JPH0774443A - フレキシブル銅張回路基板 - Google Patents
フレキシブル銅張回路基板Info
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- JPH0774443A JPH0774443A JP15458794A JP15458794A JPH0774443A JP H0774443 A JPH0774443 A JP H0774443A JP 15458794 A JP15458794 A JP 15458794A JP 15458794 A JP15458794 A JP 15458794A JP H0774443 A JPH0774443 A JP H0774443A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- formula
- polyimide
- circuit board
- copper foil
- repeating unit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/03—Use of materials for the substrate
- H05K1/0313—Organic insulating material
- H05K1/032—Organic insulating material consisting of one material
- H05K1/0346—Organic insulating material consisting of one material containing N
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/02—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding
- H05K3/022—Processes for manufacturing precursors of printed circuits, i.e. copper-clad substrates
Landscapes
- Laminated Bodies (AREA)
- Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
- Macromolecular Compounds Obtained By Forming Nitrogen-Containing Linkages In General (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】 ジアミンとしては、3,3'- ジアミノベンゾフ
ェノン、1,3-ビス（3-アミノフェノキシ）ベンゼン、2,
2-ビス〔4-（3-アミノフェノキシ）フェニル〕-1,1,1,
3,3,3- ヘキサフルオロプロパン、ビス〔4-（3-アミノ
フェノキシ）フェニル〕スルフィドを用い、例えば、ピ
ロメリット酸二無水物、3,3',4,4'−ベンゾフェノンテ
トラカルボン酸二無水物のような各種テトラカルボン酸
二無水物と反応させて得られる流動可能なポリイミドの
フィルムが接着剤を介することなく銅箔に直接接合して
いることを特徴とするフレキシブル銅張回路基板。 【効果】 銅箔とポリイミドフィルムが直接に強固に接
合しているフレキシブル銅張回路基板が得られる。
ェノン、1,3-ビス（3-アミノフェノキシ）ベンゼン、2,
2-ビス〔4-（3-アミノフェノキシ）フェニル〕-1,1,1,
3,3,3- ヘキサフルオロプロパン、ビス〔4-（3-アミノ
フェノキシ）フェニル〕スルフィドを用い、例えば、ピ
ロメリット酸二無水物、3,3',4,4'−ベンゾフェノンテ
トラカルボン酸二無水物のような各種テトラカルボン酸
二無水物と反応させて得られる流動可能なポリイミドの
フィルムが接着剤を介することなく銅箔に直接接合して
いることを特徴とするフレキシブル銅張回路基板。 【効果】 銅箔とポリイミドフィルムが直接に強固に接
合しているフレキシブル銅張回路基板が得られる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、フレキシブル銅張回路
基板に係り、さらに詳細には耐熱性に優れ、しかも高温
時の接着性に優れたフレキシブル銅張回路基板に関す
る。
基板に係り、さらに詳細には耐熱性に優れ、しかも高温
時の接着性に優れたフレキシブル銅張回路基板に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】電子機器用の印刷回路基板として使用さ
れるフレキシブル銅張回路基板は、最近実装密度の増大
と配線パターンの高密度化に伴って発熱量の増大が大き
な問題となり、基板の耐熱性向上が重要な課題となって
いる。従来のエポキシ樹脂にかわる耐熱性樹脂として
は、耐熱性エポキシ、ポリアミドイミド、ポリベンズイ
ミダゾール、シリコーン、ポリイミド樹脂等が挙げられ
るが、銅箔の引き剥し強さに関し、必ずしも満足のゆく
