JP2017521797A - カバーガラス中の高分解能電界センサ - Google Patents
カバーガラス中の高分解能電界センサ Download PDFInfo
- Publication number
- JP2017521797A JP2017521797A JP2017503482A JP2017503482A JP2017521797A JP 2017521797 A JP2017521797 A JP 2017521797A JP 2017503482 A JP2017503482 A JP 2017503482A JP 2017503482 A JP2017503482 A JP 2017503482A JP 2017521797 A JP2017521797 A JP 2017521797A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- glass
- sensor
- assembly
- fingerprint
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000006059 cover glass Substances 0.000 title claims description 46
- 230000005684 electric field Effects 0.000 title claims description 11
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 126
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims abstract description 49
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims abstract description 27
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 24
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 24
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 claims description 10
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 8
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 claims description 5
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 3
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 3
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 3
- 239000010432 diamond Substances 0.000 claims description 3
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 claims description 3
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 230000035515 penetration Effects 0.000 abstract description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 200
- 230000006870 function Effects 0.000 description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 description 11
- 230000033001 locomotion Effects 0.000 description 8
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 7
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 5
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 5
- 241001422033 Thestylus Species 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000009471 action Effects 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 229920001621 AMOLED Polymers 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000011253 protective coating Substances 0.000 description 2
- 230000003678 scratch resistant effect Effects 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002042 Silver nanowire Substances 0.000 description 1
- 229910001491 alkali aluminosilicate Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006117 anti-reflective coating Substances 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001413 cellular effect Effects 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000001017 electron-beam sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 159000000011 group IA salts Chemical class 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000005342 ion exchange Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 239000002070 nanowire Substances 0.000 description 1
- 239000005445 natural material Substances 0.000 description 1
- 238000011112 process operation Methods 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HUAUNKAZQWMVFY-UHFFFAOYSA-M sodium;oxocalcium;hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+].[Ca]=O HUAUNKAZQWMVFY-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000005341 toughened glass Substances 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06V—IMAGE OR VIDEO RECOGNITION OR UNDERSTANDING
- G06V40/00—Recognition of biometric, human-related or animal-related patterns in image or video data
- G06V40/10—Human or animal bodies, e.g. vehicle occupants or pedestrians; Body parts, e.g. hands
- G06V40/12—Fingerprints or palmprints
- G06V40/13—Sensors therefor
- G06V40/1306—Sensors therefor non-optical, e.g. ultrasonic or capacitive sensing
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R27/00—Arrangements for measuring resistance, reactance, impedance, or electric characteristics derived therefrom
- G01R27/02—Measuring real or complex resistance, reactance, impedance, or other two-pole characteristics derived therefrom, e.g. time constant
- G01R27/26—Measuring inductance or capacitance; Measuring quality factor, e.g. by using the resonance method; Measuring loss factor; Measuring dielectric constants ; Measuring impedance or related variables
