JPH10135644A - ワイヤボンディング用多層プリント配線板の製造方法 - Google Patents
ワイヤボンディング用多層プリント配線板の製造方法Info
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- JPH10135644A JPH10135644A JP28940096A JP28940096A JPH10135644A JP H10135644 A JPH10135644 A JP H10135644A JP 28940096 A JP28940096 A JP 28940096A JP 28940096 A JP28940096 A JP 28940096A JP H10135644 A JPH10135644 A JP H10135644A
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】層間の薄型化、配線の微細化、また、ＩＶＨ、
ＢＶＨの小径ワイヤボンディング性に優れた多層プリン
ト配線板の製造方法。 【解決手段】以下の工程を、この順序に行う。 ａ．電気絶縁性セラミック系ウィスカを熱硬化性樹脂ワ
ニス中に均一に分散させた後、銅箔の粗化面に塗布し、
加熱半硬化させ、予めめっきスルーホールと導体回路を
形成した内層板の上に、前記熱硬化性樹脂層を積層一体
化する工程。 ｂ．銅箔部分を、ＩＶＨを形成するたにエッチング除去
する工程。 ｃ．エッチング除去された銅箔の微細穴から露出した、
前記熱硬化性樹脂層を、レーザ光を照射することによ
り、バイアホールとする工程。 Ｄ．バイアホール壁面の熱硬化性樹脂層を、粗化する工
程。 ｅ．内層板の回路導体と前記銅箔とを電気的に接続する
ために、めっきを行う工程。
ＢＶＨの小径ワイヤボンディング性に優れた多層プリン
ト配線板の製造方法。 【解決手段】以下の工程を、この順序に行う。 ａ．電気絶縁性セラミック系ウィスカを熱硬化性樹脂ワ
ニス中に均一に分散させた後、銅箔の粗化面に塗布し、
加熱半硬化させ、予めめっきスルーホールと導体回路を
形成した内層板の上に、前記熱硬化性樹脂層を積層一体
化する工程。 ｂ．銅箔部分を、ＩＶＨを形成するたにエッチング除去
する工程。 ｃ．エッチング除去された銅箔の微細穴から露出した、
前記熱硬化性樹脂層を、レーザ光を照射することによ
り、バイアホールとする工程。 Ｄ．バイアホール壁面の熱硬化性樹脂層を、粗化する工
程。 ｅ．内層板の回路導体と前記銅箔とを電気的に接続する
ために、めっきを行う工程。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ワイヤボンディン
グ用多層プリント配線板の製造方法に関する。
グ用多層プリント配線板の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】電子機器の小型化、高性能化、多機能化
に伴い、多層プリント配線板には、より高密度化が求め
られるようになってきており、この要望を満たすため
に、層間の薄型化、配線の微細化、層間接続穴の小径化
が行われ、また、隣接する層間の導体のみを接続するイ
ンタースティシャルバイアホール（以下、ＩＶＨとい
う。）や、ベリードバイアホール（以下、ＢＶＨとい
う。）が用いられるようになり、このＩＶＨやＢＶＨも
さらに小径化されつつある。
に伴い、多層プリント配線板には、より高密度化が求め
られるようになってきており、この要望を満たすため
に、層間の薄型化、配線の微細化、層間接続穴の小径化
が行われ、また、隣接する層間の導体のみを接続するイ
ンタースティシャルバイアホール（以下、ＩＶＨとい
う。）や、ベリードバイアホール（以下、ＢＶＨとい
う。）が用いられるようになり、このＩＶＨやＢＶＨも
さらに小径化されつつある。
【０００３】配線の多層化には、通常、複数の回路層と
該間の層間絶縁層をまとめて重ね、加熱加圧して積層一
体化し、必要な箇所に穴をあけ接続する多層配線板と、
回路を形成した上に層間絶縁層を形成し、その上に回路
を形成し、必要な箇所に穴を設け、というように回路層
と絶縁層とを順次形成するビルドアップ多層配線板とが
ある。
該間の層間絶縁層をまとめて重ね、加熱加圧して積層一
体化し、必要な箇所に穴をあけ接続する多層配線板と、
回路を形成した上に層間絶縁層を形成し、その上に回路
を形成し、必要な箇所に穴を設け、というように回路層
と絶縁層とを順次形成するビルドアップ多層配線板とが
ある。
【０００４】このビルドアップ多層配線板の一例を示す
と、めっきスルーホールと内層回路とが形成された内層
回路板のスルーホールに、シルクスクリーン印刷法など
によって熱硬化性樹脂を穴が完全に塞がるように埋め、
加熱して硬化した後、穴からはみ出した樹脂を研磨等に
より除去し、熱硬化性の樹脂を塗布し、加熱硬化して絶
縁層を形成し、その絶縁層の一部を選択的に除去するこ
とによって層間接続用の穴を設け、めっきなどによって
その層間接続用の穴内壁の金属化を行うと共に、絶縁層
上に回路導体を形成し、さらに回路を形成する。この回
路を形成したものを内層回路板とすれば、上記と同様の
操作によりさらに１層の絶縁層及び回路層の形成がで
き、これを繰り返すことによって、必要とする多層回路
が形成できる。
と、めっきスルーホールと内層回路とが形成された内層
回路板のスルーホールに、シルクスクリーン印刷法など
によって熱硬化性樹脂を穴が完全に塞がるように埋め、
加熱して硬化した後、穴からはみ出した樹脂を研磨等に
より除去し、熱硬化性の樹脂を塗布し、加熱硬化して絶
縁層を形成し、その絶縁層の一部を選択的に除去するこ
とによって層間接続用の穴を設け、めっきなどによって
その層間接続用の穴内壁の金属化を行うと共に、絶縁層
上に回路導体を形成し、さらに回路を形成する。この回
路を形成したものを内層回路板とすれば、上記と同様の
操作によりさらに１層の絶縁層及び回路層の形成がで
き、これを繰り返すことによって、必要とする多層回路
が形成できる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】このようなビルドアッ
プ多層配線板は、強度が低くなることが多い。というの
も、通常ならば、ガラス布にエポキシ樹脂等を含浸させ
たプリプレグを用いるので、ガラス布の強化材によっ
て、絶縁層の強度を保つことができるが、ビルドアップ
多層配線板の場合には、絶縁層をシルクスクリーン印刷
法によって形成したり、層間接続用の穴を形成しやすく
するために、強化材を用いていないからである。この強
度がないことは、単に配線板としての機能のみに着目す
れば、強度を必要としない箇所に用いるとか、あるい
は、別途補強板を付けるとかすればよいのであるが、高
密度が要求される配線板には、端子間隔の狭い半導体装
置を実装したり、あるいは、半導体そのものを配線板に
実装することが多々あり、半導体の機械特性とのバラン
スや、あるいは直接実装する場合に用いるワイヤボンデ
ィングを確実に行える土台を提供する必要がある。
プ多層配線板は、強度が低くなることが多い。というの
も、通常ならば、ガラス布にエポキシ樹脂等を含浸させ
たプリプレグを用いるので、ガラス布の強化材によっ
て、絶縁層の強度を保つことができるが、ビルドアップ
多層配線板の場合には、絶縁層をシルクスクリーン印刷
法によって形成したり、層間接続用の穴を形成しやすく
するために、強化材を用いていないからである。この強
度がないことは、単に配線板としての機能のみに着目す
れば、強度を必要としない箇所に用いるとか、あるい
は、別途補強板を付けるとかすればよいのであるが、高
密度が要求される配線板には、端子間隔の狭い半導体装
置を実装したり、あるいは、半導体そのものを配線板に
実装することが多々あり、半導体の機械特性とのバラン
スや、あるいは直接実装する場合に用いるワイヤボンデ
ィングを確実に行える土台を提供する必要がある。
【０００６】本発明は、層間の薄型化、配線の微細化、
また、ＩＶＨ、ＢＶＨの小径化に優れ、かつ強度に優
れ、ワイヤボンディング性に優れた多層プリント配線板
の製造方法を提供することを目的とする。
また、ＩＶＨ、ＢＶＨの小径化に優れ、かつ強度に優
れ、ワイヤボンディング性に優れた多層プリント配線板
の製造方法を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明のワイヤボンディ
ング用多層プリント配線板の製造方法は、以下の工程
を、この順序に行うことを特徴とする。 ａ．熱硬化性樹脂ワニスに電気絶縁性セラミック系ウィ
スカを配合し、撹拌により前記電気絶縁性セラミック系
ウィスカを前記熱硬化性樹脂ワニス中に均一に分散させ
た後、銅箔の粗化面に塗布し、加熱半硬化させ、熱硬化
性樹脂層を形成し、予めめっきスルーホールと導体回路
を形成した内層板の上に、前記熱硬化性樹脂層を重ね、
加熱加圧して積層一体化する工程。 ｂ．前記銅箔上にエッチングレジストを形成し、そのエ
ッチングレジストから露出した銅箔部分を、ＩＶＨを形
成するための穴の形状にエッチング除去する工程。 ｃ．エッチングレジストを除去する工程。 ｄ．ＩＶＨを形成するための穴の形状にエッチング除去
された銅箔の微細穴から露出した、前記熱硬化性樹脂層
