに限定されない。これらの配線は、通
常、真空蒸着、スパッタリング、電子線蒸着などの物理
蒸着やメッキなどにより、パターン状または全面に形成
される。全面に形成された場合は、フォトリソグラフィ
ーを用いてパターン化されることが多い。
気伝導性の材料が所望の機能を果たすように、パタ−ン
状または全面に形成された層である。電気伝導性の材料
としては、アルミニウム、銅、金、ニッケル、クロム、
モリブデン、チタン、ニクロム、パラジウム、銀などが
単独あるいは合金で単層あるいは復層で好ましく用いら
れるが、これらに限定されない。これらの配線は、通
常、真空蒸着、スパッタリング、電子線蒸着などの物理
蒸着やメッキなどにより、パターン状または全面に形成
される。全面に形成された場合は、フォトリソグラフィ
ーを用いてパターン化されることが多い。
【０００９】ポジ型感光性ポリイミド前駆体とは、露光
した部分が現像により溶解除去できるもので、例えば、
ポリアミド酸にエステル基で光分解性の感光性を導入
し、露光、現像によりポジ型のパターンを形成するもの
（例えば、特開平１−６１７４７号公報）、特定の構造
のポリアミド酸に特定の構造のナフトキノンジアジド化
合物を添加し、特定の温度範囲で熱処理し、露光、現像
によりポジ型のパターンを形成するもの（例えば、高分
子学会予稿集、４０巻、３号、８２１（１９９１）、化
学線感応型ポリイミド前駆体の皮膜を露光し、露光後、
未露光部が露光部より硬化度が高くなる処理を施し、現
像により露光部を除去し、ポジ型のパターンを形成する
ものなどが挙げられる。
した部分が現像により溶解除去できるもので、例えば、
ポリアミド酸にエステル基で光分解性の感光性を導入
し、露光、現像によりポジ型のパターンを形成するもの
（例えば、特開平１−６１７４７号公報）、特定の構造
のポリアミド酸に特定の構造のナフトキノンジアジド化
合物を添加し、特定の温度範囲で熱処理し、露光、現像
によりポジ型のパターンを形成するもの（例えば、高分
子学会予稿集、４０巻、３号、８２１（１９９１）、化
学線感応型ポリイミド前駆体の皮膜を露光し、露光後、
未露光部が露光部より硬化度が高くなる処理を施し、現
像により露光部を除去し、ポジ型のパターンを形成する
ものなどが挙げられる。
【００１０】実用面からは、化学線感応型ポリイミド前
駆体の被膜を露光し、露光後、未露光部が露光部より硬
化度が高くなる処理を施し、現像により露光部を除去
し、ポジ型のパターンを形成するものが好ましい。
駆体の被膜を露光し、露光後、未露光部が露光部より硬
化度が高くなる処理を施し、現像により露光部を除去
し、ポジ型のパターンを形成するものが好ましい。
【００１１】例えば、（ａ）一般式（１）で表される構
造単位を主成分とするポリマ（Ａ）、
造単位を主成分とするポリマ（Ａ）、
【化２】 （ただし、式中Ｒ1 は少なくとも２個の炭素原子を有す
る３価または４価の有機基、Ｒ2 は少なくとも２個の炭
素原子を有する２価の有機基、Ｒ3 は水素、アルカリ金
属イオン、アンモニウムイオンまたは炭素数１〜３０の
有機基を表す。ｎは１または２である。）（ｂ）エチレ
ン性不飽和二重結合およびアミノ基を含む化合物
（Ｂ）、および（ｃ）光開始剤および／または増感剤お
よび／または光反応性モノマーを含有するポジ型感光性
ポリイミド前駆体組成物があげられる。
る３価または４価の有機基、Ｒ2 は少なくとも２個の炭
素原子を有する２価の有機基、Ｒ3 は水素、アルカリ金
属イオン、アンモニウムイオンまたは炭素数１〜３０の
有機基を表す。ｎは１または２である。）（ｂ）エチレ
ン性不飽和二重結合およびアミノ基を含む化合物
（Ｂ）、および（ｃ）光開始剤および／または増感剤お
よび／または光反応性モノマーを含有するポジ型感光性
ポリイミド前駆体組成物があげられる。
【００１２】一般式（１）で表される構造単位を主成分
とするポリマ（Ａ）とは、加熱あるいは適当な触媒によ
り、イミド環や、その他の環状構造を有するポリマ（以
下、ポリイミド系ポリマという）となり得るものであ
る。
とするポリマ（Ａ）とは、加熱あるいは適当な触媒によ
り、イミド環や、その他の環状構造を有するポリマ（以
下、ポリイミド系ポリマという）となり得るものであ
る。
【００１３】上記一般式（１）中、Ｒ1 は少なくとも２
個の炭素原子を有する３価または４価の有機基である。
耐熱性の面から、Ｒ1 は芳香族環または芳香族複素環を
含有し、かつ、炭素数６〜３０の３価または４価の基が
好ましい。
個の炭素原子を有する３価または４価の有機基である。
耐熱性の面から、Ｒ1 は芳香族環または芳香族複素環を
含有し、かつ、炭素数６〜３０の３価または４価の基が
好ましい。
【００１４】Ｒ1 の例として、フェニル基、ビフェニル
基、ターフェニル基、ナフタレン基、ペリレン基、ジフ
ェニルエーテル基、ジフェニルスルホン基、ジフェニル
プロパン基、ベンゾフェノン基、ビフェニルトリフルフ
ォロプロパン基などが挙げられるが、これらに限定され
ない。
基、ターフェニル基、ナフタレン基、ペリレン基、ジフ
ェニルエーテル基、ジフェニルスルホン基、ジフェニル
プロパン基、ベンゾフェノン基、ビフェニルトリフルフ
ォロプロパン基などが挙げられるが、これらに限定され
ない。
【００１５】上記一般式（１）中、Ｒ2 は少なくとも２
個の炭素原子を有する２価の有機基であるが、耐熱性の
面から、Ｒ2 は芳香族環または芳香族複素環を含有し、
かつ炭素数６〜３０の２価の基が好ましい。
個の炭素原子を有する２価の有機基であるが、耐熱性の
面から、Ｒ2 は芳香族環または芳香族複素環を含有し、
かつ炭素数６〜３０の２価の基が好ましい。
【００１６】Ｒ2 の例として、フェニル基、ビフェニル
基、ターフェニル基、ナフタレン基、ペリレン基、ジフ
ェニルエーテル基、ジフェニルスルホン基、ジフェニル
プロパン基、ベンゾフェノン基、ビフェニルトリフルフ
ォロプロパン基などが挙げられるが、これらに限定され
ない。
基、ターフェニル基、ナフタレン基、ペリレン基、ジフ
ェニルエーテル基、ジフェニルスルホン基、ジフェニル
プロパン基、ベンゾフェノン基、ビフェニルトリフルフ
ォロプロパン基などが挙げられるが、これらに限定され
ない。
【００１７】さらに、基板との接着性を向上させるため
に、耐熱性を低下させない範囲でＲ1 、Ｒ2 として、シ
ロキサン構造を有する脂肪族の基を共重合してもよい。
に、耐熱性を低下させない範囲でＲ1 、Ｒ2 として、シ
