JP2001111233A

JP2001111233A - フリップチップ搭載用高密度多層プリント配線板

Info

Publication number: JP2001111233A
Application number: JP28626199A
Authority: JP
Inventors: Nobuyuki Ikeguchi; 信之池口; Taro Yoshida; 太郎吉田
Original assignee: Mitsubishi Gas Chemical Co Inc
Current assignee: Mitsubishi Gas Chemical Co Inc
Priority date: 1999-10-07
Filing date: 1999-10-07
Publication date: 2001-04-20

Abstract

(57)【要約】【課題】孔径２５〜３００μmのレーザー
で孔あけしたブラインドビア孔及び貫通孔を有する高密
度の多層プリント配線板を得る。【解決手段】少なくとも３層以上の銅箔層を有
するフリップチップ搭載用多層プリント配線板におい
て、少なくともフリップチップ搭載部のパッドが各内外
層の回路と、少なくとも1孔以上がレーザーで孔あけさ
れた、孔径25〜300μmのブラインドビア孔及びスルーホ
ールの導体で接続され、該内層回路は周囲に広がり、該
周囲に広がる回路はブラインドビア孔及び表裏貫通した
スルーホール導体を介して、裏面でハンダボールパッド
に接続している形態である高密度多層プリント配線板。【効果】放熱性に優れ、高密度のスルーホ
ールを有するプリント配線板を得ることができた。加え
て、熱硬化性樹脂として多官能性シアン酸エステル樹脂
組成物を用いることにより、耐熱性、プレッシャークッ
カー後の電気絶縁性、耐マイグレーション性等に優れた
プリント配線板を作成できた。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、少なくとも３層の
銅箔層を有し各層を、すべて孔径25〜300μmのブライン
ドビア孔及びスルーホールの導体で接続する多層プリン
ト配線板に関する。得られたプリント配線板は、高密度
の小型プリント配線板として、フリップチップを搭載
し、小型、軽量の新規な半導体プラスチックパッケージ
用等に主に使用される。

【０００２】

【従来の技術】従来、半導体プラスチックパッケージ等
に用いられる高密度のプリント配線板は、スルーホール
用の貫通孔をドリルであけていた。近年、ますます貫通
孔の径は小径となり、孔径が180μm以下となってきてお
り、このような小径の孔をあける場合、ドリルではドリ
ル径が細いため、孔あけ時にドリルが曲がる、折れる、
加工速度が遅い等の欠点があり、生産性、信頼性等に問
題のあるものであった。また、上下の銅箔にあらかじめ
ネガフィルムを使用して所定の方法で同じ大きさの孔を
あけておき、炭酸ガスレーザーで上下を貫通するスルー
ホールを形成しようとすると、内層銅箔の位置ズレ、上
下の孔の位置のズレを生じ、接続不良、及び表裏のラン
ドが形成できない等の欠点があった。

【０００３】更には、内層として銅箔がある場合、表層
の銅箔をエッチング除去して低エネルギーで孔あけを行
なっても、内層銅箔の孔あけができずに、貫通孔が形成
できなかった。メカニカルドリルでも孔径180μm以下の
貫通孔を形成できるが、ドリルが曲がる、孔あけ時のガ
ラス繊維の割れによる銅メッキしみ込みなどが見られ、
孔壁間の信頼性は今一歩であった。また、孔径180μm以
下の貫通孔を有する高密度のプリント配線板は、フォト
ビア方式等で形成可能であるが、本発明で得られるよう
な、各層の導通をすべてブラインドビア孔及びスルーホ
ールの導体で行うプリント配線板は作成できなかった。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、以上の問題
点を解決した、孔径300μm以下、特に180μm以下の、少
なくとも１孔以上をレーザーで孔あけしたブラインドビ
ア孔及び貫通孔で、フリップチップ搭載部のパッドとハ
ンダボールパッドとを接続したフリップチップ搭載用高
密度多層プリント配線板に関する。

【０００５】

【課題を解決するための手段】本発明は、まず、好適に
はガラス布基材の両面銅張積層板を用い、これに、少な
くともフリップチップを搭載するバンプとなる箇所或い
はその側にブラインドビア孔をあけ、必要によりデスミ
ア処理等を施し、孔に銅メッキを行い、この下面に回路
を形成し、必要により銅の表面を処理し、この回路形成
面に、好適にはガラス布基材のプリプレグと銅箔を配置
し、積層成形した後、貫通孔をあけ、表裏層の銅箔の一
部を残存厚さが好適には3〜7μmになるまで、加えて孔
周辺に発生した銅箔バリを薬液にてエッチング除去し、
銅メッキをした後、この下（裏）面に回路形成、銅表面
処理、プリプレグ及び銅箔配置、積層成形を繰り返し
て、得られる多層銅張板を用いる。下面に形成された回
路は周囲に広がる構造とし、多層板の表裏を導通する貫
通孔と接続できるようにする。最後に内外層銅箔を接続
するように表裏を貫通する孔を形成し、表裏の銅箔の一
部を薬液にてエッチング除去し、スルーホールメッキ、
表裏の回路形成、必要によりメッキレジストで被覆し、
貴金属メッキ、例えばニッケルメッキ、金メッキを行
い、プリント配線板とする。

【０００６】孔径25〜180μmのブラインドビア孔及び貫
通孔は、レーザーで形成する。孔径25〜80μm未満は、
エキシマレーザー、YAGレーザーを使用する。孔径80〜1
80μmのブラインドビア孔及び貫通孔は、銅箔表面に酸
化金属処理を施すか、又は薬液処理を施すか、或いは融
点900℃以上で、且つ結合エネルギーが300kJ/mol 以上
の金属化合物粉、カーボン粉、又は金属粉の１種或いは
２種以上を3〜97 容積％を含む塗料を塗膜として配置す
るか、或いはこれを熱可塑性フィルム上に塗布してシー
ト状としたものを、好適には、総厚み30〜200μmの厚み
で銅箔表面上に配置し、炭酸ガスレーザーの出力を、好
ましくは20〜60mJ/パルスから選ばれるエネルギーで直
接照射して形成する。孔あけ後、銅箔の表面は機械的研
磨でバリをとることもできるが、完全にバリを取るため
には、好適には銅箔の両表面を平面的にエッチングし、
もとの金属箔の一部の厚さをエッチング除去することに
より、孔部に張り出した銅箔バリもエッチング除去する
ことが好ましい。エッチング除去により銅箔が薄くなる
ため、その後の金属メッキでメッキアップして得られた
表裏銅箔の細線の回路形成において、ショートやパター
ン切れ等の不良の発生もなく、高密度のプリント配線板
を作成することができる。この表裏銅箔のエッチングに
よる薄銅化の時に、孔内部に露出した内層銅箔表面に付
着する樹脂層を、好適には少なくとも気相処理してか
ら、エッチング除去する。孔内部は、銅メッキで50容積
％以上充填して、積層成形時による際の樹脂充填を容易
にする。加工速度はドリルであける場合に比べて格段に
速く、生産性も良好で、経済性にも優れたものが得られ
た。また、表裏、内層銅箔を接続するフリップチップ周
囲の貫通孔は200μm〜300μｍを使用するのが好まし
い。この孔はメカニカルドリルであけるのが好適であ
る。

