JPH0766549A - 金属と有機物の接合方法および配線板の製造方法 - Google Patents
金属と有機物の接合方法および配線板の製造方法Info
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- JPH0766549A JPH0766549A JP20791693A JP20791693A JPH0766549A JP H0766549 A JPH0766549 A JP H0766549A JP 20791693 A JP20791693 A JP 20791693A JP 20791693 A JP20791693 A JP 20791693A JP H0766549 A JPH0766549 A JP H0766549A
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- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/38—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal
- H05K3/386—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal by the use of an organic polymeric bonding layer, e.g. adhesive
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- H05K3/46—Manufacturing multilayer circuits
- H05K3/4611—Manufacturing multilayer circuits by laminating two or more circuit boards
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- Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ハローイング現象や薬液残さによる腐食、接
合不良等の問題点が発生せず、簡単なプロセスによる信
頼性の高い金属と有機物の接合方法と、その方法により
導体金属と有機絶縁物とを接合した高接合信頼性を有す
る配線板の提供を目的とする。 【構成】 原料タンク１３に入っている接合促進層形成
用材料は気化させられて真空槽６内に導かれ、放電電極
１７とアース電極１８との間にプラズマ１９を発生し、
内層配線板７の表面に接合促進層となる重合膜が気相合
成される。このようにして処理された内層配線板７とプ
リプレグを組み合わせ、積層成形して接合させた後、公
知の方法により導体回路を形成し、多層配線板を得る。
以上のように、気相合成された接合促進層が介在するこ
とにより、高信頼性の接合が得られる。
合不良等の問題点が発生せず、簡単なプロセスによる信
頼性の高い金属と有機物の接合方法と、その方法により
導体金属と有機絶縁物とを接合した高接合信頼性を有す
る配線板の提供を目的とする。 【構成】 原料タンク１３に入っている接合促進層形成
用材料は気化させられて真空槽６内に導かれ、放電電極
１７とアース電極１８との間にプラズマ１９を発生し、
内層配線板７の表面に接合促進層となる重合膜が気相合
成される。このようにして処理された内層配線板７とプ
リプレグを組み合わせ、積層成形して接合させた後、公
知の方法により導体回路を形成し、多層配線板を得る。
以上のように、気相合成された接合促進層が介在するこ
とにより、高信頼性の接合が得られる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、金属と有機物の接合方
法、およびその接合方法を用いて得られる配線板の製造
方法に関し、さらに詳しくは、導体金属の絶縁被覆にお
ける導体金属と有機物絶縁材料との接合、および塗装に
おける金属と塗膜有機物との接合等に関する。特に配線
板における導体金属と有機物絶縁体との接合信頼性の確
保に有用なものである。
法、およびその接合方法を用いて得られる配線板の製造
方法に関し、さらに詳しくは、導体金属の絶縁被覆にお
ける導体金属と有機物絶縁材料との接合、および塗装に
おける金属と塗膜有機物との接合等に関する。特に配線
板における導体金属と有機物絶縁体との接合信頼性の確
保に有用なものである。
【０００２】
【従来の技術】金属と有機物の強い接合のためには、接
合力の高い有機物の使用、および金属表面を粗面化して
投鋲効果により接合力を高めるなどの手段が用いられ
る。例えば配線板用銅張積層板の製造において、接合力
の高いエポキシ樹脂等を用いるとともに、表面に微小な
凹凸を多数有している電解銅箔が用いられたりして比較
的高い接合力が得られている。
合力の高い有機物の使用、および金属表面を粗面化して
投鋲効果により接合力を高めるなどの手段が用いられ
る。例えば配線板用銅張積層板の製造において、接合力
の高いエポキシ樹脂等を用いるとともに、表面に微小な
凹凸を多数有している電解銅箔が用いられたりして比較
的高い接合力が得られている。
【０００３】また多層配線板においては、内層材の粗面
化されていない銅箔の表面と有機絶縁物との接合が必要
になる。このため、銅の表面処理が必要であり、その方
法として機械的な方法および化学的な方法がある。一般
的には、アルカリ溶液中で亜塩素酸ナトリウムにより銅
を酸化させ、表面に酸化銅の微小突起を形成させる黒化
処理（ブラックオキサイド）と呼ばれる方法がよく用い
られ、銅箔とプリプレグ樹脂との高い接合力が得られ
る。
化されていない銅箔の表面と有機絶縁物との接合が必要
になる。このため、銅の表面処理が必要であり、その方
法として機械的な方法および化学的な方法がある。一般
的には、アルカリ溶液中で亜塩素酸ナトリウムにより銅
を酸化させ、表面に酸化銅の微小突起を形成させる黒化
処理（ブラックオキサイド）と呼ばれる方法がよく用い
られ、銅箔とプリプレグ樹脂との高い接合力が得られ
る。
【０００４】また、銅の表面を酸化処理せず接合力を高
める方法も検討されている。特開昭５６−１１８８５３
号では、シランカップリング剤の１〜２０％水溶液、ま
たはエタノール溶液中にてシラン化合物を電解銅箔の粗
面化面にコーティングした後、５０〜１５０℃で乾燥し
溶媒を除去することにより、金属と有機物との間にシラ
ン化合物を存在させて、接合力を向上させている。ま
た、特開平５−２５０４４号および特開平５−２５０４
５号では、銅回路の表面に水酸基を付与し、ついでシラ
ンカップリング剤を塗布して接合力を高めている。