ロキサン構造を有する脂肪族の基を共重合してもよい。
【００１８】Ｒ3 は、水素、アルカリ金属イオン、アン
モニウムイオンまたは炭素数１〜３０の有機基を表す。
Ｒ3 の好ましい例としては、水素基、メチル基、エチル
基、イソプロピル基、ブチル基、メタクリル酸エチル
基、アクリル酸エチル基、ｏ−ニトロベンジル基などが
挙げられるが、これらに限定されない。特にＲ3 として
は、水素が好ましい。
モニウムイオンまたは炭素数１〜３０の有機基を表す。
Ｒ3 の好ましい例としては、水素基、メチル基、エチル
基、イソプロピル基、ブチル基、メタクリル酸エチル
基、アクリル酸エチル基、ｏ−ニトロベンジル基などが
挙げられるが、これらに限定されない。特にＲ3 として
は、水素が好ましい。
【００１９】ポリマ（Ａ）は、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 がこれ
らのうち各々１種から構成されていても良いし、各々２
種以上から構成される共重合体であつてもよい。
らのうち各々１種から構成されていても良いし、各々２
種以上から構成される共重合体であつてもよい。
【００２０】ポリマ（Ａ）は、一般式（１）で表される
構造単位のみからなるものであっても良いし、他の構造
単位との共重合体あるいはブレンド体であっても良い。
その際、一般式（１）で表される構造単位を９０モル％
以上含有していることが好ましい。共重合あるいはブレ
ンドに用いられる構造単位の種類および量は最終加熱処
理によって得られるポリイミド系ポリマの耐熱性を損な
わない範囲で選択することが好ましい。
構造単位のみからなるものであっても良いし、他の構造
単位との共重合体あるいはブレンド体であっても良い。
その際、一般式（１）で表される構造単位を９０モル％
以上含有していることが好ましい。共重合あるいはブレ
ンドに用いられる構造単位の種類および量は最終加熱処
理によって得られるポリイミド系ポリマの耐熱性を損な
わない範囲で選択することが好ましい。
【００２１】ポリマ（Ａ）の具体的な例として、ピロメ
リット酸二無水物と４，４´−ジアミノジフェニルエー
テル、３，３´，４，４´−ベンゾフェノンテトラカル
ボン酸二無水物と４，４´−ジアミノジフェニルエーテ
ル、３，３´，４，４´−ビフェニルテトラカルボン酸
二無水物と４，４´−ジアミノジフェニルエーテル、
３，３´，４，４´−ビフェニルトリフルオロプロパン
テトラカルボン酸二無水物と４，４´−ジアミノジフェ
ニルエーテル、３，３´，４，４´−ビフェニルスルホ
ンテトラカルボン酸二無水物と４，４´−ジアミノジフ
ェニルエーテル、ピロメリット酸二無水物と３，３´−
（または４，４´）ジアミノジフェニルスルホン、３，
３´，４，４´−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無
水物と３，３´−（または４，４´）ジアミノジフェニ
ルスルホン、３，３´，４，４´−ビフェニルテトラカ
ルボン酸二無水物と３，３´−（または４，４´）ジア
ミノジフェニルスルホン、ピロメリット酸二無水物と
４，４´−ジアミノジフェニルスルフィド、３，３´，
４，４´−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物と
４，４´−ジアミノジフェニルスルフィド、３，３´，
４，４´−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物と４，
４´−ジアミノジフェニルスルフィド、３，３´，４，
４´−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物とパラ
フェニレンジアミン、３，３´，４，４´−ビフェニル
テトラカルボン酸二無水物とパラフェニレンジアミン、
３，３´，４，４´−ジフェニルエーテルテトラカルボ
ン酸二無水物とパラフェニレンジアミン、３，３´，
４，４´−ビフェニルトリフルオロプロパンテトラカル
ボン酸二無水物とパラフェニレンジアミン、３，３´，
４，４´−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物とター
フェニルジアミン、３，３´，４，４´−ビフェニルテ
トラカルボン酸二無水物および３，３´，４，４´−ベ
ンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物とパラフェニレ
ンジアミン、ピロメリット酸二無水物および３，３´，
４，４´−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物と
３，３´−（または４，４´）ジアミノジフェニルエー
テル、ピロメリット酸二無水物および３，３´，４，４
´−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物とパラフェニ
レンジアミン、３，３´，４，４´−ベンゾフェノンテ
トラカルボン酸二無水物と４，４´−ジアミノジフェニ
ルエーテルおよびビス（３−アミノプロピル）テトラメ
チルジシロキサン、ピロメリット酸二無水物と４，４´
−ジアミノジフェニルエーテルおよびビス（３−アミノ
プロピル）テトラメチルジシロキサン、３，３´，４，
４´−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物と４，４´
−ジアミノジフェニルエーテルおよびビス（３−アミノ
プロピル）テトラメチルジシロキサン、などから合成さ
れたポリアミド酸およびエステル化合物が挙げられる
が、これらに限定されない。
リット酸二無水物と４，４´−ジアミノジフェニルエー
テル、３，３´，４，４´−ベンゾフェノンテトラカル
ボン酸二無水物と４，４´−ジアミノジフェニルエーテ
ル、３，３´，４，４´−ビフェニルテトラカルボン酸
二無水物と４，４´−ジアミノジフェニルエーテル、
３，３´，４，４´−ビフェニルトリフルオロプロパン
テトラカルボン酸二無水物と４，４´−ジアミノジフェ
ニルエーテル、３，３´，４，４´−ビフェニルスルホ
ンテトラカルボン酸二無水物と４，４´−ジアミノジフ
ェニルエーテル、ピロメリット酸二無水物と３，３´−
（または４，４´）ジアミノジフェニルスルホン、３，
３´，４，４´−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無