【０００７】

【発明の実施の形態】本発明は、少なくとも３層以上の
銅箔層を有するフリップチップ搭載用高密度プリント配
線板に関する。フリップチップのバンプ接続用パッド
は、各層と、少なくとも１孔以上はレーザーで孔あけさ
れた、孔径25〜180μmのブラインドビア孔及びスルーホ
ールの導体で接続されており、各内層から周囲に広がる
回路は、最後に表裏貫通するスルーホールの導体で裏面
のハンダボールパッド用回路に接続する形態となってい
る。

【０００８】ブラインドビア孔、貫通孔は、孔径25〜80
μm未満は、好ましくはエキシマレーザー、YAGレーザー
で孔あけする。孔径80〜180μmの孔は、銅箔表面を酸化
金属処理又は薬液処理を施すか、或いは補助材料を配置
し、好適には20〜60mJ/パルスから選ばれた炭酸ガスレ
ーザーエネルギーを直接照射して孔を形成する。180μ
ｍを超える孔はメカニカルドリルで孔あけを行う。

【０００９】まず、ガラス布基材両面銅張板にブライン
ドビア孔をあけ、デスミア処理後、これに銅メッキを付
着させると同時に、好適にはブラインドビア孔内に50容
積％以上銅を充填し、下部の内層となる側に回路を形成
し、必要により、銅箔表面を酸化金属処理した後、ガラ
ス布基材プリプレグと銅箔を配置し、積層成形後、表裏
の銅箔を１２μｍ以下とし、貫通孔を形成し、表層の銅
箔を薬液で、好ましくは3〜7μmとなるまで溶解すると
同時に、孔周辺に発生する銅箔バリをも溶解除去する。
さらに銅メッキを施し、下面（裏）に回路形成、銅箔表
面処理、積層成形を繰り返し、最後に内層銅箔を接続す
るようにして表裏を貫通する孔をあけた後、銅表層を厚
さ方向に一部及びバリをエッチング除去し、銅メッキを
施し、表裏に回路を形成して、必要によりメッキレジス
トを施し、ニッケルメッキ、金メッキを行なって多層プ
リント配線板とする。

【００１０】孔あけにおいては、孔あけ速度等の点から
も孔径80〜180μｍの孔あけには炭酸ガスレーザーを用
いるのが好ましい。炭酸ガスレーザーによる孔あけにお
いて、レーザーを照射する面に、酸化金属処理又は薬液
処理を施すか、融点900℃で、且つ結合エネルギー300kJ
/mol 以上の酸化金属粉、カーボン、又は金属粉と水溶
性樹脂とを混合した塗料を塗布して塗膜とするか、熱可
塑性フィルムの片面に、総厚み30〜200μmとなるように
付着させて得られる孔あけ用補助シートを配置し、好適
には銅箔面に接着させて、その上から炭酸ガスレーザー
を直接銅箔表面に照射し、銅箔を加工除去することによ
る、ブラインドビア孔及びスルーホール用貫通孔を形成
する。。

【００１１】本発明の炭酸ガスレーザー孔あけ用補助シ
ートは、そのままでも使用可能であるが、孔あけ時に銅
張板の上に置いて、できるだけ密着させることが、孔の
形状を良好にするために好ましい。一般には、シートを
銅張板の上にテープ等で貼り付ける等の方法で固定、密
着して使用するが、より完全に密着するためには、得ら
れたシートを、銅張板の表面に、樹脂付着した面を向
け、加熱、加圧下にラミネートをかけるか、或いは樹脂
表層面3μm以下を水分で事前に湿らした後、室温にて加
圧下にラミネートすることにより、銅箔表面との密着性
が良好となり、孔形状の良好なものが得られる。

【００１２】樹脂組成物として、水溶性でない、有機溶
剤に溶解可能な樹脂組成物も使用可能である。しかしな
がら、炭酸ガスレーザー照射で、孔周辺に樹脂が付着す
ることがあり、この樹脂の除去が、水ではなく有機溶剤
を必要とするため、加工上煩雑であり、又、後工程の汚
染等の問題点も生じるため、好ましくない。

【００１３】本発明で使用する両面銅張板は、公知の有
機、無機基材補強の2層の銅の層が両面に存在する両面
銅張板、またフィルム基材のもの等が使用可能である
が、強度の点から、ガラス布基材の銅張積層板が好適に
使用される。基材としては、一般に公知の、有機、無機
の織布、不織布が使用できる。具体的には、無機の繊維
としては、Ｅ、Ｓ、Ｄ、Ｍガラス等の繊維等が挙げら
る。又、有機繊維としては、全芳香族ポリアミド、液晶
ポリエステル、ポリベンザゾールの繊維等を用いた布が
挙げられる。これらは、混抄でも良い。

【００１４】本発明で使用される両面銅張積層板、プリ
プレグに使用される熱硬化性樹脂組成物の樹脂として
は、一般に公知の熱硬化性樹脂が使用される。具体的に
は、エポキシ樹脂、多官能性シアン酸エステル樹脂、
多官能性マレイミドーシアン酸エステル樹脂、多官能性
マレイミド樹脂、不飽和基含有ポリフェニレンエーテル
樹脂等が挙げられ、1種或いは2種類以上が組み合わせて
使用される。出力の高い炭酸ガスレーザー照射による加
工でのスルーホール形状の点からは、ガラス転移温度が
150℃以上の熱硬化性樹脂組成物が好ましく、耐湿性、
耐マイグレーション性、吸湿後の電気的特性等の点から
多官能性シアン酸エステル樹脂組成物が好適である。

