JPH0766830B2 - 情報記憶素子 - Google Patents
情報記憶素子Info
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- JPH0766830B2 JPH0766830B2 JP1147897A JP14789789A JPH0766830B2 JP H0766830 B2 JPH0766830 B2 JP H0766830B2 JP 1147897 A JP1147897 A JP 1147897A JP 14789789 A JP14789789 A JP 14789789A JP H0766830 B2 JPH0766830 B2 JP H0766830B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- silver
- solid electrolyte
- information storage
- ion conductive
- storage element
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E60/00—Enabling technologies; Technologies with a potential or indirect contribution to GHG emissions mitigation
- Y02E60/10—Energy storage using batteries
Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、半導体メモリ素子等の情報記憶素子、特に、
一体化したバックアップ用電源を有する情報記憶素子に
関する。
一体化したバックアップ用電源を有する情報記憶素子に
関する。
従来の技術 小型電池の電子機器における使われ方は、半導体メモリ
素子等の高密度情報記憶素子の発達により、主電源が切
れた場合においてもメモリされた情報を損なわないよう
に、補助的な電源として、いわゆるメモリバックアップ
用の電源としての使われ方が多くなっている。
素子等の高密度情報記憶素子の発達により、主電源が切
れた場合においてもメモリされた情報を損なわないよう
に、補助的な電源として、いわゆるメモリバックアップ
用の電源としての使われ方が多くなっている。
補助用の電源としては、放電容量や出力電流が小さくと
も、機器あるいはプリント基板よりメモリ素子を着脱す
る際にメモリされた情報を損なわないよう、電池とメモ
リ素子とが切り離されることなく一体化されていること
が望ましい。
も、機器あるいはプリント基板よりメモリ素子を着脱す
る際にメモリされた情報を損なわないよう、電池とメモ
リ素子とが切り離されることなく一体化されていること
が望ましい。
以上の状況に鑑み、電池とメモリ素子を一体化した従来
の情報記憶素子として、以下のようなものが提案されて
いる。
の情報記憶素子として、以下のようなものが提案されて
いる。
実開昭58−5518号公報においては、一体化に使用される
小型電源としてNi−Cd電池を用いた素子の提案がなされ
ている。
小型電源としてNi−Cd電池を用いた素子の提案がなされ
ている。
しかしながら、パッケージ内に収納される電源としてNi
−Cd電池など電解液を有する電池を選んだ場合、電解液
を入れるための金属容器が必要となるといった関係上、
電池の小型化には技術的な限界を有している。またこの
Ni−Cd電池ではガス抜き機構が必要なため、実際にはパ
ッケーシ内に収納、一体化することは困難であるといっ
た問題を有している。
−Cd電池など電解液を有する電池を選んだ場合、電解液
を入れるための金属容器が必要となるといった関係上、
電池の小型化には技術的な限界を有している。またこの
Ni−Cd電池ではガス抜き機構が必要なため、実際にはパ
ッケーシ内に収納、一体化することは困難であるといっ
た問題を有している。
これに対して、固体電解質を用いた全固体電池あるいは
全固体電気二重層キャパシタを電源として半導体パッケ