水物と３，３´−（または４，４´）ジアミノジフェニ
ルスルホン、３，３´，４，４´−ビフェニルテトラカ
ルボン酸二無水物と３，３´−（または４，４´）ジア
ミノジフェニルスルホン、ピロメリット酸二無水物と
４，４´−ジアミノジフェニルスルフィド、３，３´，
４，４´−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物と
４，４´−ジアミノジフェニルスルフィド、３，３´，
４，４´−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物と４，
４´−ジアミノジフェニルスルフィド、３，３´，４，
４´−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物とパラ
フェニレンジアミン、３，３´，４，４´−ビフェニル
テトラカルボン酸二無水物とパラフェニレンジアミン、
３，３´，４，４´−ジフェニルエーテルテトラカルボ
ン酸二無水物とパラフェニレンジアミン、３，３´，
４，４´−ビフェニルトリフルオロプロパンテトラカル
ボン酸二無水物とパラフェニレンジアミン、３，３´，
４，４´−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物とター
フェニルジアミン、３，３´，４，４´−ビフェニルテ
トラカルボン酸二無水物および３，３´，４，４´−ベ
ンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物とパラフェニレ
ンジアミン、ピロメリット酸二無水物および３，３´，
４，４´−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物と
３，３´−（または４，４´）ジアミノジフェニルエー
テル、ピロメリット酸二無水物および３，３´，４，４
´−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物とパラフェニ
レンジアミン、３，３´，４，４´−ベンゾフェノンテ
トラカルボン酸二無水物と４，４´−ジアミノジフェニ
ルエーテルおよびビス（３−アミノプロピル）テトラメ
チルジシロキサン、ピロメリット酸二無水物と４，４´
−ジアミノジフェニルエーテルおよびビス（３−アミノ
プロピル）テトラメチルジシロキサン、３，３´，４，
４´−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物と４，４´
−ジアミノジフェニルエーテルおよびビス（３−アミノ
プロピル）テトラメチルジシロキサン、などから合成さ
れたポリアミド酸およびエステル化合物が挙げられる
が、これらに限定されない。
【００２２】これらのポリアミド酸およびそのエステル
化物は公知の方法によって合成される。すなわち、ポリ
アミド酸の場合はテトラカルボン酸二無水物とジアミン
を選択的に組み合わせ、これらをＮ−メチル−２−ピロ
リドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメ
チルホルムアミドなどを主成分とする極性溶媒や、γ−
ブチロラクトン中で反応させることにより合成される。
ポリアミド酸のエステル化物は例えば、特開昭６１−７
２０２２号公報、特公昭５５−３０２０７号公報に記載
されている方法などで合成される。
化物は公知の方法によって合成される。すなわち、ポリ
アミド酸の場合はテトラカルボン酸二無水物とジアミン
を選択的に組み合わせ、これらをＮ−メチル−２−ピロ
リドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメ
チルホルムアミドなどを主成分とする極性溶媒や、γ−
ブチロラクトン中で反応させることにより合成される。
ポリアミド酸のエステル化物は例えば、特開昭６１−７
２０２２号公報、特公昭５５−３０２０７号公報に記載
されている方法などで合成される。
【００２３】エチレン性不飽和二重結合およびアミノ基
を有する化合物（Ｂ）としては、エチレン性不飽和二重
結合およびアミノ基を有し、炭素数３〜３０の有機基か
らなる化合物が好ましく、さらに、炭素数３〜３０の有
機基からなる脂肪族化合物が好ましい。有機基として
は、アミノ基の他に炭化水素基、水酸基、カルボニル
基、カルボキシル基、ウレタン基、ウレア基、アミド基
などが挙げられるがこれに限定されない。
を有する化合物（Ｂ）としては、エチレン性不飽和二重
結合およびアミノ基を有し、炭素数３〜３０の有機基か
らなる化合物が好ましく、さらに、炭素数３〜３０の有
機基からなる脂肪族化合物が好ましい。有機基として
は、アミノ基の他に炭化水素基、水酸基、カルボニル
基、カルボキシル基、ウレタン基、ウレア基、アミド基
などが挙げられるがこれに限定されない。
【００２４】具体的な例として、アクリル酸ジメチルア
ミノエチル、アクリル酸ジエチルアミノエチル、メタク
リル酸ジメチルアミノエチル、メタクリル酸ジエチルア
ミノエチル、メタクリル酸ジメチルアミノプロピル、
Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノエチルメタクリルアミド、Ｎ，
Ｎ−ジメチルアミノプロピルメタクリルアミド、Ｎ，Ｎ
−ジエチルアミノエチルメタクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジ
エチルアミノプロピルメタクリルアミドが挙げられる。
ミノエチル、アクリル酸ジエチルアミノエチル、メタク
リル酸ジメチルアミノエチル、メタクリル酸ジエチルア
ミノエチル、メタクリル酸ジメチルアミノプロピル、
Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノエチルメタクリルアミド、Ｎ，
Ｎ−ジメチルアミノプロピルメタクリルアミド、Ｎ，Ｎ
−ジエチルアミノエチルメタクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジ
エチルアミノプロピルメタクリルアミドが挙げられる。
【００２５】これらの化合物（Ｂ）は単独あるいは二種
以上の混合物として使用される。
以上の混合物として使用される。
【００２６】化合物（Ｂ）はポリマの全構成単位の５
％、好ましくは３０％に相当する当量以上で、かつポリ