ものは得られていない。これらの樹脂のうち、特にポリ
イミドは耐熱性に優れているばかりでなく、電気特性に
も優れ、従って電気絶縁材料として関心が高まってい
る。然しながらポリイミドは金属等に対する接着力が劣
り、銅張回路基板のベースフィルムとして用いる場合に
は銅箔を接着させる接着剤が必要となり、ポリイミドの
耐熱性は高いにもかかわらず、接着剤の耐熱性が充分で
ないため、ポリイミド本来の耐熱性が生かされてない。
耐熱性に優れ、金属との接着力の強いポリイミドが広く
求められている。
れるフレキシブル銅張回路基板は、最近実装密度の増大
と配線パターンの高密度化に伴って発熱量の増大が大き
な問題となり、基板の耐熱性向上が重要な課題となって
いる。従来のエポキシ樹脂にかわる耐熱性樹脂として
は、耐熱性エポキシ、ポリアミドイミド、ポリベンズイ
ミダゾール、シリコーン、ポリイミド樹脂等が挙げられ
るが、銅箔の引き剥し強さに関し、必ずしも満足のゆく
ものは得られていない。これらの樹脂のうち、特にポリ
イミドは耐熱性に優れているばかりでなく、電気特性に
も優れ、従って電気絶縁材料として関心が高まってい
る。然しながらポリイミドは金属等に対する接着力が劣
り、銅張回路基板のベースフィルムとして用いる場合に
は銅箔を接着させる接着剤が必要となり、ポリイミドの
耐熱性は高いにもかかわらず、接着剤の耐熱性が充分で
ないため、ポリイミド本来の耐熱性が生かされてない。
耐熱性に優れ、金属との接着力の強いポリイミドが広く
求められている。
【０００３】本発明は高温で使用しても使用中、使用後
に於て銅箔との接着力が低下せず、かつ接着剤を使用す
る必要がない耐熱性に優れたフレキシブル銅張回路基板
を提供することにある。本発明者等は前記問題を達成す
るために鋭意検討した結果、特殊なジアミンと酸二無水
物とから得られる高温において流動可能なポリイミドが
耐熱性に優れ、かつ銅箔との接着力が強度であることを
見出し、本発明に至つた。本発明において高温において
流動可能なポリイミドとは高化式フローテスター（島津
製作所製、ＣＦＴ−５００）、直径0.1 cmで長さ１cmの
オリフィを使用し、温度400 ℃での溶融粘度が５×105
ポイズ（せん断速度103 １／秒）以下のものを言い、こ
れに属するものとしては以下に示すジアミンとテトラカ
ルボン酸二無水物よりなるポリイミドが挙げられる。本
発明に用いられるポリイミドおよび／またはその前駆体
であるポリアミド酸は、その製法は特に限定されない
が、通常は各種ジアミンをテトラカルボン酸二無水物と
有機溶媒中で重合させて製造することができる。
に於て銅箔との接着力が低下せず、かつ接着剤を使用す
る必要がない耐熱性に優れたフレキシブル銅張回路基板
を提供することにある。本発明者等は前記問題を達成す
るために鋭意検討した結果、特殊なジアミンと酸二無水
物とから得られる高温において流動可能なポリイミドが
耐熱性に優れ、かつ銅箔との接着力が強度であることを
見出し、本発明に至つた。本発明において高温において
流動可能なポリイミドとは高化式フローテスター（島津
製作所製、ＣＦＴ−５００）、直径0.1 cmで長さ１cmの
オリフィを使用し、温度400 ℃での溶融粘度が５×105
ポイズ（せん断速度103 １／秒）以下のものを言い、こ
れに属するものとしては以下に示すジアミンとテトラカ
ルボン酸二無水物よりなるポリイミドが挙げられる。本
発明に用いられるポリイミドおよび／またはその前駆体
であるポリアミド酸は、その製法は特に限定されない
が、通常は各種ジアミンをテトラカルボン酸二無水物と
有機溶媒中で重合させて製造することができる。
【０００４】この方法で使用されるジアミンとしては、
3,3'- ジアミノベンゾフェノン、1,3-ビス（3-アミノフ
ェノキシ）ベンゼン、2,2-ビス〔4-（3-アミノフェノキ
シ）フェニル〕-1,1,1,3,3,3- ヘキサフルオロプロパ
ン、ビス〔4-（3-アミノフェノキシ）フェニル〕スルフ
ィド等が挙げられ、これらは単独で、或いは２種以上混
合して用いられる。また、これらのジアミンは、本発明
の効果を阻害しない範囲で他のジアミン、例えば、4,4'
−ビス（3-アミノフェノキシ）ビフェニル, 2,2-ビス
〔4-（3-アミノフェノキシ）フェニル〕プロパン、、ビ
ス〔4-（3-アミノフェノキシ）フェニル〕ケトン、ビス
〔4-（3-アミノフェノキシ）フェニル〕スルホンのジア
ミンの２種以上と混合して用いてもよい。 ジアミンと
反応させるテトラカルボン酸二無水物とは、下記式
（Ｉ）（化７）
3,3'- ジアミノベンゾフェノン、1,3-ビス（3-アミノフ
ェノキシ）ベンゼン、2,2-ビス〔4-（3-アミノフェノキ
シ）フェニル〕-1,1,1,3,3,3- ヘキサフルオロプロパ
ン、ビス〔4-（3-アミノフェノキシ）フェニル〕スルフ
ィド等が挙げられ、これらは単独で、或いは２種以上混
合して用いられる。また、これらのジアミンは、本発明
の効果を阻害しない範囲で他のジアミン、例えば、4,4'
−ビス（3-アミノフェノキシ）ビフェニル, 2,2-ビス
〔4-（3-アミノフェノキシ）フェニル〕プロパン、、ビ