を、レーザ光を照射することにより、前記内層板の回路
導体が露出するまで除去して、バイアホールとする工
程。 ｅ．バイアホール壁面の硬化した前記熱硬化性樹脂層
を、粗化剤を用いて粗化する工程。 ｆ．前記内層板の回路導体と前記銅箔とを電気的に接続
するために、めっきを行う工程。 ｇ．前記銅箔上にエッチングレジストを形成し、該エッ
チングレジストから露出した銅箔をエッチング除去する
工程。 ｈ．前記エッチングレジストを除去する工程。
ング用多層プリント配線板の製造方法は、以下の工程
を、この順序に行うことを特徴とする。 ａ．熱硬化性樹脂ワニスに電気絶縁性セラミック系ウィ
スカを配合し、撹拌により前記電気絶縁性セラミック系
ウィスカを前記熱硬化性樹脂ワニス中に均一に分散させ
た後、銅箔の粗化面に塗布し、加熱半硬化させ、熱硬化
性樹脂層を形成し、予めめっきスルーホールと導体回路
を形成した内層板の上に、前記熱硬化性樹脂層を重ね、
加熱加圧して積層一体化する工程。 ｂ．前記銅箔上にエッチングレジストを形成し、そのエ
ッチングレジストから露出した銅箔部分を、ＩＶＨを形
成するための穴の形状にエッチング除去する工程。 ｃ．エッチングレジストを除去する工程。 ｄ．ＩＶＨを形成するための穴の形状にエッチング除去
された銅箔の微細穴から露出した、前記熱硬化性樹脂層
を、レーザ光を照射することにより、前記内層板の回路
導体が露出するまで除去して、バイアホールとする工
程。 ｅ．バイアホール壁面の硬化した前記熱硬化性樹脂層
を、粗化剤を用いて粗化する工程。 ｆ．前記内層板の回路導体と前記銅箔とを電気的に接続
するために、めっきを行う工程。 ｇ．前記銅箔上にエッチングレジストを形成し、該エッ
チングレジストから露出した銅箔をエッチング除去する
工程。 ｈ．前記エッチングレジストを除去する工程。
【０００８】上記工程ａ〜ｈは、必要な回数繰り返し、
２層以上のバイアホールを形成することもできる。
２層以上のバイアホールを形成することもできる。
【０００９】（熱硬化性樹脂）本発明の熱硬化性樹脂に
は、種々のものが使用できるが、中でも、単独ではフィ
ルム形成能のない樹脂を用いることができることに大き
な特徴がある。ここでいう、フィルム形成能とは、その
樹脂を溶媒に溶解しワニスとし、そのワニスをキャリア
フィルムに塗布するときに厚さの制御が容易であり、か
つ、加熱乾燥して半硬化状としたものを、搬送、切断、
積層するときに、樹脂割れや欠落を生じにくく、さらに
その後の加熱加圧成形時に絶縁層としての最少厚さを確
保できる性能のことをいう。このような熱硬化性樹脂と
しては、従来においてガラス布に含浸して使用していた
樹脂があり、例えば、分子量が３０，０００を越えない
樹脂であって、エポキシ樹脂、ビストリアジン樹脂、ポ
リイミド樹脂、フェノール樹脂、メラミン樹脂、珪素樹
脂、不飽和ポリエステル樹脂、シアン酸エステル樹脂、
イソシアネート樹脂、またはこれらの変性樹脂等があ
る。なかでも、エポキシ樹脂、ビストリアジン樹脂、及
びポリイミド樹脂は、Ｔｇや弾性率、硬度が高く、好ま
しい。エポキシ樹脂としては、ビスフェノールＦ型エポ
キシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、フェノー
ルノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型
エポキシ樹脂、ビスフェノールＡノボラック型エポキシ
樹脂、サリチルアルデヒドノボラック型エポキシ樹脂、
ビスフェノールＦノボラック型エポキシ樹脂、脂環式エ
ポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂、グリ
シジルアミン型エポキシ樹脂、ヒダントイン型エポキシ
樹脂、イソシアヌレート型エポキシ樹脂、脂肪族環状エ
ポキシ樹脂、ならびにこれらのハロゲン化物、水素添加
物から選択されたものを使用でき、併用することもでき
る。なかでも、ビスフェノールＡノボラック型エポキシ
樹脂と、サリチルアルデヒドノボラック型エポキシ樹脂
は、耐熱性に優れ、好ましい。
は、種々のものが使用できるが、中でも、単独ではフィ
ルム形成能のない樹脂を用いることができることに大き
な特徴がある。ここでいう、フィルム形成能とは、その
樹脂を溶媒に溶解しワニスとし、そのワニスをキャリア
フィルムに塗布するときに厚さの制御が容易であり、か
つ、加熱乾燥して半硬化状としたものを、搬送、切断、
積層するときに、樹脂割れや欠落を生じにくく、さらに
その後の加熱加圧成形時に絶縁層としての最少厚さを確
保できる性能のことをいう。このような熱硬化性樹脂と
しては、従来においてガラス布に含浸して使用していた
樹脂があり、例えば、分子量が３０，０００を越えない
樹脂であって、エポキシ樹脂、ビストリアジン樹脂、ポ
リイミド樹脂、フェノール樹脂、メラミン樹脂、珪素樹
脂、不飽和ポリエステル樹脂、シアン酸エステル樹脂、
イソシアネート樹脂、またはこれらの変性樹脂等があ
る。なかでも、エポキシ樹脂、ビストリアジン樹脂、及
びポリイミド樹脂は、Ｔｇや弾性率、硬度が高く、好ま
しい。エポキシ樹脂としては、ビスフェノールＦ型エポ
キシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、フェノー
ルノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型
エポキシ樹脂、ビスフェノールＡノボラック型エポキシ
樹脂、サリチルアルデヒドノボラック型エポキシ樹脂、
ビスフェノールＦノボラック型エポキシ樹脂、脂環式エ
ポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂、グリ
シジルアミン型エポキシ樹脂、ヒダントイン型エポキシ
樹脂、イソシアヌレート型エポキシ樹脂、脂肪族環状エ
ポキシ樹脂、ならびにこれらのハロゲン化物、水素添加
物から選択されたものを使用でき、併用することもでき
る。なかでも、ビスフェノールＡノボラック型エポキシ
樹脂と、サリチルアルデヒドノボラック型エポキシ樹脂
は、耐熱性に優れ、好ましい。
【００１０】（電気絶縁性セラミック系ウィスカ）本発
明の電気絶縁性セラミック系ウィスカには、弾性率が２
００ＭＰａ以上必要であり、２００ＭＰａ未満では、剛
性が不足し、必要とするワイヤボンディング性が得られ
ない。このような電気絶縁性セラミック系ウィスカに
は、例えば、ほう酸アルミニウム、ウォラスナイト、チ
タン酸カリウム、塩基性硫酸マグネシウム、窒化珪素、
及びα−アルミナのなかから選択して用いることができ
る。なかでも、ほう酸アルミニウムと、チタン酸カリウ
ムは、モース硬度が従来のＥガラスと同程度であり、従
来のプリプレグと同等のワイヤボンディング性が得ら
れ、さらに、ほう酸アルミニウムは、弾性率が４００Ｍ
Ｐａと高い上に、ワニスと混合しやすく、好ましい。こ
の電気絶縁性セラミック系ウィスカの形状としては、平
均直径が０．３〜３μｍ、平均長さが平均直径の５倍以
上であることが必要である。平均直径が、０．３μｍ未
満であると、樹脂ワニスへの混合が困難となり、３μｍ
を越えると、樹脂への分散が十分でなく、塗布した表面
の凹凸が大きくなり好ましくない。この平均直径は、
０．３〜１μｍの範囲がより好ましい。平均長さが、５
倍未満であると、樹脂の剛性が得られず、さらには２０
倍以上であることがより好ましい。また、上限として、
１００μｍ以下であることが好ましく、この数値は、内
層回路の回路間隔より小さいことが必要であり、現状で
は内層回路間隔が１００μｍ未満のものがないためであ
る。この平均長さが、内層回路の間隔を越えると、両回
路に接触した場合に、電気絶縁性セラミック系ウィスカ
に沿って銅イオンのマイグレーションが起こり易く、回
路が短絡する可能性が高いので好ましくない。この電気
絶縁性セラミック系ウィスカと熱硬化性樹脂との濡れ性
を高めるために、電気絶縁性セラミック系ウィスカの表
面をカップリング剤で処理したものを用いることが好ま
しく、このようなカップリング剤には、シリコン系カッ
プリング剤、チタン系カップリング剤、アルミニウム系
カップリング剤、ジルコニウム系カップリング剤、ジル
コアルミニウム系カップリング剤、クロム系カップリン
グ剤、ボロン系カップリング剤、リン系カップリング
剤、アミノ系カップリング剤等から選択して使用でき
る。
明の電気絶縁性セラミック系ウィスカには、弾性率が２
００ＭＰａ以上必要であり、２００ＭＰａ未満では、剛
性が不足し、必要とするワイヤボンディング性が得られ
ない。このような電気絶縁性セラミック系ウィスカに
は、例えば、ほう酸アルミニウム、ウォラスナイト、チ
タン酸カリウム、塩基性硫酸マグネシウム、窒化珪素、
及びα−アルミナのなかから選択して用いることができ
る。なかでも、ほう酸アルミニウムと、チタン酸カリウ
ムは、モース硬度が従来のＥガラスと同程度であり、従
来のプリプレグと同等のワイヤボンディング性が得ら
れ、さらに、ほう酸アルミニウムは、弾性率が４００Ｍ
Ｐａと高い上に、ワニスと混合しやすく、好ましい。こ
の電気絶縁性セラミック系ウィスカの形状としては、平
均直径が０．３〜３μｍ、平均長さが平均直径の５倍以