マ中の全カルボキシル基の当量の５倍以下の割合で、混
合されているのが望ましい。この範囲をはずれると感度
が悪くなったり、現像への制約が多くなる。
％、好ましくは３０％に相当する当量以上で、かつポリ
マ中の全カルボキシル基の当量の５倍以下の割合で、混
合されているのが望ましい。この範囲をはずれると感度
が悪くなったり、現像への制約が多くなる。
【００２７】光開始剤としてはミヒラーズケトン、４，
４´−ジエチルアミノベンゾフェノン、Ｎ−フェニルジ
エタノールアミン、Ｎ−フェニルグリシンなど芳香族ア
ミン化合物、１−フェニルプロパンジオン−２−（０−
エトキシカルボニル）オキシムに代表される鎖状オキシ
ム化合物、３−フェニル−５−イソオキサゾロンに代表
される環状オキシム化合物が有効であるがこれらに限定
されない。とくに３−フェニル−５−イソオキサゾロン
に代表される環状オキシム化合物が感度面で望ましい。
これらの光開始剤は、単独あるいは二種以上の混合物と
して使用される。
４´−ジエチルアミノベンゾフェノン、Ｎ−フェニルジ
エタノールアミン、Ｎ−フェニルグリシンなど芳香族ア
ミン化合物、１−フェニルプロパンジオン−２−（０−
エトキシカルボニル）オキシムに代表される鎖状オキシ
ム化合物、３−フェニル−５−イソオキサゾロンに代表
される環状オキシム化合物が有効であるがこれらに限定
されない。とくに３−フェニル−５−イソオキサゾロン
に代表される環状オキシム化合物が感度面で望ましい。
これらの光開始剤は、単独あるいは二種以上の混合物と
して使用される。
【００２８】光開始剤の量はポリマに対して１重量％〜
１００重量％、好ましくは５重量％〜５０重量％混合さ
れているのが望ましい。この範囲をはずれると感度が悪
くなったり、現像への制約が多くなる。
１００重量％、好ましくは５重量％〜５０重量％混合さ
れているのが望ましい。この範囲をはずれると感度が悪
くなったり、現像への制約が多くなる。
【００２９】増感剤としてはミヒラーズケトン、４，４
´−ジエチルアミノベンゾフェノン、３，３´−カルボ
ニルビス（ジエチルアミノクマリン）、コダック社
（株）の“クマリン”３３９、“クマリン”３３８、
“クマリン”３１４、“クマリン”７などがが有効であ
るがこれらに限定されない。これらの増感剤は、単独も
しくは２種以上の混合物として使用される。
´−ジエチルアミノベンゾフェノン、３，３´−カルボ
ニルビス（ジエチルアミノクマリン）、コダック社
（株）の“クマリン”３３９、“クマリン”３３８、
“クマリン”３１４、“クマリン”７などがが有効であ
るがこれらに限定されない。これらの増感剤は、単独も
しくは２種以上の混合物として使用される。
【００３０】増感剤の量はポリマに対して０．１重量％
〜２０重量％、好ましくは０．２重量％〜１０重量％混
合されているのが感度面で望ましい。
〜２０重量％、好ましくは０．２重量％〜１０重量％混
合されているのが感度面で望ましい。
【００３１】光反応性モノマーとしては２−ヒドロキシ
エチルメタクリレート、トリメチロールプロパントリア
クリレート、トリメチロールプロパントリメタクリレー
ト、エチレングリコールジメタクリレートなど光重合性
のモノマーをポリマに対して１重量％〜２０重量％、添
加するとさらに感度の向上が期待できる。これらの光反
応性モノマーは単独あるいは二種以上の混合物として使
用される。
エチルメタクリレート、トリメチロールプロパントリア
クリレート、トリメチロールプロパントリメタクリレー
ト、エチレングリコールジメタクリレートなど光重合性
のモノマーをポリマに対して１重量％〜２０重量％、添
加するとさらに感度の向上が期待できる。これらの光反
応性モノマーは単独あるいは二種以上の混合物として使
用される。
【００３２】上記ポリマ（Ａ）、化合物（Ｂ）および光
開始剤および／または増感剤および／または光反応性モ
ノマーを溶媒と混合することによりポジ型感光性ポリイ
ミド前駆体組成物を得る。
開始剤および／または増感剤および／または光反応性モ
ノマーを溶媒と混合することによりポジ型感光性ポリイ
ミド前駆体組成物を得る。
【００３３】このとき用いられる溶媒としては、Ｎ−メ
チル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミ
ド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホオ
キシド、ヘキサメチルホスホロトリアミド、γ−ブチロ
ラクトン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアクリルアミドなどの非プ
ロトン性極性溶媒が単独もしくは二種以上の混合物とし
て好ましく用いられるが、これらに限定されない。
チル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミ
ド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホオ
キシド、ヘキサメチルホスホロトリアミド、γ−ブチロ
ラクトン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアクリルアミドなどの非プ
ロトン性極性溶媒が単独もしくは二種以上の混合物とし
て好ましく用いられるが、これらに限定されない。
【００３４】次にポジ型感光性ポリイミド前駆体を用い
た多層配線基板の製造方法の一例について説明するが、
本発明はこれに限定されない。
た多層配線基板の製造方法の一例について説明するが、
本発明はこれに限定されない。
【００３５】まず、電源と接地層を含む多層アルミナ・
セラミックスなどの基板上に第１層の金属配線を形成す
る。例えば、基板上に銅、クロムを順次スパッタリング
により積層した後、フォトエッチングすることにより所
望の配線パターンを得る。
セラミックスなどの基板上に第１層の金属配線を形成す
る。例えば、基板上に銅、クロムを順次スパッタリング
により積層した後、フォトエッチングすることにより所
望の配線パターンを得る。
【００３６】ついで、該第１層の金属配線パターン上
に、上記ポジ型感光性ポリイミド前駆体組成物のワニス
を塗布し、乾燥を行い、ポジ型感光性ポリイミド前駆体
組成物の被膜を得る。この被膜上にマスクを置き、化学
線を照射し、選択的に露光する。露光後に、ポジ型感光
性ポリイミド前駆体の種類により、熱処理を施した後、