ージ内に組み込む提案がなされている。
全固体電気二重層キャパシタを電源として半導体パッケ
ージ内に組み込む提案がなされている。
具体的には、特開昭57−109183号公報においては、Li4S
iO4−Li3PO4化合物薄膜、Li3N-LiI化合物薄膜などの固
体電解質膜を用いた全固体リチウム電池や、Rb2Cu8I3Cl
7、Li4SiO4−Li3PO4等の固体電解質を用いた大容量コン
デンサを電源とした素子の提案がなされている。また、
特開昭60−12679号公報においてはRbCu4I2-xCl3+xで表
わされる銅イオン導電性固体電解質を用いて一体化した
全固体電池を用いた素子の提案がなされている。
iO4−Li3PO4化合物薄膜、Li3N-LiI化合物薄膜などの固
体電解質膜を用いた全固体リチウム電池や、Rb2Cu8I3Cl
7、Li4SiO4−Li3PO4等の固体電解質を用いた大容量コン
デンサを電源とした素子の提案がなされている。また、
特開昭60−12679号公報においてはRbCu4I2-xCl3+xで表
わされる銅イオン導電性固体電解質を用いて一体化した
全固体電池を用いた素子の提案がなされている。
発明が解決しようとする課題 しかし、従来例として挙げた固体電解質を用いた素子を
半導体と同一パッケージ内に収納した場合には、パッケ
ージの封止材の硬化時あるいは素子を半田付けする際に
素子が高温に晒されること、さらに素子が高温下に置か
れることで以下に述べるような付随的な問題が生ずる。
半導体と同一パッケージ内に収納した場合には、パッケ
ージの封止材の硬化時あるいは素子を半田付けする際に
素子が高温に晒されること、さらに素子が高温下に置か
れることで以下に述べるような付随的な問題が生ずる。
全固体リチウム電池を用いた場合、負極として用いられ
る金属リチウムあるいはLi−Pb合金等のウッドメタルの
融点が低いために、素子が高温下におかれた際に該電池
内の負極が溶解する危険性を有している。
る金属リチウムあるいはLi−Pb合金等のウッドメタルの
融点が低いために、素子が高温下におかれた際に該電池
内の負極が溶解する危険性を有している。
また金属リチウムと情報記憶素子として用いられるシリ
コン半導体を同一パッケージ内に収納すると、特に高温
においてリチウムがシリコン内に拡散していき、半導体
の特性を損なってしまうといった問題を有している。
コン半導体を同一パッケージ内に収納すると、特に高温
においてリチウムがシリコン内に拡散していき、半導体
の特性を損なってしまうといった問題を有している。
また、RbCu4I2-xCl3+xで表わされる銅イオン導電性固体
電解質を用いた全固体電池を用いた場合、前記固体電解
質は高温下やパッケージを透過する水分の影響により沃
素を遊離しやすく、パッケージ材である樹脂を汚染させ
絶縁性を低下させたり、あるいは同一パッケージ内に収
納された半導体の特性を損なわせるといった問題を有し
ている。
電解質を用いた全固体電池を用いた場合、前記固体電解
質は高温下やパッケージを透過する水分の影響により沃
素を遊離しやすく、パッケージ材である樹脂を汚染させ
絶縁性を低下させたり、あるいは同一パッケージ内に収
納された半導体の特性を損なわせるといった問題を有し
ている。
以上のように、半導体と一体化するためには、熱的にも
高信頼性の電池を開発する必要を有していた。
高信頼性の電池を開発する必要を有していた。
本発明は半導体素子と電源を一体化するための高信頼性
を有する電池を提供することにより、本課題を解決しよ
うとするものである。
を有する電池を提供することにより、本課題を解決しよ
うとするものである。
課題を解決するための手段 情報記憶素子チップを収納したパッケージ内に収納され
る電源として、銀イオン導電性固体電解質層と、この固
体電解質層を介して配される一対の電極を有し、これら
電極のうち少なくとも一方の電極が銀と遷移金属酸化物
よりなる複合酸化物を含む全固体二次電池を用いる。
る電源として、銀イオン導電性固体電解質層と、この固