める方法も検討されている。特開昭５６−１１８８５３
号では、シランカップリング剤の１〜２０％水溶液、ま
たはエタノール溶液中にてシラン化合物を電解銅箔の粗
面化面にコーティングした後、５０〜１５０℃で乾燥し
溶媒を除去することにより、金属と有機物との間にシラ
ン化合物を存在させて、接合力を向上させている。ま
た、特開平５−２５０４４号および特開平５−２５０４
５号では、銅回路の表面に水酸基を付与し、ついでシラ
ンカップリング剤を塗布して接合力を高めている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記に
示す黒化処理は銅箔と有機物の高い接合力が得られる反
面、銅酸化物、特に酸化第２銅が酸に溶解しやすいとい
う欠点がある。このため配線板の製造に当り、スルーホ
ールを形成するためにドリル加工して穴明け後スルーホ
ールめっきを行う工程があり、このときハローイング現
象という問題が発生する。
示す黒化処理は銅箔と有機物の高い接合力が得られる反
面、銅酸化物、特に酸化第２銅が酸に溶解しやすいとい
う欠点がある。このため配線板の製造に当り、スルーホ
ールを形成するためにドリル加工して穴明け後スルーホ
ールめっきを行う工程があり、このときハローイング現
象という問題が発生する。
【０００６】図７にこの現象を示したが、ハローイング
現象は酸性の各種のめっき処理液に浸漬されることによ
り、スルーホールの内壁に露出する銅回路の断面部分の
銅酸化物層が溶解されるものである。図７に示すよう
に、スルーホール１の内周から内層銅回路２の黒化処理
面３と絶縁樹脂４との界面を酸が浸入し、この部分の黒
化処理層が溶解されるので接合力が損なわれるものであ
る。
現象は酸性の各種のめっき処理液に浸漬されることによ
り、スルーホールの内壁に露出する銅回路の断面部分の
銅酸化物層が溶解されるものである。図７に示すよう
に、スルーホール１の内周から内層銅回路２の黒化処理
面３と絶縁樹脂４との界面を酸が浸入し、この部分の黒
化処理層が溶解されるので接合力が損なわれるものであ
る。
【０００７】ハローイング現象防止のため、酸化銅を銅
に還元する方法があり、特開平３−２６８３８９号およ
び特開平３−２８３４９４号に報告されている。しか
し、いずれもプロセスが複雑であり、薬液残さによる腐
食および還元ムラが生じ、必要な接合力が得られない恐
れがある。
に還元する方法があり、特開平３−２６８３８９号およ
び特開平３−２８３４９４号に報告されている。しか
し、いずれもプロセスが複雑であり、薬液残さによる腐
食および還元ムラが生じ、必要な接合力が得られない恐
れがある。
【０００８】また、特開昭５６−１１８８５３号は、シ
ラン化合物溶液をコーティングして銅の表面を酸化処理
せず接合力を高める方法である。さらに、特開平５−２
５０４４号および特開平５−２５０４５号は銅回路の表
面に水酸基を付与した後、シランカップリング剤を塗布
して接合力を高めるようにしたものである。しかし、こ
れらの方法もプロセスが複雑であり、コーティングムラ
や乾燥後の薬液残さによる接合不良が発生しやすく、や
はり、同様な問題点が残るため本利用分野において満足
できるレベルにあるとはいえない。
ラン化合物溶液をコーティングして銅の表面を酸化処理
せず接合力を高める方法である。さらに、特開平５−２
５０４４号および特開平５−２５０４５号は銅回路の表
面に水酸基を付与した後、シランカップリング剤を塗布
して接合力を高めるようにしたものである。しかし、こ
れらの方法もプロセスが複雑であり、コーティングムラ
や乾燥後の薬液残さによる接合不良が発生しやすく、や
はり、同様な問題点が残るため本利用分野において満足
できるレベルにあるとはいえない。
【０００９】本発明は以上の点に鑑みて成されたもので
あり、上述したハローイング現象や薬液残さによる腐
食、接合不良等の問題点が発生せず、簡単なプロセスに
よる信頼性の高い金属と有機物の接合方法と、その方法
により導体金属と有機絶縁物とを接合した高接合信頼性
を有する配線板とを提供するものである。
あり、上述したハローイング現象や薬液残さによる腐
食、接合不良等の問題点が発生せず、簡単なプロセスに
よる信頼性の高い金属と有機物の接合方法と、その方法
により導体金属と有機絶縁物とを接合した高接合信頼性
を有する配線板とを提供するものである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明の金属と有機物の
接合方法は、金属または有機物の表面に接合促進層を気
相合成にて形成した後、前記金属に有機物を、または前
記有機物に金属を接合することを特徴として構成され
る。さらに詳しくは、以下に説明する各々の事項を、特
に好ましい特徴として構成している。
接合方法は、金属または有機物の表面に接合促進層を気
相合成にて形成した後、前記金属に有機物を、または前
記有機物に金属を接合することを特徴として構成され
る。さらに詳しくは、以下に説明する各々の事項を、特
に好ましい特徴として構成している。
【００１１】金属として使用状態で固体のもの、例えば
銅、ニッケル、金、アルミニウム、鉄またはステンレス
等が用いられる。これらの表面に接合促進層が気相合成
により形成され、エポキシ樹脂、ポリエステル樹脂等の
有機物が接合される。また、金属として析出物も用いら
れる。例えば、銅、ニッケルまたは金等を主成分としパ
ラジウム、白金、燐またはホウ素等の主成分析出用触媒
金属を副成分とするめっき析出物等も用いられる。これ
らは合成樹脂の成形品等の有機物に接合促進層が気相合
成により形成された後、その表面にめっき析出されて接
合する。
銅、ニッケル、金、アルミニウム、鉄またはステンレス
等が用いられる。これらの表面に接合促進層が気相合成
により形成され、エポキシ樹脂、ポリエステル樹脂等の
有機物が接合される。また、金属として析出物も用いら
れる。例えば、銅、ニッケルまたは金等を主成分としパ
ラジウム、白金、燐またはホウ素等の主成分析出用触媒
金属を副成分とするめっき析出物等も用いられる。これ
らは合成樹脂の成形品等の有機物に接合促進層が気相合
成により形成された後、その表面にめっき析出されて接
合する。
【００１２】前述の金属または有機物の表面に凹凸形
成、表面の汚染層および酸化層の除去等の活性化処理を
行うことにより、接合促進層を強固に金属表面に接合さ
せることができる。この活性化処理は、バフ研磨等の機
械的研磨、ソフトエッチング等の化学処理、およびプラ
ズマ処理およびイオンビーム処理等の気相処理を施すこ
とによってなされる。
成、表面の汚染層および酸化層の除去等の活性化処理を