ス〔4-（3-アミノフェノキシ）フェニル〕ケトン、ビス
〔4-（3-アミノフェノキシ）フェニル〕スルホンのジア
ミンの２種以上と混合して用いてもよい。 ジアミンと
反応させるテトラカルボン酸二無水物とは、下記式
（Ｉ）（化７）
【化７】 （式中、Ｒは炭素数２以上の脂肪族基、環式脂肪族基、
単環式芳香族基、縮合多環式芳香族基、芳香族基が直接
または架橋員により相互に連結された非縮合多環式芳香
族基からなる群より選ばれた４価の基を表わす）で表わ
され、
単環式芳香族基、縮合多環式芳香族基、芳香族基が直接
または架橋員により相互に連結された非縮合多環式芳香
族基からなる群より選ばれた４価の基を表わす）で表わ
され、
【０００５】例えば、エチレンテトラカルボン酸二無水
物、シクロペンタンテトラカルボン酸二無水物、ピロメ
リット酸二無水物、3,3',4,4'−ベンゾフェノンテトラ
カルボン酸二無水物、2,2',3,3'−ベンゾフェノンテト
ラカルボン酸二無水物、3,3',4,4'−ビフェニルテトラ
カルボン酸二無水物、2,2',3,3'−ビフェニルテトラカ
ルボン酸二無水物、2,2-ビス（3,4-ジカルボキシフェニ
ル）プロパン二無水物、2,2-ビス（2,3-ジカルボキシフ
ェニル）プロパン二無水物、ビス（3,4-ジカルボキシフ
ェニル）エーテル二無水物、ビス（3,4-ジカルボキシフ
ェニル）スルホン二無水物、1,1-ビス（2,3-ジカルボキ
シフェニル）エタン二無水物、ビス（2,3-ジカルボキシ
フェニル）メタン二無水物、ビス（3,4-ジカルボキシフ
ェニル）メタン二無水物、2,3,6,7-ナフタレンテトラカ
ルボン酸二無水物、1,4,5,8-ナフタレンテトラカルボン
酸二無水物、1,2,5,6-ナフタレンテトラカルボン酸二無
水物、1,2,3,4-ベンゼンテトラカルボン酸二無水物、3,
4,9,10−ペリレンテトラカルボン酸二無水物、2,3,6,7-
アントラセンテトラカルボン酸二無水物、1,2,7,8-フェ
ナントレンテトラカルボン酸二無水物等が用いられる。
これらは単独で、或いは２種以上混合して用いられる。
物、シクロペンタンテトラカルボン酸二無水物、ピロメ
リット酸二無水物、3,3',4,4'−ベンゾフェノンテトラ
カルボン酸二無水物、2,2',3,3'−ベンゾフェノンテト
ラカルボン酸二無水物、3,3',4,4'−ビフェニルテトラ
カルボン酸二無水物、2,2',3,3'−ビフェニルテトラカ
ルボン酸二無水物、2,2-ビス（3,4-ジカルボキシフェニ
ル）プロパン二無水物、2,2-ビス（2,3-ジカルボキシフ
ェニル）プロパン二無水物、ビス（3,4-ジカルボキシフ
ェニル）エーテル二無水物、ビス（3,4-ジカルボキシフ
ェニル）スルホン二無水物、1,1-ビス（2,3-ジカルボキ
シフェニル）エタン二無水物、ビス（2,3-ジカルボキシ
フェニル）メタン二無水物、ビス（3,4-ジカルボキシフ
ェニル）メタン二無水物、2,3,6,7-ナフタレンテトラカ
ルボン酸二無水物、1,4,5,8-ナフタレンテトラカルボン
酸二無水物、1,2,5,6-ナフタレンテトラカルボン酸二無
水物、1,2,3,4-ベンゼンテトラカルボン酸二無水物、3,
4,9,10−ペリレンテトラカルボン酸二無水物、2,3,6,7-
アントラセンテトラカルボン酸二無水物、1,2,7,8-フェ
ナントレンテトラカルボン酸二無水物等が用いられる。
これらは単独で、或いは２種以上混合して用いられる。
【０００６】これらのうちで特に好ましいテトラカルボ
ン酸二無水物は、ピロメリット酸二無水物、3,3',4,4'
−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、3,3',4,
4'−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物およびビス
（3,4-ジカルボキシフェニル）エーテル二無水物であ
る。ポリイミドの前駆体であるポリアミド酸の生成反応
は通常、有機溶媒中で実施する。有機溶剤としては、例
えば、N-メチル−2-ピロリドン、N,N-ジメチルアセトア
ミド、N,N-ジメチルホルムアミド、1,3-ジメチル−2-イ
ミダゾリジノン、N,N-ジエチルアセトアミド、N,N-ジメ
チルメトキシアセトアミド、ジメチルスルホキシド、ピ
リジン、ジメチルスルホン、ヘキサメチルホスホルアミ
ド、テトラメチル尿素、N-メチルカプロラクタム、テト
ラヒドロフラン、m-ジオキサン、p-ジオキサン、1,2-ジ
メトキシエタン、ビス（2-メトキシエチル）エーテル、
1,2-ビス（2-メトキシエトキシ）エタン、ビス−〔2-
（2-メトキシエトキシ）エチル〕エーテル等があげられ
る。これらの有機溶媒は単独でも或いは２種以上混合し
て用いても差し支えない。
ン酸二無水物は、ピロメリット酸二無水物、3,3',4,4'
−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、3,3',4,
4'−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物およびビス
（3,4-ジカルボキシフェニル）エーテル二無水物であ