【００１５】本発明の好適な熱硬化性樹脂分である多官
能性シアン酸エステル化合物とは、分子内に2個以上の
シアナト基を有する化合物である。具体的に例示する
と、1,3-又は1,4-ジシアナトベンゼン、1,3,5-トリシア
ナトベンゼン、1,3-、1,4-、1,6-、1,8-、2,6-又は2,7-
ジシアナトナフタレン、1,3,6-トリシアナトナフタレ
ン、4,4-ジシアナトビフェニル、ビス(4-ジシアナトフ
ェニル)メタン、2,2-ビス(4-シアナトフェニル)プロパ
ン、2,2-ビス(3,5-ジブロモー4-シアナトフェニル)プロ
パン、ビス(4-シアナトフェニル)エーテル、ビス(4-シ
アナトフェニル)チオエーテル、ビス(4-シアナトフェニ
ル)スルホン、トリス(4-シアナトフェニル)ホスファイ
ト、トリス(4-シアナトフェニル)ホスフェート、および
ノボラックとハロゲン化シアンとの反応により得られる
シアネート類などである。

【００１６】これらのほかに特公昭41-1928、同43-1846
8、同44-4791、同45-11712、同46-41112、同47-26853及
び特開昭51-63149号公報等に記載の多官能性シアン酸エ
ステル化合物類も用いられ得る。また、これら多官能性
シアン酸エステル化合物のシアナト基の三量化によって
形成されるトリアジン環を有する分子量400〜6,000のプ
レポリマーが使用される。このプレポリマーは、上記の
多官能性シアン酸エステルモノマーを、例えば鉱酸、ル
イス酸等の酸類;ナトリウムアルコラート等、第三級ア
ミン類等の塩基;炭酸ナトリウム等の塩類等を触媒とし
て重合させることにより得られる。このプレポリマー中
には一部未反応のモノマーも含まれており、モノマーと
プレポリマーとの混合物の形態をしており、このような
原料は本発明の用途に好適に使用される。一般には可溶
な有機溶剤に溶解させて使用する。

【００１７】エポキシ樹脂としては、一般に公知のもの
が使用できる。具体的には、液状或いは固形のビスフェ
ノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹
脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾール
ノボラック型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂;ブタ
ジエン、ペンタジエン、ビニルシクロヘキセン、ジシク
ロペンチルエーテル等の二重結合をエポキシ化したポリ
エポキシ化合物類;ポリオール、水酸基含有シリコン樹
脂類とエポハロヒドリンとの反応によって得られるポリ
グリシジル化合物類等が挙げられる。これらは1種或い
は2種類以上が組み合わせて使用され得る。

【００１８】ポリイミド樹脂としては、一般に公知のも
のが使用され得る。具体的には、多官能性マレイミド類
とポリアミン類との反応物、特公昭57-005406 に記載の
末端三重結合のポリイミド類が挙げられる。これらの熱
硬化性樹脂は、単独でも使用されるが、特性のバランス
を考え、適宜組み合わせて使用するのが良い。

【００１９】本発明の熱硬化性樹脂組成物には、組成物
本来の特性が損なわれない範囲で、所望に応じて種々の
添加物を配合することができる。これらの添加物として
は、不飽和ポリエステル等の重合性二重結合含有モノマ
ー類及びそのプレポリマー類;ポリブタジエン、エポキ
シ化ブタジエン、マレイン化ブタジエン、ブタジエン-
アクリロニトリル共重合体、ポリクロロプレン、ブタジ
エン-スチレン共重合体、ポリイソプレン、ブチルゴ
ム、フッ素ゴム、天然ゴム等の低分子量液状〜高分子量
のelasticなゴム類;ポリエチレン、ポリプロピレン、ポ
リブテン、ポリ-4-メチルペンテン、ポリスチレン、AS
樹脂、ABS樹脂、MBS樹脂、スチレン-イソプレンゴム、
ポリエチレン-プロピレン共重合体、4-フッ化エチレン-
6-フッ化エチレン共重合体類;ポリカーボネート、ポリ
フェニレンエーテル、ポリスルホン、ポリエステル、ポ
リフェニレンサルファイド等の高分子量プレポリマー若
しくはオリゴマー;ポリウレタン等が例示され、適宜使
用される。また、その他、公知の無機、有機の充填剤、
染料、顔料、増粘剤、滑剤、消泡剤、分散剤、レベリン
グ剤、光増感剤、難燃剤、光沢剤、重合禁止剤、チキソ
性付与剤等の各種添加剤が、所望に応じて適宜組み合わ
せて用いられる。必要により、反応基を有する化合物は
硬化剤、触媒が適宜配合される。特に、レーザー加工の
ため、樹脂組成物に無機充填剤を添加し、さらに黒色の
染料或いは顔料を加えるのが好ましい。

【００２０】本発明の熱硬化性樹脂組成物は、それ自体
は加熱により硬化するが硬化速度が遅く、作業性、経済
性等に劣るため使用した熱硬化性樹脂に対して公知の熱
硬化触媒を用い得る。使用量は、熱硬化性樹脂100重量
部に対して0.005〜10重量部、好ましくは0.01〜5重量部
である。本発明で使用する補助材料の中の、融点900℃
以上で、且つ、結合エネルギー300kJ/mol以上の金属化
合物としては、一般に公知のものが使用できる。具体的
には、酸化物としては、酸化チタン等のチタニア類、酸
化マグネシウム等のマグネシア類、酸化鉄等の鉄酸化
物、酸化ニッケル等のニッケル酸化物、二酸化マンガ
ン、酸化亜鉛等の亜鉛酸化物、二酸化珪素、酸化アルミ
ニウム、希土類酸化物、酸化コバルト等のコバルト酸化
物、酸化錫等のスズ酸化物、酸化タングステン等のタン
グステン酸化物、等が挙げられる。非酸化物としては、
炭化珪素、炭化タングステン、窒化硼素、窒化珪素、窒
化チタン、窒化アルミニウム、硫酸バリウム、希土類酸
硫化物等、一般に公知のものが挙げられる。その他、カ
ーボンも使用できる。更に、その酸化金属粉の混合物で
ある各種ガラス類が挙げられる。又、カーボン粉が挙げ
られ、更に銀、アルミニウム、ビスマス、コバルト、
銅、鉄、マグネシウム、マンガン、モリブデン、ニッケ
ル、パラジウム、アンチモン、ケイ素、錫、チタン、バ
ナジウム、タングステン、亜鉛等の単体、或いはそれら
の合金の金属粉が使用される。これらは一種或いは二種
以上が組み合わせて使用される。平均粒子径は、特に限
定しないが、1μm以下が好ましい。