- G01R27/2605—Measuring capacitance
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
- G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
- G06F3/017—Gesture based interaction, e.g. based on a set of recognized hand gestures
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06V—IMAGE OR VIDEO RECOGNITION OR UNDERSTANDING
- G06V40/00—Recognition of biometric, human-related or animal-related patterns in image or video data
- G06V40/10—Human or animal bodies, e.g. vehicle occupants or pedestrians; Body parts, e.g. hands
- G06V40/12—Fingerprints or palmprints
- G06V40/13—Sensors therefor
- G06V40/1329—Protecting the fingerprint sensor against damage caused by the finger
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/13338—Input devices, e.g. touch panels
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/40—OLEDs integrated with touch screens
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Human Computer Interaction (AREA)
- Multimedia (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Image Input (AREA)
- Measurement Of Length, Angles, Or The Like Using Electric Or Magnetic Means (AREA)
- Measurement Of The Respiration, Hearing Ability, Form, And Blood Characteristics Of Living Organisms (AREA)
Abstract
センサガラス層の上に薄い保護カバー層を含み、薄い保護カバー層とセンサガラス層との間に受信回路機構を有する指紋センサが説明される。一実施態様では、指紋センサアセンブリは、コントローラと、コントローラに電気的に結合されるように構成された金属層と、金属層およびコントローラに電気的に接続された送信層と、少なくとも１つのガラス貫通ビアを含むセンサガラス層であって、送信層がセンサガラス層の第１の面に配置され、また、送信層が少なくとも１つのガラス貫通ビアに電気的に結合されるセンサガラス層と、センサガラス層の第２の面に配置された受信層であって、少なくとも１つのガラス貫通ビアに電気的に結合される受信層と、受信層の上に配置された保護カバー層とを含む。
Description
関連出願の相互参照
本出願は、２０１４年９月２５日に出願した、「ＨＩＧＨ−ＲＥＳＯＬＵＴＩＯＮ ＥＬＥＣＴＲＩＣ ＦＩＥＬＤ ＳＥＮＳＯＲ ＩＮ ＣＯＶＥＲ ＧＬＡＳＳ」という名称の米国出願第１４／４９６，０７３号の優先権を主張するものである。また、本出願は、特許法§１１９（ｅ）の下に、２０１４年７月２５日に出願した、「ＰＨＯＴＯＰＡＴＴＥＲＮＡＢＬＥ ＧＬＡＳＳ ＭＩＣＲＯ ＥＬＥＣＴＲＯＣＨＥＭＩＣＡＬ ＣＥＬＬ ＡＮＤ ＭＥＴＨＯＤ」という名称の米国仮出願第６２／０２８，８８７号の利益を主張するものである。米国出願第１４／４９６，０７３号および米国仮出願第６２／０２８，８８７号は、参照により本明細書に組み込まれている。
本出願は、２０１４年９月２５日に出願した、「ＨＩＧＨ−ＲＥＳＯＬＵＴＩＯＮ ＥＬＥＣＴＲＩＣ ＦＩＥＬＤ ＳＥＮＳＯＲ ＩＮ ＣＯＶＥＲ ＧＬＡＳＳ」という名称の米国出願第１４／４９６，０７３号の優先権を主張するものである。また、本出願は、特許法§１１９（ｅ）の下に、２０１４年７月２５日に出願した、「ＰＨＯＴＯＰＡＴＴＥＲＮＡＢＬＥ ＧＬＡＳＳ ＭＩＣＲＯ ＥＬＥＣＴＲＯＣＨＥＭＩＣＡＬ ＣＥＬＬ ＡＮＤ ＭＥＴＨＯＤ」という名称の米国仮出願第６２／０２８，８８７号の利益を主張するものである。米国出願第１４／４９６，０７３号および米国仮出願第６２／０２８，８８７号は、参照により本明細書に組み込まれている。
タッチスクリーンを利用している電子デバイスは、今日の技術に広く用いられている。タッチスクリーンを使用している電子デバイスには、たとえばスマートフォン、スマートウォッチまたはタブレットコンピュータを含むことができる。タッチスクリーンは、たとえば指でスクリーンに接触することにより、単純な接触動作、または複数回の接触動作によってユーザが制御することができる電子視覚ディスプレイを含むことができる。ユーザは、タッチスクリーンを使用して、表示されている内容に反応し、かつ、どのように表示させるかを制御することができる（たとえばテキストサイズをズームすることによって）。タッチスクリーンにより、ユーザは、マウス、タッチパッドまたは任意の他の中間デバイス（最も近代的なタッチスクリーンのためのオプションであるスタイラス以外の）を使用するのではなく、表示されている内容と直接対話することができる。
指紋センサは、指紋パターンの画像を捕獲するために使用されるデバイスを含むことができる。これらの指紋パターンを使用して代表的なテンプレートを作製することができ、このテンプレートは、記憶して、個人の指紋との照合のために使用することができる。
カバーガラスの上に製造された高分解能電界センサが説明される。カバーガラスは、表示デバイスを引っ掻き傷、破損および他の損傷から保護するためにディスプレイの上方に置かれる。高分解能電界センサは、指、スタイラス、掌および人間の身体部分を、カバーガラス上とカバーガラスの上方の両方に静止画像化している間、カバーガラス上の指紋の細かい特徴を分解することができる。カバーガラスは、高分解能電界センサが存在していても、その強度、耐引っ掻き傷性および透明性を維持する。したがって多くの異なる対象の感知をディスプレイの上方で実施することができる。
したがって、センサガラス層の上に薄い保護カバー層を含み、薄い保護カバー層とセンサガラス層との間に受信回路機構を有する指紋センサが説明される。一実施態様では、指紋センサアセンブリは、コントローラと、コントローラに電気的に結合されるように構成された金属層と、金属層およびコントローラに電気的に接続された送信層と、少なくとも１つのガラス貫通ビアを含むセンサガラス層であって、送信層がセンサガラス層の第１の面に配置され、また、送信層が少なくとも１つのガラス貫通ビアに電気的に結合されるセンサガラス層と、センサガラス層の第２の面に配置された受信層であって、少なくとも１つのガラス貫通ビアに電気的に結合される受信層と、受信層の上に配置された保護カバー層とを含む。
一実施態様では、本開示による例示的技法を使用した高分解能電界センサを有するカバーガラスアセンブリは、金属層によってコントローラに電気的に接続された送信層と、少なくとも１つのガラス貫通ビアを含むセンサガラス層であって、送信層がセンサガラス層の第１の面に配置され、かつ、少なくとも１つのガラス貫通ビアに電気的に結合されるセンサガラス層と、センサガラス層の第２の面に配置された受信層であって、少なくとも１つのガラス貫通ビアに電気的に結合される受信層と、受信層の上に配置された保護カバー層とを含み、カバーガラスアセンブリは、タッチパネルデバイスを含むように構成される。
一実施態様では、本開示による例示的技法を使用した高分解能電界センサを有するカバーガラスアセンブリは、モバイルデバイスのために構成されたディスプレイアセンブリと、金属層によってコントローラに電気的に接続された送信層であって、コントローラがディスプレイアセンブリに電気的に結合される送信層と、少なくとも１つのガラス貫通ビアを含むセンサガラス層であって、送信層がセンサガラス層の第１の面に配置され、かつ、少なくとも１つのガラス貫通ビアに電気的に結合されるセンサガラス層と、センサガラス層の第２の面に配置された受信層であって、少なくとも１つのガラス貫通ビアに電気的に結合される受信層と、受信層の上に配置された保護カバー層とを含む。
この概要は、以下の、発明を実施するための形態、の中でさらに説明される概念の選択を単純な形態で紹介するために提供されたものである。この概要には、特許請求される主題の重要な特徴または本質的な特徴を識別することは意図されておらず、また、特許請求される主題の範囲を決定する際の補助として使用されることも意図されていない。
発明を実施するための形態は、添付の図を参照して説明されている。説明および図における異なる実例の中の同じ参照番号の使用は、同様のアイテムまたはまったく同じアイテムを示すことができる。
概説
