JPH0465070A - 全固体電圧記憶素子 - Google Patents

全固体電圧記憶素子

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JPH0465070A
JPH0465070A JP2174740A JP17474090A JPH0465070A JP H0465070 A JPH0465070 A JP H0465070A JP 2174740 A JP2174740 A JP 2174740A JP 17474090 A JP17474090 A JP 17474090A JP H0465070 A JPH0465070 A JP H0465070A
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JP
Japan
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resin
memory element
solid
voltage memory
silver
Prior art date
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Pending
Application number
JP2174740A
Other languages
English (en)
Inventor
Sukeyuki Murai
村井 祐之
Shuji Ito
修二 伊藤
Yasuhiko Mifuji
靖彦 美藤
Yoshinori Toyoguchi
豊口 吉徳
Kanji Takada
寛治 高田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Publication date
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Publication of JPH0465070A publication Critical patent/JPH0465070A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E60/00Enabling technologies; Technologies with a potential or indirect contribution to GHG emissions mitigation
    • Y02E60/10Energy storage using batteries
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02PCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

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  • Secondary Cells (AREA)
  • Battery Electrode And Active Subsutance (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は全固体電圧記憶素子に関し とくにその樹脂封
止に関すム 従来の技術 従来 電解液を用いる電池やコンデンサーなどの電気化
学素子は 電解液の漏液やガス発生による素子の膨張 
破裂の危険性があり、使用機器への絶対的信頼性を確保
することは不可能であっ丸これに対して固体電解質を用
いた素子は 上記のような問題点がなく、また電解液で
起こる水線蒸発がなく、広い使用温度範囲が期待でき、
高い信頼性を具備するものにできる可能性がある。この
ため電解液に代えて固体電解質を使用する全固体電気化
学素子の開発が盛んに行なわれていもその中でL 固体
電解質を用いた全固体電池の開発は最も盛んであり、例
えば 銅イオン導電性固体電解質を用いる銅系全固体二
次電池 銀イオン導電性固体電解質を用いる銀系全固体
二次電池リチウムイオン導電性固体電解質を用いるリチ
ウム系全固体電池などかあム 一人 その応用展開とし
て自己放電がきわめて小さいことを特徴とする固体電解
質を用いた全固体電圧記憶素子が提案されていも これ
まで水分、酸素 熱に対して安定な4 A g I  
A gzWOaを銀イオン導電性固体電解質に用t\ 
電極活物質としてAg2Se−Ag5P04混晶や銀バ
ナジウム酸化物を正極および負極に用いた全固体電圧記
憶素子が開発されていも発明が解決しようとする課題 電極活物質として銀バナジウム酸化物を用へ4 A g
 l−Ag2WCLで表わされる組成の固体電解質を用
いる全固体電圧記憶素子は固体電解質が水分、酸聚 熱
にたいして安定であるた取−20℃から100℃を越え
る高温まで、広い温度範囲で安定に動作するといった特
性を有すも しかしなが収 流動浸漬法によるエポキシ
樹脂の塗装封止後の電圧記憶素子の内部抵抗が不均一で
あるため&へ 低温特性のバラツキが極めて大きいとい
う課題を有してい九 本発明はこのような課題を解決するもので、均一で安定
した低温特性を有する全固体電圧記憶素子を提供するこ
とを目的とずも 課題を解決するための手段 この課題を解決するため本発明の全固体電圧記憶素子(
友 電極がAgI・Ag2WO4で表わされる銀イオン
導電性固体電解質とAgxV20a−ν(0゜6≦x≦
0゜ 8、yは酸素欠損)で表わされる銀とバナジウム
酸化物よりなる複合酸化物の電極活物質の混合物である
全固体電圧記憶素子において、封止方法にエポキシ樹脂
 フェノール樹脂などの熱硬化性樹脂を使用17たトラ
ンスファ成形を採用したものであも 作用 この構成により本発明の全固体電圧記憶素子+iトラン