【００２１】炭酸ガスレーザーの照射で分子が解離する
か、溶融して飛散するために、金属が孔壁等に付着し
て、半導体チップ、孔壁密着性等に悪影響を及ぼさない
ようなものが好ましい。Ｎａ，Ｋ，Ｃｌイオン等は、特
に半導体の信頼性に悪影響を及ぼすため、これらの成分
を含むものは好適でない。配合量は、3〜97 容積％、好
適には5〜95 容積％が使用され、好適には水溶性樹脂に
配合され、均一に分散される。

【００２２】補助材料の水溶性樹脂としては、特に制限
はしないが、混練して銅箔表面に塗布、乾燥した場合、
或いはシート状とした場合、剥離欠落しないものを選択
する。例えばポリビニルアルコール、ポリエステル、ポ
リエーテル、澱粉等、一般に公知のものが使用される。
金属化合物粉、カーボン粉、又は金属粉と樹脂からなる
組成物を作成する方法は、特に限定しないが、ニーダー
等で無溶剤にて高温で練り、熱可塑性フィルム上にシー
ト状に押し出して付着する方法、水に水溶性樹脂を溶解
させ、これに上記粉体を加え、均一に攪拌混合して、こ
れを用い、塗料として熱可塑性フィルム上に塗布、乾燥
して膜を形成する方法等、一般に公知の方法が使用でき
る。厚みは、特に限定はしないが、一般には総厚み30〜
200μmで使用する。それ以外に銅箔表面に酸化金属処理
又は薬液処理を施してから同様に孔あけすることが可能
であるが、孔形状、表面銅箔汚染防止等の点からも上記
補助材料を使用するのが好ましい。裏面は、貫通孔を形
成した時に、炭酸ガスレーザーのテーブルの損傷を避け
るために、金属板の上に水溶性樹脂を付着させたバック
アップシートを、好適には樹脂面を銅箔と接着させて使
用するのが好ましい。

【００２３】銅箔面に加熱、加圧下にラミネートする場
合、補助材料、バックアップシートともに塗布樹脂層を
銅箔面に向け、ロールにて、温度は一般に40〜150℃、
好ましくは60〜120℃で、線圧は一般に0.5〜20kg、好ま
しくは1〜10kgの圧力でラミネートし、樹脂層を溶融さ
せて銅箔面と密着させる。温度の選択は使用する水溶性
樹脂の融点で異なり、又、線圧、ラミネート速度によっ
ても異なるが、一般には、水溶性樹脂の融点より5〜20
℃高い温度でラミネートする。又、室温で密着させる場
合、塗布樹脂層表面3μm以下を、ラミネート前に水分で
湿らせて、水溶性樹脂を少し溶解させ、同様の圧力でラ
ミネートする。水分で湿らせる方法は特に限定しない
が、例えばロールで水分を塗膜樹脂面に連続的に塗布す
るようにし、その後、連続して銅張積層板の表面にラミ
ネートする方法、水分をスプレー式に連続して塗膜表面
に吹き付け、その後、連続して銅張積層板の表面にラミ
ネートする方法等が使用し得る。

【００２４】基材補強銅張板は、まず上記補強基材に熱
硬化性樹脂組成物を含浸、乾燥させてBステージとし、
プリプレグを作成する。次に、このプリプレグを所定枚
数重ね、両面に銅箔を配置して、加熱、加圧下に積層成
形し、銅張板とする。銅箔の厚みは、好適には、両面銅
張積層板においては、3〜18μm、多層板の内層銅箔とし
ては5〜35μｍである。両面処理箔も使用できる。

【００２５】多層板は、好適にはガラス布基材補強した
両面銅張積層板に、レーザーでブラインドビア孔あけ
し、必要によりデスミア処理後に銅メッキを施して、好
適には孔内部銅メッキを50容積％以上充填させ、この内
層となる下（裏）面に回路を形成し、必要により銅箔表
面処理後、その上に、好適にはＢステージのガラス基材
補強プリプレグを配置し、その外側に銅箔を置き、加
熱、加圧、好ましくは真空下に積層成形してから好適に
は炭酸ガスレーザーで貫通孔あけし、薬液にて表層銅箔
を溶解して3〜7μmまで薄くし、同時に孔周辺に発生し
た銅箔バリをも除去してから、銅メッキを行い、銅張多
層板とする。これを繰り返し、最後に貫通孔あけ、銅メ
ッキ等をして所定の層を有する多層板を作成する。

【００２６】孔径80〜180μmのブラインドビア孔及び貫
通孔を形成する場合、両面銅張積層板の表面の銅箔上に
酸化金属処理又は薬液処理を施すか、融点900℃以上
で、且つ結合エネルギー300kJ/molの金属化合物粉3〜97
容積％、好ましくは5〜95容積％含む樹脂組成物を塗膜
として配置するか、熱可塑性フィルム上に総厚み30〜20
0μmとなるように付着させ、これを何も処理していない
銅箔面に、テープ等で固定して密着させるか、加熱、加
圧下にラミネートして貼り付けて密着させるか、或いは
水溶性樹脂組成物表層に水分を含ませ、室温で加圧下に
ラミネートして水溶性樹脂表層を溶解させて貼り付けて
密着させる等の方法で配置し、この上から、目的とする
径まで絞った、好ましくは20〜60mJ/パルスから選ばれ
た高出力のエネルギーの炭酸ガスレーザー光を直接照射
することにより、銅箔を加工して孔あけを行う。

【００２７】炭酸ガスレーザーを、出力20〜60mJ/パル
ス照射して孔を形成した場合、孔周辺はバリが発生す
る。これは、両面銅張積層板では、特に問題でなく、ブ
ラインドビア孔の底に残存する樹脂層をデスミア処理、
プラズマ処理等で除去し、そのまま銅メッキを行なって
孔内部の50容積％以上を銅メッキする。この内層となる
下面の銅箔に回路を形成し、必要により銅箔表面処理を
施し、この上に、好ましくはガラス布基材プリプレグを
配置し、その外側に銅箔を置き、積層成形して多層板と
する。その後表裏の銅箔の厚さを好ましくは１２μｍ以
下にエッチングしてから、表層に補助材料を配置し、炭
酸ガスレーザーで貫通孔あけし、薬液で表層銅箔を3〜7
μmにするとともに、孔周辺に発生した銅箔バリをも溶
解除去し、銅メッキを行う。これを繰り返して目的の層
を有する多層板を作成する。内層の銅箔は、フリップチ
ップ搭載部下部から周囲に回路を伸ばし、ランドを形成
しておく。このランドの中心に貫通孔をあけて各層を接
続させるとともに、裏面のハンダボールパッドに接続す
る回路部にも接続する形態とする。こうすることによ
り、フリップチップから発生した熱は上面に放熱すると
ともに、フリップチップの放熱用バンプを通し、周囲に
広がる内層回路を通って下面のハンダボールを通ってマ
ザーボードプリント配線板に拡散するようにして放熱を
行うことができる。