いくつかの既存のスマートフォンおよび計算デバイスには、ホームボタンの中または背面上に指紋センサが追加されている。通常、表示領域に対する設計傾向は、前面の縁を増やし、かつ、潜在的に側面を取り囲むことである。将来的には物理的なホームボタンはもはや存在しなくなり、指紋センサは、表示領域の上に置かなければならず、また、接触センサ、スタイラスセンサ、ホバーセンサおよび／または動作センサと共存しなければならなくなるものと思われる。
いくつかの既存のスマートフォンおよび計算デバイスには、ホームボタンの中または背面上に指紋センサが追加されている。通常、表示領域に対する設計傾向は、前面の縁を増やし、かつ、潜在的に側面を取り囲むことである。将来的には物理的なホームボタンはもはや存在しなくなり、指紋センサは、表示領域の上に置かなければならず、また、接触センサ、スタイラスセンサ、ホバーセンサおよび／または動作センサと共存しなければならなくなるものと思われる。
指紋センサは、分厚いカバーガラス（たとえば場合によっては０．５〜０．７ｍｍ）のため、低い感度を有し得る。詳細には、分厚い保護カバーガラスを有するこれらの指紋センサの感度は、酸化インジウムスズ層が保護カバーガラスの下方に伝統的に置かれたディスプレイの上方で指紋を正確に検出するには低すぎることがある。
説明されている指紋センサは、指紋センサおよびカバーガラスデバイスによって感知された指紋を画像化し、指紋センサおよびカバーガラスデバイスと接触している複数の指の動きを容量画像化し、指紋センサおよびカバーガラスデバイスの上方の指（「ホバリング」している）のおおよその位置、ならびに指紋センサおよびカバーガラスデバイスの近傍の手の動き（「動作」）を容量画像化することができる。本明細書において開示される指紋センサおよびタッチパネルデバイスは、センサガラス層と保護カバー層との間に受信層を置き、かつ、センサガラス層中のガラス貫通ビアによってリード線を受信層からセンサガラス層の反対側の送信層まで配線することによって改良型感度を提供する。さらに、指紋センサおよびカバーガラスデバイスは、薄い保護カバー層およびガラス貫通ビア構成のため、より薄い指紋センサおよびより速い指紋検出を提供する。
容量性接触センサは、通常、送信行（「ｘ」に平行）と受信列（「ｙ」に平行）との間の相互キャパシタンスを提供するように構築される。送信行および受信列は、センサの頂部表面（たとえば保護カバー層１３６）から同じ距離に位置していてもよく、または受信列は、頂部表面のより近くにすることができる。実施態様では、保護カバーガラスの典型的な厚さは、０．４ｍｍから０．７ｍｍにすることができる。コントローラ集積回路は、信号（通常、５０ＫＨｚから１０ＭＨｚの周波数範囲の信号）を送信行に提供し、かつ、受信した信号の振幅および位相から受信列に対する相互キャパシタンスの変化を検出する。相互キャパシタンスのこれらの変化は、送信行および受信列の交点によって画定されるピクセルの近傍における指、スタイラスおよび／または対象の存在を示す。実施態様では、接触センサの空間周期（「ピッチ」）は、通常、約５ｍｍにすることができる。
スタイラスの先端は、しばしば指の先端よりも小さく、通常、直径１ｍｍから２ｍｍである。したがって接触センサは、しばしば、スタイラスの位置をより良好に特定するために、より細かい空間分解能に対して最適化することができる。接触センサのピッチは約５ｍｍにすることができるが、接触センサは、ある単一のピクセルおよび隣接するピクセルの空間感度の知識を使用してスタイラスの位置をより良好に突きとめる。カバーガラスの厚さは、０．４ｍｍから０．７ｍｍにすることができ、この厚さは、容量性接触センサの厚さと同様である。
指紋センサは、指紋の背と谷を検出し、かつ、画像化することができなければならない。これらの指紋特徴は、数百ミクロン（たとえば４００μｍ）のピッチを有しており、また、谷は背の下方数百ミクロンに位置している。これらの指紋特徴の正確な画像を形成するためには、より細かい指紋センサピッチが必要である。産業標準（および特定の政府アプリケーションに必要な標準）のピッチは５０ミクロンであり、典型的な接触センサの５ｍｍピッチのほぼ１００分の１である。指紋の細かい背および谷の容量感知には、接触センサに対する規格である０．４ｍｍから０．７ｍｍよりも著しく薄いカバーガラスが必要である。
ホバーセンサは、ホバーセンサの上方２〜３センチメートルから数センチメートルに位置している指の存在を検出しなければならない。そのためには、ｘおよびｙ座標における指のおおよその位置を与える必要がある。ホバーセンサは、しばしば、異なる低空間分解能モードで動作するタッチパネルを含むことができる。これは、たとえば複数の送信要素および受信要素をまとめてグループにすることによって達成することができる。動作センサは、タッチパネル上またはタッチパネルの上方の手の動きを検出し、かつ、分類するためのホバーセンサの拡張部分を含むことができる。
しかしながらいくつかのタッチパネルは、５ｍｍの典型的なピッチでは、それらは、単純に、約４００ｕｍのピッチを有する指紋の背を空間的に大まかにアンダーサンプリングするので、指紋の細かい特徴を分解することができない。
既存の容量性指紋センサは、シリコン集積回路を含むことができる。シリコン集積回路は不透明であり、指紋センサが機能するために必要な場所であるディスプレイの上に置くことはできない。光学技法を使用している他の指紋センサには、指紋とカメラとの間に長い距離が必要であり、したがってモバイルデバイスのためには総じて不適切である。
本明細書において開示される指紋センサは、約５０ミクロンから１００ミクロンの送信および受信ピッチを使用し、送信層およびとりわけ受信層を実際の指のより近くへ移動させ、かつ、堅くて、事実上、耐引っ掻き傷性の材料を保護カバーガラスに使用することによって指紋の感知を解決する。最良の指紋画像を得るためには、受信層は、指から１００ミクロン未満離れて位置していなければならない。
したがって、センサガラス層の上に薄い保護カバー層を含み、薄い保護カバー層とセンサガラス層との間に受信回路機構を有する指紋センサが説明される。一実施態様では、指紋センサアセンブリは、コントローラと、コントローラに電気的に結合されるように構成された金属層と、金属層およびコントローラに電気的に接続された送信層と、少なくとも１つのガラス貫通ビアを含むセンサガラス層であって、送信層がセンサガラス層の第１の面に配置され、また、送信層が少なくとも１つのガラス貫通ビアに電気的に結合されるセンサガラス層と、センサガラス層の第２の面に配置された受信層であって、少なくとも１つのガラス貫通ビアに電気的に結合される受信層と、受信層の上に配置された保護カバー層とを含む。実施態様では、本開示による例示的技法を使用した高分解能電界センサを有するカバーガラスアセンブリは、金属層によってコントローラに電気的に接続された送信層と、少なくとも１つのガラス貫通ビアを含むセンサガラス層であって、送信層がセンサガラス層の第１の面に配置され、かつ、少なくとも１つのガラス貫通ビアに電気的に結合されるセンサガラス層と、センサガラス層の第２の面に配置された受信層であって、少なくとも１つのガラス貫通ビアに電気的に結合される受信層と、受信層の上に配置された保護カバー層とを含み、カバーガラスアセンブリは、タッチパネルデバイスを含むように構成される。実施態様では、本開示による例示的技法を使用した高分解能電界センサを有するカバーガラスアセンブリは、モバイルデバイスのために構成されたディスプレイアセンブリと、金属層によってコントローラに電気的に接続された送信層であって、コントローラがディスプレイアセンブリに電気的に結合される送信層と、少なくとも１つのガラス貫通ビアを含むセンサガラス層であって、送信層がセンサガラス層の第１の面に配置され、かつ、少なくとも１つのガラス貫通ビアに電気的に結合されるセンサガラス層と、センサガラス層の第２の面に配置された受信層であって、少なくとも１つのガラス貫通ビアに電気的に結合される受信層と、受信層の上に配置された保護カバー層とを含む。
例示的実施態様
図１および図２は、指紋センサ１００の横断面図を示したものである。指紋センサ１００は、指紋センサアセンブリ、カバーガラスアセンブリおよび／または指紋感知モバイルデバイスを含むことができる。図１および図２に示されているように、指紋センサ１００は、送信層１０４、センサガラス層１０８、受信層１１２および保護カバー層１１６を含むことができる。送信層１０４（たとえばセンサガラスの第１の面に配置されている）は、受信層１１２の上方の領域に強い電界を駆動するように機能することができる。特定の一実施形態では、送信層１０４は、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）行の層を含むことができる。酸化インジウムスズは、その導電率および光透明性のため、良好な信号経路指定層として働くことができる。さらに、実施形態では、酸化インジウムスズは薄い膜として形成することができる。酸化インジウムスズ層は、物理気相堆積、電子ビーム蒸着および／またはスパッタリングなどの技法を使用して堆積させることができる。いくつかの追加実施形態では、送信層１０４は、金属メッシュ、銀ナノワイヤおよび／または炭素ナノワチューブを含むことができる。
図１および図２は、指紋センサ１００の横断面図を示したものである。指紋センサ１００は、指紋センサアセンブリ、カバーガラスアセンブリおよび／または指紋感知モバイルデバイスを含むことができる。図１および図２に示されているように、指紋センサ１００は、送信層１０４、センサガラス層１０８、受信層１１２および保護カバー層１１６を含むことができる。送信層１０４（たとえばセンサガラスの第１の面に配置されている）は、受信層１１２の上方の領域に強い電界を駆動するように機能することができる。特定の一実施形態では、送信層１０４は、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）行の層を含むことができる。酸化インジウムスズは、その導電率および光透明性のため、良好な信号経路指定層として働くことができる。さらに、実施形態では、酸化インジウムスズは薄い膜として形成することができる。酸化インジウムスズ層は、物理気相堆積、電子ビーム蒸着および／またはスパッタリングなどの技法を使用して堆積させることができる。いくつかの追加実施形態では、送信層１０４は、金属メッシュ、銀ナノワイヤおよび／または炭素ナノワチューブを含むことができる。
