JP2001239386A - 炭酸ガスレーザーによる孔あけ方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【課題】 銅張板の上に直接炭酸ガスレーザー
を照射して小径の貫通孔及び／又はブラインドビア孔を
形成する方法の提供。 【解決手段】 銅張板の銅箔表面にニッケルを含
有するメッキ０を施し、この銅張板の上から、好適に
は、10〜60mJより選ばれた高出力の炭酸ガスレーザーを
直接照射して外層及び内層銅箔を孔あけ加工して貫通孔
Ｃ及び／又はブラインドビア孔ｅを形成する方法。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、銅張板の銅箔表面
にニッケルを含有するメッキを施した後、その上から直
接炭酸ガスレーザーを照射し、小径の貫通孔及び／又は
ブラインドビア孔を形成する方法に関する。好適には、
孔あけ後に、薬液にて孔周辺の銅箔バリを除去すると同
時に銅箔を厚さ方向に一部エッチング除去し、ついで全
体を銅メッキして作成される銅張板を用いて得られたプ
リント配線板は、小径の孔を有し、細密なパターンが形
成された高密度の小型プリント配線板として、新規な半
導体プラスチックパッケージ用等への使用に適してい
る。

【０００２】

【従来の技術】従来、半導体プラスチックパッケージ等
に用いられる高密度のプリント配線板は、メカニカルド
リルで貫通孔あけを行っていた。近年、ますますドリル
の径は小径となり、孔径が0.15mmφ以下となってきてお
り、このような小径の孔をあける場合、ドリル径が細い
ため、孔あけ時にドリルが曲がる、折れる、加工速度が
遅い等の欠点があり、生産性、信頼性等に問題のあるも
のであった。また、表裏の銅箔にあらかじめネガフィル
ムを使用して所定の方法で同じ大きさの孔をあけてお
き、更には内層の銅箔にも同様の孔を予めエッチングで
形成したものを配置しておき、炭酸ガスレーザーで表裏
を貫通するスルーホール用孔を形成しようとすると、内
層銅箔の位置ズレ、上下の孔の位置のズレを生じ、接続
不良、及び表裏のランドが形成できない等の欠点があっ
た。

【０００３】ブラインドビア孔あけにおいては、予め表
層の銅箔をエッチングしておき、この上から低エネルギ
ーの炭酸ガスレーザーエネルギーを照射して孔あけして
いた。これは表層にエッチングレジストを使用し、露
光、現像、エッチング、レジスト剥離などの工程が必要
であり、作業性に劣っていた。また、多層板において
は、内層の寸法収縮によるブラインドビア孔の底部の銅
箔の位置ズレなどが問題となっていた。更に近年ますま
す高密度化するプリント配線板において、耐熱性、耐マ
イグレーション性、吸湿後の電気絶縁性等が問題になっ
てきている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、以上の問題
点を解決した高密度プリント配線板を作成するための小
径の孔を形成する方法を提供する。

【０００５】

【課題を解決するための手段】本発明によれば、銅張板
の表面にニッケルを含有するメッキを施した後、この上
から銅箔を加工するに十分なエネルギーの炭酸ガスレー
ザービームを直接照射することにより、貫通孔及び／又
はブラインドビア孔をあけることが可能となり、高速で
小径の孔が効率的に作成できる。好ましくは10〜60mJか
ら選ばれたエネルギーの炭酸ガスレーザーを直接銅箔の
上から照射して貫通孔及び／又はブラインドビア孔を形
成する。加工後、孔部には銅箔のバリが発生する。機械
的研磨でバリをとることもできるが、寸法変化等の点か
ら、薬液によるエッチングが好適である。孔あけ後に薬
液を吹き付けるか、吸引して表層の銅箔の一部をエッチ
ング除去すると同時に内外層の銅箔バリをもエッチング
除去する。

【０００６】エッチング除去後、銅メッキでメッキアッ
プして得られる両面銅張板を用い、表裏に回路形成を行
い、定法にてプリント配線板とする。表裏の回路を細密
にするためには、表裏層の銅箔を2〜7μmの厚さとする
ことが好ましく、この場合にはショートやパターン切れ
等の不良の発生もなく、高密度のプリント配線板を作成
することができる。更には、加工速度はドリルであける
場合に比べて格段に速く、生産性も良好で、経済性にも
優れているものが得られた。