【００２８】また、非常に高密度の回路を形成するため
には、表層層の銅箔を薄くする必要があり、好適には、
炭酸ガスレーザー照射後、銅箔の両表面を平面的に機械
的、或いは薬液でエッチングし、もとの金属箔の一部の
厚さを除去することにより、同時にバリも除去し、且
つ、得られた銅箔は細密パターン形成に適しており、高
密度のプリント配線板に適した孔周囲の銅箔が残存した
スルーホールメッキ用貫通孔を形成する。この場合、機
械研磨よりはエッチングの方が、孔部のバリ除去、研磨
による寸法変化等の点から好適である。

【００２９】本発明の孔部に発生した銅のバリをエッチ
ング除去する方法としては、特に限定しないが、例え
ば、特開平02-22887、同02-22896、同02-25089、同02-2
5090、同02-59337、同02-60189、同02-166789、同03-25
995、同03-60183、同03-94491、同04-199592、同04-263
488号公報で開示された、薬品で金属表面を溶解除去す
る方法(ＳＵＥＰ法と呼ぶ）による。エッチング速度
は、一般には0.02〜1.0μm/秒で行う。

【００３０】炭酸ガスレーザーは、赤外線波長域にある
9.3〜10.6μmの波長が一般に使用される。出力は好まし
くは、20〜60mJ/パルスにて銅箔に孔をあける。エキシ
マレーザーは波長 248〜308μm、YAGレーザーは波長 35
1〜355μmが一般に使用される。波長はこれに限定され
るものではない。80〜180μｍの孔をあける場合には、
加工速度は炭酸ガスレーザーが格段に速く、経済的であ
る。

【００３１】ビア孔、貫通孔を炭酸ガスレーザーであけ
る場合、最初から最後まで20〜60mJ/パルスから選ばれ
るエネルギーを照射するのが良い。もちろんこのエネル
ギー内で孔あけ時にエネルギーを変えることは可能であ
る。表層の銅箔を除去する場合、より高いエネルギーを
選ぶことにより、照射ショット数が少なくてすみ、効率
が良い。中間の樹脂層を加工する場合、必ずしも高出力
が必要ではなく、基材及び樹脂により適宜選択できる。
例えば銅箔を加工するエネルギーは、出力20〜60mJ／パ
ルスで行い、基材や樹脂を加工するエネルギーは出力5
〜35mJ/パルスから選ぶことも可能である。もちろん、
最後まで高出力で加工することもできる。孔内部に内層
銅箔がある場合、ない場合で加工条件を変化させること
が可能である。

【００３２】炭酸ガスレーザーで加工された孔内部の内
層銅箔には1μm程度の樹脂層が残存する。また、メカニ
カルドリルで孔あけした場合、スミアが残る可能性があ
り、この樹脂層を除去することにより、さらなる銅メッ
キと内外層の銅との接続信頼性が良くなる。樹脂層を除
去するためには、デスミア処理等の一般に公知の処理が
可能であるが、液が小径の孔内部に到達しない場合、内
層の銅箔表面に残存する樹脂層の除去残が発生し、銅メ
ッキとの接続不良になる場合がある。従って、より好適
には、まず気相で孔内部を処理して樹脂の残存層を完全
に除去し、次いで孔内部を、好ましくは超音波を併用し
て湿潤処理する。

【００３３】気相処理としては一般に公知の処理が使用
可能であるが、例えばプラズマ処理、低圧紫外線処理等
が挙げられる。プラズマは、高周波電源により分子を部
分的に励起し、電離させた低温プラズマを用いる。これ
は、イオンの衝撃を利用した高速の処理、ラジカル種に
よる穏やかな処理が一般には使用され、処理ガスとし
て、反応性ガス、不活性ガスが使用される。反応性ガス
としては、主に酸素が使用され、化学的に表面処理をす
る。不活性ガスとしては、主にアルゴンガスを使用す
る。このアルゴンガス等を使用し、物理的な表面処理を
行う。物理的な処理は、イオンの衝撃を利用して表面を
クリーニングする。低圧紫外線は、波長が短い領域の紫
外線であり、波長として、184.9nm、253.7nm がピーク
の短波長域の波長を照射し、樹脂層を分解除去する。そ
の後、樹脂表面が疎水かされる場合が多いため、特に小
径孔の場合、超音波を併用して湿潤処理を行い、その後
銅メッキを行うことが好ましい。湿潤処理としては、特
に限定しないが、例えば過マンガン酸カリ水溶液、ソフ
トエッチング用水溶液等によるものが挙げられる。

【００３４】孔内部は、必ずしも銅メッキで50容積％以
上充填しなくても電気的導通はとれる。銅メッキとして
は、一般に公知の銅メッキを行うことが可能である。し
かしながら、メッキ時間を長くして孔内部を充填すると
作業性が悪く、孔充填に適したパルスメッキ用添加剤
（日本リロナール＜株＞製）を用いた工法等が好適に使
用される。多層化する場合、銅箔表面は、好適には表面
処理を行う。具体的には、酸化金属処理としては、黒色
酸化銅処理、MM処理(MacDermid社)等、薬液処理として
はCZ処理(メック社)等が挙げられる。

【００３５】

【実施例】以下に実施例、比較例で本発明を具体的に説
明する。尚、特に断らない限り、『部』は重量部を表
す。

【００３６】実施例１ 2,2-ビス(4-シアナトフェニル)プロパン900部、ビス(4-
マレイミドフェニル)メタン100部を150℃に熔融させ、
撹拌しながら4時間反応させ、プレポリマーを得た。こ
れをメチルエチルケトンとジメチルホルムアミドの混合
溶剤に溶解した。これにビスフェノールA型エポキシ樹
脂(商品名:エピコート1001、油化シェルエポキシ＜株＞
製)400部、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂(商品
名:ESCN-220F、住友化学工業＜株＞製)600部を加え、均
一に溶解混合した。更に触媒としてオクチル酸亜鉛0.4
部を加え、溶解混合し、これに無機充填剤(商品名:焼成
タルク、日本タルク＜株＞製)500部、及び黒色顔料8部
を加え、均一撹拌混合してワニスAを得た。このワニス
を厚さ50μmのガラス織布に含浸し150℃で乾燥して、ゲ
ル化時間(at170℃)120秒、ガラス布の含有量が35重量%
のプリプレグ(プリプレグB)を作成した。また、ガラス
含有量30重量%のプリプレグＣを作成した。