実施態様では、送信層１０４は金属層１０６に電気的に結合することができ、この金属層１０６は、小さいスケールでのリソグラフィ、堆積およびエッチングなどの技法を使用して、またはより大きいスケールのためのプレーシングワイヤリングなどの他の技法を使用して形成することができる。金属層１０６は、受信層１１２、送信層１０４、またはフレキシブルフラットケーブルおよび／またはフレキシブル印刷回路基板にコントローラ１３０の供給、入力および出力を接続するように機能することができる。フレキシブル印刷回路基板および／または金属層１０６は、コントローラ１３０をたとえば印刷回路基板１３８に接続することができる。図２に示されているように、１３８は、フレキシブル印刷回路基板および／または印刷回路基板を含むことができる。さらに、コントローラ１３０は、受信層１１２の上の線と送信層１０４の上の線との間の相互キャパシタンスの変化を検出することができる。実施形態では、金属層１０６は、銅線、アルミニウム線、等々などの任意の適切な導電材料を含むことができる。
指紋センサ１００は、図１および図２に示されているセンサガラス層１０８を含むことができる。実施態様では、センサガラス層１０８は、ディスプレイアセンブリ１０２から指紋センサ１００を介してユーザに光を引き渡し、その一方で機械的な支持を提供するように構成された薄いガラス基板を含むことができる。いくつかの実施形態では、厚さが約４００ミクロンのセンサガラス層１０８は、強度と適切な空間変調伝達関数の両方を送信層１０４に提供することができる。センサガラス層１０８は、厚さを変更することができることが企図されている（たとえば３００ミクロン、５００ミクロン、等々）。特定の一実施形態では、センサガラス層１０８は、圧縮残留応力を表面に生成するために、イオン交換を使用した溶融アルカリ塩槽中の液浸によって製造されたアルカリ−アルミノケイ酸塩シート強化ガラスなどの薄いガラス基板を含む。別の実施形態では、センサガラス層１０８は、ソーダ石灰石英ガラスを含むことができる。他のタイプのガラスを同じく利用することができることが企図されている。センサガラス層１０８は、耐破損性になるように選択し、および／または構成することができる。追加強度が望ましい場合、指紋センサ１００は、いくつかの実施形態では少なくとも１つの追加センサガラス層１０８を含むことができる。特定の一実施形態では、送信層１０４と金属層１０６との間に、追加強度のための第２のセンサガラス層１０８を積層することができる。特定の一実施形態では、送信層１０４は、チップ−オン−ガラス構成のコントローラ１３０、ならびに／あるいはマザーボードもしくは他のデバイスから信号を受信し、および／またはマザーボードもしくは他のデバイスに信号を送信するように構成されたリボンケーブルを含む配線パターンを含むことができる。
センサガラス層１０８は、少なくとも１つのガラス貫通ビア１１０を含むことができる。実施態様では、ガラス貫通ビア１１０は、基板貫通ビアをセンサガラス層１０８中に含むことができる。ガラス貫通ビア１１０は、導電材料、たとえば銅で埋め戻すことができ、または導電材料でコーティングすることができる。銅および／または導電材料は、送信層１０４および／または受信層１１２に電気的に結合することができる。特定の一例では、少なくとも１つのガラス貫通ビア１１０は、センサガラス層１０８の第１の面からセンサガラス層１０８の第２の面まで延在する金属充填ブラインドビアを含むことができ、金属充填ブラインドビアは、送信層１０４と受信層１１２との間に容量結合を提供するように構成される。ブラインドビアは、センサガラス層１０８の一方の面でのみ露出されるビアを含むことができる。一例では、ガラス貫通ビア１１０はレーザ穿孔することができる。いくつかの実施態様では、指紋センサ１００は、受信層１１２からの受信信号を送信層１０４にもたらすベゼル領域（たとえば指紋センサ１００の縁の外部領域および／またはその近傍の領域）に配置された複数のガラス貫通ビア１１０を含むことができる。ガラス貫通ビア１１０を利用することは、センサガラス層１０８の第１の面の送信層１０４からセンサガラス層１０８の第２の面の受信層１１２までのリード線を取り除き、また、撓みケーブルを除去し、かつ、センサガラス層１０８の受信層１１２側（たとえば送信層１０４から遠位のセンサガラス層１０８の側）の厄介な配線を不要にするように機能することができる。受信信号を受信層１１２からガラス貫通ビア１１０を介して送信層１０４へもたらすことにより、より整然とした、より薄い、また、よりコンパクトなアセンブリが提供される。
指紋センサ１００は、センサガラス層１０８の上に配置された受信層１１２を含むことができる。受信層１１２は、指紋、接触、スタイラス、ホバリングする指または手の動作によるキャパシタンスの変化を感知するように機能する。実施態様では、受信層１１２は、センサガラス層１０８の表面にパターン化することができる酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）などの透明な導体を含むことができる。受信層１１２は、物理気相堆積、電子ビーム蒸着および／または化学気相堆積などの技法を使用して堆積させることができる。受信層１１２は、信号を経路指定するように、ならびに／または少なくとも１つのガラス貫通ビア１１０によって、送信層１０４への電気通信および／もしくは送信層１０４からの電気通信を提供するように構成することができる。
指紋センサ１００は、受信層１１２およびセンサガラス層１０８の上に配置された保護カバー層１１６を含むことができる。保護カバー層１１６は、指紋センサ１００のための保護層および／またはカバー層を含むことができ、また、耐引っ掻き傷性にすることができ、かつ、受信層１１２のための絶縁を提供することができる。特定の一実施形態では、保護カバー層１１６は、受信層１１２およびセンサガラス層１０８の上に積層することができるサファイアなどの薄い単結晶層を含むことができる。サファイアは、堅い天然材料であり、容易に引っ掻き傷がつかない。サファイアは、保護カバー層１１６として良好に機能することができる。保護カバー層１１６がサファイアを含む特定の一実施形態では、単結晶サファイア層は、約１００μｍから約２００μｍの厚さにすることができる。別の特定の実施形態では、保護カバー層１１６は、堅くて薄い膜を含むことができる。この特定の実施形態では、保護カバー層１１６は、たとえば窒化ケイ素、酸化アルミニウム、炭化ケイ素および／またはダイヤモンドを含むことができる。特定の一実施形態では、保護カバー層１１６は、約１μｍの厚さの酸化アルミニウムの層を含む。実施態様では、堅くて薄い膜を含む保護カバー層１１６は、センサガラス層１０８および／または受信層１１２（たとえば酸化インジウムスズ層）と全面的に接触する絶縁保護コーティングであってもよい。
保護カバー層１１６は、指紋センサ１００のための保護コーティングおよび／または無反射コーティングとして働くことができる。保護カバー層１１６は接触表面として機能し、ユーザは、その上で１本または複数本の指、スタイラス、等々を使用して、タッチスクリーンデバイス１００にコマンドを入力することができる。いくつかの実施態様では、保護カバー層１１６は、少なくとも実質的に透明な誘電体である。薄い保護カバー層１１６を利用することにより、受信層１１２をユーザの指またはスタイラスの数百ミクロン、数十ミクロン、さらには数ミクロン内に配置することができる。サファイアおよび／または薄い膜の高い誘電率は、感度をさらに高くする。
図１に示されているように、指紋センサ１００は、ディスプレイアセンブリ１０２（たとえば液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）および／または有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ））を含むことができる。ＬＣＤを使用している一実施態様では、ディスプレイアセンブリ１０２は、液晶の光変調特性を使用するディスプレイを含むことができる。ＬＣＤディスプレイは、液晶溶液を間に有する２枚の偏光材料のシートを利用することができる。液体を通って流れる電流によって結晶が整列し、したがって光はそれらを透過することができない。各結晶は、光の透過を許容するか、または光を阻止するかのいずれかであるシャッタとして機能する。ディスプレイアセンブリ１０２のいくつかの実施形態は、ビデオディスプレイ、フラットパネルディスプレイ、電子視覚ディスプレイ、コンピュータモニタおよび／またはアクティブマトリックス有機発光ダイオードを含むことができる。別の特定の実施形態では、ディスプレイアセンブリ１０２は、スマートフォンまたはタブレットコンピュータに利用されるアクティブマトリックス有機発光ダイオードを含むことができる。ディスプレイアセンブリ１０２のいくつかの他の例は、エレクトロルミネセンスディスプレイ（ＥＬＤ）またはプラズマディスプレイパネルを含むことができる。