体電解質層を介して配される一対の電極を有し、これら
電極のうち少なくとも一方の電極が銀と遷移金属酸化物
よりなる複合酸化物を含む全固体二次電池を用いる。
特に、前記銀イオン導電性固体電解質としては、aAgX−
bAg2O−cMm1On1（Ｘ＝I,Br,Cl、Ｍ＝W,Mo,Si,V,Cr,P,
B）で表わされる銀イオン導電性固体電解質またはpAgX
−qAgMm2On2（Ｘ＝I,Br,Cl、Ｍ＝W,Mo,Si,V,Cr,P,B）で
表わされるハロゲン化銀と銀の酸素酸塩より銀イオン導
電性固体電解質を用いる。また、銀と遷移金属酸化物よ
りなる複合酸化物としては、AgxV2O5-y（ｙは酸素欠
損）で表わされる銀とバナジウム酸化物よりなる複合酸
化物を用いる。
bAg2O−cMm1On1（Ｘ＝I,Br,Cl、Ｍ＝W,Mo,Si,V,Cr,P,
B）で表わされる銀イオン導電性固体電解質またはpAgX
−qAgMm2On2（Ｘ＝I,Br,Cl、Ｍ＝W,Mo,Si,V,Cr,P,B）で
表わされるハロゲン化銀と銀の酸素酸塩より銀イオン導
電性固体電解質を用いる。また、銀と遷移金属酸化物よ
りなる複合酸化物としては、AgxV2O5-y（ｙは酸素欠
損）で表わされる銀とバナジウム酸化物よりなる複合酸
化物を用いる。
作用 情報記憶素子チップを収納したパッケージ内に一体収納
される電源として、全固体の電池を用いることにより、
電解液を用いた電池と異なり金属容器が不要となり電池
を容易に小型化し、パッケージ内に一体化収納すること
ができる。
される電源として、全固体の電池を用いることにより、
電解液を用いた電池と異なり金属容器が不要となり電池
を容易に小型化し、パッケージ内に一体化収納すること
ができる。
また用いられる全固体電池の内においても、固体電解質
として、aAgX−bAg2O−cMm1On1（Ｘ＝I,Br,Cl、Ｍ＝W,M
o,Si,V,Cr,P,B）で表わされる銀イオン導電性固体電解
質、またはpAgX−qAgMm2On2（Ｘ＝I,Br,Cl、Ｍ＝W,Mo,S
i,V,Cr,P,B）で表わされるハロゲン化銀と銀の酸素酸塩
よりなる銀イオン導電性固体電解質は、水分や酸素に対
しても安定であり、また高温においてもハロゲンを遊離
することはないため、パッケージ内に収納された半導体
の特性を損なうことなく所望の特性を得ることができ
る。特に、pAgI−（１−ｐ）Ag2WO4（0.7≦ｐ≦0.9）で
表わされる、ヨウ化銀とタングステン酸銀よりなる銀イ
オン導電性固体電解質は、ガラス転移温度が他のものに
比べて高く、素子が高温下に置かれた際の固体電解質の
結晶化による電池特性の劣化が殆どないことからより好
ましく用いられる。
として、aAgX−bAg2O−cMm1On1（Ｘ＝I,Br,Cl、Ｍ＝W,M
o,Si,V,Cr,P,B）で表わされる銀イオン導電性固体電解
質、またはpAgX−qAgMm2On2（Ｘ＝I,Br,Cl、Ｍ＝W,Mo,S
i,V,Cr,P,B）で表わされるハロゲン化銀と銀の酸素酸塩
よりなる銀イオン導電性固体電解質は、水分や酸素に対
しても安定であり、また高温においてもハロゲンを遊離
することはないため、パッケージ内に収納された半導体
の特性を損なうことなく所望の特性を得ることができ
る。特に、pAgI−（１−ｐ）Ag2WO4（0.7≦ｐ≦0.9）で
表わされる、ヨウ化銀とタングステン酸銀よりなる銀イ
オン導電性固体電解質は、ガラス転移温度が他のものに
比べて高く、素子が高温下に置かれた際の固体電解質の
結晶化による電池特性の劣化が殆どないことからより好
ましく用いられる。
また電極活物質として、銀と遷移金属酸化物よりなる複
合酸化物を用いることにより、水分や酸素の影響、ある
いは高温における電極活物質の拡散を防ぐことができ、
安定した特性を得ることができる。特にAgxV2O5-yで表
わされる銀とバナジウム酸化物よりなる複合酸化物を用
いた場合には、サイクル特性等に優れたものとなりより
好ましく用いられる。
合酸化物を用いることにより、水分や酸素の影響、ある
いは高温における電極活物質の拡散を防ぐことができ、