【００３７】厚さ35μmの電解銅箔を、上記プリプレグ
Ｂ 1枚の片面に配置し、その反対面に35μm銅箔キャリ
ア付き3μm電解銅箔を配置し、200℃、20kgf/cm²、30mm
Hg以下の真空下で2時間積層成形し、絶縁層厚み60μmの
両面銅張積層板Ｄを得た。その後35μmの銅キャリアシ
ートを剥離した。

【００３８】一方、酸化金属粉として黒色酸化銅粉（平
均粒子径：0.8μm）800部に、ポリビニルアルコール粉
体を水に溶解したワニスに加え、均一に攪拌混合した。
これを厚さ50μmのポリエチレンテレフタレートフィル
ム片面上に、厚さ30μｍとなるように塗布し、110℃で3
0分間乾燥して、金属化合物粉含有量45 容積％の補助材
料Eを作成した。更に厚さ50μmのアルミニウム箔上に上
記ポリビニルアルコールワニスを塗布、乾燥して樹脂層
厚み20μmのバックアップシートFを作成した。上記両面
板の3μm銅箔側に補助材料Eを、樹脂面が銅箔側を向く
ように配置し、100℃でラミネートして両面に接着して
から、孔径100μmのブラインドビア孔を20mm角内の中央
6mm角内に44個直接炭酸ガスレーザーで、出力25mJ/パル
スでまず1ショット、次に出力を10mJ/パルスにして1
ショット、20mJ/パルスにて1ショット照射して、70ブ
ロックにビア孔をあけ、デスミア処理後に銅メッキを行
なって、ビア孔内部を90容積％充填すると同時に表層層
に厚さ10μmに銅メッキを付着させた。その後、裏面に
メッキレジストを付着させ、表面の厚さ35μmの電解銅
箔を12μmまで溶解した。メッキレジスト剥離後、裏面
に回路を形成し、黒色酸化銅処理を行い、その回路の上
に上記プリプレグＣを置き、その外側に厚さ12μmの電
解銅箔を配置し、同様に積層成形して３層板とした。

【００３９】この３層板の裏面に、同様に補助材料Eを
配置し、表面には上記バックアップシートFを同様にラ
ミネートしてから、裏面から炭酸ガスレーザーのエネル
ギー25mJ/パルスにて3ショット照射して孔径100μmの
貫通孔を５２個あけた。この両面の銅箔層を、ＳＵＥＰ
処理にて孔周辺の銅箔のバリを除去するとともに、表面
の銅箔も4μmまで溶解した。その後、表層及び貫通孔に
銅メッキを9μm付着させ、この裏面に同様に回路形成、
黒色酸化銅処理を行い、プリプレグＣを置き、12μm銅
箔を配置し、同様に積層成形して４層板とした。この４
層板の表裏に同時に補助材料、バックアップシートを付
着させ、フリップチップ搭載部の周囲に、内層の銅箔と
接続するようにして孔径150μmの貫通孔を炭酸ガスレー
ザーのエネルギー３０mJ/パルスにて５ショット照射し
て１００個あけた。これをプラスママシーンに入れて処
理後、SUEP法にて表裏層銅箔を3μmまで溶解すると同時
に表裏及び内層銅箔バリを溶解除去し、銅メッキを10μ
m施してから、表裏を既存の方法にて回路(ライン/スペ
ース＝50/50μm）を形成し、ハンダボール用ランド等を
形成し、少なくともフリップチップ搭載用パッド部、ハ
ンダボールパッド部を除いてメッキレジストで被覆し、
ニッケル、金メッキを施し、プリント配線板を作成し
た。この上に大きさ6mm角のフリップチップを搭載し
た。評価結果を表１及び表２に示す。

【００４０】実施例２融点58℃の水溶性ポリエステル樹脂を水に溶解した樹脂
水溶液の中に、金属化合物粉（ＳｉＯ₂57重量％、Ｍｇ
Ｏ 43重量％、平均量子径：0.4μm)を加え、均一に攪拌
混合した後、これを厚さ50μmのポリエチレンテレフタ
レートフィルムに、厚さ20μmとなるように塗布し、110
℃で25分間乾燥し、金属化合物含有量70容積％のフィル
ム状補助材料Gとした。

【００４１】一方、実施例１のプリプレグＢを１枚使用
し、裏面に厚さ7μm、表面に厚さ35μmの電解銅箔を置
き、実施例１と同様に積層成形し、両面銅張積層板を得
た（図１（１））。この裏面に上記孔あけ補助材料Gを
配置して、100℃のロールにて、線圧2kgfでラミネート
し、この上から、炭酸ガスレーザーの出力30mJ/パルス
にて3ショット照射してブラインドビア孔60ホールをあ
けた。

【００４２】補助材料Gを剥離し（図１（２））、7μm
銅箔側にエッチングレジストを付着させ、35μm銅箔を
７μmまで溶解除去し、エッチングレジスト剥離後にプ
ラズマ装置の中に入れ、酸素気流中で10分、更にアルゴ
ン気流中で5分処理を行い、その後過マンガン酸カリ水
溶液にて超音波併用で湿潤処理を行なって、実施例1と
同様にパルス銅メッキを行い、ビア孔内部90%を銅メッ
キで充填し、表面には10μmの銅メッキを付着させた
（図１（３））。この下面（裏）に回路を形成し、黒色
酸化銅処理を施し、その上に上記プリプレグCを１枚配
置し、その外側に厚さ12μmの電解銅箔を置き（図１
（４））、同様に積層成形した。この４層銅張板の片面
に上記補助材料G、反対面に上記バックアップシートFを
配置し、同様にラミネートして接着させてから40mJ/パ
ルスにて4ショット照射し、貫通孔を４０ホールあけた
（図１（５））。この両側の銅箔をSUEPにて厚さ3μま
で溶解するとともに、内外層の銅箔バリをも溶解除去
し、同様にパルス銅メッキを施し、孔内部を87%充填
し、表層には厚さ10μm付着させた。これを繰り返して
５層の多層板を作成した。この表裏層の銅箔をSUEPにて
厚さ3μmとした。このフリップチップを搭載する周囲に
孔径200μの貫通孔を、フリップチップ搭載部にあけら
れた貫通孔と接続する各層の回路と接続するようにメカ
ニカルドリルであけ、デスミア処理後、銅メッキを10μ
m付着させた。この孔内部に孔埋め樹脂（商品名；BT-S7
35、三菱ガス化学<株>製）で充填し、110℃で2時間、更
に160℃で４時間熱硬化し、この表面を研磨し、デスミ
ア処理後銅メッキを５μｍ付着させた（図１（７））。
これを用い、実施例1と同様にプリント配線板とし、フ
リップチップを搭載し、裏面にはハンダボールを、貫通
孔の上のパッドに接合し、プリント配線板を作成し、フ
リップチップを搭載した（図１（８））。評価結果を表
１及び表２に示す。