スファ成形により一定の寸法 形状に全固体電圧記憶素
子を中心に位置するように熱硬化性樹脂で成形封止し 
樹脂の固化収縮により電圧記憶素子に付加される応力が
作製した電圧記憶素子のいずれについてもほとんど同じ
になるように(7て、電池の内部抵抗のバラツキを減少
させることとなム 実施例 以下本発明の一実施例の全固体電圧記憶素子について説
明する。まず、AgI、Ag+vO1W Osをモル比
で4:  1:  1の比となるように秤量しアルミナ
乳鉢で混合した。この混合物を加圧成型し7成形体とし
た微 パイレックス管に減圧封入し400℃の温度で1
7時間溶駄 反応させ九 その反応物をボールミルで湿
式粉徹 分級して200メツシユ以下の4AgI・Ag
5WO4で表される銀イオン導電性の固体電解質粉末を
得た 次?QVpOsで表されるバナジウム酸化物と金属銀の
粉末をモル比で1:Q、7となるよう秤量L 乳鉢で混
合した その混合物を加圧成形し成形体とした抵 石英
管中に減圧封入l、5600℃の温度で48時間反応さ
せた。その反応物を乳鉢で粉礁分級して200メツシユ
以下のAgL〒v201iで表される銀バナジウム酸化
物の電極活物質粉末を得た このようにして得た固体電解質と電極活物質を用いて以
下の方法により全固体電圧記憶素子を作製した 最初に
上記の固体電解質粉末と電極活物質粉末を7:3の割合
で混合して電極材料を得九この電極材料を25mg秤量
L秤量4ton/cm2の圧力で加圧成型(−直径が7
rnmの電極成形体を作製した 以上のようにして得ら
れた電極成形体を150mgの固体電解質を介して配し
 全体を4ton/am”の圧力で加圧圧接し 直径が
7mmの円筒状全固体電圧記憶素子を作製した この円
筒状全固体電圧記憶素子の両極にさらに錫メツキをした
銅線を導電性のカーボンペーストで接合し 全体をエポ
キシ樹脂系の成形材料を用いて後記の表に示すように電
圧記憶素子の表面から樹脂の厚みがOo 8mm〜2.
5mmになるように作製した各種サイズの金型を用いて
トランスファ成形し それぞれ8個の電圧記憶素子を試
作し池な耘 ここて行なったトランスファ成形(上 金
形温度が175t、  プランジャスピードが13枚加
圧時間が60秒の条件で行っ九 また 本発明の実施例
以外に流動浸漬法によりエポキシ系の粉体塗料を150
℃の温度で塗装した従来例の電圧記憶素子を8個比較用
として作製した 低温での全固体電圧記憶素子の特性評価は記憶の書き込
へ 消去の繰り返しすなわち充電 放電のサイクルによ
る放電容量のノくラツキの大きさ番こよっておこなった
 試作した各種全固体電圧記憶素子の一20℃における
定電流充放電の5サイクル目の放電容量を評価した結果
を第1表番こ示す。
な耘 定電流充放電は充電電圧が100mV放電下限電
圧がOmVの間で行なt、X、電流値は50μAとした (以下余白) 第1表 第1表において、比較例の樹脂厚みを約2mmとしてい
る力(これは流動浸漬法によるエポキシ樹脂の塗装では
熱保持性のよい部分の樹脂が厚くなったり、また樹脂が
固化するまで流動性があるため重力により一方が厚くな
るた敢 電圧記憶素子の表面からの厚みが均一とならな
いのて 塗装している樹脂の重量から計算で求めたもの
であも上記表に見られるように 流動浸漬法でエポキシ
樹脂を塗装した従来例を一20℃で50μAの電流で定
電流充放電させた場合 5サイクル目の放電容量は22
〜59μAhrの容量が得られ充放電させた8個の標準
偏差σnが10.9となり得られる容量のバラツキが太
き(〜 これに対して、トランスファ成形法で一定の厚
みにエポキシ樹脂によって封止した実施例1から実施例
5にL1.)ずれも放電容量の標準偏差が小さくなり、
また放電容量も太きt〜 とくにエポキシ樹脂の厚みが
1mm以上の場合には46μAhr以下の放電容量を示
すものはなく、また標準偏差も27以上のものはなt〜
 上記のようにトランスファ成形により一定の厚みに熱
硬化性のエポキシ樹脂で封止した電圧記憶素子は低温に
おける放電容量の、<ラツキがきわめて小さくなること
がわかム これは熱硬化性樹脂は硬化するとき0. 2
〜0,9%程度の体積収縮があるた敢 流動浸漬法など
による不均一な厚みとなる封止方法では 構成した電池
の内部の接合状態が変化するためであると考えられ 本
発明の実施例のように樹脂封止が一定の厚みとなるよう
に成形し 電圧記憶素子に付加される樹脂の応力が均一
になるように構成することが電圧記憶素子の特性安定に
つながることがわかる。この電圧記憶素子の特性の均一
化は上記表には示さなかったが封止後の電圧記憶素子の
内部抵抗にも関連しており、従来例では内部抵抗も3.
5Ω〜9゜4Ωの間にばらつく力(実施例では368〜
4゜2Ωの間にあり比較的均一な内部抵抗を示す。
以上のよう圏 本実施例はAg6I4WO4で表わされ
る固体電解質を使用する銀系全固体電圧記憶素子の封止
方法を検討し 均一で安定した低温特性が得られる実用
性に優れた全固体電圧記憶素子を実現したものであム な耘 実施例ではトランスファ成形用の熱硬化性樹脂と
してエポキシ樹脂を使用して説明した力叉フェノール樹
脂 不飽和フェノール樹脂 シリコーン樹脂 あるいは
不飽和ポリエステル樹脂を使用しても上記と同様に均一
で安定した低温特性が得られることは言うまでもな(も また 実施例では電極活物質としてAgi、yV206
で表わされる組成のもので説明した力丈 銀のインター
カレーション、デインター力レーシジン反応がほぼ同様
に行なわれるAg@、5VpOsおよびAgs、蓼Va
□sで表わされる銀と酸化バナジウムの複合酸化物を電
極活物質とした場合でも低温特性が均一で安定している
ことを確認していも発明の効果