安定した特性を得ることができる。特にAgxV2O5-yで表
わされる銀とバナジウム酸化物よりなる複合酸化物を用
いた場合には、サイクル特性等に優れたものとなりより
好ましく用いられる。
実施例 （実施例１） 本発明の一実施例における情報記憶素子としてメモリ容
量が256kbのＣ−MOSスタティックRAMメモリを、固体二
次電池用の電極材料は銀イオン導電性固体電解質として
4AgI・Ag2WO4で表わされる銀イオン導電性の固体電解質
を、銀と遷移金属酸化物よりなる複合酸化物としてAg
0.7V2O5で表わされる銀とバナジウムの複合酸化物を用
いたものについて説明する。
量が256kbのＣ−MOSスタティックRAMメモリを、固体二
次電池用の電極材料は銀イオン導電性固体電解質として
4AgI・Ag2WO4で表わされる銀イオン導電性の固体電解質
を、銀と遷移金属酸化物よりなる複合酸化物としてAg
0.7V2O5で表わされる銀とバナジウムの複合酸化物を用
いたものについて説明する。
4AgI・Ag2WO4で表わされる銀イオン導電性の固体電解質
は、AgI,Ag2O，WO3をモル比で4:1:1の比となるように秤
量してアルミナ乳鉢で混合し、この混合物を加圧成形し
ペレット状とした後、パイレックス管中に減圧封入して
400℃で17時間溶融，反応させ、その反応物を乳鉢で200
メッシュ以下に粉砕することによって得た。
は、AgI,Ag2O，WO3をモル比で4:1:1の比となるように秤
量してアルミナ乳鉢で混合し、この混合物を加圧成形し
ペレット状とした後、パイレックス管中に減圧封入して
400℃で17時間溶融，反応させ、その反応物を乳鉢で200
メッシュ以下に粉砕することによって得た。
Ag0.7V2O5で表わされる銀とバナジウムの複合酸化物
は、V2O5で表わされるバナジウム酸化物と金属銀をモル
比で1:0.7となるよう秤量して乳鉢で混合し、その混合
物を同じくペレット状に加圧成形し、石英管中に減圧封
入して600℃で48時間反応させ、同じく200メッシュ以下
に粉砕することによって得た。
は、V2O5で表わされるバナジウム酸化物と金属銀をモル
比で1:0.7となるよう秤量して乳鉢で混合し、その混合
物を同じくペレット状に加圧成形し、石英管中に減圧封
入して600℃で48時間反応させ、同じく200メッシュ以下
に粉砕することによって得た。
固体二次電池用の電極材料は、以上のようにして得られ
た固体電解質と複合酸化物を重量比で1:1の比で混合す
ることによって得た。この電極材料を10mgを秤量し、4t
on/cm2で4mm×2mmに加圧成形し正極ペレットを得た。ま
た同様に20mgを秤量し、4ton/cm2で4mm×2mmに加圧成形
し負極ペレットを得た。
た固体電解質と複合酸化物を重量比で1:1の比で混合す
ることによって得た。この電極材料を10mgを秤量し、4t
on/cm2で4mm×2mmに加圧成形し正極ペレットを得た。ま
た同様に20mgを秤量し、4ton/cm2で4mm×2mmに加圧成形
し負極ペレットを得た。
以上のようにして得られた電極ペレット２枚を各々正
極、負極として固体電解質10mgを介して配し、全体を4t
on/cm2で加圧圧接し固体電池素子を得た。
極、負極として固体電解質10mgを介して配し、全体を4t
on/cm2で加圧圧接し固体電池素子を得た。
このようにして得られた固体電解質素子を、リードフレ
ームの半導体素子チップの反対側に12個直接に結線し、
全体をエポキシ系の樹脂により180℃で硬化、パッケー
ジングし、小型電源を樹脂パッケージ内に一体化収納し
た情報記憶素子を得た。
ームの半導体素子チップの反対側に12個直接に結線し、
全体をエポキシ系の樹脂により180℃で硬化、パッケー
ジングし、小型電源を樹脂パッケージ内に一体化収納し
た情報記憶素子を得た。
この様にして得た情報記憶素子を100℃で100日保存後、
その動作特性を検査したところ、異常はみられず、小型
電源を一体化した情報記憶素子が得られていることがわ
かった。
その動作特性を検査したところ、異常はみられず、小型