る。ポリイミドの前駆体であるポリアミド酸の生成反応
は通常、有機溶媒中で実施する。有機溶剤としては、例
えば、N-メチル−2-ピロリドン、N,N-ジメチルアセトア
ミド、N,N-ジメチルホルムアミド、1,3-ジメチル−2-イ
ミダゾリジノン、N,N-ジエチルアセトアミド、N,N-ジメ
チルメトキシアセトアミド、ジメチルスルホキシド、ピ
リジン、ジメチルスルホン、ヘキサメチルホスホルアミ
ド、テトラメチル尿素、N-メチルカプロラクタム、テト
ラヒドロフラン、m-ジオキサン、p-ジオキサン、1,2-ジ
メトキシエタン、ビス（2-メトキシエチル）エーテル、
1,2-ビス（2-メトキシエトキシ）エタン、ビス−〔2-
（2-メトキシエトキシ）エチル〕エーテル等があげられ
る。これらの有機溶媒は単独でも或いは２種以上混合し
て用いても差し支えない。
【０００７】反応温度は通常200 ℃以下、好ましくは50
℃以下である。反応圧力は特に限定されず、常圧で十分
実施できる。反応時間は溶剤の種類、反応温度および用
いられるジアミンや酸二無水物により異なり、通常、ポ
リアミド酸の生成が完了するに十分な時間反応させる。
通常４〜24時間で十分である。さらに得られたポリアミ
ド酸を100 〜400 ℃に加熱してイミド化するか、または
無水酢酸などの脱水剤を用いることにより対応するポリ
イミドが得られる。
℃以下である。反応圧力は特に限定されず、常圧で十分
実施できる。反応時間は溶剤の種類、反応温度および用
いられるジアミンや酸二無水物により異なり、通常、ポ
リアミド酸の生成が完了するに十分な時間反応させる。
通常４〜24時間で十分である。さらに得られたポリアミ
ド酸を100 〜400 ℃に加熱してイミド化するか、または
無水酢酸などの脱水剤を用いることにより対応するポリ
イミドが得られる。
【０００８】例えばジアミンとしてビス〔4-（3-アミノ
フェノキシ）フェニル〕スルフィドを用い、式（Ｉ）
（化８）
フェノキシ）フェニル〕スルフィドを用い、式（Ｉ）
（化８）
【化８】 （式中、Ｒは前と同じ）で表わされるテトラカルボン酸
二無水物を有機溶媒中で反応させると下記式（II）（化
９）
二無水物を有機溶媒中で反応させると下記式（II）（化
９）
【化９】 （式中Ｒは前と同じである。）の繰り返し単位で示され
るポリアミド酸が得られる。ここに得られたポリアミド
酸をイミド化することにより下記式(III) （化１０）
るポリアミド酸が得られる。ここに得られたポリアミド
酸をイミド化することにより下記式(III) （化１０）
【化１０】 （式中Ｒは前と同じである。）で表わされる繰り返し単
位からなるポリイミドが得られる。
位からなるポリイミドが得られる。
【０００９】本発明ではポリイミドとして下記のもので
ある。すなわち （１） 3,3'−ジアミノベンゾフェノンと式（Ｉ）（化
１１）
ある。すなわち （１） 3,3'−ジアミノベンゾフェノンと式（Ｉ）（化
１１）
【化１１】 （式中、Ｒは前と同じである。以下同様。）で表わされ
るテトラカルボン酸二無水物から得られる下記式（IV）
（化１２）
るテトラカルボン酸二無水物から得られる下記式（IV）
（化１２）
【化１２】 （式中、Ｒは前と同じである。以下同様。）で表わされ
る繰り返し単位を有するポリイミド。
る繰り返し単位を有するポリイミド。
【００１０】（２） 2,2- ビス〔4-（3-アミノフェノ
キシ）フェニル〕-1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロプロパ
ンと式（Ｉ）（化１３）
キシ）フェニル〕-1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロプロパ
ンと式（Ｉ）（化１３）
【化１３】 で表わされるテトラカルボン酸二無水物から得られる下
記式（Ｖ）（化１４）
記式（Ｖ）（化１４）
【化１４】 で表わされる繰り返し単位を有するポリイミド。
【００１１】（５） ビス〔4-（3-アミノフェノキシ）
フェニル〕スルフィドと式（Ｉ）（化１５）
フェニル〕スルフィドと式（Ｉ）（化１５）
【化１５】 で表わされるテトラカルボン酸二無水物から得られる下
記式（VI）（化１６）
記式（VI）（化１６）
【化１６】 で表わされる繰り返し単位を有するポリイミド。
【００１２】（７） 1,3-ビス（3-アミノフェノキシ）
ベンゼンと式（Ｉ）（化１７）
ベンゼンと式（Ｉ）（化１７）
【化１７】 で表わされるテトラカルボン酸二無水物から得られる下
記式（VI）（化１８）
記式（VI）（化１８）
【化１８】 で表わされる繰り返し単位を有するポリイミド。本発明
における熱可塑性ポリイミドと、銅箔の接合は（１）ポ
リイミド或いは（２）ポリイミドの前駆体であるポリア
ミド酸を用いて行なわれる。
における熱可塑性ポリイミドと、銅箔の接合は（１）ポ
リイミド或いは（２）ポリイミドの前駆体であるポリア
ミド酸を用いて行なわれる。
【００１３】（１）ポリイミドで使用する場合は、まず
ポリアミド酸を加熱脱水あるいは化学的に脱水して例え
ばフィルム状または粉末のポリイミドとする。あるいは