現像を行い、露光部を除去することにより、配線用のス
ルーホールの加工を施す。さらにスルーホールの加工
後、キュアすることによりポリイミド絶縁膜を得る。
に、上記ポジ型感光性ポリイミド前駆体組成物のワニス
を塗布し、乾燥を行い、ポジ型感光性ポリイミド前駆体
組成物の被膜を得る。この被膜上にマスクを置き、化学
線を照射し、選択的に露光する。露光後に、ポジ型感光
性ポリイミド前駆体の種類により、熱処理を施した後、
現像を行い、露光部を除去することにより、配線用のス
ルーホールの加工を施す。さらにスルーホールの加工
後、キュアすることによりポリイミド絶縁膜を得る。
【００３７】塗布は、スピンナーを用いた回転塗布、ス
プレコータ、浸漬、ロールコーティングなどの方法によ
って行われる。塗布膜厚は、塗布手段、組成物の固形分
濃度、粘度等によって異なるが、通常、乾燥後の膜厚
が、０．１〜１５０μｍになるように塗布される。
プレコータ、浸漬、ロールコーティングなどの方法によ
って行われる。塗布膜厚は、塗布手段、組成物の固形分
濃度、粘度等によって異なるが、通常、乾燥後の膜厚
が、０．１〜１５０μｍになるように塗布される。
【００３８】乾燥は、５０〜１００℃の範囲で１分〜数
時間行なうのが好ましい。露光後の熱処理は必要によ
り、乾燥の工程と同じかそれより高い温度で１分〜数時
間行なうのが好ましい。露光後の熱処理温度は６０〜１
８０℃、さらに好ましくは９０〜１５０℃の温度がよ
い。
時間行なうのが好ましい。露光後の熱処理は必要によ
り、乾燥の工程と同じかそれより高い温度で１分〜数時
間行なうのが好ましい。露光後の熱処理温度は６０〜１
８０℃、さらに好ましくは９０〜１５０℃の温度がよ
い。
【００３９】露光は、公知の方法により行われる。紫外
線、可視光線、電子線、Ｘ線などがあげられるが、紫外
線、可視光線が好ましい。
線、可視光線、電子線、Ｘ線などがあげられるが、紫外
線、可視光線が好ましい。
【００４０】露光後の熱処理は、例えば、前記のポリマ
（Ａ）、化合物（Ｂ）および、光開始剤および／または
増感剤および／または光反応性モノマーを含有するポジ
型感光性ポリイミド前駆体組成物などを用いるときに
は、施す必要がある。その場合、その熱処理によって、
未露光部の被膜が露光部の被膜より硬化度が高くなるよ
うにする。すると、未露光部の被膜の方が、現像液に対
する耐性が高くなり、現像すると露光部の方が未露光部
より早く除去され、ポジ型の像が形成される。
（Ａ）、化合物（Ｂ）および、光開始剤および／または
増感剤および／または光反応性モノマーを含有するポジ
型感光性ポリイミド前駆体組成物などを用いるときに
は、施す必要がある。その場合、その熱処理によって、
未露光部の被膜が露光部の被膜より硬化度が高くなるよ
うにする。すると、未露光部の被膜の方が、現像液に対
する耐性が高くなり、現像すると露光部の方が未露光部
より早く除去され、ポジ型の像が形成される。
【００４１】現像は、剥離、溶解、エッチングなどの方
法により行われる。現像に用いる現像液としては、水酸
化ナトリウム、水酸化カリウム、テトラメチルアンモニ
ウムハイドロオキサイド、テトラエチルアンモニウムハ
イドロオキサイド、コリンなどのアルカリ水溶液が望ま
しい。またこれらのアルカリとＮ−メチル−２−ピロリ
ドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、などの極性溶媒
や、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコール
などのアルコールとの組み合わせた現像液も使用でき
る。現像後、水又はメタノール、エタノール、イソプロ
ピルアルコールなどのアルコールでリンスをする。
法により行われる。現像に用いる現像液としては、水酸
化ナトリウム、水酸化カリウム、テトラメチルアンモニ
ウムハイドロオキサイド、テトラエチルアンモニウムハ
イドロオキサイド、コリンなどのアルカリ水溶液が望ま
しい。またこれらのアルカリとＮ−メチル−２−ピロリ
ドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、などの極性溶媒
や、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコール
などのアルコールとの組み合わせた現像液も使用でき
る。現像後、水又はメタノール、エタノール、イソプロ
ピルアルコールなどのアルコールでリンスをする。
【００４２】現像後のキュアは温度を選び、段階的に昇
温するかある温度範囲を選び連続的に昇温しながら５分
〜５時間実施する。このキュアの最高温度は、２００〜
５００℃、好ましくは、３００〜４５０℃で行うのがよ
い。例えば、１３０℃、２００℃、４００℃で各々３０
分熱処理する。また、室温から４００℃まで２時間かけ
て直線的に昇温してもよい。
温するかある温度範囲を選び連続的に昇温しながら５分
〜５時間実施する。このキュアの最高温度は、２００〜
５００℃、好ましくは、３００〜４５０℃で行うのがよ
い。例えば、１３０℃、２００℃、４００℃で各々３０
分熱処理する。また、室温から４００℃まで２時間かけ
て直線的に昇温してもよい。
【００４３】このようにして得られた第１層のポリイミ
ド絶縁膜上に第２層の金属配線を第１層の金属配線と同
様に形成することにより、２層配線基板が得られる。以
下同様に繰り返せば、３層以上の多層配線基板が得られ
る。
ド絶縁膜上に第２層の金属配線を第１層の金属配線と同
様に形成することにより、２層配線基板が得られる。以
下同様に繰り返せば、３層以上の多層配線基板が得られ
る。
【００４４】
【実施例】以下、実施例に基づいて本発明を具体的に説
明するが、本発明はこれらに限定されない。
明するが、本発明はこれらに限定されない。
【００４５】実施例１ ３，３´，４，４´−ベンゾフェノンテトラカルボン酸
二無水物 80.55ｇ，ピロメリット酸二無水物 54.33ｇを
エタノール 2.3ｇ，Ｎ−メチル−２−ピロリドン 549ｇ
と共に、７０℃で３時間反応させた。その後２０℃に冷
却し、４，４´−ジアミノジフェニルエーテル 95.10ｇ
およびビス（３−アミノプロピル）テトラメチルジシロ
キサン 6.2ｇを添加し、さらに６０℃で３時間反応さ
せ、粘度１２２ポアズ（２５℃）のポリマ（Ａ）溶液を
得た。この溶液にメタクリル酸ジメチルアミノエチル 1