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)4AgI・Ag_2WO_4で表わされる銀イオ
    ン導電性固体電解質と、電極活物質としてAg_xV_
    2O_5_−_y(0.6≦x≦0.8、yは酸素欠損
    )で表わされる銀とバナジウム酸化物よりなる複合酸化
    物を混合した電極を、前記銀イオン導電性固体電解質を
    介して、その両側に配する全固体電圧記憶素子において
    、前記全固体電圧記憶素子を熱硬化性樹脂でトランスフ
    ァ成形により封止してなる全固体電圧記憶素子。
  2. (2)熱硬化性樹脂が、フェノール樹脂、変性フェノー
    ル樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、不飽和ポリエ
    ステル樹脂のいずれかである請求項1記載の全固体電圧
    記憶素子。
JP2174740A 1990-07-02 1990-07-02 全固体電圧記憶素子 Pending JPH0465070A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106785003A (zh) * 2017-02-13 2017-05-31 桂林电器科学研究院有限公司 一种添加锂硅合金和碘化银的硫化锂系固体电解质材料及其制备方法
CN106785014A (zh) * 2017-02-13 2017-05-31 桂林电器科学研究院有限公司 一种添加锂硅合金、溴化银和氯化银的硫化锂系固体电解质材料及其制备方法

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CN106785003A (zh) * 2017-02-13 2017-05-31 桂林电器科学研究院有限公司 一种添加锂硅合金和碘化银的硫化锂系固体电解质材料及其制备方法
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