【０００７】

【発明の実施の形態】本発明は、まず銅張板の銅箔表面
にニッケルを含有するメッキを施す。その後、この上か
ら銅箔を加工するに十分なエネルギーの炭酸ガスレーザ
ーを用いて、直接銅箔の上にエネルギーをパルス発振で
照射し、貫通孔及び／又はブラインドビア孔をあける。
孔あけ後、表裏及び内層の銅箔のバリが発生するが、こ
の場合、高圧でエッチング液を吹き付けるか、吸引して
孔内を通し、内外層の銅箔のバリを溶解除去する。その
後、定法にて全体を銅メッキし、回路形成等を行ってプ
リント配線板を作成する。

【０００８】本発明で使用する銅張板を作成するのに必
要な銅箔とは、一般に公知の電解銅箔が挙げられる。こ
の銅箔は、外層板としては、好適には厚さ3〜12μmの電
解銅箔、内層板としては厚さ9〜35μmのものが好適に使
用される。

【０００９】本発明において銅張板とは、少なくとも１
層以上の銅の層が存在する銅張板、多層板であり、基材
補強されたもの、フィルム基材のもの、補強基材の無い
樹脂単独のもの等が使用可能である。しかしながら、寸
法収縮等の点からガラス布基材銅張板が好ましい。又、
高密度の回路を作成する場合、表層の銅箔は、最初から
薄いものを使用できるが、好適には、9〜12μmの厚い銅
箔を積層成形しておいて、孔あけ後に表層の銅箔をエッ
チング液で2〜7μm、好適には３〜５μｍまで薄くした
ものを使用する。

【００１０】銅張板の基材としては、一般に公知の、有
機、無機の織布、不織布が使用できる。具体的には、無
機の繊維としては、Ｅガラス、Ｓガラス、Ｄガラス、Ｍ
ガラス等の繊維等が挙げらる。又、有機繊維としては、
全芳香族ポリアミド、液晶ポリエステル、ポリベンザゾ
ールの繊維等が挙げられる。これらは、混抄でも良い。
ポリイミドフィルム等のフィルム類も使用可能である。

【００１１】本発明で使用される銅張板の熱硬化性樹脂
組成物の樹脂としては、一般に公知の熱硬化性樹脂が使
用される。具体的には、エポキシ樹脂、多官能性シアン
酸エステル樹脂、 多官能性マレイミドーシアン酸エス
テル樹脂、多官能性マレイミド樹脂、不飽和基含有ポリ
フェニレンエーテル樹脂等が挙げられ、1種或いは2種類
以上が組み合わせて使用される。高い出力の炭酸ガスレ
ーザー照射により孔あけ加工したときのスルーホール形
状の点からは、ガラス転移温度が150℃以上の熱硬化性
樹脂組成物が好ましく、耐湿性、耐マイグレーション
性、吸湿後の電気的特性等の点から多官能性シアン酸エ
ステル樹脂組成物が好適である。

【００１２】本発明の好適な熱硬化性樹脂分である多官
能性シアン酸エステル化合物とは、分子内に2個以上の
シアナト基を有する化合物である。具体的に例示する
と、1,3-又は1,4-ジシアナトベンゼン、1,3,5-トリシア
ナトベンゼン、1,3-、1,4-、1,6-、1,8-、2,6-又は2,7-
ジシアナトナフタレン、1,3,6-トリシアナトナフタレ
ン、4,4-ジシアナトビフェニル、ビス(4-ジシアナトフ
ェニル)メタン、2,2-ビス(4-シアナトフェニル)プロパ
ン、2,2-ビス(3,5-ジブロモー4-シアナトフェニル)プロ
パン、ビス(4-シアナトフェニル)エーテル、ビス(4-シ
アナトフェニル)チオエーテル、ビス(4-シアナトフェニ
ル)スルホン、トリス(4-シアナトフェニル)ホスファイ
ト、トリス(4-シアナトフェニル)ホスフェート、および
ノボラックとハロゲン化シアンとの反応により得られる
シアネート類などである。