57.3ｇ（ポリマ中の全カルボキシル基と当量）、３−フ
ェニル−５−イソオキサゾロン 47.27ｇ、３，３´−カ
ルボニルビス（ジエチルアミノクマリン） 2.36 ｇおよ
びＮ−メチル−２−ピロリドン 190ｇを添加し、ポジ型
の感光性ポリイミド前駆体組成物を得た。
二無水物 80.55ｇ，ピロメリット酸二無水物 54.33ｇを
エタノール 2.3ｇ，Ｎ−メチル−２−ピロリドン 549ｇ
と共に、７０℃で３時間反応させた。その後２０℃に冷
却し、４，４´−ジアミノジフェニルエーテル 95.10ｇ
およびビス（３−アミノプロピル）テトラメチルジシロ
キサン 6.2ｇを添加し、さらに６０℃で３時間反応さ
せ、粘度１２２ポアズ（２５℃）のポリマ（Ａ）溶液を
得た。この溶液にメタクリル酸ジメチルアミノエチル 1
57.3ｇ（ポリマ中の全カルボキシル基と当量）、３−フ
ェニル−５−イソオキサゾロン 47.27ｇ、３，３´−カ
ルボニルビス（ジエチルアミノクマリン） 2.36 ｇおよ
びＮ−メチル−２−ピロリドン 190ｇを添加し、ポジ型
の感光性ポリイミド前駆体組成物を得た。
【００４６】該感光性ポリイミド前駆体組成物を６イン
チシリコンウエハ上に塗布、乾燥し、半分を露光し、露
光後、ホットプレートで１４０℃で３分熱処理を施し
た。２．３８％テトラメチルアンモニウムハイドロオキ
サイド水溶液で露光部を現像後、１３０℃、２００℃、
４００℃で各々３０分窒素雰囲気中でキュアし、６イン
チシリコンウエハ上の半面に形成された膜厚５μｍのポ
リイミド被膜を得た。この被膜を弗硝酸を用いて基板か
ら剥離し、ＪＩＳ Ｃ２１１０に準拠し、耐電圧を測定
したところ、１．９ＫＶであった。
チシリコンウエハ上に塗布、乾燥し、半分を露光し、露
光後、ホットプレートで１４０℃で３分熱処理を施し
た。２．３８％テトラメチルアンモニウムハイドロオキ
サイド水溶液で露光部を現像後、１３０℃、２００℃、
４００℃で各々３０分窒素雰囲気中でキュアし、６イン
チシリコンウエハ上の半面に形成された膜厚５μｍのポ
リイミド被膜を得た。この被膜を弗硝酸を用いて基板か
ら剥離し、ＪＩＳ Ｃ２１１０に準拠し、耐電圧を測定
したところ、１．９ＫＶであった。
【００４７】実施例２ 実施例１で得られた感光性ポリイミド前駆体組成物を６
インチアルミニウムウエハ上に塗布、乾燥し、半分を露
光し、露光後、ホットプレートで１４０℃で３分熱処理
を施した。２．３８％テトラメチルアンモニウムハイド
ロオキサイド水溶液で露光部を現像後、１３０℃、２０
０℃、４００℃で各々３０分窒素雰囲気中でキュアし、
６インチアルミニウムウエハ上の半面に形成された膜厚
５μｍのポリイミド被膜を得た。該サンプルをＪＩＳ
Ｃ３００３に準拠し、ピンホール密度を測定したとこ
ろ、１×１０-1個／ｃｍ2 以下であった。
インチアルミニウムウエハ上に塗布、乾燥し、半分を露
光し、露光後、ホットプレートで１４０℃で３分熱処理
を施した。２．３８％テトラメチルアンモニウムハイド
ロオキサイド水溶液で露光部を現像後、１３０℃、２０
０℃、４００℃で各々３０分窒素雰囲気中でキュアし、
６インチアルミニウムウエハ上の半面に形成された膜厚
５μｍのポリイミド被膜を得た。該サンプルをＪＩＳ
Ｃ３００３に準拠し、ピンホール密度を測定したとこ
ろ、１×１０-1個／ｃｍ2 以下であった。
【００４８】実施例３ セラミックス基板上に銅を５μｍ、クロムを０．２μｍ
スパッタし、フォトエッチングすることにより第１層の
金属配線パターンを形成した。この基板上に、実施例１
で得られたポジ型感光性ポリイミド前駆体組成物のワニ
スをキュア後の膜厚が１０μｍになるように塗布し、循
環式オーブンで６０℃で３０分乾燥した。ついで、露光
機（キャノン（株）製ＰＬＡ−５０１Ｆ）にセットし、
マスクを介して４００ｍＪ／ｃｍ2 （３６５ｎｍの強
度）露光した後、１３０℃で２０分熱処理を施した。
２．３８％テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイ
ド水溶液を用いて３分間浸漬現像後、純水でリンスし、
スルーホールパターンを形成した。これを窒素雰囲気中
で３５０℃で３時間キュアし、第１層のポリイミド絶縁
膜を形成した。さらに第１層のポリイミド絶縁膜上に、
前記と同様に、第２層の金属配線および第２層のポリイ
ミド絶縁膜を形成したところ、多層配線基板が問題なく
製造できた。この多層配線基板に用いたポリイミドの絶
縁性能は良好であった。
スパッタし、フォトエッチングすることにより第１層の
金属配線パターンを形成した。この基板上に、実施例１
で得られたポジ型感光性ポリイミド前駆体組成物のワニ
スをキュア後の膜厚が１０μｍになるように塗布し、循
環式オーブンで６０℃で３０分乾燥した。ついで、露光
機（キャノン（株）製ＰＬＡ−５０１Ｆ）にセットし、
マスクを介して４００ｍＪ／ｃｍ2 （３６５ｎｍの強
度）露光した後、１３０℃で２０分熱処理を施した。
２．３８％テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイ
ド水溶液を用いて３分間浸漬現像後、純水でリンスし、
スルーホールパターンを形成した。これを窒素雰囲気中
で３５０℃で３時間キュアし、第１層のポリイミド絶縁
膜を形成した。さらに第１層のポリイミド絶縁膜上に、
前記と同様に、第２層の金属配線および第２層のポリイ
ミド絶縁膜を形成したところ、多層配線基板が問題なく
製造できた。この多層配線基板に用いたポリイミドの絶
縁性能は良好であった。
【００４９】比較例１ ３，３´，４，４´−ベンゾフェノンテトラカルボン酸
二無水物 32.2 ｇ，ピロメリット酸二無水物 43.6 ｇ，
２−ヒドロキシエチルメタクリレート 51.1 ｍｌ，γ−
ブチロラクトン 740ｍｌおよびピリジン 105ｍｌを室温
で２０時間攪拌した。この溶液に氷冷下、塩化チオニル
50ｇを１時間かけて滴下し、その後、室温で２時間攪拌
した。この溶液に氷冷下、塩化チオニル５０ｇを１時間
かけて滴下し、その後、室温で２時間攪拌した。この溶
液に４，４´−ジアミノジフェニルエーテル 38.4 ｇお
よびビス（３−アミノプロピル）テトラメチルジシロキ
サン 2.0ｇ，γ−ブチロラクトン 350ｍｌを添加し更に
２時間攪拌した。更にエタノール 59.1 ｍｌを加え１０
時間攪拌した。次いで、γ−ブチロラクトン 800ｍｌを
加え、水中に滴下し、折出した固形物を得た。その後、