行うことにより、接合促進層を強固に金属表面に接合さ
せることができる。この活性化処理は、バフ研磨等の機
械的研磨、ソフトエッチング等の化学処理、およびプラ
ズマ処理およびイオンビーム処理等の気相処理を施すこ
とによってなされる。
【００１３】接合促進層の膜形成用材料は有機チタン系
化合物または有機珪素系化合物等が使用される。特に好
ましくは有機珪素系化合物が使用され、有機珪素系化合
物としてはγーアミノプロピルトリエトキシシラン、γ
ーグリシドキシメトキシシラン、Ｎーβーアミノエチル
ーγーアミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎーフェニ
ルーγーアミノプロピルトリメトキシシラン、γーメル
カプトプロピルトリメトキシシラン、γーグリシドキシ
プロピルメチルジエトキシシラン、ビニルトリエトキシ
シランおよびγーメタクリロキシプロピルトリメトキシ
シラン等の一般的にシランカップリング剤と呼ばれるも
のを使用する。
化合物または有機珪素系化合物等が使用される。特に好
ましくは有機珪素系化合物が使用され、有機珪素系化合
物としてはγーアミノプロピルトリエトキシシラン、γ
ーグリシドキシメトキシシラン、Ｎーβーアミノエチル
ーγーアミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎーフェニ
ルーγーアミノプロピルトリメトキシシラン、γーメル
カプトプロピルトリメトキシシラン、γーグリシドキシ
プロピルメチルジエトキシシラン、ビニルトリエトキシ
シランおよびγーメタクリロキシプロピルトリメトキシ
シラン等の一般的にシランカップリング剤と呼ばれるも
のを使用する。
【００１４】気相合成としては、有機珪素系化合物等を
気化またはプラズマ化させて有機物または金属上に重合
させて接合促進層を形成する。このとき有機物または金
属を加熱させることもある。また、有機珪素系化合物等
を気化またはプラズマ化させるとき、水素、酸素、水蒸
気、またはそれらの二種から成る混合ガスをアシストガ
スとして、同時に気化またはプラズマ化させることもあ
る。このようにすることにより、重合反応が進みやすく
なる。
気化またはプラズマ化させて有機物または金属上に重合
させて接合促進層を形成する。このとき有機物または金
属を加熱させることもある。また、有機珪素系化合物等
を気化またはプラズマ化させるとき、水素、酸素、水蒸
気、またはそれらの二種から成る混合ガスをアシストガ
スとして、同時に気化またはプラズマ化させることもあ
る。このようにすることにより、重合反応が進みやすく
なる。
【００１５】気相合成時に、接合促進層が形成される有
機物または金属の表面に、エキシマレーザー、ＹＡＧレ
ーザー、炭酸ガスレーザー、アルゴンレーザーおよびＵ
Ｖ光等のエネルギービームを照射することにより、照射
部分の有機珪素系化合物等の重合反応を特に進ませる。
またはガス種に応じたイオンビームおよび電子ビーム等
の粒子ビームを照射することにより、同様に照射部分の
有機珪素系化合物等の重合反応を特に進ませる。
機物または金属の表面に、エキシマレーザー、ＹＡＧレ
ーザー、炭酸ガスレーザー、アルゴンレーザーおよびＵ
Ｖ光等のエネルギービームを照射することにより、照射
部分の有機珪素系化合物等の重合反応を特に進ませる。
またはガス種に応じたイオンビームおよび電子ビーム等
の粒子ビームを照射することにより、同様に照射部分の
有機珪素系化合物等の重合反応を特に進ませる。
【００１６】以上のようにして接合促進層を形成した
後、５０〜１５０℃で焼き付けること、および水素、酸
素、水蒸気、またはそれらの二種以上より成る混合ガス
のプラズマに晒すことにより重合をさらに進ませてもよ
い。
後、５０〜１５０℃で焼き付けること、および水素、酸
素、水蒸気、またはそれらの二種以上より成る混合ガス
のプラズマに晒すことにより重合をさらに進ませてもよ
い。
【００１７】接合促進層の厚みは、１０〜２０００オン
グストロームの範囲が好ましい。これより薄いと接合力
を高める効果が小さく、逆にこれより厚いと接合促進層
の内部破壊による剥離が顕著になり、スルーホール加工
時に接合促進層が酸に浸食され、ハローイング現象が発
生しやすくなる。
グストロームの範囲が好ましい。これより薄いと接合力
を高める効果が小さく、逆にこれより厚いと接合促進層
の内部破壊による剥離が顕著になり、スルーホール加工
時に接合促進層が酸に浸食され、ハローイング現象が発
生しやすくなる。
【００１８】有機物としては、ガラスクロス等の基材に
エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂を溶剤に溶かして塗布ま
たは含浸し、さらに乾燥して半硬化状態にしてプリプレ
グとしたもの、または高融点の熱可塑性樹脂を同様にし
て塗布または含浸し、乾燥してプレプリグとしたもの、
あるいは半硬化状態の樹脂板等を使用する。これらは接
合促進層の形成された金属に接合される。また、ポリエ
ーテルイミド、ポリサルフォン等の熱可塑性樹脂を溶融
後形状形成、またはエポキシ樹脂、ポリエステル樹脂等
の熱硬化性樹脂を加熱硬化させて形状形成して用いら
れ、これらには接合促進層が形成され、析出物等の金属
が接合する。
エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂を溶剤に溶かして塗布ま
たは含浸し、さらに乾燥して半硬化状態にしてプリプレ
グとしたもの、または高融点の熱可塑性樹脂を同様にし
て塗布または含浸し、乾燥してプレプリグとしたもの、
あるいは半硬化状態の樹脂板等を使用する。これらは接
合促進層の形成された金属に接合される。また、ポリエ
ーテルイミド、ポリサルフォン等の熱可塑性樹脂を溶融
後形状形成、またはエポキシ樹脂、ポリエステル樹脂等
の熱硬化性樹脂を加熱硬化させて形状形成して用いら
れ、これらには接合促進層が形成され、析出物等の金属
が接合する。
【００１９】以上のようにして得られた金属と有機物を
接触状態にして、加熱、加圧、または積層成形のように
加熱と加圧を同時に行うことにより接合することができ
る。
接触状態にして、加熱、加圧、または積層成形のように
加熱と加圧を同時に行うことにより接合することができ
る。
【００２０】銅箔等の導体金属箔に、本発明の接合方法
による接合促進層を形成した後、エポキシ樹脂等のプリ
プレグと組み合わせて積層成形し、金属箔を有する積層
板を得る。このようにして得た積層板に対して、エッチ
ング法等の公知の方法により導体回路を形成して配線板
を製造する。さらに、このようにして得た配線板を内層
配線板とし、この内層配線板の導体金属に本発明の接合