図２に示されている実施形態では、指紋センサ１００は、ディスプレイアセンブリ１０２（たとえば液晶ディスプレイ）を含むことができ、ディスプレイアセンブリ１０２の上にセンサガラス層１０８が配置される。この実施形態では、受信層１１２および送信層１０４は、酸化インジウムスズ（または他の適切な材料）の第２の層１２４の中に形成された導電ブリッジ１１８を有するセンサガラス層１０８の上の第１の層１２２（たとえば受信層１１２および送信層１０４を含む単一の酸化インジウムスズ層）の中にパターン化することができる。第１の層１２２は、受信層１１２の列を連続する列にすることができる、各行／列交点における少なくとも１つの誘電体パッチ１２０（たとえば薄膜パッチ）によって第２の層１２４から物理的および／または電気的に分離することができる。
指紋センサ１００は、接触、スタイラス、ホバーおよび動作を感知することができる。これは、送信層１０４（たとえば送信行）を電気的にまとめてグループにし、また、受信層１１２（たとえば受信列）を同じくまとめてグループにして、より広い感知要素を形成することによって実施される。図３〜図４に示されている実施態様などのいくつかの実施態様では、指紋感知部分１０３を指紋センサ１００および保護カバー層１１６の小さい領域に限定することができる。これらの実施態様では、例示的１ｃｍ２指紋感知面積は、ピッチが５０ミクロンの適切な指紋感知を提供することができ、これは、約２００本の送信線および約２００本の受信線を要求し得る。これらの線の各々は、コントローラ１３０上の接触パッドに電気的におよび／または物理的に接続することができる。
いくつかの実施態様では、総合的デバイス（たとえばスマートフォン、タブレットコンピュータ、等々）の指紋感知部分１０３は、図５に示されているタッチパネルデバイスなどのカバーガラスデバイス全体のより広い部分を含むことができる。面積がより広い指紋センサ１００は、拡張機能を可能にすることができる。
図６に示されているように、指紋センサ１００は、ユーザを認証するように構成されたコントローラ１３０を含むことができる。コントローラ１３０は、プロセッサ１３２、通信モジュール１３６および／またはメモリ１３４をさらに含むことができる。実施態様では、プロセッサ１３２は、コントローラ１３０のための処理機能を提供することができ、また、プロセッサ１３２は、任意の数のプロセッサ、マイクロコントローラまたは他の処理システムを含むことができ、また、コントローラ１３０によってアクセスまたは生成されるデータおよび他の情報を記憶するための常駐または外部メモリを含むことができる。プロセッサは、本明細書において説明されている技法を実現する指紋感知アプリケーションなどの１つまたは複数のソフトウェアプログラムを実行することができる。プロセッサ１３２は、プロセッサ１３２が形成される材料、または中で使用される処理機構によって制限されず、したがって半導体および／またはトランジスタ（たとえば電子集積回路（ＩＣ）構成要素を使用した）、等々を介して実現することができる。
通信モジュール１３６は、指紋センサ１００および／またはシステムホストの構成要素と通信するように動作的に構成することができる。また、通信モジュール１３６は、プロセッサ１３２と通信的に結合することも可能である（たとえば指紋センサ１００からの入力をプロセッサ１３２に通信するために）。また、通信モジュール１３６および／またはプロセッサ１３２は、たとえばインターネット、セルラー電話網、ローカルエリアネットワーク（ＬＡＮ）、広域ネットワーク（ＷＡＮ）、ワイヤレスネットワーク、公衆電話網および／またはイントラネットを含む様々な異なるネットワークと通信するように構成することも可能である。一実施態様では、通信モジュール１３６は、指紋センサ１００の構成要素間の感知線を含むことができる。
メモリ１３４は、コントローラ１３０の動作に関連する、本明細書において説明されているステップおよび／または機能を実施するようにプロセッサ１３２および／またはコントローラ１３０の他の構成要素に命令するためのソフトウェアプログラムおよび／またはコードセグメント、アルゴリズムまたは他のデータなどの様々なデータを記憶するための記憶機能を提供する有形コンピュータ可読媒体の一例である。したがってメモリ１３４は、指紋センサ１００（その構成要素を含む）を動作させるための命令のプログラム、データ、等々などのデータを記憶することができる。単一のメモリ１３４が説明されているが、広範囲にわたる様々なタイプのメモリおよびメモリの組合せ（たとえば有形メモリ、非一時的メモリ）を使用することができる。メモリ１３４は、プロセッサ１３２と一体にすることも、独立型メモリを備えることも、またはそれらの両方の組合せにすることも可能である。
メモリ１３４は、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）、リードオンリメモリ（ＲＯＭ）、フラッシュメモリ（たとえばセキュアデジタル（ＳＤ）メモリカード、ｍｉｎｉ−ＳＤメモリカードおよび／またはｍｉｃｒｏ−ＳＤメモリカード）、磁気メモリ、光メモリ、ユニバーサルシリアルバス（ＵＳＢ）メモリデバイス、ハードディスクメモリ、外部メモリ、および他のタイプのコンピュータ可読記憶媒体などの取外し可能メモリ構成要素および非取外し可能メモリ構成要素を含むことができる。実施態様では、指紋センサ１００および／またはメモリ１３４は、加入者識別モジュール（ＳＩＭ）カード、ユニバーサル加入者識別モジュール（ＵＳＩＭ）カード、ユニバーサル集積回路カード（ＵＩＣＣ）、等々によって提供されるメモリなどの取外し可能集積回路カード（ＩＣＣ）メモリを含むことができる。
結論
以上、主題について、構造的特徴および／またはプロセス操作に特化された言語で説明したが、添付の特許請求の範囲で定義されている主題は、必ずしも上で説明した特定の特徴または動作に限定されないことを理解されたい。そうではなく、上で説明した特定の特徴および動作は、特許請求の範囲を実現する例示的形態として開示されている。
以上、主題について、構造的特徴および／またはプロセス操作に特化された言語で説明したが、添付の特許請求の範囲で定義されている主題は、必ずしも上で説明した特定の特徴または動作に限定されないことを理解されたい。そうではなく、上で説明した特定の特徴および動作は、特許請求の範囲を実現する例示的形態として開示されている。
１００ 指紋センサ、タッチスクリーンデバイス
１０２ ディスプレイアセンブリ
１０３ 指紋感知部分
１０４ 送信層
１０６ 金属層
１０８ センサガラス層
１１０ ガラス貫通ビア
１１２ 受信層
１１６、１３６ 保護カバー層
１１８ 導電ブリッジ
１２０ 誘電体パッチ
１２２ 第１の層
１２４ 第２の層
１３０ コントローラ
１３２ プロセッサ
１３４ メモリ
１３６ 通信モジュール
１３８ 印刷回路基板
１０２ ディスプレイアセンブリ
１０３ 指紋感知部分
１０４ 送信層
１０６ 金属層
１０８ センサガラス層
１１０ ガラス貫通ビア
１１２ 受信層
１１６、１３６ 保護カバー層
１１８ 導電ブリッジ
１２０ 誘電体パッチ
１２２ 第１の層
１２４ 第２の層
１３０ コントローラ
１３２ プロセッサ
１３４ メモリ
１３６ 通信モジュール
１３８ 印刷回路基板
Claims (20)
- 指紋センサアセンブリであって、
コントローラと、
前記コントローラに電気的に結合されるように構成された金属層と、
前記金属層および前記コントローラに電気的に接続された送信層と、
少なくとも１つのガラス貫通ビアを含むセンサガラス層であって、前記送信層が前記センサガラス層の第１の面に配置され、前記送信層が前記少なくとも１つのガラス貫通ビアに電気的に結合されるセンサガラス層と、
前記センサガラス層の第２の面に配置された受信層であって、前記少なくとも１つのガラス貫通ビアに電気的に結合される受信層と、
前記受信層の上に配置された保護カバー層と
を備える指紋センサアセンブリ。 - 前記保護カバー層が酸化アルミニウムを含む、請求項１に記載の指紋センサアセンブリ。
- 前記酸化アルミニウムの厚さが約１μｍである、請求項２に記載の指紋センサアセンブリ。
- 前記保護カバー層が単結晶サファイア層を含む、請求項１に記載の指紋センサアセンブリ。
- 前記単結晶サファイア層の厚さが約１００μｍと２００μｍとの間である、請求項４に記載の指紋センサアセンブリ。
- 前記保護カバー層が炭化ケイ素を含む、請求項１に記載の指紋センサアセンブリ。
- 前記保護カバー層がダイヤモンドを含む、請求項１に記載の指紋センサアセンブリ。
- 前記受信層または前記送信層のうちの少なくとも１つが酸化インジウムスズを含む、請求項１に記載の指紋センサアセンブリ。
- 前記少なくとも１つのガラス貫通ビアが、前記センサガラス層の前記第１の面から前記センサガラス層の前記第２の面まで延在する金属充填ブラインドビアを含み、前記金属充填ブラインドビアが、前記送信層と前記受信層との間に容量結合を提供するように構成される、請求項１に記載の指紋センサアセンブリ。
- 高分解能電界センサを有するカバーガラスアセンブリであって、
金属層によってコントローラに電気的に接続された送信層と、
少なくとも１つのガラス貫通ビアを含むセンサガラス層であって、前記送信層が前記センサガラス層の第１の面に配置され、かつ、前記少なくとも１つのガラス貫通ビアに電気的に結合されるセンサガラス層と、
前記センサガラス層の第２の面に配置された受信層であって、前記少なくとも１つのガラス貫通ビアに電気的に結合される受信層と、
前記受信層の上に配置された保護カバー層と
を備え、前記カバーガラスアセンブリがタッチパネルデバイスを含むように構成されるカバーガラスアセンブリ。 - 前記コントローラが指紋を画像化するように構成される、請求項１０に記載のカバーガラスアセンブリ。
- 前記コントローラがユーザの接触を画像化するように構成される、請求項１０に記載のカバーガラスアセンブリ。
- 前記保護カバー層が酸化アルミニウムを含む、請求項１０に記載のカバーガラスアセンブリ。