水、エタノールで洗浄した後、真空乾燥した。このポリ
マ 100ｇと１−フェニル−プロパンジオン−２−（ｏ−
ベンゾイル）オキシム 4ｇ，ミヒラーケトン 2ｇをＮ−
メチル−２−ピロリドン 120ｍｌに溶かしネガ型の感光
性ポリイミド前駆体組成物を得た。
二無水物 32.2 ｇ，ピロメリット酸二無水物 43.6 ｇ，
２−ヒドロキシエチルメタクリレート 51.1 ｍｌ，γ−
ブチロラクトン 740ｍｌおよびピリジン 105ｍｌを室温
で２０時間攪拌した。この溶液に氷冷下、塩化チオニル
50ｇを１時間かけて滴下し、その後、室温で２時間攪拌
した。この溶液に氷冷下、塩化チオニル５０ｇを１時間
かけて滴下し、その後、室温で２時間攪拌した。この溶
液に４，４´−ジアミノジフェニルエーテル 38.4 ｇお
よびビス（３−アミノプロピル）テトラメチルジシロキ
サン 2.0ｇ，γ−ブチロラクトン 350ｍｌを添加し更に
２時間攪拌した。更にエタノール 59.1 ｍｌを加え１０
時間攪拌した。次いで、γ−ブチロラクトン 800ｍｌを
加え、水中に滴下し、折出した固形物を得た。その後、
水、エタノールで洗浄した後、真空乾燥した。このポリ
マ 100ｇと１−フェニル−プロパンジオン−２−（ｏ−
ベンゾイル）オキシム 4ｇ，ミヒラーケトン 2ｇをＮ−
メチル−２−ピロリドン 120ｍｌに溶かしネガ型の感光
性ポリイミド前駆体組成物を得た。
【００５０】該感光性ポリイミド前駆体組成物を６イン
チシリコンウエハ上に塗布、乾燥し、半分を露光し、Ｎ
−メチル−２−ピロリドンとキシレンからなる現像液で
未露光部を現像後、１３０℃、２００℃、４００℃で各
々３０分窒素雰囲気中でキュアし、６インチシリコンウ
エハ上の半面に形成された膜厚５μｍのポリイミド被膜
を得た。この被膜を弗硝酸を用いて基板から剥離し、Ｊ
ＩＳ Ｃ２１１０に準拠し、耐電圧を測定したところ、
０．３ＫＶであり、ポジ型の感光性ポリイミド前駆体組
成物を用いて形成したポリイミドよりも１桁小さい値で
あった。
チシリコンウエハ上に塗布、乾燥し、半分を露光し、Ｎ
−メチル−２−ピロリドンとキシレンからなる現像液で
未露光部を現像後、１３０℃、２００℃、４００℃で各
々３０分窒素雰囲気中でキュアし、６インチシリコンウ
エハ上の半面に形成された膜厚５μｍのポリイミド被膜
を得た。この被膜を弗硝酸を用いて基板から剥離し、Ｊ
ＩＳ Ｃ２１１０に準拠し、耐電圧を測定したところ、
０．３ＫＶであり、ポジ型の感光性ポリイミド前駆体組
成物を用いて形成したポリイミドよりも１桁小さい値で
あった。
【００５１】比較例２ 比較例１で得られた感光性ポリイミド前駆体組成物を６
インチアルミニウムウエハ上に塗布、乾燥し、半分を露
光し、Ｎ−メチル−２−ピロリドンとキシレンからなる
現像液で未露光部を現像後、１３０℃、２００℃、４０
０℃で各々３０分窒素雰囲気中でキュアし、６インチア
ルミニウムウエハ上の半面に形成された膜厚５μｍのポ
リイミド被膜を得た。該サンプルをＪＩＳ Ｃ３００３
に準拠し、ピンホール密度を測定したところ、５個／ｃ
ｍ2 であった。
インチアルミニウムウエハ上に塗布、乾燥し、半分を露
光し、Ｎ−メチル−２−ピロリドンとキシレンからなる
現像液で未露光部を現像後、１３０℃、２００℃、４０
０℃で各々３０分窒素雰囲気中でキュアし、６インチア
ルミニウムウエハ上の半面に形成された膜厚５μｍのポ
リイミド被膜を得た。該サンプルをＪＩＳ Ｃ３００３
に準拠し、ピンホール密度を測定したところ、５個／ｃ
ｍ2 であった。
【００５２】比較例３ セラミックス基板上に銅を５μｍ、クロムを０．２μｍ
スパッタし、フォトエッチングすることにより第１層の
金属配線パターンを形成した。この基板上に、比較例１
で得られたネガ型感光性ポリイミド前駆体組成物のワニ
スをキュア後の膜厚が１０μｍになるように塗布し、循
環式オーブンで８０℃で３０分乾燥した。ついで、露光
機（キャノン（株）製ＰＬＡ−５０１Ｆ）にセットし、
マスクを介して４００ｍＪ／ｃｍ2 （３６５ｎｍの強
度）露光した後、Ｎ−メチル−２−ピロリドンとキシレ
ンからなる現像液を用いて現像し、スルーホールパター
ンを形成した。これを窒素雰囲気中で４５０℃で１時間
キュアし、第１層のポリイミド絶縁膜を形成した。さら
に第１層のポリイミド絶縁膜上に、前記と同様に、第２
層の金属配線および第２層のポリイミド絶縁膜を形成し
て多層配線基板を製造したところ、この多層配線基板に
用いたポリイミドは膜強度が弱く絶縁性能は不良であっ
た。
スパッタし、フォトエッチングすることにより第１層の
金属配線パターンを形成した。この基板上に、比較例１
で得られたネガ型感光性ポリイミド前駆体組成物のワニ
スをキュア後の膜厚が１０μｍになるように塗布し、循
環式オーブンで８０℃で３０分乾燥した。ついで、露光
機（キャノン（株）製ＰＬＡ−５０１Ｆ）にセットし、
マスクを介して４００ｍＪ／ｃｍ2 （３６５ｎｍの強
度）露光した後、Ｎ−メチル−２−ピロリドンとキシレ
ンからなる現像液を用いて現像し、スルーホールパター
ンを形成した。これを窒素雰囲気中で４５０℃で１時間
キュアし、第１層のポリイミド絶縁膜を形成した。さら
に第１層のポリイミド絶縁膜上に、前記と同様に、第２
層の金属配線および第２層のポリイミド絶縁膜を形成し
て多層配線基板を製造したところ、この多層配線基板に
用いたポリイミドは膜強度が弱く絶縁性能は不良であっ
た。
【００５３】
【発明の効果】ネガ型の感光性ポリイミド前駆体でポリ
イミドパターンを形成した場合、露光時に使用するマス
クなどにダストなどが付着しているとその部分が現像時
に溶解除去され、ポリイミド絶縁膜にピンホール欠陥が
形成されるため、デバイスの不良などが起こり、信頼性
の低下や歩留まりの低下の問題があるが、本発明によっ
てポジ型の感光性ポリイミド前駆体を用いることで、ピ
ンホール欠陥の減少に有効な効果があり、信頼性や歩留
まりの向上した優れた多層配線基板を提供できる。か
つ、多層配線基板の製造工程数の低減に寄与するもので
ある。
イミドパターンを形成した場合、露光時に使用するマス
クなどにダストなどが付着しているとその部分が現像時
に溶解除去され、ポリイミド絶縁膜にピンホール欠陥が
形成されるため、デバイスの不良などが起こり、信頼性
の低下や歩留まりの低下の問題があるが、本発明によっ
てポジ型の感光性ポリイミド前駆体を用いることで、ピ