上であることが必要である。平均直径が、０．３μｍ未
満であると、樹脂ワニスへの混合が困難となり、３μｍ
を越えると、樹脂への分散が十分でなく、塗布した表面
の凹凸が大きくなり好ましくない。この平均直径は、
０．３〜１μｍの範囲がより好ましい。平均長さが、５
倍未満であると、樹脂の剛性が得られず、さらには２０
倍以上であることがより好ましい。また、上限として、
１００μｍ以下であることが好ましく、この数値は、内
層回路の回路間隔より小さいことが必要であり、現状で
は内層回路間隔が１００μｍ未満のものがないためであ
る。この平均長さが、内層回路の間隔を越えると、両回
路に接触した場合に、電気絶縁性セラミック系ウィスカ
に沿って銅イオンのマイグレーションが起こり易く、回
路が短絡する可能性が高いので好ましくない。この電気
絶縁性セラミック系ウィスカと熱硬化性樹脂との濡れ性
を高めるために、電気絶縁性セラミック系ウィスカの表
面をカップリング剤で処理したものを用いることが好ま
しく、このようなカップリング剤には、シリコン系カッ
プリング剤、チタン系カップリング剤、アルミニウム系
カップリング剤、ジルコニウム系カップリング剤、ジル
コアルミニウム系カップリング剤、クロム系カップリン
グ剤、ボロン系カップリング剤、リン系カップリング
剤、アミノ系カップリング剤等から選択して使用でき
る。
【００１１】（硬化剤）本発明の熱硬化性樹脂に用いる
硬化剤には、上記した樹脂に用いる硬化剤であればどの
ようなものでも使用でき、例えば、樹脂にエポキシ樹脂
を用いる場合には、ジシアンジアミド、ビスフェノール
Ａ、ビスフェノールＦ、ポリビニルフェノール樹脂、ノ
ボラック樹脂、ビスフェノールＡノボラック樹脂ならび
にこれらのハロゲン化物から選択して使用でき、なかで
もビスフェノールＡノボラック樹脂が耐熱性に優れ好ま
しい。この硬化剤の前記熱硬化性樹脂に対する配合比
は、前記熱硬化性樹脂１００重量部に対して、２〜１０
０重量部の範囲が好ましく、ジシアンジアミドであれば
２〜５重量部、それ以外の上記硬化剤では３０〜８０重
量部の範囲が好ましい。２重量部未満であると、硬化不
足となり、耐熱性が低下し、８０重量部を越えると、電
気特性や耐熱性が低下する。
硬化剤には、上記した樹脂に用いる硬化剤であればどの
ようなものでも使用でき、例えば、樹脂にエポキシ樹脂
を用いる場合には、ジシアンジアミド、ビスフェノール
Ａ、ビスフェノールＦ、ポリビニルフェノール樹脂、ノ
ボラック樹脂、ビスフェノールＡノボラック樹脂ならび
にこれらのハロゲン化物から選択して使用でき、なかで
もビスフェノールＡノボラック樹脂が耐熱性に優れ好ま
しい。この硬化剤の前記熱硬化性樹脂に対する配合比
は、前記熱硬化性樹脂１００重量部に対して、２〜１０
０重量部の範囲が好ましく、ジシアンジアミドであれば
２〜５重量部、それ以外の上記硬化剤では３０〜８０重
量部の範囲が好ましい。２重量部未満であると、硬化不
足となり、耐熱性が低下し、８０重量部を越えると、電
気特性や耐熱性が低下する。
【００１２】（硬化促進剤）本発明の熱硬化性樹脂と硬
化剤には、さらに、硬化促進剤が必要であり、熱硬化性
樹脂がエポキシ樹脂の場合には、硬化促進剤には、イミ
ダゾール化合物、有機リン化合物、第三級アミン、第四
級アンモニウム塩等を使用することができる。この硬化
促進剤の配合比は、前記熱硬化性樹脂１００重量部に対
し、０．０１〜２０重量部の範囲が好ましく、０．１〜
１．０の範囲がより好ましい。０．０１重量部未満であ
ると、硬化不足となり耐熱性が低下し、２０重量部を越
えると、Ｂステージの寿命が短くなり耐熱性が低下す
る。
化剤には、さらに、硬化促進剤が必要であり、熱硬化性
樹脂がエポキシ樹脂の場合には、硬化促進剤には、イミ
ダゾール化合物、有機リン化合物、第三級アミン、第四
級アンモニウム塩等を使用することができる。この硬化
促進剤の配合比は、前記熱硬化性樹脂１００重量部に対
し、０．０１〜２０重量部の範囲が好ましく、０．１〜
１．０の範囲がより好ましい。０．０１重量部未満であ
ると、硬化不足となり耐熱性が低下し、２０重量部を越
えると、Ｂステージの寿命が短くなり耐熱性が低下す
る。
【００１３】（希釈剤）上記熱硬化性樹脂、電気絶縁性
セラミック系ウィスカ、硬化剤、硬化促進剤は、溶剤に
希釈して用い、この溶剤には、アセトン、メチルエチル
ケトン、トルエン、キシレン、メチルイソブチレン、酢
酸エチル、エチレングリコールモノメチルエーテル、メ
タノール、エタノール、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミ
ド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド等が使用できる。こ
の希釈剤の上記熱硬化性樹脂に対する配合比は、上記熱
硬化性樹脂１００重量部に対し、１〜２００重量部の範
囲が好ましく、３０〜１００重量部の範囲がより好まし
い。１重量部未満であると、粘度が高くなり塗りむらが
できやすく、２００重量部を越えると、粘度が低くなり
すぎ必要な厚さにまで塗布することができない。
セラミック系ウィスカ、硬化剤、硬化促進剤は、溶剤に
希釈して用い、この溶剤には、アセトン、メチルエチル
ケトン、トルエン、キシレン、メチルイソブチレン、酢
酸エチル、エチレングリコールモノメチルエーテル、メ
タノール、エタノール、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミ
ド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド等が使用できる。こ
の希釈剤の上記熱硬化性樹脂に対する配合比は、上記熱
硬化性樹脂１００重量部に対し、１〜２００重量部の範
囲が好ましく、３０〜１００重量部の範囲がより好まし
い。１重量部未満であると、粘度が高くなり塗りむらが
できやすく、２００重量部を越えると、粘度が低くなり
すぎ必要な厚さにまで塗布することができない。
【００１４】（熱硬化性樹脂と電気絶縁性セラミック系
ウィスカの割合）熱硬化性樹脂と電気絶縁性セラミック
系ウィスカの割合は、硬化した熱硬化性樹脂の中で電気
絶縁性セラミック系ウィスカが５〜５０ｖｏｌ％となる
ように調整することが必要である。さらには、２０〜４
０ｖｏｌ％であることがより好ましい。５ｖｏｌ％未満
であると、熱硬化性樹脂のフィルム形成能が少なく、切
断時に飛散する等、取り扱いが困難であり、剛性も低
く、ワイヤボンディング性が低下する。５０ｖｏｌ％を
越えると、前記工程ａ、ａ１、またはａ３において、加
熱加圧成形時に、内層回路板の穴や回路間隙への埋め込
みが不十分で、成形後にボイドやかすれを生じ、絶縁性
が低下する。
ウィスカの割合）熱硬化性樹脂と電気絶縁性セラミック
系ウィスカの割合は、硬化した熱硬化性樹脂の中で電気
絶縁性セラミック系ウィスカが５〜５０ｖｏｌ％となる
ように調整することが必要である。さらには、２０〜４
０ｖｏｌ％であることがより好ましい。５ｖｏｌ％未満
であると、熱硬化性樹脂のフィルム形成能が少なく、切
断時に飛散する等、取り扱いが困難であり、剛性も低
く、ワイヤボンディング性が低下する。５０ｖｏｌ％を
越えると、前記工程ａ、ａ１、またはａ３において、加
熱加圧成形時に、内層回路板の穴や回路間隙への埋め込
みが不十分で、成形後にボイドやかすれを生じ、絶縁性
が低下する。
【００１５】
（工程ａ） ａ．熱硬化性樹脂ワニスに電気絶縁性セラミック系ウィ
スカを配合し、撹拌により前記電気絶縁性セラミック系
ウィスカを前記熱硬化性樹脂中に均一に分散させた後、
銅箔の粗化面に塗布し、加熱半硬化させ、熱硬化性樹脂
層を形成し、予めめっきスルーホールと導体回路を形成
した内層板の上に、前記熱硬化性樹脂層を重ね、加熱加
圧して積層一体化する工程。この工程において、銅箔
に、熱硬化性樹脂と電気絶縁性セラミック系ウィスカを
塗布するには、上記熱硬化性樹脂、硬化剤、硬化促進
剤、及び希釈剤を混合した溶液（以下、熱硬化性樹脂ワ
ニスという。）に、電気絶縁性セラミック系ウィスカを
混合し、撹拌したワニスを、塗布し、加熱して、半硬化
させるものであり、ブレードコータ、ロッドコータ、ナ
イフコータ、スクイズコータ、リバースロールコータ、
あるいはトランスファロールコータ等、銅箔と平行な方
向に剪断力を負荷できるか、あるいは銅箔の面に垂直な
方向に圧縮力を負荷できる塗布方法を選択することが好
ましい。この熱硬化性樹脂ワニスの樹脂フローは、５０
０μｍ以上あり、熱硬化性樹脂層の半硬化後の厚さが２
５〜１００μｍの範囲であることが好ましい。この樹脂
フローとは、樹脂の厚さが５０μｍの銅箔付プリプレグ
に３０ｍｍ角の穴をあけ、銅張り積層板の銅箔面に樹脂
が接触するように重ね、１７０℃、２．５ＭＰａで６０
分間、加熱加圧して積層接着したときに３０ｍｍ角の穴
の縁から銅箔表面に流れ出した樹脂の最少距離とする。
この樹脂フローは５００μｍ〜１０ｍｍの範囲に調整す
ることが好ましく、５００μｍ未満であると、内層銅箔
の埋め込み性が小さく表面に凹凸を生じ、１０ｍｍを越
えると積層後の端部の厚さが薄く、絶縁性が低下する。
スカを配合し、撹拌により前記電気絶縁性セラミック系