ポリイミド粉末をカレンダーロールなどによりフィルム
とすることもできる。このフィルムまたは粉末を銅箔上
に置き、１〜1000kg／cm2 の圧力、50〜400 ℃の温度で
圧着し、100 〜400 ℃の温度でキュアさせるとフレキシ
ブル銅張回路基板がえられる。
ポリアミド酸を加熱脱水あるいは化学的に脱水して例え
ばフィルム状または粉末のポリイミドとする。あるいは
ポリイミド粉末をカレンダーロールなどによりフィルム
とすることもできる。このフィルムまたは粉末を銅箔上
に置き、１〜1000kg／cm2 の圧力、50〜400 ℃の温度で
圧着し、100 〜400 ℃の温度でキュアさせるとフレキシ
ブル銅張回路基板がえられる。
【００１４】（２）ポリイミドの前駆体であるポリアミ
ド酸を用いる場合は、銅箔にポリアミド酸溶液をコーテ
ィングした後、所要時間100 ℃〜400 ℃、好ましくは20
0 〜300 ℃に加熱し、溶媒を除去すると共に、ポリアミ
ド酸をより安定なポリイミドに転化する。ポリアミド酸
溶液の粘度は、所定のコーティング方法により、所望の
厚さのコーティング膜が得らるような最適粘度を与える
ように実施するのが肝要である。好適な粘度は1,000 な
いし300,000 センチポイズであり、使用する有機溶媒で
濃度を調整することもできる。
ド酸を用いる場合は、銅箔にポリアミド酸溶液をコーテ
ィングした後、所要時間100 ℃〜400 ℃、好ましくは20
0 〜300 ℃に加熱し、溶媒を除去すると共に、ポリアミ
ド酸をより安定なポリイミドに転化する。ポリアミド酸
溶液の粘度は、所定のコーティング方法により、所望の
厚さのコーティング膜が得らるような最適粘度を与える
ように実施するのが肝要である。好適な粘度は1,000 な
いし300,000 センチポイズであり、使用する有機溶媒で
濃度を調整することもできる。
【００１５】コーティングは出来るだけ均一になされな
ければならず、かかるコーティングはバーコーター、ド
クターブレード等を用いて実施することができる。尚、
加熱によりポリアミド酸をポリイミドに転化する際、加
熱と同時に１〜1000kg／cm2 、好ましくは１〜50kg／cm
2 の圧力をかけることも好ましい。加圧することにより
銅箔とポリマーフィルムの引き剥し強さを更に強くする
ことができる。尚、本法により得られるフレキシブル銅
張回路基板はポリイミド層が高温において流動性がある
ために、更に他の金属基板等との熱接着も可能であると
いう特色をもつ。
ければならず、かかるコーティングはバーコーター、ド
クターブレード等を用いて実施することができる。尚、
加熱によりポリアミド酸をポリイミドに転化する際、加
熱と同時に１〜1000kg／cm2 、好ましくは１〜50kg／cm
2 の圧力をかけることも好ましい。加圧することにより
銅箔とポリマーフィルムの引き剥し強さを更に強くする
ことができる。尚、本法により得られるフレキシブル銅
張回路基板はポリイミド層が高温において流動性がある
ために、更に他の金属基板等との熱接着も可能であると
いう特色をもつ。
【００１６】
【実施例】以下、実施例により本発明を説明する。尚、
実施例中の対数粘度は35℃、0.5ｇ／100ml N,N-ジメチ
ルアセトアミドで測定した値であり、回転粘度はＢ型粘
度計の高粘度用ロータを用いて25℃で測定した値であ
る。溶融粘度は高化式フローテスター（島津製作所製、
ＣＦＴ−５００）を用い、直径0.1 cmで長さが１cmのオ
リフイスを用いて温度および圧力をかえて測定した。ま
た、銅張回路基板の銅箔引き剥し強さは JISC-6481の方
法に従って測定した。
実施例中の対数粘度は35℃、0.5ｇ／100ml N,N-ジメチ
ルアセトアミドで測定した値であり、回転粘度はＢ型粘
度計の高粘度用ロータを用いて25℃で測定した値であ
る。溶融粘度は高化式フローテスター（島津製作所製、
ＣＦＴ−５００）を用い、直径0.1 cmで長さが１cmのオ
リフイスを用いて温度および圧力をかえて測定した。ま
た、銅張回路基板の銅箔引き剥し強さは JISC-6481の方
法に従って測定した。
【００１７】実施例−１ 攪拌器、還流冷却器および窒素導入管を備えた容器で、
3,3'−ジアミノベンゾフェノン53.0ｇ（0.25モル）をN,
N-ジメチルアセトアミド 240mlに溶解した。この溶液に
3,3',4,4' −ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物
78.6ｇ（0.244モル）の粉末を添加し、10℃で24時間攪
拌してポリアミド酸溶液を得た。得られた溶液中のポリ
アミド酸の対数粘度は0.59dl／ｇ、回転粘度は32000cps
であった。この溶液をドクターブレードを用いて電解銅
箔（厚さ35μｍ）に均一にコーティングした。このコー
ティング銅箔を100 ℃、200 ℃および300 ℃で各々１時
間加熱して銅張回路基板を得た。コーティング膜の膜厚
は約50μｍであった。この銅張回路基板の銅箔引き剥し
強さは、常温（25℃）で3.5 kg／cm、260 ℃で180秒は