電源を一体化した情報記憶素子が得られていることがわ
かった。
（実施例２） 実施例１において用いた銀イオン導電性固体電解質に変
えて、4AgI・Ag2V2O6で表わされる銀イオン導電性の固
体電解質を用いた以外は実施例１と同様の方法によって
小型電源を一体化収納した情報記憶素子を得た。
えて、4AgI・Ag2V2O6で表わされる銀イオン導電性の固
体電解質を用いた以外は実施例１と同様の方法によって
小型電源を一体化収納した情報記憶素子を得た。
この様にして得た情報記憶素子を100℃で100日保存後、
その動作特性を検査したところ、異常はみられず、小型
電源を一体化した情報記憶素子が得られていることがわ
かった。
その動作特性を検査したところ、異常はみられず、小型
電源を一体化した情報記憶素子が得られていることがわ
かった。
（実施例３） 実施例１において用いた銀イオン導電性固体電解質に変
えて、3AgI・Ag2MoO4で表わされる銀イオン導電性の固
体電解質を用い、銀と遷移金属酸化物よりなる複合酸化
物として、銀と酸化バナジウムよりなる複合酸化物に変
えてAgMoO3で表わされる銀とモリブデン酸化物よりなる
複合酸化物を用いた以外は実施例１と同様の方法によっ
て小型電源を一体化収納した情報記憶素子を得た。
えて、3AgI・Ag2MoO4で表わされる銀イオン導電性の固
体電解質を用い、銀と遷移金属酸化物よりなる複合酸化
物として、銀と酸化バナジウムよりなる複合酸化物に変
えてAgMoO3で表わされる銀とモリブデン酸化物よりなる
複合酸化物を用いた以外は実施例１と同様の方法によっ
て小型電源を一体化収納した情報記憶素子を得た。
この様にして得た情報記憶素子を100℃で100日保存後、
その動作特性を検査したところ、異常はみられず、小型
電源を一体化した情報記憶素子が得られていることがわ
かった。
その動作特性を検査したところ、異常はみられず、小型
電源を一体化した情報記憶素子が得られていることがわ
かった。
（実施例４） 実施例１において用いた銀イオン導電性固体電解質に変
えて、3AgI・Ag4SiO4で表わされる銀イオン導電性の固
体電解質を用い、銀と遷移金属酸化物よりなる複合酸化
物として、銀と酸化バナジウムよりなる複合酸化物に変
えてAgWO3で表わされる銀とタングステン酸化物よりな
る複合酸化物を用いた以外は実施例１と同様の方法によ
って小型電源を一体化収納した情報記憶素子を得た。
えて、3AgI・Ag4SiO4で表わされる銀イオン導電性の固
体電解質を用い、銀と遷移金属酸化物よりなる複合酸化
物として、銀と酸化バナジウムよりなる複合酸化物に変
えてAgWO3で表わされる銀とタングステン酸化物よりな
る複合酸化物を用いた以外は実施例１と同様の方法によ
って小型電源を一体化収納した情報記憶素子を得た。
この様にして得た情報記憶素子を100℃で100日保存後、
その動作特性を検査したところ、異常はみられず、小型
電源を一体化した情報記憶素子が得られていることがわ
かった。
その動作特性を検査したところ、異常はみられず、小型
電源を一体化した情報記憶素子が得られていることがわ
かった。
（比較例１） 固体電解質としてRbCu4I2-xCl3+xで表わされる銅イオン
導電性固体電解質を用い、電極活物質としてCu2Mo6S8で
表わされる銅のシェブレル相化合物を用いた全固体二次
電池を小型電源として用いた以外は実施例１と同様の方
法で、小型電源を樹脂パッケージ内に一体化収納した情
報記憶素子を得た。ただし、その際の電極材料重量は、
正極、負極とも20mgとした。
導電性固体電解質を用い、電極活物質としてCu2Mo6S8で
表わされる銅のシェブレル相化合物を用いた全固体二次
電池を小型電源として用いた以外は実施例１と同様の方
法で、小型電源を樹脂パッケージ内に一体化収納した情
報記憶素子を得た。ただし、その際の電極材料重量は、
正極、負極とも20mgとした。
この様にして得た情報記憶素子を100℃で30日保存後、
その動作特性を検査したところ、正常に動作しなかっ
た。この情報記憶素子を分解しその不良解析を行なった