方法による接合促進層を形成した後、この内層配線板と
プリプレグと外層用導体金属箔とを組み合わせて多層成
形を行い、パネルめっき法等の公知の方法により導体回
路を形成して多層配線板を製造する。
による接合促進層を形成した後、エポキシ樹脂等のプリ
プレグと組み合わせて積層成形し、金属箔を有する積層
板を得る。このようにして得た積層板に対して、エッチ
ング法等の公知の方法により導体回路を形成して配線板
を製造する。さらに、このようにして得た配線板を内層
配線板とし、この内層配線板の導体金属に本発明の接合
方法による接合促進層を形成した後、この内層配線板と
プリプレグと外層用導体金属箔とを組み合わせて多層成
形を行い、パネルめっき法等の公知の方法により導体回
路を形成して多層配線板を製造する。
【００２１】アルミニウム、鉄、ステンレス等のベース
となる金属基板に、本発明の接合方法による接合促進層
を形成した後、プリプレグと銅箔等の導体金属箔とを組
み合わせて積層成形し、さらにエッチング法等の公知の
方法により導体回路を形成して金属ベース配線板を製造
する。
となる金属基板に、本発明の接合方法による接合促進層
を形成した後、プリプレグと銅箔等の導体金属箔とを組
み合わせて積層成形し、さらにエッチング法等の公知の
方法により導体回路を形成して金属ベース配線板を製造
する。
【００２２】樹脂を溶融させて形状形成した立体成形品
の表面に、本発明の接合方法による接合促進層を形成し
た後、金属膜を気相法または湿式法等により形成するこ
とにより立体配線板を製造する。導体回路形成は公知の
方法を用いることもできるが、接合促進層形成時にエネ
ルギービームまたは粒子ビームを回路形状に照射しこの
部分の接合力を強めることで、回路形成することもでき
る。
の表面に、本発明の接合方法による接合促進層を形成し
た後、金属膜を気相法または湿式法等により形成するこ
とにより立体配線板を製造する。導体回路形成は公知の
方法を用いることもできるが、接合促進層形成時にエネ
ルギービームまたは粒子ビームを回路形状に照射しこの
部分の接合力を強めることで、回路形成することもでき
る。
【００２３】
【作用】以上の構成によって実施される金属と有機物の
接合方法によれば、簡単な気相合成のプロセスにより、
酸化銅皮膜が存在しない接合促進層が形成される。接合
促進層の形成される金属表面には活性化処理が施されて
いるので接合促進層の接合力が向上する。
接合方法によれば、簡単な気相合成のプロセスにより、
酸化銅皮膜が存在しない接合促進層が形成される。接合
促進層の形成される金属表面には活性化処理が施されて
いるので接合促進層の接合力が向上する。
【００２４】さらに接合信頼性の高い本発明の接合方法
が、配線板の有機絶縁物と導体金属との接合に用いられ
ている。
が、配線板の有機絶縁物と導体金属との接合に用いられ
ている。
【００２５】
【実施例】以下、本発明を実施例により具体的に説明す
る。
る。
【００２６】実施例１ 両面に３５μｍ厚みの銅箔を有する０．７ｍｍ厚みのガ
ラス布基材エポキシ樹脂積層板を用いて、エッチング法
により内層配線板７を作製した。この内層配線板７の表
面に活性化処理として、通常の黒化処理に用いられる条
件と同じ処理条件にて、バフ研磨後、脱脂処理を実施し
た。この前処理は、内層配線板７の銅回路表面への微細
凹凸形成、油成分および防錆剤等の表面汚染層並びに表
面酸化層の除去、並びに表面を化学的に活性化して、内
層銅回路と接合促進層との接合力を高める目的で実施し
た。
ラス布基材エポキシ樹脂積層板を用いて、エッチング法
により内層配線板７を作製した。この内層配線板７の表
面に活性化処理として、通常の黒化処理に用いられる条
件と同じ処理条件にて、バフ研磨後、脱脂処理を実施し
た。この前処理は、内層配線板７の銅回路表面への微細
凹凸形成、油成分および防錆剤等の表面汚染層並びに表
面酸化層の除去、並びに表面を化学的に活性化して、内
層銅回路と接合促進層との接合力を高める目的で実施し
た。
【００２７】なお、バフ研磨等の機械的研磨に限るもの
ではなく、薬液を用いた化学研磨並びにプラズマ、イオ
ンビームおよびレーザー等の高エネルギー加工を用いて
もよい。
ではなく、薬液を用いた化学研磨並びにプラズマ、イオ
ンビームおよびレーザー等の高エネルギー加工を用いて
もよい。
【００２８】次に、図１に示すプラズマ加工装置を用
い、（表１）に示す処理条件により、接合促進層となる
有機珪素化合物としてγ−アミノプロピルエトキシシラ
ン使用して、重合膜を気相法により合成した。有機珪素
系化合物としてはこの他にγーグリシドキシメトキシシ
ラン、Ｎーβーアミノエチルーγーアミノプロピルトリ
メトキシシラン、Ｎーフェニルーγーアミノプロピルト
リメトキシシラン、γーメルカプトプロピルトリメトキ
シシラン、γーグリシドキシプロピルメチルジエトキシ
シラン、ビニルトリエトキシシランおよびγーメタクリ
ロキシプロピルトリメトキシシラン等の一般的にシラン
カップリング剤と呼ばれるものを使用することができ
る。
い、（表１）に示す処理条件により、接合促進層となる
有機珪素化合物としてγ−アミノプロピルエトキシシラ
ン使用して、重合膜を気相法により合成した。有機珪素
系化合物としてはこの他にγーグリシドキシメトキシシ
ラン、Ｎーβーアミノエチルーγーアミノプロピルトリ
メトキシシラン、Ｎーフェニルーγーアミノプロピルト
リメトキシシラン、γーメルカプトプロピルトリメトキ
シシラン、γーグリシドキシプロピルメチルジエトキシ
シラン、ビニルトリエトキシシランおよびγーメタクリ
ロキシプロピルトリメトキシシラン等の一般的にシラン
カップリング剤と呼ばれるものを使用することができ
る。
【００２９】図１において、６はプラズマ加工の行われ
る真空槽である。まず、前述の活性化処理を行った内層
配線板７が入れられた後、真空バルブ８を経て油回転ポ
ンプ９により減圧される。１０は基板加熱用ヒーターで
ある。アシストガスはガスボンベ１１より、ガスバルブ
１２を経て供給され、γ−アミノプロピルエトキシシラ
ンは、原料タンク１３に入っており、オイルバス１４で
加熱され、その気化ガスがガスバルブ１５を経て供給さ
れる。真空槽６内が所定の雰囲気にコントロールされた
後、高周波電源１６により、放電電極１７とアース電極
１８との間にプラズマ１９を発生し、内層配線板７の表
面にγ−アミノプロピルエトキシシランの重合膜が合成
される。
る真空槽である。まず、前述の活性化処理を行った内層
配線板７が入れられた後、真空バルブ８を経て油回転ポ
ンプ９により減圧される。１０は基板加熱用ヒーターで
ある。アシストガスはガスボンベ１１より、ガスバルブ