ンホール欠陥の減少に有効な効果があり、信頼性や歩留
まりの向上した優れた多層配線基板を提供できる。か
つ、多層配線基板の製造工程数の低減に寄与するもので
ある。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 23/12
Claims (4)
- 【請求項１】基板上に形成した第１層の金属配線と、該
第１層の金属配線上に積層される第１層のポリイミド絶
縁膜と、該第１層のポリイミド絶縁膜に形成されたスル
ーホールを介して前記第１層の金属配線に接続された第
２層の金属配線とを最小構成単位として含む多層配線基
板の製造方法において、前記ポリイミド絶縁膜を、ポジ
型感光性ポリイミド前駆体組成物を用いて形成すること
を特徴とする多層配線基板の製造方法。 - 【請求項２】ポジ型感光性ポリイミド前駆体組成物が、 （ａ）一般式（１）で表される構造単位（１）を主成分
とするポリマ（Ａ）、 【化１】 （ただし、式中Ｒ1 は少なくとも２個の炭素原子を有す
る３価または４価の有機基、Ｒ2 は少なくとも２個の炭
素原子を有する２価の有機基、Ｒ3 は水素、アルカリ金
属イオン、アンモニウムイオンまたは炭素数１〜３０の
有機基を表す。ｎは１または２である。） （ｂ）エチレン性不飽和二重結合およびアミノ基を有す
る化合物（Ｂ）、および （ｃ）光開始剤および／または増感剤および／または光
反応性モノマー を含有するポジ型感光性ポリイミド前駆体組成物である
ことを特徴とする請求項１記載の多層配線基板の製造方
法。 - 【請求項３】ポジ型感光性ポリイミド前駆体組成物を基
板上に、塗布、乾燥して該組成物の被膜を基板上に形成
し、化学線で選択的に露光した後、現像によって露光部
分を除去し、つづいてキュアすることにより基板上にポ
リイミド絶縁膜を形成することを特徴とする請求項１ま
たは２記載の多層配線基板の製造方法。 - 【請求項４】化学線で選択的に露光した後、現像によっ
て露光部分を除去する前に、熱処理を施すことを特徴と
する請求項３記載の多層配線基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12957793A JPH0774474A (ja) | 1993-05-31 | 1993-05-31 | 多層配線基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12957793A JPH0774474A (ja) | 1993-05-31 | 1993-05-31 | 多層配線基板の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0774474A true JPH0774474A (ja) | 1995-03-17 |
Family
ID=15012907
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12957793A Pending JPH0774474A (ja) | 1993-05-31 | 1993-05-31 | 多層配線基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0774474A (ja) |
-
1993
- 1993-05-31 JP JP12957793A patent/JPH0774474A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6146815A (en) | Developer for photosensitive polyimide precursor, and method of using it for patterning | |
| JP2559614B2 (ja) | ポリイミドパターン層の形成法およびその方法に使用するリンス液 | |
| JPH11202488A (ja) | ポジ型感光性ポリイミド組成物及び絶縁膜 | |
| JP4399949B2 (ja) | 感光性樹脂組成物、パターンの製造法及び電子部品 | |
| JPH06295063A (ja) | 化学線感応性重合体組成物 | |
| JP3289399B2 (ja) | 感光性ポリイミド前駆体組成物 | |
| JPH08123016A (ja) | 感光性ソルダーレジスト組成物、これを用いたプリント回路板の製造法、プリント回路板及びこのプリント回路板を用いた機器 | |
| JPH0774474A (ja) | 多層配線基板の製造方法 | |
| US5614354A (en) | Method of forming positive polyimide patterns | |
| JP3319000B2 (ja) | 化学線感応性組成物 | |
| JP4123615B2 (ja) | 感光性樹脂組成物、パターンの製造法及び電子部品 | |
| JP3319004B2 (ja) | ポジ型ポリイミドパターンの形成方法 | |
| JP2001019847A (ja) | 感光性ポリイミド前駆体組成物および金属箔−ポリイミド複合体 | |
| JPH06301209A (ja) | 感光性ポリイミド前駆体組成物 | |
| JPH11282160A (ja) | 感光性ポリイミド組成物、これを用いたパターン製造法及び半導体装置 | |
| JP3289396B2 (ja) | 感光性ポリイミド前駆体組成物 | |
| JP2002131905A (ja) | 感光性樹脂組成物及びそれを用いたパターンの製造法並びに電子部品 | |
| JP2000131838A (ja) | 感光性樹脂組成物、レリーフパターンの製造法及び半導体装置 | |
| JP4597431B2 (ja) | 配線形成方法 | |
| JPH0990629A (ja) | 感光性樹脂組成物及びこれを用いた半導体装置の製造法 | |
| JPH05224419A (ja) | ポリイミド微細パターンの形成方法 | |
| JP2000063519A (ja) | ポリイミド前駆体組成物およびその製造方法 | |
| JP4123588B2 (ja) | 感光性樹脂組成物及びレリーフパターンの製造法 | |
| JP2000310856A (ja) | 感光性樹脂組成物、パターンの製造法及び電子部品 | |
| JP4055285B2 (ja) | フィルムキャリアの製造法 |