- 前記酸化アルミニウムの厚さが約１μｍである、請求項１３に記載のカバーガラスアセンブリ。
- 前記保護カバー層が単結晶サファイア層を含む、請求項１０に記載のカバーガラスアセンブリ。
- 前記単結晶サファイア層の厚さが約１００μｍと２００μｍとの間である、請求項１５に記載のカバーガラスアセンブリ。
- 前記保護カバー層が炭化ケイ素を含む、請求項１０に記載のカバーガラスアセンブリ。
- 前記保護カバー層がダイヤモンドを含む、請求項１０に記載のカバーガラスアセンブリ。
- 指紋感知モバイルデバイスであって、
モバイルデバイスのために構成されたディスプレイアセンブリと、
金属層によってコントローラに電気的に接続された送信層であって、前記コントローラが前記ディスプレイアセンブリに電気的に結合される送信層と、
少なくとも１つのガラス貫通ビアを含むセンサガラス層であって、前記送信層が前記センサガラス層の第１の面に配置され、かつ、前記少なくとも１つのガラス貫通ビアに電気的に結合されるセンサガラス層と、
前記センサガラス層の第２の面に配置された受信層であって、前記少なくとも１つのガラス貫通ビアに電気的に結合される受信層と、
前記受信層の上に配置された保護カバー層と
を備える指紋感知モバイルデバイス。 - 前記ディスプレイアセンブリが液晶ディスプレイを含む、請求項１９に記載の指紋感知モバイルデバイス。
Applications Claiming Priority (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US201462028887P | 2014-07-25 | 2014-07-25 | |
| US62/028,887 | 2014-07-25 | ||
| US14/496,073 US9558390B2 (en) | 2014-07-25 | 2014-09-25 | High-resolution electric field sensor in cover glass |
| US14/496,073 | 2014-09-25 | ||
| PCT/US2015/041522 WO2016014660A1 (en) | 2014-07-25 | 2015-07-22 | High-resolution electric field sensor in cover glass |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2017521797A true JP2017521797A (ja) | 2017-08-03 |
| JP2017521797A5 JP2017521797A5 (ja) | 2018-08-09 |
Family
ID=53773564
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2017503482A Pending JP2017521797A (ja) | 2014-07-25 | 2015-07-22 | カバーガラス中の高分解能電界センサ |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US9558390B2 (ja) |
| EP (1) | EP3172694B1 (ja) |
| JP (1) | JP2017521797A (ja) |
| KR (1) | KR20170036687A (ja) |
| CN (1) | CN106663194B (ja) |
| WO (1) | WO2016014660A1 (ja) |
Families Citing this family (32)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5884764B2 (ja) * | 2013-03-29 | 2016-03-15 | ブラザー工業株式会社 | 通信装置、およびプログラム |
| US20140355387A1 (en) | 2013-06-03 | 2014-12-04 | Qualcomm Incorporated | Ultrasonic receiver with coated piezoelectric layer |
| US10036734B2 (en) | 2013-06-03 | 2018-07-31 | Snaptrack, Inc. | Ultrasonic sensor with bonded piezoelectric layer |
| US9558390B2 (en) | 2014-07-25 | 2017-01-31 | Qualcomm Incorporated | High-resolution electric field sensor in cover glass |
| CN104766053B (zh) * | 2015-03-26 | 2018-10-30 | 业成光电（深圳）有限公司 | 指纹识别装置及其制造方法 |
| US20170103249A1 (en) | 2015-10-09 | 2017-04-13 | Corning Incorporated | Glass-based substrate with vias and process of forming the same |
| US9639734B1 (en) | 2015-11-13 | 2017-05-02 | Cypress Semiconductor Corporation | Fingerprint sensor-compatible overlay material |
| US10282585B2 (en) | 2015-11-13 | 2019-05-07 | Cypress Semiconductor Corporation | Sensor-compatible overlay |
| US10832029B2 (en) | 2015-11-13 | 2020-11-10 | Cypress Semiconductor Corporation | Sensor-compatible overlay |
| US9773153B1 (en) * | 2016-03-24 | 2017-09-26 | Fingerprint Cards Ab | Fingerprint sensor module |
| US20170285778A1 (en) * | 2016-04-01 | 2017-10-05 | Intel Corporation | Electronic device with fingerprint sensor |
| US10410883B2 (en) | 2016-06-01 | 2019-09-10 | Corning Incorporated | Articles and methods of forming vias in substrates |
| US11003884B2 (en) | 2016-06-16 | 2021-05-11 | Qualcomm Incorporated | Fingerprint sensor device and methods thereof |
| JP6934079B2 (ja) * | 2016-06-27 | 2021-09-08 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
| JP6684167B2 (ja) | 2016-06-27 | 2020-04-22 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
| US10134657B2 (en) | 2016-06-29 | 2018-11-20 | Corning Incorporated | Inorganic wafer having through-holes attached to semiconductor wafer |
| US10794679B2 (en) | 2016-06-29 | 2020-10-06 | Corning Incorporated | Method and system for measuring geometric parameters of through holes |
| CN106095211B (zh) | 2016-06-30 | 2019-06-18 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板及其制备方法、显示装置 |
| JP6651420B2 (ja) | 2016-07-11 | 2020-02-19 | 株式会社ジャパンディスプレイ | カバー部材及び表示装置 |
| CN106127195B (zh) * | 2016-08-30 | 2017-11-17 | 广东欧珀移动通信有限公司 | 指纹模组、指纹模组制作方法及移动终端 |
| CN106354351B (zh) * | 2016-08-30 | 2019-04-05 | 京东方科技集团股份有限公司 | 触控基板及制作方法、显示装置、指纹识别装置和方法 |
| TW201815710A (zh) * | 2016-08-31 | 2018-05-01 | 美商康寧公司 | 具有經填充之孔洞的經強化玻璃系物件及製造其之方法 |
| US10984304B2 (en) | 2017-02-02 | 2021-04-20 | Jonny B. Vu | Methods for placing an EMV chip onto a metal card |