ウィスカを前記熱硬化性樹脂中に均一に分散させた後、
銅箔の粗化面に塗布し、加熱半硬化させ、熱硬化性樹脂
層を形成し、予めめっきスルーホールと導体回路を形成
した内層板の上に、前記熱硬化性樹脂層を重ね、加熱加
圧して積層一体化する工程。この工程において、銅箔
に、熱硬化性樹脂と電気絶縁性セラミック系ウィスカを
塗布するには、上記熱硬化性樹脂、硬化剤、硬化促進
剤、及び希釈剤を混合した溶液（以下、熱硬化性樹脂ワ
ニスという。）に、電気絶縁性セラミック系ウィスカを
混合し、撹拌したワニスを、塗布し、加熱して、半硬化
させるものであり、ブレードコータ、ロッドコータ、ナ
イフコータ、スクイズコータ、リバースロールコータ、
あるいはトランスファロールコータ等、銅箔と平行な方
向に剪断力を負荷できるか、あるいは銅箔の面に垂直な
方向に圧縮力を負荷できる塗布方法を選択することが好
ましい。この熱硬化性樹脂ワニスの樹脂フローは、５０
０μｍ以上あり、熱硬化性樹脂層の半硬化後の厚さが２
５〜１００μｍの範囲であることが好ましい。この樹脂
フローとは、樹脂の厚さが５０μｍの銅箔付プリプレグ
に３０ｍｍ角の穴をあけ、銅張り積層板の銅箔面に樹脂
が接触するように重ね、１７０℃、２．５ＭＰａで６０
分間、加熱加圧して積層接着したときに３０ｍｍ角の穴
の縁から銅箔表面に流れ出した樹脂の最少距離とする。
この樹脂フローは５００μｍ〜１０ｍｍの範囲に調整す
ることが好ましく、５００μｍ未満であると、内層銅箔
の埋め込み性が小さく表面に凹凸を生じ、１０ｍｍを越
えると積層後の端部の厚さが薄く、絶縁性が低下する。
【００１６】（工程ａ１，ａ２） ａ１．熱硬化性樹脂に電気絶縁性セラミック系ウィスカ
を配合し、撹拌により前記電気絶縁性セラミック系ウィ
スカを前記熱硬化性樹脂中に均一に分散させた後、樹脂
との接着に適した粗さを有すると共に回路となる銅層
と、全体としての金属層として取り扱いに十分な強度を
有するキャリア層からなり、２層が容易に剥離可能な複
合金属箔の銅層の粗化面に塗布し、加熱半硬化させ、熱
硬化性樹脂層を形成し、予めめっきスルーホールと導体
回路を形成した内層板の上に、前記熱硬化性樹脂層を重
ね、加熱加圧して積層一体化する工程。 ａ２．キャリア層のみを除去する工程。この工程は、上
記工程ａに代えて、工程ａ１，及びａ２を用いるもので
あり、工程ａにおいて扱う銅箔が、非常に薄くなると、
取り扱う行程で、折れたり、しわになることがあるた
め、薄い銅箔とキャリアからなる複合金属箔を使用し、
取り扱いを容易にしておいて、内層回路板に積層した後
に、キャリアを剥離して、薄い銅箔を加工して回路を形
成することが、回路導体のより微細な加工を可能にする
ものである。
を配合し、撹拌により前記電気絶縁性セラミック系ウィ
スカを前記熱硬化性樹脂中に均一に分散させた後、樹脂
との接着に適した粗さを有すると共に回路となる銅層
と、全体としての金属層として取り扱いに十分な強度を
有するキャリア層からなり、２層が容易に剥離可能な複
合金属箔の銅層の粗化面に塗布し、加熱半硬化させ、熱
硬化性樹脂層を形成し、予めめっきスルーホールと導体
回路を形成した内層板の上に、前記熱硬化性樹脂層を重
ね、加熱加圧して積層一体化する工程。 ａ２．キャリア層のみを除去する工程。この工程は、上
記工程ａに代えて、工程ａ１，及びａ２を用いるもので
あり、工程ａにおいて扱う銅箔が、非常に薄くなると、
取り扱う行程で、折れたり、しわになることがあるた
め、薄い銅箔とキャリアからなる複合金属箔を使用し、
取り扱いを容易にしておいて、内層回路板に積層した後
に、キャリアを剥離して、薄い銅箔を加工して回路を形
成することが、回路導体のより微細な加工を可能にする
ものである。
【００１７】（工程ａ３，ａ４，ａ５） ａ３．熱硬化性樹脂に電気絶縁性セラミック系ウィスカ
を配合し、撹拌により前記電気絶縁性セラミック系ウィ
スカを前記熱硬化性樹脂中に均一に分散させた後、樹脂
との接着に適した粗さを有すると共に回路となる１〜９
μｍの厚さの第１の銅層と、全体としての金属層として
取り扱いに十分な強度を有する厚さ１０〜１５０μｍの
第２の銅層と、その２層の中間に設けられた厚さが０．
０４〜１．５μｍのニッケル−リン合金層からなる複合
金属箔の第１の銅層の粗化面に塗布し、加熱半硬化さ
せ、熱硬化性樹脂層を形成し、予めめっきスルーホール
と導体回路を形成した内層板の上に、前記熱硬化性樹脂
層を重ね、加熱加圧して積層一体化する工程。 ａ４．第２の銅層のみを除去する工程。 ａ５．ニッケル−リン合金層のみを除去する工程。この
工程は、薄い銅箔を扱う場合に、物理的に剥離可能なキ
ャリアでは、取り扱いの行程で、銅箔表面に傷の発生や
異物の付着が起こることもあり、これを防ぐために、密
着度の高い複合金属箔を用い、キャリアの除去に、回路
導体と異なる化学的除去条件を有する金属層を用いるも
のである。ところで、このような金属層は、厚くすると
経済的でなく、また、工程も長くなるので、エッチング
を止めたい位置に、中間層として用いるものである。ま
た、第２の銅層のみをエッチング除去する溶液として
は、塩素イオンとアンモニウムイオンと銅イオンを含む
溶液（以下、アルカリエッチャントという。）を用い
る。処理方法は、浸漬、噴霧等の溶液に接触させること
によって行う。さらに、ニッケル−リン合金層のみを除
去する工程では、硝酸と過酸化水素を主成分とする液
に、添加剤としてカルボキシル基を有する有機酸、環構
成員として、−ＮＨ−，−Ｎ＝の形で窒素を含む複素環
式化合物を配合した水溶液に浸漬するか、あるいはその
ような水溶液を噴霧して行う。
を配合し、撹拌により前記電気絶縁性セラミック系ウィ
スカを前記熱硬化性樹脂中に均一に分散させた後、樹脂
との接着に適した粗さを有すると共に回路となる１〜９
μｍの厚さの第１の銅層と、全体としての金属層として
取り扱いに十分な強度を有する厚さ１０〜１５０μｍの
第２の銅層と、その２層の中間に設けられた厚さが０．
０４〜１．５μｍのニッケル−リン合金層からなる複合
金属箔の第１の銅層の粗化面に塗布し、加熱半硬化さ
せ、熱硬化性樹脂層を形成し、予めめっきスルーホール
と導体回路を形成した内層板の上に、前記熱硬化性樹脂
層を重ね、加熱加圧して積層一体化する工程。 ａ４．第２の銅層のみを除去する工程。 ａ５．ニッケル−リン合金層のみを除去する工程。この
工程は、薄い銅箔を扱う場合に、物理的に剥離可能なキ
ャリアでは、取り扱いの行程で、銅箔表面に傷の発生や
異物の付着が起こることもあり、これを防ぐために、密
着度の高い複合金属箔を用い、キャリアの除去に、回路
導体と異なる化学的除去条件を有する金属層を用いるも
のである。ところで、このような金属層は、厚くすると
経済的でなく、また、工程も長くなるので、エッチング
を止めたい位置に、中間層として用いるものである。ま
た、第２の銅層のみをエッチング除去する溶液として
は、塩素イオンとアンモニウムイオンと銅イオンを含む
溶液（以下、アルカリエッチャントという。）を用い
る。処理方法は、浸漬、噴霧等の溶液に接触させること
によって行う。さらに、ニッケル−リン合金層のみを除
去する工程では、硝酸と過酸化水素を主成分とする液
に、添加剤としてカルボキシル基を有する有機酸、環構
成員として、−ＮＨ−，−Ｎ＝の形で窒素を含む複素環
式化合物を配合した水溶液に浸漬するか、あるいはその
ような水溶液を噴霧して行う。
【００１８】（工程ｂ） ｂ．前記銅箔上にエッチングレジストを形成し、そのエ
ッチングレジストから露出した銅箔部分を、ＩＶＨを形
成するための穴の形状にエッチング除去する工程。この
工程では、通常の配線板の回路導体を形成する方法と同
じ方法によって、ＩＶＨを形成するための穴の形状にエ
ッチング除去することができる。ここで用いるエッチン
グレジストは、レジストインクを、シルクスクリーン印
刷法によって銅箔の表面に印刷する方法や、レジストフ
ィルムを銅箔の表面にラミネートし、フォトマスクを介
して、回路部分が残るように紫外線を照射し、回路部分
以外を現像して除去する方法を使用することができる。
銅箔をエッチングするには、前記に形成したエッチング
レジストから露出している銅箔に、化学エッチング液を
接触させ、選択的に除去するものであり、このような化
学エッチング液としては、塩化第二銅溶液や塩化第二鉄
溶液等がある。
ッチングレジストから露出した銅箔部分を、ＩＶＨを形
成するための穴の形状にエッチング除去する工程。この
工程では、通常の配線板の回路導体を形成する方法と同
じ方法によって、ＩＶＨを形成するための穴の形状にエ
ッチング除去することができる。ここで用いるエッチン
グレジストは、レジストインクを、シルクスクリーン印
刷法によって銅箔の表面に印刷する方法や、レジストフ
ィルムを銅箔の表面にラミネートし、フォトマスクを介
して、回路部分が残るように紫外線を照射し、回路部分
以外を現像して除去する方法を使用することができる。
銅箔をエッチングするには、前記に形成したエッチング
レジストから露出している銅箔に、化学エッチング液を
接触させ、選択的に除去するものであり、このような化
学エッチング液としては、塩化第二銅溶液や塩化第二鉄
溶液等がある。
【００１９】（工程ｃ） ｃ．エッチングレジストを除去する工程。この工程で