【００４３】比較例１実施例１の両面銅張板を用い、表面処理を行なわずに炭
酸ガスレーザーで同様に孔あけを行なったが、孔はあか
なかった。

【００４４】比較例２実施例１の両面銅張板を用い、表裏面の銅箔を孔径100
μmでエッチング除去し、炭酸ガスレーザーのエネルギ
ー１０mJ/パルスにて同様のショット数で孔あけを行な
ったが、ガラス繊維のケバが孔壁に見られ、且つ表裏の
孔位置が最大15μmズレを生じ、その後の多層化が実施
できなかった。

【００４５】比較例３エポキシ樹脂（商品名：エピコート5045)2,000部、ジシ
アンジアミド70部、2ーエチルイミダゾール2部をメチル
エチルケトンとジメチルホルムアミドの混合溶剤に溶解
し、攪拌混合して均一分散してワニスHを得た。これを
厚さ100μmのガラス織布に含浸、乾燥して、ゲル化時間
140秒（at170℃），ガラス含有量55重量%のプリプレグI
を作成した。また、厚さ50μmのガラ織布を使用し、ゲ
ル化間180秒、ガラス含有量33重量%のプリプレグJを得
た。このプリプレグIを2枚使用し、両面に12μmの電解
銅箔を置き、190℃、20kgf/cm²、30mmHg以下の真空下で
2時間積層成形して両面銅張積層板Kを得た。この銅張積
層板Kの両面に回路を形成し、銅箔表面を黒色酸化銅処
理し、更にその外側に上記プリプレグJを配置し、その
外側に厚さ12μmの電解銅箔を配置し、同様に積層成形
して4層板を作成した。この上下の銅箔を径100μmでエ
ッチング除去し、炭酸ガスレーザーエネルギー10mJ/パ
ルスにてブラインドビア孔をあけ、またその他はメカ
ニカルドリルにて孔径200μmの貫通孔を、孔壁間150μm
で孔あけし、デスミア処理後に、SUEP処理を行わずに銅
メッキを10μm付着させた。これを用いて、プリント配
線板を作成し、フリップチップを搭載した。評価結果を
表１及び表２に示す。

【００４６】比較例４比較例３において、両面銅張積層板Kを用い、炭酸ガス
レーザー孔あけにおいて、内層のスルーホールとなる箇
所の内層の銅箔をあらかじめ孔径100μmとなるように銅
箔をエッチング除去し、回路を形成しておき、また最後
に表裏の同位置も径100μmで銅箔をエッチング除去して
おき（図２（１）、エネルギー10mJ/パルスにて貫通孔
あけを行なった（図２（２）。その後は比較例３と同様
にして、SUEP処理を行わずに、デスミア処理を１回施
し、銅メッキを10μｍ施し（図２（３）、表裏に回路を
形成し、同様にプリント配線板を作成し、フリップチッ
プを搭載した。評価結果を表１及び表２に示す。

【００４７】

【表１】

【００４８】

【表２】

【００４９】＜測定方法＞ 1)表裏、内層孔位置のズレワークサイズ250mm角内に、孔径150μmの孔を900孔/ブ
ロックとして70ブロック（孔計63,000孔）作成した。
炭酸ガスレーザー及びメカニカルドリルで孔あけを行な
い、１枚の銅張板に63,000孔をあけた場合の表裏と内層
銅箔のズレの最大値を示した。 2)回路パターン切れ、及びショート実施例、比較例で、孔のあいていない板を同様に作成
し、ライン/スペース＝50/50μm の櫛形パターンを作成
した後、拡大鏡でエッチング後の200パターンを目視に
て観察し、パターン切れ、及びショートしているパター
ンの合計を分子に示した。 3)ガラス転移温度ＤＭＡ法にて測定した。 4)スルーホール・ヒートサイクル試験孔径１５０μｍのスルーホール孔に径２５０μmのラン
ドを作成し、900孔を表裏交互につなぎ、1サイクルが、
260℃・ハンダ・浸せき30秒→室温・5分で、２００サ
イクルまで実施し、抵抗値の変化率の最大値を示した。 5)ランド周辺銅箔切れ表裏の孔周辺に径２５０μmのランドを形成した時の、
ランド部分の銅箔欠けを観察した。 6)プレッシヤークッカー処理後の絶縁抵抗値端子間（ライン／スペース＝50/50μm）の櫛形パターン
を作成し、この上に、それぞれ使用したプリプレグを配
置し、積層成形したものを、121℃・203kPa にて所定時
間処理した後、25℃・6%RH で2時間後処理を行い、500V
DCを印加して端子間の絶縁抵抗値を測定した。 7)耐マイグレーション性上記6)の試験片を85℃・85%RH、50VDC印加して端子間の
絶縁抵抗値を測定した。 8)放熱性パッケージを同一マザーボードプリント配線板にハンダ
ボールで接着させ、1000時間連続使用してから、パッケ
ージの温度を測定した。