んだ処理後は3.5 kg／cm、300 ℃で180 秒はんだ処理後
は3.5 kg／cmであった。なお上記ポリアミド酸溶液の一
部をとり、100 ℃に加熱してポリイミド粉末を得た。こ
のポリイミド粉末の溶融粘度は、330 ℃でせん断速度10
5 １／秒で2900ポイズであった。
3,3'−ジアミノベンゾフェノン53.0ｇ（0.25モル）をN,
N-ジメチルアセトアミド 240mlに溶解した。この溶液に
3,3',4,4' −ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物
78.6ｇ（0.244モル）の粉末を添加し、10℃で24時間攪
拌してポリアミド酸溶液を得た。得られた溶液中のポリ
アミド酸の対数粘度は0.59dl／ｇ、回転粘度は32000cps
であった。この溶液をドクターブレードを用いて電解銅
箔（厚さ35μｍ）に均一にコーティングした。このコー
ティング銅箔を100 ℃、200 ℃および300 ℃で各々１時
間加熱して銅張回路基板を得た。コーティング膜の膜厚
は約50μｍであった。この銅張回路基板の銅箔引き剥し
強さは、常温（25℃）で3.5 kg／cm、260 ℃で180秒は
んだ処理後は3.5 kg／cm、300 ℃で180 秒はんだ処理後
は3.5 kg／cmであった。なお上記ポリアミド酸溶液の一
部をとり、100 ℃に加熱してポリイミド粉末を得た。こ
のポリイミド粉末の溶融粘度は、330 ℃でせん断速度10
5 １／秒で2900ポイズであった。
【００１８】実施例−２ 連続キャスト製膜に用いられるスチールドラム面に電解
銅箔（35μｍ）を敷き、実施例−１で得られたポリアミ
ド酸溶液をドクターブレードを用い連続的に流延した。
スチールドラムを 100℃から 250℃迄徐々に加熱し、最
後に300 ℃のロールを通して加圧し、連続的に銅張回路
基板を得た。コーティング膜の膜厚は約55μｍで、銅張
回路基板の銅箔引き剥し強さは、通常（25℃）で3.7 kg
／cm、260 ℃で180 はんだ処理後は3.7 kg／cm、300 ℃
で180 秒はんだ処理後は3.7 kg／cmであった。
銅箔（35μｍ）を敷き、実施例−１で得られたポリアミ
ド酸溶液をドクターブレードを用い連続的に流延した。
スチールドラムを 100℃から 250℃迄徐々に加熱し、最
後に300 ℃のロールを通して加圧し、連続的に銅張回路
基板を得た。コーティング膜の膜厚は約55μｍで、銅張
回路基板の銅箔引き剥し強さは、通常（25℃）で3.7 kg
／cm、260 ℃で180 はんだ処理後は3.7 kg／cm、300 ℃
で180 秒はんだ処理後は3.7 kg／cmであった。
【００１９】実施例３〜９、比較例−１ ジアミンの種類と量、N,N-ジメチルアセトアミドの量、
テトラカルボン酸二無水物の種類と量をかえる他は全て
実施例１と同様の操作で行ない、表−１に記す結果を得
た。尚、表中、N,N-ジメチルアセトアミドの量で通常の
数字は重合時に用いた量でありカッコの中の数字は、重
合後、希釈用として新たに加えた量である。また、回転
粘度は希釈した場合は希釈後の値を示している。また、
溶融粘度はせん断速度105 １／秒で測定した値である。
なお、表中ＰＭＤＡは無水ピロメリット酸、ＢＴＤＡは
3,3',4,4' −ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水
物、ＯＤＰＡはビス（3,4-ジカルボキシフェニル）エー
テル二無水物、ＢＰＤＡは3,3',4,4' −ビフェニルテト
ラカルボン酸二無水物を示す。
テトラカルボン酸二無水物の種類と量をかえる他は全て
実施例１と同様の操作で行ない、表−１に記す結果を得
た。尚、表中、N,N-ジメチルアセトアミドの量で通常の
数字は重合時に用いた量でありカッコの中の数字は、重
合後、希釈用として新たに加えた量である。また、回転
粘度は希釈した場合は希釈後の値を示している。また、
溶融粘度はせん断速度105 １／秒で測定した値である。
なお、表中ＰＭＤＡは無水ピロメリット酸、ＢＴＤＡは
3,3',4,4' −ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水
物、ＯＤＰＡはビス（3,4-ジカルボキシフェニル）エー
テル二無水物、ＢＰＤＡは3,3',4,4' −ビフェニルテト
ラカルボン酸二無水物を示す。
【００２０】
【表１】
【００２１】実施例−10 実施例−３で得られたポリアミド酸ワニスをガラス板上
にキャストした後、100 ℃、200 ℃およびび300 ℃で各
々１時間加熱して淡黄色透明で厚み30μｍのポリイミド
フィルムを得た。このポリイミドフィルムの引張り強さ
は13.5kg／mm2、引張り伸び率は42％であった（測定方
法はともにASTMD −882 に拠る。）。また、このポリイ
ミドフィルムのガラス転位温度は 225℃（ＴＭＡ針入法
で測定。）、空気中での５％重量減少温度は542 ℃（DT
A-TGで測定）であった。このポリイミドフィルムを35μ
ｍの電解銅箔と、270 ℃、20kg／cm2 の圧力で10分間加