は、上記で使用したエッチングレジストを、化学的に除
去するものであり、通常は、溶剤やアルカリ水溶液を用
いて除去する。
は、上記で使用したエッチングレジストを、化学的に除
去するものであり、通常は、溶剤やアルカリ水溶液を用
いて除去する。
【００２０】（工程ｄ） ｄ．ＩＶＨを形成するための穴の形状にエッチング除去
された銅箔の微細穴から露出した、前記熱硬化性樹脂層
を、レーザ光を照射することにより、前記内層板の回路
導体が露出するまで除去して、バイアホールとする工
程。この工程において使用できるレーザは、炭酸ガスレ
ーザ、ＹＡＧレーザ、エキシマレーザ等があり、生産性
の点から炭酸ガスレーザが好ましい。このときのレーザ
光の照射条件は、時間が短く、出力の大きなパルス状の
発振をするものが好ましく、例えば、１パルスの幅が１
〜４０μｓｅｃで、パルス繰り返し周波数が１５０〜１
０，０００Ｈｚ、繰り返しパルス数が１〜１０パルスの
条件で、出力の大きさが、２〜５パルスの範囲で、穴加
工できる出力の出せるレーザ発振器が、発振、制御が容
易となり好ましい。この出力は、エネルギー密度にし
て、１５〜４０Ｊ／ｃｍ2の範囲である。時間あたりの
出力が、上記範囲未満であると、樹脂層を蒸発、発散す
ることができず、上記範囲を越えると、必要以上の穴径
となり制御が困難で、一旦蒸発した樹脂が炭化して付着
することもあり、付着した炭化物の除去を行わなければ
ならない。
された銅箔の微細穴から露出した、前記熱硬化性樹脂層
を、レーザ光を照射することにより、前記内層板の回路
導体が露出するまで除去して、バイアホールとする工
程。この工程において使用できるレーザは、炭酸ガスレ
ーザ、ＹＡＧレーザ、エキシマレーザ等があり、生産性
の点から炭酸ガスレーザが好ましい。このときのレーザ
光の照射条件は、時間が短く、出力の大きなパルス状の
発振をするものが好ましく、例えば、１パルスの幅が１
〜４０μｓｅｃで、パルス繰り返し周波数が１５０〜１
０，０００Ｈｚ、繰り返しパルス数が１〜１０パルスの
条件で、出力の大きさが、２〜５パルスの範囲で、穴加
工できる出力の出せるレーザ発振器が、発振、制御が容
易となり好ましい。この出力は、エネルギー密度にし
て、１５〜４０Ｊ／ｃｍ2の範囲である。時間あたりの
出力が、上記範囲未満であると、樹脂層を蒸発、発散す
ることができず、上記範囲を越えると、必要以上の穴径
となり制御が困難で、一旦蒸発した樹脂が炭化して付着
することもあり、付着した炭化物の除去を行わなければ
ならない。
【００２１】（工程ｅ） ｅ．バイアホール壁面の硬化した前記熱硬化性樹脂層
を、粗化剤を用いて粗化する工程。この粗化剤は、樹脂
を膨潤、溶解するものであればどのようなものでも使用
でき、通常は、アルカリ過マンガン酸水溶液を使用する
ことが好ましい。
を、粗化剤を用いて粗化する工程。この粗化剤は、樹脂
を膨潤、溶解するものであればどのようなものでも使用
でき、通常は、アルカリ過マンガン酸水溶液を使用する
ことが好ましい。
【００２２】（工程ｆ） ｆ．前記内層板の回路導体と前記銅箔とを電気的に接続
するために、めっきを行う工程。このめっきは、通常の
配線板のスルーホールめっきと同様の技術を用いる。す
なわち、パラジウム等のめっきの核になる物質を、前記
粗化した樹脂層に付着させ、イオン化しためっき金属
と、めっき金属の錯化剤と、そのめっき金属の還元剤と
を有する無電解めっき液に接触させ、その核にめっきを
析出させ、さらにめっきの先にめっきを析出させ、核に
なる物質を付着した壁全体にめっき金属を析出させる。
このように、めっきを行うと、外層の銅箔と、ＩＶＨの
壁面と、内層板の回路導体とを電気的に接続することが
できる。
するために、めっきを行う工程。このめっきは、通常の
配線板のスルーホールめっきと同様の技術を用いる。す
なわち、パラジウム等のめっきの核になる物質を、前記
粗化した樹脂層に付着させ、イオン化しためっき金属
と、めっき金属の錯化剤と、そのめっき金属の還元剤と
を有する無電解めっき液に接触させ、その核にめっきを
析出させ、さらにめっきの先にめっきを析出させ、核に
なる物質を付着した壁全体にめっき金属を析出させる。
このように、めっきを行うと、外層の銅箔と、ＩＶＨの
壁面と、内層板の回路導体とを電気的に接続することが
できる。
【００２３】（工程ｇ） ｇ．前記銅箔上にエッチングレジストを形成し、該エッ
チングレジストから露出した銅箔をエッチング除去する
工程。工程ｂと同様にして、外層の回路を形成する。
チングレジストから露出した銅箔をエッチング除去する
工程。工程ｂと同様にして、外層の回路を形成する。
【００２４】（工程ｈ） ｈ．前記エッチングレジストを除去する工程。工程ｃと
同様にして、エッチングレジストを除去する。
同様にして、エッチングレジストを除去する。
【００２５】
実施例１ ・工程ａ３：図１（ａ）に示すように、厚さ０．６ｍｍ
のガラス布−エポキシ樹脂含浸両面銅張り積層板である
ＭＣＬ−Ｅ−６７９（日立化成工業株式会社製、商品
名）を使用し、穴あけ、無電解銅めっきを行い、通常の
サブトラクト法によってスルーホール１０１を有する内
層板１を作製した。図１（ｂ）に示すように、厚さ５μ
ｍの第１の銅層／厚さ０．２μｍのニッケル−リン合金
層／厚さ１５μｍの第２の銅層からなる複合金属箔３の
第１の銅層の面に、以下の組成の熱硬化性樹脂ワニスに
対して、３０ｖｏｌ％のほう酸アルミニウムウィスカを
混合、撹拌し、ナイフコータで塗布し、１５０℃で１０
分間乾燥して、半硬化させた厚さ５０μｍの熱硬化性樹
脂層２を有する銅箔付き接着フィルムを作製した。 （熱硬化性樹脂ワニスの組成） ・ビスフェノールＡノボラック型エポキシ樹脂・・・・・・・・１００重量部 （エポキシ当量：２００） ・ビスフェノールＡノボラック樹脂・・・・・・・・・・・・・・６０重量部 （水酸基当量：１０６） ・２−エチル−４−メチルイミダゾール・・・・・・・・・・・０．５重量部 （硬化剤） ・メチルエチルケトン・・・・・・・・・・・・・・・・・・・１００重量部 （希釈溶剤） このようにして作製した内層板１と銅箔付き接着フィル
ムとを、内層板１の回路導体と接着フィルムの熱硬化性
樹脂層２とが接するように重ね、１７０℃で、６０分
間、２．５ＭＰａの圧力で、加熱加圧して積層一体化し
た。この条件によって、樹脂フローは、３ｍｍであっ
た。 ・工程ａ４：第２の銅層のみを、以下のアルカリエッチ
ャントでエッチング除去した。 （アルカリエッチャント） ・ＣｕＯ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・１７５ｇ／ｌ ・ＮＨ4ＯＨ ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・１５４ｇ／ｌ ・ＮＨ4Ｃｌ ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・２３６ｇ／ｌ 液温５０℃ ・工程ａ５：ニッケル−リン合金層のみを、以下の組成
のエッチング液で、エッチング除去した。 （エッチング液組成） ・硝酸・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・２００ｇ／ｌ ・過酸化水素（３５％）・・・・・・・・・・・・・・・・・・１０ｍｌ／ｌ ・カルボキシル基を含む有機酸・・・・・・・・・・・・・・・１００ｇ／ｌ （ＤＬリンゴ酸） ・ベンゾトリアゾール・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・５ｇ／ｌ ・工程ｂ：図１（ｃ）に示すように、前記第１の銅箔上
に、ドラフィルムフォテックＨ−Ｋ４２５（日立化成工
業株式会社製、商品名）によるエッチングレジストを形
成し、そのエッチングレジストから露出した銅箔部分
を、バイアホールを形成するための銅箔の開口部４とし
て、直径１００μｍの円形の形状にエッチング除去し
た。 ・工程ｃ：エッチングレジストを、２重量％のＮａＯＨ
水溶液によって、４０℃で２分間の条件で除去した。 ・工程ｄ：図１（ｄ）に示すように、銅箔の開口部４か
ら露出した、前記硬化した熱硬化性樹脂層２を、炭酸ガ
スレーザ光によって、エネルギー密度２０Ｊ／ｃｍ2、
発振時間１μｓｅｃ、発振周波数１５０Ｈｚ，４パルス
の条件で、照射することにより、前記内層板の回路導体
が露出するまで除去して、バイアホール５とした。 ・工程ｅ：バイアホール壁面の前記硬化した熱硬化性樹
脂層を、粗化剤である、７％のアルカリ過マンガン酸水
溶液を用いて、液温７０℃、時間５分間の条件で粗化し
た。 ・工程ｆ：前記内層板の回路導体と前記銅箔とを電気的
に接続するために、以下の組成の無電解めっき液を用い
て、液温７０℃の条件で、めっきを行った。 （無電解めっき液の組成） ・ＣｕＳＯ4・５Ｈ2Ｏ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・１０ｇ／ｌ ・ＥＤＴＡ・４Ｎａ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・４０ｇ／ｌ ・３７％ＨＣＨＯ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・３ｍｌ／ｌ ・ＮａＯＨ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ｐＨを１２．３とする量 ・工程ｇ：前記銅箔上にドライフィルムフォテックＨ−