１２を経て供給され、γ−アミノプロピルエトキシシラ
ンは、原料タンク１３に入っており、オイルバス１４で
加熱され、その気化ガスがガスバルブ１５を経て供給さ
れる。真空槽６内が所定の雰囲気にコントロールされた
後、高周波電源１６により、放電電極１７とアース電極
１８との間にプラズマ１９を発生し、内層配線板７の表
面にγ−アミノプロピルエトキシシランの重合膜が合成
される。
【００３０】
【表１】
【００３１】本実施例ではアシストガスとして酸素を用
いたが、水素もしくは水蒸気または酸素と水蒸気もしく
は水素と水蒸気の混合ガスを用いてもよい。
いたが、水素もしくは水蒸気または酸素と水蒸気もしく
は水素と水蒸気の混合ガスを用いてもよい。
【００３２】このように、有機珪素系化合物を用いて気
相合成を行うことにより、まず被接合物である金属また
は有機物の表面上に、有機珪素系化合物が（化１）に示
す反応により加水分解して重合し、強固に接合するとと
もに、有機珪素系化合物のカップリング効果が働き、相
手の金属または有機化合物に対して強い接合がなされ
る。
相合成を行うことにより、まず被接合物である金属また
は有機物の表面上に、有機珪素系化合物が（化１）に示
す反応により加水分解して重合し、強固に接合するとと
もに、有機珪素系化合物のカップリング効果が働き、相
手の金属または有機化合物に対して強い接合がなされ
る。
【００３３】
【化１】
【００３４】上記プラズマ重合によって膜形成を行った
内層配線板７に対し、後処理として温度２０℃、湿度６
５％ＲＨ雰囲気で２時間放置後、温度１５０℃で３時間
加熱処理して、焼き付けを行い重合膜をより緻密化させ
た。
内層配線板７に対し、後処理として温度２０℃、湿度６
５％ＲＨ雰囲気で２時間放置後、温度１５０℃で３時間
加熱処理して、焼き付けを行い重合膜をより緻密化させ
た。
【００３５】これらの処理を施して形成された、内層配
線板７上の珪素系化合物の膜厚は、１００オングストロ
ームであった。
線板７上の珪素系化合物の膜厚は、１００オングストロ
ームであった。
【００３６】図２に示すように、この内層配線板７を用
い４層構成の多層配線板を作成した。ガラス布基材にエ
ポキシ樹脂を含浸乾燥して調整した厚み０．１ｍｍのプ
リプレグ２０を内層配線板７の上下に３枚ずつ重ねると
ともに、さらにその外側に外層用導体金属箔として厚み
１８μｍの銅箔２１を重ねて、６７００パスカルに減圧
した雰囲気で、温度１７０℃、圧力４０Ｋｇｆ／ｃｍ2
で２時間多層成形した。この後、パターンめっき法等の
公知の方法により導体回路を形成し、４層回路構成の多
層配線板を得た。
い４層構成の多層配線板を作成した。ガラス布基材にエ
ポキシ樹脂を含浸乾燥して調整した厚み０．１ｍｍのプ
リプレグ２０を内層配線板７の上下に３枚ずつ重ねると
ともに、さらにその外側に外層用導体金属箔として厚み
１８μｍの銅箔２１を重ねて、６７００パスカルに減圧
した雰囲気で、温度１７０℃、圧力４０Ｋｇｆ／ｃｍ2
で２時間多層成形した。この後、パターンめっき法等の
公知の方法により導体回路を形成し、４層回路構成の多
層配線板を得た。
【００３７】このようにして得た多層配線板について、
銅箔引きはがし強度、煮沸半田耐熱性、耐塩酸性の試験
を行った。銅箔引きはがし強度の試験は、常態および２
時間煮沸処理後、および内層配線板の銅回路を形成する
３５μｍ銅箔とプリプレグによる絶縁接合層との引きは
がし強度を測定することにより行った。煮沸半田耐熱性
の試験は５０ｍｍ角サイズ５枚の多層配線板を、２時間
煮沸処理し、さらに２６０℃半田浴に３０秒浸漬した
後、その外観を観察して、デラミネーションが発生した
枚数で表した。耐塩酸性試験は、多層配線板に０．４ｍ
ｍφのドリルビットを用いて８００００ｒｐｍの回転数
で穴明けし、この穴明けした多層配線板を２５℃に調製
した１７．４％塩酸水溶液に１０分間浸漬した後、内層
配線板を１００倍の顕微鏡で観察して、スルーホール内
にハローイング現象が発生しているか否かを評価した。
銅箔引きはがし強度、煮沸半田耐熱性、耐塩酸性の試験
を行った。銅箔引きはがし強度の試験は、常態および２
時間煮沸処理後、および内層配線板の銅回路を形成する
３５μｍ銅箔とプリプレグによる絶縁接合層との引きは
がし強度を測定することにより行った。煮沸半田耐熱性
の試験は５０ｍｍ角サイズ５枚の多層配線板を、２時間
煮沸処理し、さらに２６０℃半田浴に３０秒浸漬した
後、その外観を観察して、デラミネーションが発生した
枚数で表した。耐塩酸性試験は、多層配線板に０．４ｍ
ｍφのドリルビットを用いて８００００ｒｐｍの回転数
で穴明けし、この穴明けした多層配線板を２５℃に調製
した１７．４％塩酸水溶液に１０分間浸漬した後、内層
配線板を１００倍の顕微鏡で観察して、スルーホール内
にハローイング現象が発生しているか否かを評価した。
【００３８】この結果、銅箔引きはがし強度は常態で
１．８Ｋｇｆ／ｃｍ、２時間煮沸処理後で１．６Ｋｇｆ
／ｃｍの強度が得られた。煮沸半田耐熱性はデラミネー
ションの発生がなく良好であった。また、耐塩酸性もハ
ローイング現象の発生がなく良好であった。
１．８Ｋｇｆ／ｃｍ、２時間煮沸処理後で１．６Ｋｇｆ
／ｃｍの強度が得られた。煮沸半田耐熱性はデラミネー
ションの発生がなく良好であった。また、耐塩酸性もハ
ローイング現象の発生がなく良好であった。
【００３９】実施例２ 樹脂としてポリエーテルイミド（日本ＧＥプラスチック
社製ウルテム１０００）を用い、溶融させて形状形成す
る手段として射出成形を行って、立体射出成形品２２を
得た。この立体射出成形品２２に対して、素材アニール
処理を温度２００℃で３時間行い、次にアルコール浸漬
処理を温度２３℃で３０秒浸漬し、さらにクロム酸によ
るエッチング処理を温度７０℃で１０分間実施した。こ
の処理は、表面への微細凹凸形成、油成分および防錆剤
等の表面汚染層並びに表面酸化層の除去、並びに表面を
化学的に活性化し、立体射出成形品２２と接合促進層と
の接合力を高める目的で行った。
社製ウルテム１０００）を用い、溶融させて形状形成す
る手段として射出成形を行って、立体射出成形品２２を
得た。この立体射出成形品２２に対して、素材アニール
処理を温度２００℃で３時間行い、次にアルコール浸漬
処理を温度２３℃で３０秒浸漬し、さらにクロム酸によ
るエッチング処理を温度７０℃で１０分間実施した。こ
の処理は、表面への微細凹凸形成、油成分および防錆剤
等の表面汚染層並びに表面酸化層の除去、並びに表面を
化学的に活性化し、立体射出成形品２２と接合促進層と
の接合力を高める目的で行った。
【００４０】図３に示すエキシマレーザー装置を用い、