熱圧着しフレキシブル銅張回路基板を得た。このももの
銅箔引き剥し強さは常温（25℃）で2.7 kg／cm、260 ℃
180 秒はんだ処理後、300 ℃ 180秒はんだ処理後ともに
2.7 kg／cmであった。
にキャストした後、100 ℃、200 ℃およびび300 ℃で各
々１時間加熱して淡黄色透明で厚み30μｍのポリイミド
フィルムを得た。このポリイミドフィルムの引張り強さ
は13.5kg／mm2、引張り伸び率は42％であった（測定方
法はともにASTMD −882 に拠る。）。また、このポリイ
ミドフィルムのガラス転位温度は 225℃（ＴＭＡ針入法
で測定。）、空気中での５％重量減少温度は542 ℃（DT
A-TGで測定）であった。このポリイミドフィルムを35μ
ｍの電解銅箔と、270 ℃、20kg／cm2 の圧力で10分間加
熱圧着しフレキシブル銅張回路基板を得た。このももの
銅箔引き剥し強さは常温（25℃）で2.7 kg／cm、260 ℃
180 秒はんだ処理後、300 ℃ 180秒はんだ処理後ともに
2.7 kg／cmであった。
【００２２】
【発明の効果】本発明は銅箔とポリイミドフィルムが直
接に強固に接合しているフレキシブル銅張回路基板に関
する。本発明のフレキシブル銅張回路基板に用いるポリ
イミドは、ジアミン成分として3,3'- ジアミノベンゾフ
ェノン、1,3-ビス（3-アミノフェノキシ）ベンゼン、2,
2-ビス〔4-（3-アミノフェノキシ）フェニル〕-1,1,1,
3，3,3-ヘキサフルオロプロパン、ビス〔4-（3-アミノ
フェノキシ）フェニル〕スルフィド等を用い、ピロメリ
ット酸二無水物、3,3',4,4' −ベンゾフェノンテトラカ
ルボン酸二無水物、3,3',4,4' −ビフェニルテトラカル
ボン酸二無水物水物、ビス（3,4-ジカルボキシフェニ
ル）エーテル二無水物等のテトラカルボン酸二無水物と
有機溶媒中で常法により反応させて得られるポリアミド
酸を、加熱イミド化または化学的にイミド化して得られ
るポリイミドである。得られたこれらのポリイミドは溶
融粘度が比較的小さく、高温で流動が可能である。この
ため銅箔とこのポリイミドの粘度はフィルムを重ねて加
圧加熱下に圧着し、さらにキュアーさせると、銅箔にポ
リイミドフィルムが強固に接合したフレキシブル銅張回
路基板が得られる。
接に強固に接合しているフレキシブル銅張回路基板に関
する。本発明のフレキシブル銅張回路基板に用いるポリ
イミドは、ジアミン成分として3,3'- ジアミノベンゾフ
ェノン、1,3-ビス（3-アミノフェノキシ）ベンゼン、2,
2-ビス〔4-（3-アミノフェノキシ）フェニル〕-1,1,1,
3，3,3-ヘキサフルオロプロパン、ビス〔4-（3-アミノ
フェノキシ）フェニル〕スルフィド等を用い、ピロメリ
ット酸二無水物、3,3',4,4' −ベンゾフェノンテトラカ
ルボン酸二無水物、3,3',4,4' −ビフェニルテトラカル
ボン酸二無水物水物、ビス（3,4-ジカルボキシフェニ
ル）エーテル二無水物等のテトラカルボン酸二無水物と
有機溶媒中で常法により反応させて得られるポリアミド
酸を、加熱イミド化または化学的にイミド化して得られ
るポリイミドである。得られたこれらのポリイミドは溶
融粘度が比較的小さく、高温で流動が可能である。この
ため銅箔とこのポリイミドの粘度はフィルムを重ねて加
圧加熱下に圧着し、さらにキュアーさせると、銅箔にポ
リイミドフィルムが強固に接合したフレキシブル銅張回
路基板が得られる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 及 川 英 明 神奈川県横浜市戸塚区飯島町 2070 (72)発明者 山 口 彰 宏 神奈川県鎌倉市材木座 １−13−24
Claims (5)
- 【請求項１】 一般式（１）（化１） 【化１】 （式中、Ｒは炭素数２以上の脂肪族基、環式脂肪族基、
単環式芳香族基、縮合多環式芳香族基、芳香族基が直接
または架橋員により相互に連結された非縮合多環式芳香
族基からなる群より選ばれた４価の基を表わし、Ｘは 【化２】 を表す) で表わされる繰り返し単位からなる高温におい
て流動可能なポリイミドのフィルムが接着剤を介するこ
となく銅箔に直接接合していることを特徴とするフレキ
シブル銅張回路基板。 - 【請求項２】 ポリイミドが式（２）（化３） 【化３】 （式中、Ｒは前に同じ）で表わされる繰り返し単位より
なるポリイミドである特許請求の範囲第１項記載のフレ
キシブル銅張回路基板。 - 【請求項３】 ポリイミドが式（３）（化４） 【化４】 （式中、Ｒは前に同じ）で表わされる繰り返し単位より
なるポリイミドである特許請求の範囲第１項記載のフレ
キシブル銅張回路基板。 - 【請求項４】 ポリイミドが式（４）（化５） 【化５】 （式中、Ｒは前に同じ）で表わされる繰り返し単位より
なるポリイミドである特許請求の範囲第１項記載のフレ
キシブル銅張回路基板。 - 【請求項５】 ポリイミドが式（５）（化６） 【化６】 （式中、Ｒは前に同じ）で表わされる繰り返し単位より
なるポリイミドである特許請求の範囲第１項記載のフレ