Ｗ４４０（日立化成工業株式会社製、商品名）によるエ
ッチングレジストを形成し、そのエッチングレジストか
ら露出した銅箔部分を、エッチング除去した。 ・工程ｈ：図１（ｅ）に示すように、前記エッチングレ
ジストを除去した。 ・工程ｉ：図１（ｆ）〜（ｉ）に示すように、前記工程
ａ３〜ｈを繰り返し行った。但し、図１（ｈ）に示すよ
うに、レーザ光により前記内層板の回路導体が露出する
まで除去して、バイアホール１０とした後に、スルーホ
ール１１となる穴をあけ、工程ｅと同様に粗化を行っ
た。さらに、ソルダーレジスト１６を形成し、ボンディ
ングパッド部に以下の組成の無電解ニッケルめっきを液
温９０℃で１２分間行った。その結果めっきの厚さは５
μｍであった。 （無電解ニッケルめっき液組成） ・硫酸ニッケル・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・３０ｇ／ｌ ・次亜リン酸ナトリウム・・・・・・・・・・・・・・・・・・・１０ｇ／ｌ ・酢酸ナトリウム・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・１０ｇ／ｌ ・ｐＨ：５ 次に、以下の組成の無電解金めっきを、液温９０℃で７
分間行った。その結果めっきの厚さは０．５μｍであっ
た。 （無電解金めっき液組成） ・シアン化金カリウム・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・２ｇ／ｌ ・塩化アンモニウム・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・７５ｇ／ｌ ・クエン酸ナトリウム・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・５０ｇ／ｌ ・次亜リン酸ナトリウム・・・・・・・・・・・・・・・・・・・１０ｇ／ｌ
のガラス布−エポキシ樹脂含浸両面銅張り積層板である
ＭＣＬ−Ｅ−６７９（日立化成工業株式会社製、商品
名）を使用し、穴あけ、無電解銅めっきを行い、通常の
サブトラクト法によってスルーホール１０１を有する内
層板１を作製した。図１（ｂ）に示すように、厚さ５μ
ｍの第１の銅層／厚さ０．２μｍのニッケル−リン合金
層／厚さ１５μｍの第２の銅層からなる複合金属箔３の
第１の銅層の面に、以下の組成の熱硬化性樹脂ワニスに
対して、３０ｖｏｌ％のほう酸アルミニウムウィスカを
混合、撹拌し、ナイフコータで塗布し、１５０℃で１０
分間乾燥して、半硬化させた厚さ５０μｍの熱硬化性樹
脂層２を有する銅箔付き接着フィルムを作製した。 （熱硬化性樹脂ワニスの組成） ・ビスフェノールＡノボラック型エポキシ樹脂・・・・・・・・１００重量部 （エポキシ当量：２００） ・ビスフェノールＡノボラック樹脂・・・・・・・・・・・・・・６０重量部 （水酸基当量：１０６） ・２−エチル−４−メチルイミダゾール・・・・・・・・・・・０．５重量部 （硬化剤） ・メチルエチルケトン・・・・・・・・・・・・・・・・・・・１００重量部 （希釈溶剤） このようにして作製した内層板１と銅箔付き接着フィル
ムとを、内層板１の回路導体と接着フィルムの熱硬化性
樹脂層２とが接するように重ね、１７０℃で、６０分
間、２．５ＭＰａの圧力で、加熱加圧して積層一体化し
た。この条件によって、樹脂フローは、３ｍｍであっ
た。 ・工程ａ４：第２の銅層のみを、以下のアルカリエッチ
ャントでエッチング除去した。 （アルカリエッチャント） ・ＣｕＯ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・１７５ｇ／ｌ ・ＮＨ4ＯＨ ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・１５４ｇ／ｌ ・ＮＨ4Ｃｌ ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・２３６ｇ／ｌ 液温５０℃ ・工程ａ５：ニッケル−リン合金層のみを、以下の組成
のエッチング液で、エッチング除去した。 （エッチング液組成） ・硝酸・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・２００ｇ／ｌ ・過酸化水素（３５％）・・・・・・・・・・・・・・・・・・１０ｍｌ／ｌ ・カルボキシル基を含む有機酸・・・・・・・・・・・・・・・１００ｇ／ｌ （ＤＬリンゴ酸） ・ベンゾトリアゾール・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・５ｇ／ｌ ・工程ｂ：図１（ｃ）に示すように、前記第１の銅箔上
に、ドラフィルムフォテックＨ−Ｋ４２５（日立化成工
業株式会社製、商品名）によるエッチングレジストを形
成し、そのエッチングレジストから露出した銅箔部分
を、バイアホールを形成するための銅箔の開口部４とし
て、直径１００μｍの円形の形状にエッチング除去し
た。 ・工程ｃ：エッチングレジストを、２重量％のＮａＯＨ
水溶液によって、４０℃で２分間の条件で除去した。 ・工程ｄ：図１（ｄ）に示すように、銅箔の開口部４か
ら露出した、前記硬化した熱硬化性樹脂層２を、炭酸ガ
スレーザ光によって、エネルギー密度２０Ｊ／ｃｍ2、
発振時間１μｓｅｃ、発振周波数１５０Ｈｚ，４パルス
の条件で、照射することにより、前記内層板の回路導体
が露出するまで除去して、バイアホール５とした。 ・工程ｅ：バイアホール壁面の前記硬化した熱硬化性樹
脂層を、粗化剤である、７％のアルカリ過マンガン酸水
溶液を用いて、液温７０℃、時間５分間の条件で粗化し
た。 ・工程ｆ：前記内層板の回路導体と前記銅箔とを電気的
に接続するために、以下の組成の無電解めっき液を用い
て、液温７０℃の条件で、めっきを行った。 （無電解めっき液の組成） ・ＣｕＳＯ4・５Ｈ2Ｏ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・１０ｇ／ｌ ・ＥＤＴＡ・４Ｎａ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・４０ｇ／ｌ ・３７％ＨＣＨＯ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・３ｍｌ／ｌ ・ＮａＯＨ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ｐＨを１２．３とする量 ・工程ｇ：前記銅箔上にドライフィルムフォテックＨ−
Ｗ４４０（日立化成工業株式会社製、商品名）によるエ
ッチングレジストを形成し、そのエッチングレジストか
ら露出した銅箔部分を、エッチング除去した。 ・工程ｈ：図１（ｅ）に示すように、前記エッチングレ
ジストを除去した。 ・工程ｉ：図１（ｆ）〜（ｉ）に示すように、前記工程
ａ３〜ｈを繰り返し行った。但し、図１（ｈ）に示すよ
うに、レーザ光により前記内層板の回路導体が露出する
まで除去して、バイアホール１０とした後に、スルーホ
ール１１となる穴をあけ、工程ｅと同様に粗化を行っ
た。さらに、ソルダーレジスト１６を形成し、ボンディ
ングパッド部に以下の組成の無電解ニッケルめっきを液
温９０℃で１２分間行った。その結果めっきの厚さは５
μｍであった。 （無電解ニッケルめっき液組成） ・硫酸ニッケル・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・３０ｇ／ｌ ・次亜リン酸ナトリウム・・・・・・・・・・・・・・・・・・・１０ｇ／ｌ ・酢酸ナトリウム・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・１０ｇ／ｌ ・ｐＨ：５ 次に、以下の組成の無電解金めっきを、液温９０℃で７
分間行った。その結果めっきの厚さは０．５μｍであっ
た。 （無電解金めっき液組成） ・シアン化金カリウム・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・２ｇ／ｌ ・塩化アンモニウム・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・７５ｇ／ｌ ・クエン酸ナトリウム・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・５０ｇ／ｌ ・次亜リン酸ナトリウム・・・・・・・・・・・・・・・・・・・１０ｇ／ｌ
【００２６】実施例２ 熱硬化性樹脂ワニスに対して、１０ｖｏｌ％のほう酸ア
ルミニウムウィスカを混合、撹拌した以外は、全て実施
例１と同様に行った。レーザ穴あけ条件は、炭酸ガスレ
ーザで、エネルギー密度２０Ｊ／ｃｍ2、発振時間１μ
ｓｅｃ、発振周波数１５０Ｈｚ、パルス数３であった。
ルミニウムウィスカを混合、撹拌した以外は、全て実施
例１と同様に行った。レーザ穴あけ条件は、炭酸ガスレ
ーザで、エネルギー密度２０Ｊ／ｃｍ2、発振時間１μ
ｓｅｃ、発振周波数１５０Ｈｚ、パルス数３であった。