【００５０】

【発明の効果】本発明は、少なくとも３層の銅の層を有
するフリップチップ搭載用プリント配線において、少な
くともフリップチップ搭載部のパッドが、各内層の銅箔
回路と、少なくとも1孔以上がレーザーで孔あけされた
孔径２５〜３００μｍのブラインドビア孔及びスルーホ
ールの導体で全て接続されており、該内層回路は周囲に
広がり、該周囲に広がる回路は表裏貫通するスルーホー
ルの導体に接続し、スルーホールの導体は裏面の放熱用
及び信号伝播用等のハンダボールパッドに接続するラン
ドに接続している形態のプリント配線板を提供する。本
発明によれば、スルーホールの導体と各層との接続信頼
性に優れ、表層銅箔同士の接続信頼性に優れ、放熱性に
優れ、かつ高密度のプリント配線板が提供される。本発
明はさらに、孔径80〜180μmのブラインドビア孔及び貫
通孔を、銅箔表面に酸化金属処理又は薬液処理を施す
か、或いは孔あけ補助材料として、少なくとも、融点90
0℃以上で、且つ結合エネルギー300kJ/mol以上の金属化
合物粉、カーボン粉、又は金属粉を3〜97 容積％含む樹
脂組成物よりなる塗膜を形成するか、熱可塑性フィルム
の片面に総厚み30〜200μmとなるように樹脂皮膜を付着
させたシートを配置し、好適には銅箔面と接着させ、こ
の上から、好ましくは20〜60mJ/パルスから選ばれたエ
ネルギーの炭酸ガスレーザーを直接照射してブラインド
ビア孔及び貫通孔あけを行ない、その後、孔内部の50容
積％以上を銅メッキで充填し、この下面に回路を形成
し、必要により銅箔回路表面を酸化金属処理又は薬液処
理を施し、この回路側の面にガラス布基材プリプレグ及
び銅箔を配置し、積層成形後にさらにブラインドビア孔
をあけ、その後表層の銅箔の厚さ方向の一部の厚さを薬
液でエッチングで溶解し、同時に孔周辺に発生した銅箔
バリをも溶解除去し、ついで銅メッキを行う操作を繰り
返して多層板をビルドダウン方式で作成する高密度多層
プリント配線板を提供する。本発明によれば、熱硬化性
樹脂として、多官能性シアン酸エステル樹脂組成物を用
いることにより、得られたプリント配線板は、耐熱性に
優れ、且つ耐マイグレーション性、プレッシャー後の電
気絶縁性等の信頼性にも優れたフリップチップ用プリン
ト配線板を得ることができた。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施例２の両面銅張板の炭酸ガスレーザーによ
るブラインドビア孔あけ（２）及びパルス銅メッキ
（３）、３層板（５）作成、貫通孔あけ（５）、パルス
銅メッキ（６）、５層板の炭酸ガスレーザーによる貫通
孔あけ、外周部のメカニカルドリルによる貫通孔あけと
穴埋め樹脂による穴埋め、パルス銅メッキ（７）、フリ
ップチップを搭載した半導体プラスチックパッケージ
（８）の各工程を示す工程図である。

【図２】比較例４の多層板の炭酸ガスレーザーによる孔
あけ及び銅メッキの工程図である（ＳＵＥＰ無し）。

【符号の説明】

ａガラス布基材両面銅張積層板ｂ₁ 厚さ３５μｍの電解銅箔 b₂ 厚さ７μｍの電解銅箔 b₃ SUEPで残存厚さ７μｍまで溶解した後、厚さ１０
μｍのメッキをした銅箔ｃ炭酸ガスレーザーで孔あけされたビア孔部ｄ発生した銅箔バリｅプリプレグC ｆ銅箔ｇ３層板ｈ炭酸ガスレーザーで孔あけされた貫通孔部ｉ発生した銅箔バリｊ₁,j₂,j₃ パルス銅メッキした貫通孔部ｋ孔埋めした樹脂ｌ半導体チップｍ半導体チップバンプｎハンダボールパッドｏハンダボールｐパルス銅メッキしたビア孔部ｑズレを生じた内層銅箔 r 通常の方法で銅メッキした貫通孔 s 両面銅張積層板

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｈ０５Ｋ 1/18 Ｂ２３Ｋ 101:42 // Ｂ２３Ｋ 101:42 Ｈ０１Ｌ 23/12 ＮＦターム(参考） 4E068 AF00 AF02 CF01 CF03 DA11 5E336 BB03 BC02 BC12 BC14 CC58 EE01 GG03 GG12 5E346 AA42 AA43 CC04 CC08 CC32 DD22 EE09 EE13 FF07 FF13 FF24 FF45 GG15 GG22 HH07 HH08 HH17 HH18 HH31

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】少なくとも３層以上の銅箔層を有するフ
リップチップ搭載用多層プリント配線板において、少な
くともフリップチップ搭載部のパッドが各内外層の回路
と、少なくとも1孔以上がレーザーで孔あけされた、孔
径25〜300μmのブラインドビア孔及びスルーホールの導
体で接続され、該内層回路は周囲に広がり、該周囲に広
がる回路はブラインドビア孔及び表裏貫通したスルーホ
ール導体を介して、裏面でハンダボールパッドに接続し
ている形態であることを特徴とする高密度多層プリント
配線板。
【請求項２】孔径80〜180μmのブラインドビア孔及び
貫通孔を有するプリント配線板が、銅箔を除去できるに
十分な炭酸ガスレーザーのエネルギーを用いて、炭酸ガ
スレーザーのパルス発振により、直接炭酸ガスレーザー
を照射して、両面銅張板の銅箔を加工して、ブラインド
ビア孔及び貫通孔を形成するために、銅箔表面に酸化金
属処理又は薬液処理を施すか、あるいは孔あけ用補助材
料として、少なくとも、融点900℃以上で、且つ結合エ
ネルギー300kJ/mol 以上の金属化合物粉、カーボン粉、
又は金属粉の１種或いは２種以上の成分を3〜97 容積％
含む樹脂組成物層を配置した後、炭酸ガスレーザーを直
接照射して、銅箔を孔あけ加工してブラインドビア孔あ
けを行い、銅メッキして得られる両面銅張板を用い、こ
の内層となる下面の銅箔に回路を形成した後、その回路
側にプリプレグ及び銅箔を配置し、積層成形して得られ
る多層板の両面銅箔を１２μｍ以下になるようにし、次
に貫通孔を形成してから、少なくとも表裏面の銅箔を１
２μｍ以下となるように厚さ方向に一部薬液でエッチン
グ除去してから、同じく銅メッキして回路を下に形成
し、これを繰り返していき、最後に各層の銅箔と接続す
るように表裏を貫通する孔をあけ、薬液によって表裏層
の銅箔を厚さ方向に一部溶解してから銅メッキして、表
裏に回路を形成し、貴金属メッキを施して得られること
を特徴とする請求項１記載の高密度多層プリント配線
板。
【請求項３】ブラインドビア孔及び貫通孔をあけた後
の銅箔のエッチング除去が、薬液で表層の銅箔の一部を
溶解して残存銅箔厚さ3〜7μmとすると同時に、孔部に
張り出した銅箔バリをも溶解除去することを特徴とする
請求項２記載の高密度プリント配線板。
【請求項４】ブラインドビア孔及び貫通孔を銅メッキ
で50容積％以上充填することを特徴とする請求項１、２
又は３記載の高密度プリント配線板。
【請求項５】両面銅張積層板及びプリプレグがガラス
布基材で補強されたものである請求項２、３又は４記載
の高密度プリント配線板。