| US11078112B2 (en) | 2017-05-25 | 2021-08-03 | Corning Incorporated | Silica-containing substrates with vias having an axially variable sidewall taper and methods for forming the same |
| US10580725B2 (en) | 2017-05-25 | 2020-03-03 | Corning Incorporated | Articles having vias with geometry attributes and methods for fabricating the same |
| TWI633480B (zh) * | 2017-08-07 | 2018-08-21 | 致伸科技股份有限公司 | 指紋辨識觸控屏 |
| US11554984B2 (en) | 2018-02-22 | 2023-01-17 | Corning Incorporated | Alkali-free borosilicate glasses with low post-HF etch roughness |
| US11152294B2 (en) | 2018-04-09 | 2021-10-19 | Corning Incorporated | Hermetic metallized via with improved reliability |
| USD956760S1 (en) * | 2018-07-30 | 2022-07-05 | Lion Credit Card Inc. | Multi EMV chip card |
| WO2020118699A1 (zh) * | 2018-12-14 | 2020-06-18 | 深圳市汇顶科技股份有限公司 | 指纹识别装置和电子设备 |
| KR20210127188A (ko) | 2019-02-21 | 2021-10-21 | 코닝 인코포레이티드 | 구리-금속화된 쓰루 홀을 갖는 유리 또는 유리 세라믹 물품 및 이를 제조하기 위한 공정 |
| WO2021041037A1 (en) * | 2019-08-30 | 2021-03-04 | Corning Incorporated | Display protector assemblies having vias |
Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001111233A (ja) * | 1999-10-07 | 2001-04-20 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | フリップチップ搭載用高密度多層プリント配線板 |
| WO2003102974A1 (fr) * | 2002-06-03 | 2003-12-11 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Pellicule fine de platine et capteur thermique |
| US20050089200A1 (en) * | 2002-03-01 | 2005-04-28 | Idex Asa | Sensor module for measuring surfaces |
| JP2006061630A (ja) * | 2004-08-30 | 2006-03-09 | Glory Ltd | 指紋検出装置および指紋検出装置の製造方法 |
| JP2006517023A (ja) * | 2003-01-22 | 2006-07-13 | ノキア コーポレイション | 人物を認証する装置 |
| JP2010277392A (ja) * | 2009-05-29 | 2010-12-09 | Mitsubishi Electric Corp | タッチパネルおよびそれを備えた表示装置 |
| JP2013036890A (ja) * | 2011-08-09 | 2013-02-21 | Nec Corp | 位置検出装置 |
| JP2013516012A (ja) * | 2009-12-29 | 2013-05-09 | アイデックス・エーエスエー | 表面センサ |
| US8564314B2 (en) * | 2010-11-02 | 2013-10-22 | Atmel Corporation | Capacitive touch sensor for identifying a fingerprint |
Family Cites Families (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5368180A (en) * | 1976-11-30 | 1978-06-17 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Semiconductor device |
| TWI310521B (en) * | 2005-06-29 | 2009-06-01 | Egis Technology Inc | Structure of sweep-type fingerprint sensing chip capable of resisting electrostatic discharge (esd) and method of fabricating the same |
| US7714882B2 (en) * | 2006-09-15 | 2010-05-11 | Ricoh Company, Ltd. | Image forming apparatus and image forming process |
| WO2009018094A1 (en) * | 2007-07-27 | 2009-02-05 | Donnelly Corporation | Capacitive sensor and method for manufacturing same |
| US8470680B2 (en) * | 2008-07-28 | 2013-06-25 | Kemet Electronics Corporation | Substrate with embedded patterned capacitance |
| US9274553B2 (en) | 2009-10-30 | 2016-03-01 | Synaptics Incorporated | Fingerprint sensor and integratable electronic display |
| US8866347B2 (en) | 2010-01-15 | 2014-10-21 | Idex Asa | Biometric image sensing |
| US20120092294A1 (en) * | 2010-10-18 | 2012-04-19 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Combination touch, handwriting and fingerprint sensor |
| US9310940B2 (en) | 2011-01-17 | 2016-04-12 | Pixart Imaging Inc. | Capacitive touchscreen or touch panel with fingerprint reader |
| US8884502B2 (en) * | 2011-07-25 | 2014-11-11 | General Electric Company | OLED assembly and luminaire with removable diffuser |
| US20130265137A1 (en) | 2012-04-02 | 2013-10-10 | Validity Sensors, Inc. | Integratable fingerprint sensor packagings |
| US20130287274A1 (en) | 2012-04-29 | 2013-10-31 | Weidong Shi | Methods and Apparatuses of Unified Capacitive Based Sensing of Touch and Fingerprint |
| US20140062875A1 (en) * | 2012-09-06 | 2014-03-06 | Panasonic Corporation | Mobile device with an inertial measurement unit to adjust state of graphical user interface or a natural language processing unit, and including a hover sensing function |
| US9250753B2 (en) * | 2013-01-07 | 2016-02-02 | Microsoft Technology Licensing, Llc | Capacitive touch surface in close proximity to display |
| US20150009118A1 (en) * | 2013-07-03 | 2015-01-08 | Nvidia Corporation | Intelligent page turner and scroller |
| US9177831B2 (en) * | 2013-09-30 | 2015-11-03 | Intel Corporation | Die assembly on thin dielectric sheet |