【００２７】実施例３ 熱硬化性樹脂ワニスに対して、４５ｖｏｌ％のほう酸ア
ルミニウムウィスカを混合、撹拌した以外は、全て実施
例１と同様に行った。レーザ穴あけ条件は、炭酸ガスレ
ーザで、エネルギー密度２０Ｊ／ｃｍ2、発振時間１μ
ｓｅｃ、発振周波数１５０Ｈｚ、パルス数５であった。
ルミニウムウィスカを混合、撹拌した以外は、全て実施
例１と同様に行った。レーザ穴あけ条件は、炭酸ガスレ
ーザで、エネルギー密度２０Ｊ／ｃｍ2、発振時間１μ
ｓｅｃ、発振周波数１５０Ｈｚ、パルス数５であった。
【００２８】実施例４ 実施例１の工程ａ３〜ａ５に代えて、以下の工程ａ１及
びａ２を用いた以外は、実施例１と同様にして作製し
た。 ・工程ａ１：厚さ０．６ｍｍのガラス布−エポキシ樹脂
含浸両面銅張り積層板であるＭＣＬ−Ｅ−６７９（日立
化成工業株式会社製、商品名）を使用し、穴あけ、無電
解銅めっきを行い、通常のサブトラクト法によって内層
板１を作製した。厚さ５μｍの薄い銅層／厚さ７０μｍ
のキャリア銅層からなる複合金属箔の薄い銅層の面に、
以下の組成の熱硬化性樹脂ワニスに対して、３０ｖｏｌ
％のほう酸アルミニウムウィスカを混合、撹拌し、ナイ
フコータで塗布し、１５０℃で１０分間乾燥して、半硬
化させた銅箔付き接着フィルムを作製した。 （熱硬化性樹脂ワニスの組成） ・ビスフェノールＡノボラック型エポキシ樹脂・・・・・・・・１００重量部 （エポキシ当量：２００） ・ビスフェノールＡノボラック樹脂・・・・・・・・・・・・・・６０重量部 （水酸基当量：１０６） ・２−エチル−４メチルイミダゾール・・・・・・・・・・・・０．５重量部 （硬化剤） ・メチルエチルケトン・・・・・・・・・・・・・・・・・・・１００重量部 （希釈溶剤） このようにして作製した内層板１と銅箔付き接着フィル
ムとを、内層板１の回路導体と接着フィルムの熱硬化性
樹脂層が接するように重ね、１７０℃で、６０分間、
２．５ＭＰａの圧力で、加熱加圧して積層一体化した。
この条件によって、樹脂フローは、５ｍｍであった。 ・工程ａ２：キャリア層のみを、引き剥がして除去し
た。
びａ２を用いた以外は、実施例１と同様にして作製し
た。 ・工程ａ１：厚さ０．６ｍｍのガラス布−エポキシ樹脂
含浸両面銅張り積層板であるＭＣＬ−Ｅ−６７９（日立
化成工業株式会社製、商品名）を使用し、穴あけ、無電
解銅めっきを行い、通常のサブトラクト法によって内層
板１を作製した。厚さ５μｍの薄い銅層／厚さ７０μｍ
のキャリア銅層からなる複合金属箔の薄い銅層の面に、
以下の組成の熱硬化性樹脂ワニスに対して、３０ｖｏｌ
％のほう酸アルミニウムウィスカを混合、撹拌し、ナイ
フコータで塗布し、１５０℃で１０分間乾燥して、半硬
化させた銅箔付き接着フィルムを作製した。 （熱硬化性樹脂ワニスの組成） ・ビスフェノールＡノボラック型エポキシ樹脂・・・・・・・・１００重量部 （エポキシ当量：２００） ・ビスフェノールＡノボラック樹脂・・・・・・・・・・・・・・６０重量部 （水酸基当量：１０６） ・２−エチル−４メチルイミダゾール・・・・・・・・・・・・０．５重量部 （硬化剤） ・メチルエチルケトン・・・・・・・・・・・・・・・・・・・１００重量部 （希釈溶剤） このようにして作製した内層板１と銅箔付き接着フィル
ムとを、内層板１の回路導体と接着フィルムの熱硬化性
樹脂層が接するように重ね、１７０℃で、６０分間、
２．５ＭＰａの圧力で、加熱加圧して積層一体化した。
この条件によって、樹脂フローは、５ｍｍであった。 ・工程ａ２：キャリア層のみを、引き剥がして除去し
た。
【００２９】比較例１ 実施例１の銅箔付き接着剤に代えて、以下のプリプレグ
を用いた。 （プリプレグ） （熱硬化性樹脂ワニスの組成） ・ビスフェノールＡノボラック型エポキシ樹脂・・・・・・・・１００重量部 （エポキシ当量：２００） ・ビスフェノールＡノボラック樹脂・・・・・・・・・・・・・・６０重量部 （水酸基当量：１０６） ・２−エチル−４−メチルイミダゾール・・・・・・・・・・・０．５重量部 （硬化剤） ・メチルエチルケトン・・・・・・・・・・・・・・・・・・・１００重量部 （希釈溶剤） ・ガラス布
を用いた。 （プリプレグ） （熱硬化性樹脂ワニスの組成） ・ビスフェノールＡノボラック型エポキシ樹脂・・・・・・・・１００重量部 （エポキシ当量：２００） ・ビスフェノールＡノボラック樹脂・・・・・・・・・・・・・・６０重量部 （水酸基当量：１０６） ・２−エチル−４−メチルイミダゾール・・・・・・・・・・・０．５重量部 （硬化剤） ・メチルエチルケトン・・・・・・・・・・・・・・・・・・・１００重量部 （希釈溶剤） ・ガラス布
【００３０】比較例２ 実施例１の銅箔付き接着剤に代えて、以下の熱硬化性樹
脂ワニスを塗布したものを用いた。 （熱硬化性樹脂ワニスの組成） ・ビスフェノールＡノボラック型エポキシ樹脂・・・・・・・・１００重量部 （エポキシ当量：２００） ・ビスフェノールＡノボラック樹脂・・・・・・・・・・・・・・６０重量部 （水酸基当量：１０６） ・２−エチル−４−メチルイミダゾール・・・・・・・・・・・０．５重量部 （硬化剤） ・メチルエチルケトン・・・・・・・・・・・・・・・・・・・１００重量部 （希釈溶剤）
脂ワニスを塗布したものを用いた。 （熱硬化性樹脂ワニスの組成） ・ビスフェノールＡノボラック型エポキシ樹脂・・・・・・・・１００重量部 （エポキシ当量：２００） ・ビスフェノールＡノボラック樹脂・・・・・・・・・・・・・・６０重量部 （水酸基当量：１０６） ・２−エチル−４−メチルイミダゾール・・・・・・・・・・・０．５重量部 （硬化剤） ・メチルエチルケトン・・・・・・・・・・・・・・・・・・・１００重量部 （希釈溶剤）
【００３１】比較例３ 実施例１の銅箔付き接着剤に代えて、以下の熱硬化性樹
脂ワニスを、内層板１の上に直接、シルクスクリーン印
刷法によって塗布し、銅箔を上に重ねて、加熱加圧して
積層一体化したものを用いた。 （熱硬化性樹脂ワニスの組成） ・ビスフェノールＡノボラック型エポキシ樹脂・・・・・・・・１００重量部 （エポキシ当量：２００） ・ビスフェノールＡノボラック樹脂・・・・・・・・・・・・・・６０重量部 （水酸基当量：１０６） ・２−エチル−４−メチルイミダゾール・・・・・・・・・・・０．５重量部 （硬化剤） ・メチルエチルケトン・・・・・・・・・・・・・・・・・・・１００重量部 （希釈溶剤）
脂ワニスを、内層板１の上に直接、シルクスクリーン印
刷法によって塗布し、銅箔を上に重ねて、加熱加圧して
積層一体化したものを用いた。 （熱硬化性樹脂ワニスの組成） ・ビスフェノールＡノボラック型エポキシ樹脂・・・・・・・・１００重量部 （エポキシ当量：２００） ・ビスフェノールＡノボラック樹脂・・・・・・・・・・・・・・６０重量部 （水酸基当量：１０６） ・２−エチル−４−メチルイミダゾール・・・・・・・・・・・０．５重量部 （硬化剤） ・メチルエチルケトン・・・・・・・・・・・・・・・・・・・１００重量部 （希釈溶剤）
【００３２】以上のようにして作製した基板に、以下の
試験を行った。結果を表１に示す。 （試験） ・ワイヤボンディング性：図２に示すように、作製した
基板に、ダイボンド材１５によってＩＣチップ１３を固
定し、このＩＣチップ１３と作製した基板を接続するた
めに、直径２８μｍの金線１４を用い、ワイヤボンダで
あるＨＷ２２Ｕ−Ｈ（九州松下電器株式会社製、商品
名）を用い、基板加熱温度１５０℃と２００℃の条件で
ワイヤボンディングした。ワイヤボンディングした金線
の引っ張り強度を、プルテスターＰＴＲ−０１（株式会
社レスカ製、商品名）を用いて測定した。結果を、表１
に示す。
試験を行った。結果を表１に示す。 （試験） ・ワイヤボンディング性：図２に示すように、作製した
基板に、ダイボンド材１５によってＩＣチップ１３を固
定し、このＩＣチップ１３と作製した基板を接続するた
めに、直径２８μｍの金線１４を用い、ワイヤボンダで
あるＨＷ２２Ｕ−Ｈ（九州松下電器株式会社製、商品
名）を用い、基板加熱温度１５０℃と２００℃の条件で
ワイヤボンディングした。ワイヤボンディングした金線
の引っ張り強度を、プルテスターＰＴＲ−０１（株式会
社レスカ製、商品名）を用いて測定した。結果を、表１
に示す。
【００３３】
【表１】 ×：未ボンディング、Δ：４ｇ未満 〇：４ｇ以上、１０ｇ未満 ◎：１０ｇ以上
【００３４】
【発明の効果】以上に説明したとおり、本発明によっ
て、層間の薄型化、配線の微細化、また、ＩＶＨ、ＢＶ
Ｈの小径化に優れ、かつ強度に優れ、ワイヤボンディン
グ性に優れた多層プリント配線板の製造方法を提供する
ことができる。
て、層間の薄型化、配線の微細化、また、ＩＶＨ、ＢＶ
Ｈの小径化に優れ、かつ強度に優れ、ワイヤボンディン
グ性に優れた多層プリント配線板の製造方法を提供する
ことができる。
【図１】（ａ）〜（ｉ）は、それぞれ本発明の一実施例
を説明するための各工程を示す断面図である。
を説明するための各工程を示す断面図である。
【図２】本発明の一実施例を示す断面図である。
【符号の説明】 １．内層板 ２，７．熱硬化性
樹脂層 ３，８．銅箔 ４，９．銅箔の開
口部 ５，１０．バイアホール １１．スルーホール １３．ＩＣチップ １４．金線 １５．ダイボンド