接合促進層を気相法により合成した。真空槽６の中に、
このような前処理を行った立体射出成形品２２を入れ、
γ−アミノプロピルトリエトキシシランの揮発ガスを真
空槽６内に導入し、圧力を２トールとし、立体射出成形
品２２を８０℃に加熱した。この真空槽６内の立体射出
成形品２２にエネルギー密度０．４Ｊ／ｃｍ2 で５００
０ショットの条件でエキシマレーザー２３を窓２４を通
して照射すると、エキシマレーザー２３の照射部分に２
００オングストロームの有機珪素系化合物が重合し、堆
積した。
接合促進層を気相法により合成した。真空槽６の中に、
このような前処理を行った立体射出成形品２２を入れ、
γ−アミノプロピルトリエトキシシランの揮発ガスを真
空槽６内に導入し、圧力を２トールとし、立体射出成形
品２２を８０℃に加熱した。この真空槽６内の立体射出
成形品２２にエネルギー密度０．４Ｊ／ｃｍ2 で５００
０ショットの条件でエキシマレーザー２３を窓２４を通
して照射すると、エキシマレーザー２３の照射部分に２
００オングストロームの有機珪素系化合物が重合し、堆
積した。
【００４１】さらに後処理として、図１のプラズマ加工
装置を使用して、真空槽６内に酸素ガスを導入し圧力を
１トールとし、周波数１３．５６ＭＨｚ，電力５０Ｗ、
処理時間３分の条件でプラズマ処理をおこなった。この
後処理により、有機珪素系化合物重合膜の重縮合反応が
さらに進み、膜を緻密化させることができた。
装置を使用して、真空槽６内に酸素ガスを導入し圧力を
１トールとし、周波数１３．５６ＭＨｚ，電力５０Ｗ、
処理時間３分の条件でプラズマ処理をおこなった。この
後処理により、有機珪素系化合物重合膜の重縮合反応が
さらに進み、膜を緻密化させることができた。
【００４２】導入ガスは、重合のアシスト用として酸素
を用いたが、水素もしくは水蒸気または酸素と水蒸気も
しくは水素と水蒸気の混合ガスでもよい。
を用いたが、水素もしくは水蒸気または酸素と水蒸気も
しくは水素と水蒸気の混合ガスでもよい。
【００４３】この立体射出成形品２２に、主成分析出用
触媒としてパラジウムによる触媒付与を行い後、化学銅
めっきにより０，７５μｍの銅膜を析出させた。この
後、立体射出成形品２２を５０℃のソフトエッチング液
（過硫酸アンモニウム）に３０秒間浸漬処理を行った結
果、有機珪素系重合膜の形成されたレーザー照射部は、
樹脂、重合膜および銅が強固に接合しているためエッチ
ングされず残ったが、レーザー非照射部は接合が弱いた
め、エッチングされて消失した。このようにして、レー
ザー照射部のみに回路を形成することに成功した。この
回路形成された立体射出成形品２２に、電気銅めっきに
より３０μｍの銅を回路部に厚付けしたのち、ニッケル
めっき１５μｍ、金めっき１μｍを施し、図５に示すよ
うに立体射出成形品２２上に導体回路２５を有する立体
配線板を得た。
触媒としてパラジウムによる触媒付与を行い後、化学銅
めっきにより０，７５μｍの銅膜を析出させた。この
後、立体射出成形品２２を５０℃のソフトエッチング液
（過硫酸アンモニウム）に３０秒間浸漬処理を行った結
果、有機珪素系重合膜の形成されたレーザー照射部は、
樹脂、重合膜および銅が強固に接合しているためエッチ
ングされず残ったが、レーザー非照射部は接合が弱いた
め、エッチングされて消失した。このようにして、レー
ザー照射部のみに回路を形成することに成功した。この
回路形成された立体射出成形品２２に、電気銅めっきに
より３０μｍの銅を回路部に厚付けしたのち、ニッケル
めっき１５μｍ、金めっき１μｍを施し、図５に示すよ
うに立体射出成形品２２上に導体回路２５を有する立体
配線板を得た。
【００４４】このようにして得た立体配線板について、
銅箔引きはがし強度、煮沸半田耐熱性の評価をおこなっ
た。銅箔引きはがし強度の試験は、常態および２時間煮
沸処理後、および銅箔回路と絶縁部の樹脂との引きはが
し強度を測定することにより行った。煮沸半田耐熱性の
試験は５個の立体配線板を２時間煮沸処理し、２６０℃
の半田浴に３０秒浸漬した後の外観を観察して行い、外
観異常が発生した個数であらわす。この結果、銅引きは
がし強度は常態で１．２Ｋｇｆ／ｃｍ、２時間煮沸処理
後で１．１Ｋｇｆ／ｃｍの強度が得られた。煮沸半田耐
熱性は膨れ等の外観異常は観察されず良好であった。
銅箔引きはがし強度、煮沸半田耐熱性の評価をおこなっ
た。銅箔引きはがし強度の試験は、常態および２時間煮
沸処理後、および銅箔回路と絶縁部の樹脂との引きはが
し強度を測定することにより行った。煮沸半田耐熱性の
試験は５個の立体配線板を２時間煮沸処理し、２６０℃
の半田浴に３０秒浸漬した後の外観を観察して行い、外
観異常が発生した個数であらわす。この結果、銅引きは
がし強度は常態で１．２Ｋｇｆ／ｃｍ、２時間煮沸処理
後で１．１Ｋｇｆ／ｃｍの強度が得られた。煮沸半田耐
熱性は膨れ等の外観異常は観察されず良好であった。
【００４５】実施例３ ３ｍｍ厚のアルミニウム基板２６にアルマイト処理を施
し、絶縁体のアルミナ層を形成して表面の粗化をおこな
った。
し、絶縁体のアルミナ層を形成して表面の粗化をおこな
った。
【００４６】図５に示すイオンビーム照射装置を使用し
てこの処理を行ったアルミニウム基板２６に接合促進層
を気相合成して形成した。アルミニウム基板２６をの真
空槽６内に入れ、γ−アミノプロピルトリエトキシシラ
ンの揮発ガスを導入し、槽内圧力を１×１０-4トールと
した。真空層６内の減圧は油回転ポンプ９および粗引き
用の真空バルブ８と油拡散ポンプ３０、本バルブ３１お
よび背圧バルブ３２とによって行っている。また、アル
ミニウム基板２６は基板加熱用ヒーター１０により１０
０℃に加熱した。さらに、酸素ガスをアシストガスとし
て、ガスボンベ１１、ガスバルブ１２より導入して用い
た。イオン銃２７、イオン加速用グリッド２８により、
加速電圧５００ｅＶ、加速電流１００ｍＡの条件でイオ
ンビーム２９をアシスト照射することにより、アルミニ
ウム基板２６の表面に１５０オングストロームのγ−ア
ミノプロピルトリエトキシシランが重合し、堆積した。
てこの処理を行ったアルミニウム基板２６に接合促進層
を気相合成して形成した。アルミニウム基板２６をの真
空槽６内に入れ、γ−アミノプロピルトリエトキシシラ
ンの揮発ガスを導入し、槽内圧力を１×１０-4トールと
した。真空層６内の減圧は油回転ポンプ９および粗引き
用の真空バルブ８と油拡散ポンプ３０、本バルブ３１お
よび背圧バルブ３２とによって行っている。また、アル
ミニウム基板２６は基板加熱用ヒーター１０により１０
０℃に加熱した。さらに、酸素ガスをアシストガスとし
て、ガスボンベ１１、ガスバルブ１２より導入して用い
た。イオン銃２７、イオン加速用グリッド２８により、