| US9342727B2 (en) * | 2014-03-04 | 2016-05-17 | Apple Inc. | Field shaping channels in a substrate above a biometric sensing device |
| US9558390B2 (en) | 2014-07-25 | 2017-01-31 | Qualcomm Incorporated | High-resolution electric field sensor in cover glass |
-
2014
- 2014-09-25 US US14/496,073 patent/US9558390B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2015
- 2015-07-22 EP EP15745343.2A patent/EP3172694B1/en active Active
- 2015-07-22 WO PCT/US2015/041522 patent/WO2016014660A1/en active Application Filing
- 2015-07-22 JP JP2017503482A patent/JP2017521797A/ja active Pending
- 2015-07-22 CN CN201580038985.XA patent/CN106663194B/zh active Active
- 2015-07-22 KR KR1020177001888A patent/KR20170036687A/ko unknown
-
2016
- 2016-12-14 US US15/378,897 patent/US10268864B2/en active Active
Patent Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001111233A (ja) * | 1999-10-07 | 2001-04-20 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | フリップチップ搭載用高密度多層プリント配線板 |
| US20050089200A1 (en) * | 2002-03-01 | 2005-04-28 | Idex Asa | Sensor module for measuring surfaces |
| WO2003102974A1 (fr) * | 2002-06-03 | 2003-12-11 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Pellicule fine de platine et capteur thermique |
| JP2006517023A (ja) * | 2003-01-22 | 2006-07-13 | ノキア コーポレイション | 人物を認証する装置 |
| JP2006061630A (ja) * | 2004-08-30 | 2006-03-09 | Glory Ltd | 指紋検出装置および指紋検出装置の製造方法 |
| JP2010277392A (ja) * | 2009-05-29 | 2010-12-09 | Mitsubishi Electric Corp | タッチパネルおよびそれを備えた表示装置 |
| JP2013516012A (ja) * | 2009-12-29 | 2013-05-09 | アイデックス・エーエスエー | 表面センサ |
| US8564314B2 (en) * | 2010-11-02 | 2013-10-22 | Atmel Corporation | Capacitive touch sensor for identifying a fingerprint |
| JP2013036890A (ja) * | 2011-08-09 | 2013-02-21 | Nec Corp | 位置検出装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN106663194B (zh) | 2019-06-18 |
| US20160026842A1 (en) | 2016-01-28 |
| US10268864B2 (en) | 2019-04-23 |
| US20170091513A1 (en) | 2017-03-30 |
| KR20170036687A (ko) | 2017-04-03 |
| WO2016014660A1 (en) | 2016-01-28 |
| EP3172694A1 (en) | 2017-05-31 |
| CN106663194A (zh) | 2017-05-10 |
| US9558390B2 (en) | 2017-01-31 |
| EP3172694B1 (en) | 2021-06-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2017521797A (ja) | カバーガラス中の高分解能電界センサ | |
| EP3279778B1 (en) | Electronic device having fingerprint sensor | |
| TWI522932B (zh) | 電容性感測器、裝置及方法 | |
| US10404898B2 (en) | Method for operating camera underwater | |
| US11263417B2 (en) | Electronic apparatus having fingerprint recognition function | |
| US10127427B2 (en) | On-screen fingerprint sensor and electronic device including the same | |
| US10613689B2 (en) | Touch screen, method of manufacturing touch screen, and display device including touch screen | |
| JP2019145165A (ja) | 静電容量感知デバイスのための多重センサタッチ統合表示ドライバ構成 | |
| US20160054844A1 (en) | Touch display device and operating method thereof | |
| US20140132854A1 (en) | Touch display device | |
| CN104375681A (zh) | 触控面板及触控显示装置 | |
| EP3101591A1 (en) | Terminal for recognizing fingerprint | |
| KR101761547B1 (ko) | 터치 일체형 투명 지문인식 센서 | |
| CN104156712A (zh) | 一种指纹识别检测组件及电子设备 | |
| Kim-Lee et al. | On-screen fingerprint sensor with optically and electrically tailored transparent electrode patterns for use on high-resolution mobile displays | |
| CN103002664A (zh) | 触控萤幕与导电线路的制作方法 | |
| KR20120006792A (ko) | 회로기판을 이용하여 터치센서 칩에 감지 신호를 전달하는 접촉 감지 패널 및 접촉 감지 장치 | |
| CN203084702U (zh) | 电磁感应天线基板、复合基板、电磁输入装置及具触控与书写输入功能的装置 | |
| US10572707B2 (en) | Transparent fingerprint sensor pattern | |
| US11182038B2 (en) | Encoded data pattern touchscreen sensing system | |
| WO2014045690A1 (ja) | 入力装置、入力無効化方法、入力無効化プログラム、及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体 | |
| US20200264730A1 (en) | Substrate for touch screen panel, touch screen panel having same and manufacturing method thereof | |
| US20190227661A1 (en) | Touch input device | |
| CN204347860U (zh) | 一种指纹识别检测组件及电子设备 | |
| WO2017031764A1 (en) | Apparatus and method for an rfid touch panel |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180626 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20180626 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20190213 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20190218 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20190917 |