ところ、半導体素子およびパッケージ中に沃素が検出さ
れ、高温保存により固体電解質より遊離した沃素が樹脂
パッケージ内に拡散していき絶縁不良を起こすととも
に、シリコン半導体と化合物を作っていたことがわかっ
た。
その動作特性を検査したところ、正常に動作しなかっ
た。この情報記憶素子を分解しその不良解析を行なった
ところ、半導体素子およびパッケージ中に沃素が検出さ
れ、高温保存により固体電解質より遊離した沃素が樹脂
パッケージ内に拡散していき絶縁不良を起こすととも
に、シリコン半導体と化合物を作っていたことがわかっ
た。
（比較例２） 固体電解質としてLi4SiO4−Li3PO4で表わされるリチウ
ムイオン導電性固体電解質を用い、正極活物質として二
硫化チタン（TiS2）を、負極として金属リチウム箔（4m
g）を用いた全固体二次電池を構成し小型電源として用
いた以外は実施例１と同様の方法で、小型電源を樹脂パ
ケージ内に一体化収納した情報記憶素子を得た。ただ
し、その際の電極材料重量は、正極、負極とも20mgとし
た。
ムイオン導電性固体電解質を用い、正極活物質として二
硫化チタン（TiS2）を、負極として金属リチウム箔（4m
g）を用いた全固体二次電池を構成し小型電源として用
いた以外は実施例１と同様の方法で、小型電源を樹脂パ
ケージ内に一体化収納した情報記憶素子を得た。ただ
し、その際の電極材料重量は、正極、負極とも20mgとし
た。
この様にして得た情報記憶素子を100℃で30日保存後、
その動作特性を検査したところ、正常に動作しなかっ
た。この情報記憶素子を分解しその不良解析を行なった
ところ、半導体素子中にリチウムが検出され、高温保存
により固体電解質より遊離したリチウムが半導体中に拡
散していき、半導体パターンに短絡状態を引き起こして
いたことがわかった。
その動作特性を検査したところ、正常に動作しなかっ
た。この情報記憶素子を分解しその不良解析を行なった
ところ、半導体素子中にリチウムが検出され、高温保存
により固体電解質より遊離したリチウムが半導体中に拡
散していき、半導体パターンに短絡状態を引き起こして
いたことがわかった。
なお、上記各実施例における銀イオン導電性固体電解質
に変えて他の銀イオン導電性固体電解質、例えば4AgI・
Ag2Cr2O7、3AgI・Ag4P2O7、AgI・Ag2O・2B2O3等を用い
ても同様の結果が得られることは勿論である。
に変えて他の銀イオン導電性固体電解質、例えば4AgI・
Ag2Cr2O7、3AgI・Ag4P2O7、AgI・Ag2O・2B2O3等を用い
ても同様の結果が得られることは勿論である。
また以上の実施例においては銀イオン導電性固体電解質
中のハロゲンとして沃素を用いたが、その他臭素あるい
は塩素を用いたものについても同様の結果が得られるこ
ともいうまでもない。
中のハロゲンとして沃素を用いたが、その他臭素あるい
は塩素を用いたものについても同様の結果が得られるこ
ともいうまでもない。
発明の効果 以上のように本発明によると、高温での保存等において
も特性が損なわれず、小型電源をパッケージ内に一体
化、収納した情報記憶素子を得ることができる。
も特性が損なわれず、小型電源をパッケージ内に一体
化、収納した情報記憶素子を得ることができる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 25/00 Ｂ 27/04
Claims (4)
- 【請求項１】情報記憶素子チップを収納したパッケージ
内に、銀イオン導電性固体電解質層と、この固体電解質
層を介して配される一対の電極とを有し、これら電極の
うち少なくとも一方の電極が銀と遷移金属酸化物よりな
る複合酸化物を含む全固体二次電池を、外部からの充電
が可能なように一体的に組み込んだことを特徴とする情
報記憶素子。 - 【請求項２】銀と遷移金属酸化物よりなる複合酸化物
が、AgxV2O5-y（ｙは酸素欠損）で表わされる銀とバナ
ジウム酸化物よりなることを特徴とする請求項１記載の
情報記憶素子。 - 【請求項３】銀イオン導電性固体電解質が、aAgX−bAg2