加速電圧５００ｅＶ、加速電流１００ｍＡの条件でイオ
ンビーム２９をアシスト照射することにより、アルミニ
ウム基板２６の表面に１５０オングストロームのγ−ア
ミノプロピルトリエトキシシランが重合し、堆積した。
【００４７】本実施例では、アシスト用として酸素イオ
ンビームを用いたが、水素イオンビームまたは水蒸気イ
オンビームでもよい。また、酸素と水蒸気または水素と
水蒸気の混合イオンビームでもよい。
ンビームを用いたが、水素イオンビームまたは水蒸気イ
オンビームでもよい。また、酸素と水蒸気または水素と
水蒸気の混合イオンビームでもよい。
【００４８】図６に示すように、このアルミニウム基板
２６のγ−アミノプロピルエトキシシラン重合膜層形成
面３３に、ガラス布基材にエポキシ樹脂を含浸乾燥して
調整した厚み０．１ｍｍのプリプレグ２０を５枚重ね、
さらにその外側に導体金属箔として厚み１８μｍの銅箔
２１を重ねてビルドアップした。６７００パスカルに減
圧した雰囲気で、温度１７０℃、圧力４０Ｋｇｆ／ｃｍ
2 で２時間の条件で積層成形した。この後、エッチング
法等の公知の方法により導体回路を形成し、アルミニウ
ムベースの配線板を得た。
２６のγ−アミノプロピルエトキシシラン重合膜層形成
面３３に、ガラス布基材にエポキシ樹脂を含浸乾燥して
調整した厚み０．１ｍｍのプリプレグ２０を５枚重ね、
さらにその外側に導体金属箔として厚み１８μｍの銅箔
２１を重ねてビルドアップした。６７００パスカルに減
圧した雰囲気で、温度１７０℃、圧力４０Ｋｇｆ／ｃｍ
2 で２時間の条件で積層成形した。この後、エッチング
法等の公知の方法により導体回路を形成し、アルミニウ
ムベースの配線板を得た。
【００４９】このようにして得たアルミニウムベース配
線板について、アルミニウムとプリプレグ有機物間の引
きはがし強度測定および煮沸半田耐熱性の試験を行っ
た。引きはがし強度の試験は常態および２時間煮沸処理
後について行った。煮沸半田耐熱性の試験は５０ｍｍ角
サイズ５枚のアルミニウムベース配線板を、２時間煮沸
処理し、さらに２６０℃の半田浴に３０秒浸漬した後評
価した。この結果、銅箔引きはがし強度は常態で１．７
Ｋｇｆ／ｃｍ、２時間煮沸処理後で１．５Ｋｇｆ／ｃｍ
の強度が得られた。煮沸半田耐熱性はデラミネーション
の発生がなく良好であった。
線板について、アルミニウムとプリプレグ有機物間の引
きはがし強度測定および煮沸半田耐熱性の試験を行っ
た。引きはがし強度の試験は常態および２時間煮沸処理
後について行った。煮沸半田耐熱性の試験は５０ｍｍ角
サイズ５枚のアルミニウムベース配線板を、２時間煮沸
処理し、さらに２６０℃の半田浴に３０秒浸漬した後評
価した。この結果、銅箔引きはがし強度は常態で１．７
Ｋｇｆ／ｃｍ、２時間煮沸処理後で１．５Ｋｇｆ／ｃｍ
の強度が得られた。煮沸半田耐熱性はデラミネーション
の発生がなく良好であった。
【００５０】なお、本実施例ではエポキシ樹脂のプリプ
レグを用いたが、低粘土の熱硬化ポリエステル樹脂等を
用い、減圧下で脱気しながら加熱することで、加圧する
ことなしに配線板を得ることもできる。また、低温硬化
タイプの樹脂を用いることにより、加熱せず加圧のみで
配線板を得ることもできる。
レグを用いたが、低粘土の熱硬化ポリエステル樹脂等を
用い、減圧下で脱気しながら加熱することで、加圧する
ことなしに配線板を得ることもできる。また、低温硬化
タイプの樹脂を用いることにより、加熱せず加圧のみで
配線板を得ることもできる。
【００５１】
【発明の効果】本発明の金属と有機物の接合方法によれ
ば、気相合成により有機珪素系化合物等の接合促進層を
形成しているので、従来例に示すような酸化銅皮膜が原
因となるハローイング現象が起こることがなく、処理ム
ラも発生しない。また、有機珪素系化合物等の溶液のコ
ーテングに起因する処理ムラおよび乾燥後の薬液残さに
よる接合不良の問題も生じない。従って、均一な高い接
合力が安定して得られ、高信頼性の金属と有機物の接合
が、簡単な気相合成プロセスにより実現する。
ば、気相合成により有機珪素系化合物等の接合促進層を
形成しているので、従来例に示すような酸化銅皮膜が原
因となるハローイング現象が起こることがなく、処理ム
ラも発生しない。また、有機珪素系化合物等の溶液のコ
ーテングに起因する処理ムラおよび乾燥後の薬液残さに
よる接合不良の問題も生じない。従って、均一な高い接
合力が安定して得られ、高信頼性の金属と有機物の接合
が、簡単な気相合成プロセスにより実現する。
【００５２】さらに本発明の接合方法により、有機絶縁
物と導体金属とを接合することにより、接合信頼性の高
い配線板が得られる。
物と導体金属とを接合することにより、接合信頼性の高
い配線板が得られる。
【００５３】特に、内層配線板とプリプレグを多数組み
合わせて積層成形する多層配線板の製造において、内層
配線板に本発明の接合促進層を形成する処理を施してい
るので、この接合促進層のカップリング効果によって、
内層銅回路表面とプリプレグの有機物との接合力を高め
る効果を奏する。そしてこの多層配線板にスルーホール
を形成するために、ドリル加工により穴明けしスルーホ
ールめっきを施した場合においても、従来のように酸化
処理層が存在しないので、ハローイング現象が全く生じ
ないという効果を奏する。
合わせて積層成形する多層配線板の製造において、内層
配線板に本発明の接合促進層を形成する処理を施してい
るので、この接合促進層のカップリング効果によって、
内層銅回路表面とプリプレグの有機物との接合力を高め
る効果を奏する。そしてこの多層配線板にスルーホール
を形成するために、ドリル加工により穴明けしスルーホ
ールめっきを施した場合においても、従来のように酸化
処理層が存在しないので、ハローイング現象が全く生じ
ないという効果を奏する。
【００５４】この効果は、積層板に銅回路を設けること
によって形成した内層配線板を用い、その内層回路を処
理するようにした上記の例に限られるものではなく、例
えば、銅板または銅箔をプリント配線板内に内層させる
ことによって銅板自身で電源回路層などを形成する場合
においても、接合力を高めるとともにハローイング現象
の発生を防止する効果を奏する。
によって形成した内層配線板を用い、その内層回路を処
理するようにした上記の例に限られるものではなく、例
えば、銅板または銅箔をプリント配線板内に内層させる
ことによって銅板自身で電源回路層などを形成する場合
においても、接合力を高めるとともにハローイング現象
の発生を防止する効果を奏する。
【図１】プラズマ加工装置の構成を示す概略図である。
【図２】実施例１の多層配線板の構成を示す概略図であ
る。
る。