材 １６．ソルダーレジスト １０１．スルーホ
ール
樹脂層 ３，８．銅箔 ４，９．銅箔の開
口部 ５，１０．バイアホール １１．スルーホール １３．ＩＣチップ １４．金線 １５．ダイボンド
材 １６．ソルダーレジスト １０１．スルーホ
ール
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 21/60 ３０１ Ｈ０１Ｌ 21/60 ３０１Ａ (72)発明者 大塚 和久 茨城県下館市大字小川1500番地 日立化成 工業株式会社下館研究所内 (72)発明者 有家 茂晴 茨城県下館市大字小川1500番地 日立化成 工業株式会社下館研究所内 (72)発明者 ▲つる▼ 義之 茨城県下館市大字小川1500番地 日立化成 工業株式会社下館研究所内 (72)発明者 中祖 昭士 茨城県下館市大字小川1500番地 日立化成 工業株式会社下館研究所内
Claims (6)
- 【請求項１】以下の工程を、この順序に行うことを特徴
とするワイヤボンディング用多層プリント配線板の製造
方法。 ａ．熱硬化性樹脂ワニスに電気絶縁性セラミック系ウィ
スカを配合し、撹拌により前記電気絶縁性セラミック系
ウィスカを前記熱硬化性樹脂ワニス中に均一に分散させ
た後、銅箔の粗化面に塗布し、加熱半硬化させ、熱硬化
性樹脂層を形成し、予めめっきスルーホールと導体回路
を形成した内層板の上に、前記熱硬化性樹脂層を重ね、
加熱加圧して積層一体化する工程。 ｂ．前記銅箔上にエッチングレジストを形成し、そのエ
ッチングレジストから露出した銅箔部分を、ＩＶＨを形
成するための穴の形状にエッチング除去する工程。 ｃ．エッチングレジストを除去する工程。 ｄ．ＩＶＨを形成するための穴の形状にエッチング除去
された銅箔の微細穴から露出した、前記硬化した熱硬化
性樹脂層を、レーザ光を照射することにより、前記内層
板の回路導体が露出するまで除去して、バイアホールと
する工程。 ｅ．バイアホール壁面の前記硬化した熱硬化性樹脂層
を、粗化剤を用いて粗化する工程。 ｆ．前記内層板の回路導体と前記銅箔とを電気的に接続
するために、めっきを行う工程。 ｇ．前記銅箔上にエッチングレジストを形成し、該エッ
チングレジストから露出した銅箔をエッチング除去する
工程。 ｈ．前記エッチングレジストを除去する工程。 - 【請求項２】工程ａに代えて、以下の工程を有すること
を特徴とする請求項１に記載のワイヤボンディング用多
層プリント配線板の製造方法。 ａ１．熱硬化性樹脂ワニスに電気絶縁性セラミック系ウ
ィスカを配合し、撹拌により前記電気絶縁性セラミック
系ウィスカを前記熱硬化性樹脂ワニス中に均一に分散さ
せた後、樹脂との接着に適した粗さを有すると共に回路
となる銅層と、全体としての金属層として取り扱いに十
分な強度を有するキャリア層からなり、この２層が容易
に剥離可能な複合金属箔であって、その銅層の粗化面に
塗布し、加熱半硬化させ、熱硬化性樹脂層を形成し、予
めめっきスルーホールと導体回路を形成した内層板の上
に、前記熱硬化性樹脂層を重ね、加熱加圧して積層一体
化する工程。 ａ２．キャリア層のみを除去する工程。 - 【請求項３】工程ａに代えて、以下の工程を有すること
を特徴とする請求項１に記載のワイヤボンディング用多
層プリント配線板の製造方法。 ａ３．熱硬化性樹脂ワニスに電気絶縁性セラミック系ウ
ィスカを配合し、撹拌により前記電気絶縁性セラミック
系ウィスカを前記熱硬化性樹脂中ワニスに均一に分散さ
せた後、樹脂との接着に適した粗さを有すると共に回路
となる１〜９μｍの厚さの第１の銅層と、全体としての
金属層として取り扱いに十分な強度を有する厚さ１０〜
１５０μｍの第２の銅層と、その２層の中間に設けられ
た厚さが０．０４〜１．５μｍのニッケル−リン合金層
からなる複合金属箔の第１の銅層の粗化面に塗布し、加
熱半硬化させ、熱硬化性樹脂層を形成し、予めめっきス
ルーホールと導体回路を形成した内層板の上に、前記熱
硬化性樹脂層を重ね、加熱加圧して積層一体化する工
程。 ａ４．第２の銅層のみを除去する工程。 ａ５．ニッケル−リン合金層のみを除去する工程。 - 【請求項４】工程ａ〜ｈ、ａ１〜ｈ、またはａ３〜ｈを
必要な回数繰り返し、２層以上のバイアホールを形成す
る工程を有することを特徴とする請求項１〜３のうちい
ずれかに記載のワイヤボンディング用多層プリント配線
板の製造方法。 - 【請求項５】熱硬化性樹脂の樹脂フローが、５００μｍ
以上あり、熱硬化性樹脂層の半硬化後の厚さが２５〜１
００μｍの範囲であることを特徴とする請求項１〜４の
うちいずれかに記載のワイヤボンディング用多層プリン
ト配線板の製造方法。 - 【請求項６】熱硬化性樹脂に配合する電気絶縁性セラミ
ック系ウィスカの配合量が、５〜５０ｖｏｌ％であるこ
とを特徴とする請求項１〜５のうちいずれかに記載のワ
イヤボンディング用多層プリント配線板の製造方法。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28940096A JP3865088B2 (ja) | 1996-10-31 | 1996-10-31 | ワイヤボンディング用多層プリント配線板の製造方法 |
| TW086107634A TW331698B (en) | 1996-06-18 | 1997-06-03 | Multi-layered printed circuit board |
| MYPI97002524A MY112355A (en) | 1996-06-18 | 1997-06-05 | Process for producing multilayer printed circuit board for wire bonding. |
| US08/870,379 US5879568A (en) | 1996-06-18 | 1997-06-06 | Process for producing multilayer printed circuit board for wire bonding |
| SG1997002028A SG72743A1 (en) | 1996-06-18 | 1997-06-11 | Process for producing multilayer printed circuit board for wire bonding |
| KR1019970025225A KR100270823B1 (ko) | 1996-06-18 | 1997-06-17 | 와이어본딩용다층인쇄회로판의제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28940096A JP3865088B2 (ja) | 1996-10-31 | 1996-10-31 | ワイヤボンディング用多層プリント配線板の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10135644A true JPH10135644A (ja) | 1998-05-22 |
| JP3865088B2 JP3865088B2 (ja) | 2007-01-10 |
Family
ID=17742746
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28940096A Expired - Fee Related JP3865088B2 (ja) | 1996-06-18 | 1996-10-31 | ワイヤボンディング用多層プリント配線板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3865088B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009206326A (ja) * | 2008-02-28 | 2009-09-10 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 多層プリント配線板、及び半導体装置 |
| JP2014220310A (ja) * | 2013-05-06 | 2014-11-20 | 株式会社デンソー | 多層基板およびこれを用いた電子装置、多層基板の製造方法 |
-
1996
- 1996-10-31 JP JP28940096A patent/JP3865088B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009206326A (ja) * | 2008-02-28 | 2009-09-10 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 多層プリント配線板、及び半導体装置 |
| JP2014220310A (ja) * | 2013-05-06 | 2014-11-20 | 株式会社デンソー | 多層基板およびこれを用いた電子装置、多層基板の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3865088B2 (ja) | 2007-01-10 |
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