O−cMm1On1（Ｘ＝I,Br,Cl、Ｍ＝W,Mo,Si,V,Cr,P,B）で
表わされる銀イオン導電性固体電解質、またはpAgX−qA
gMm2On2（Ｘ＝I,Br,Cl、Ｍ＝W,Mo,Si,V,Cr,P,B）で表わ
されるハロゲン化銀と銀の酸素酸塩よりなる銀イオン導
電性固体電解質であることを特徴とする請求項１又は２
記載の情報記憶素子。 - 【請求項４】銀イオン導電性の固体電解質が、pAgI−
（１−ｐ）Ag2WO4（0.7≦ｐ≦0.9）で表わされる、ヨウ
化銀とタングステン酸銀よりなる銀イオン導電性固体電
解質であることを特徴とする請求項１、２又は３記載の
情報記憶素子。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1147897A JPH0766830B2 (ja) | 1989-06-09 | 1989-06-09 | 情報記憶素子 |
| US07/468,555 US4965151A (en) | 1989-01-24 | 1990-01-23 | Solid-state electrochemical cell |
| EP90101322A EP0380058B1 (en) | 1989-01-24 | 1990-01-23 | A solid-state electrochemical cell |
| DE69018279T DE69018279T2 (de) | 1989-01-24 | 1990-01-23 | Elektrochemische Festkörperzelle. |
| KR1019900000792A KR920010424B1 (ko) | 1989-01-24 | 1990-01-24 | 고체 상태 전기화학 셀 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1147897A JPH0766830B2 (ja) | 1989-06-09 | 1989-06-09 | 情報記憶素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0311763A JPH0311763A (ja) | 1991-01-21 |
| JPH0766830B2 true JPH0766830B2 (ja) | 1995-07-19 |
Family
ID=15440623
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1147897A Expired - Lifetime JPH0766830B2 (ja) | 1989-01-24 | 1989-06-09 | 情報記憶素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0766830B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7253494B2 (en) | 2003-04-04 | 2007-08-07 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Battery mounted integrated circuit device having diffusion layers that prevent cations serving to charge and discharge battery from diffusing into the integrated circuit region |
-
1989
- 1989-06-09 JP JP1147897A patent/JPH0766830B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0311763A (ja) | 1991-01-21 |
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