【図３】エキシマレーザー加工装置の構成を示す概略図
である。
である。
【図４】実施例２の立体射出配線板の構成を示す概略図
である。
である。
【図５】イオンビーム加工装置の構成を示す概略図であ
る。
る。
【図６】実施例３のアルミニウムベース配線板の構成を
示す概略図である。
示す概略図である。
【図７】従来の多層配線板のスルーホール部におけるハ
ローイング現象発生状況を示す断面図である。
ローイング現象発生状況を示す断面図である。
１ スルーホール ２ 内層銅回路 ３ 黒化処理面 ４ 絶縁樹脂 ５ ハローイング現象発生部分 ６ 真空槽 ７ 内層配線板 ８ 真空バルブ ９ 油回転ポンプ １０ 基板加熱用ヒーター １１ ガスボンベ １２ ガスバルブ １３ 原料タンク １４ オイルバス １５ ガスバルブ １６ 高周波電源 １７ 放電用電極 １８ アース電極 １９ プラズマ ２０ プリプレグ ２１ 銅箔 ２２ 立体射出成形品 ２３ エキシマレーザー ２４ 窓 ２５ 導体回路 ２６ アルミニウム基板 ２７ イオン銃 ２８ イオン加速用グリッド ２９ イオンビーム ３０ 油拡散ポンプ ３１ 本バルブ ３２ 背圧バルブ ３３ γ−アミノプロピルエトキシシラン重合膜層形成
面
面
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０５Ｋ 3/46 Ｇ 6921−4Ｅ
Claims (13)
- 【請求項１】 金属または有機物の表面に接合促進層を
気相合成して形成した後、前記金属に有機物または前記
有機物に金属を接合することを特徴とする金属と有機物
の接合方法。 - 【請求項２】 有機物に接合促進層を形成し、金属を析
出させて接合することを特徴とする請求項１記載の金属
と有機物の接合方法。 - 【請求項３】 金属または有機物の表面に活性化処理を
行った後、その表面に接合促進層を形成することを特徴
とする請求項１記載の金属と有機物の接合方法。 - 【請求項４】 有機珪素系化合物を気化させることによ
り、金属または有機物の表面で重合させて接合促進層を
形成することを特徴とする請求項１記載の金属と有機物
の接合方法。 - 【請求項５】 有機珪素系化合物をプラズマ化させるこ
とにより、金属または有機物の表面で重合させて接合促
進層を形成することを特徴とする請求項１記載の金属と
有機物の接合方法。 - 【請求項６】 アシストガスを用いるとともに、有機珪
素系化合物またはアシストガスの少なくとも一方をプラ
ズマ化させることにより、金属または有機物の表面で重
合させて接合促進層を形成することを特徴とする請求項
１記載の金属と有機物の接合方法。 - 【請求項７】 有機珪素系化合物を気化させるととも
に、金属または有機物表面にエネルギービームまたは粒
子ビームを照射し、照射箇所の重合を進めて接合促進層
を形成することを特徴とする請求項１記載の金属と有機
物の接合方法。 - 【請求項８】 接合促進層を形成した後、５０〜２００
℃で加熱処理して接合に供することを特徴とする請求項
４、５、６または７記載の金属と有機物の接合方法。 - 【請求項９】 接合促進層を形成した後、プラズマに晒
す処理を行って接合に供することを特徴とする請求項
４、５、６または７記載の金属と有機物の接合方法。 - 【請求項１０】 導体金属箔とプリプレグとを積層成形
してなる配線板の製造方法において、前記導体金属箔表
面に接合促進層を気相合成して形成した後、前記プリプ
レグと接合させることを特徴とする配線板の製造方法。 - 【請求項１１】 内層配線板とプリプレグと外層用導体
金属箔とを多層成形してなる多層配線板の製造方法にお
いて、内層配線板の導体金属表面に接合促進層を気相合
成して形成した後、前記プリプレグと接合させることを
特徴とする多層配線板の製造方法。 - 【請求項１２】 ベース金属とプリプレグと導体金属箔
とを積層成形してなる金属ベース配線板の製造方法にお
いて、ベース金属表面に接合促進層を気相合成して形成
した後、前記プリプレグと接合させることを特徴とする
金属ベース配線板の製造方法。 - 【請求項１３】 樹脂を溶融させて形状形成した立体成
形品の表面に接合促進層を気相合成して形成し、前記立
体成形品の表面に金属膜を形成または析出させて接合す
ることを特徴とする立体配線板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20791693A JP3344017B2 (ja) | 1993-08-23 | 1993-08-23 | 金属と有機物の接合方法および配線板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20791693A JP3344017B2 (ja) | 1993-08-23 | 1993-08-23 | 金属と有機物の接合方法および配線板の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0766549A true JPH0766549A (ja) | 1995-03-10 |
| JP3344017B2 JP3344017B2 (ja) | 2002-11-11 |
Family
ID=16547691
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20791693A Expired - Fee Related JP3344017B2 (ja) | 1993-08-23 | 1993-08-23 | 金属と有機物の接合方法および配線板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3344017B2 (ja) |
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| JP4697253B2 (ja) * | 2008-04-01 | 2011-06-08 | セイコーエプソン株式会社 | 接合方法、液滴吐出ヘッド、接合体および液滴吐出装置 |
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| JP4666011B2 (ja) * | 2008-06-19 | 2011-04-06 | セイコーエプソン株式会社 | 接合膜付き基材、接合方法および接合体 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3344017B2 (ja) | 2002-11-11 |
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