キシブル銅張回路基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6154587A JP2514313B2 (ja) | 1994-07-06 | 1994-07-06 | フレキシブル銅張回路基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6154587A JP2514313B2 (ja) | 1994-07-06 | 1994-07-06 | フレキシブル銅張回路基板 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61503558A Division JPH0740626B1 (ja) | 1986-06-30 | 1986-06-30 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0774443A true JPH0774443A (ja) | 1995-03-17 |
| JP2514313B2 JP2514313B2 (ja) | 1996-07-10 |
Family
ID=15587461
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6154587A Expired - Lifetime JP2514313B2 (ja) | 1994-07-06 | 1994-07-06 | フレキシブル銅張回路基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2514313B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006272626A (ja) * | 2005-03-28 | 2006-10-12 | Nippon Steel Chem Co Ltd | フレキシブル積層基板の製造方法 |
| JP2007268917A (ja) * | 2006-03-31 | 2007-10-18 | Kurabo Ind Ltd | 熱可塑性ポリイミド層を有するフレキシブル積層板及びその製造方法 |
| WO2007116685A1 (ja) * | 2006-03-31 | 2007-10-18 | Kurashiki Boseki Kabushiki Kaisha | 熱可塑性ポリイミド層を有するフレキシブル積層板及びその製造方法 |
| JP2008188792A (ja) * | 2007-02-01 | 2008-08-21 | Kurabo Ind Ltd | 熱可塑性ポリイミド層を有するフレキシブル積層板及びその製造方法 |
Citations (8)
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| JPS5035292A (ja) * | 1973-04-03 | 1975-04-03 | ||
| US4168360A (en) * | 1978-07-25 | 1979-09-18 | Plastics Engineering Company | Polymerization products of vinyl-terminated polyimide derivatives |
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-
1994
- 1994-07-06 JP JP6154587A patent/JP2514313B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (8)
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| JP4577833B2 (ja) * | 2005-03-28 | 2010-11-10 | 新日鐵化学株式会社 | フレキシブル積層基板の製造方法 |
| JP2007268917A (ja) * | 2006-03-31 | 2007-10-18 | Kurabo Ind Ltd | 熱可塑性ポリイミド層を有するフレキシブル積層板及びその製造方法 |
| WO2007116685A1 (ja) * | 2006-03-31 | 2007-10-18 | Kurashiki Boseki Kabushiki Kaisha | 熱可塑性ポリイミド層を有するフレキシブル積層板及びその製造方法 |
| JP2008188792A (ja) * | 2007-02-01 | 2008-08-21 | Kurabo Ind Ltd | 熱可塑性ポリイミド層を有するフレキシブル積層板及びその製造方法 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2514313B2 (ja) | 1996-07-10 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
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