【００１３】これらのほかに特公昭41-1928、同43-1846
8、同44-4791、同45-11712、同46-41112、同47-26853及
び特開昭51-63149号公報等に記載の多官能性シアン酸エ
ステル化合物類も用いら得る。また、これら多官能性シ
アン酸エステル化合物のシアナト基の三量化によって形
成されるトリアジン環を有する分子量400〜6,000 のプ
レポリマーが使用される。このプレポリマーは、上記の
多官能性シアン酸エステルモノマーを、例えば鉱酸、ル
イス酸等の酸類;ナトリウムアルコラート等、第三級ア
ミン類等の塩基;炭酸ナトリウム等の塩類等を触媒とし
て重合させることにより得られる。このプレポリマー中
には一部未反応のモノマーも含まれており、モノマーと
プレポリマーとの混合物の形態をしており、このような
原料は本発明の用途に好適に使用される。一般には可溶
な有機溶剤に溶解させて使用する。

【００１４】エポキシ樹脂としては、一般に公知のもの
が使用できる。具体的には、液状或いは固形のビスフェ
ノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹
脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾール
ノボラック型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、ブタ
ジエン、ペンタジエン、ビニルシクロヘキセン、ジシク
ロペンチルエーテル等の二重結合をエポキシ化したポリ
エポキシ化合物類;ポリオール、水酸基含有シリコン樹
脂類とエポハロヒドリンとの反応によって得られるポリ
グリシジル化合物類等が挙げられる。これらは1種或い
は2種類以上が組み合わせて使用され得る。

【００１５】ポリイミド樹脂としては、一般に公知のも
のが使用され得る。具体的には、多官能性マレイミド類
とポリアミン類との反応物、特公昭57-005406 に記載の
末端三重結合のポリイミド類が挙げられる。これらの熱
硬化性樹脂は、単独でも使用されるが、特性のバランス
を考え、適宜組み合わせて使用するのが良い。

【００１６】本発明の熱硬化性樹脂組成物には、組成物
本来の特性が損なわれない範囲で、所望に応じて種々の
添加物を配合することができる。これらの添加物として
は、不飽和ポリエステル等の重合性二重結合含有モノマ
ー類及びそのプレポリマー類;ポリブタジエン、エポキ
シ化ブタジエン、マレイン化ブタジエン、ブタジエン-
アクリロニトリル共重合体、ポリクロロプレン、ブタジ
エン-スチレン共重合体、ポリイソプレン、ブチルゴ
ム、フッ素ゴム、天然ゴム等の低分子量液状〜高分子量
のelasticなゴム類;ポリエチレン、ポリプロピレン、ポ
リブテン、ポリ-4-メチルペンテン、ポリスチレン、AS
樹脂、ABS樹脂、MBS樹脂、スチレン-イソプレンゴム、
ポリエチレン-プロピレン共重合体、4-フッ化エチレン-
6-フッ化エチレン共重合体類;ポリカーボネート、ポリ
フェニレンエーテル、ポリスルホン、ポリエステル、ポ
リフェニレンサルファイド等の高分子量プレポリマー若
しくはオリゴマー;ポリウレタン等が例示され、適宜使
用される。また、その他、公知の有機、無機の充填剤、
染料、顔料、増粘剤、滑剤、消泡剤、分散剤、レベリン
グ剤、光増感剤、難燃剤、光沢剤、重合禁止剤、チキソ
性付与剤等の各種添加剤が、所望に応じて適宜組み合わ
せて用いられる。必要により、反応基を有する化合物は
硬化剤、触媒が適宜配合される。

【００１７】本発明に使用する銅張板は、熱硬化性樹脂
組成物の中に、絶縁性無機充填剤を添加できる。特に炭
酸ガスレーザー孔あけ用としては、孔の形状を均質にす
るために10〜80重量%、好ましくは、20〜70重量%添加す
る。絶縁性無機充填剤の種類は特に限定はない。具体的
には、タルク、焼成タルク、水酸化アルミニウム、水酸
化マグネシウム、カオリン、アルミナ、ウオラストナイ
ト、合成雲母等が挙げられ、１種或いは２種以上を配合
して使用する。熱硬化性樹脂組成物は、それ自体は加熱
により硬化するが硬化速度が遅い場合には作業性、経済
性等に劣るため使用した熱硬化性樹脂に対して公知の熱
硬化触媒を用い得る。使用量は、熱硬化性樹脂100重量
部に対して0.005〜10重量部、好ましくは0.01〜5重量部
である。

【００１８】本発明で銅箔表面に施すニッケルを含有す
るメッキは、公知のものが使用できる。もちろん、ニッ
ケル単独とは別に、他の金属との合金メッキでも良い。
メッキ方法は電解メッキ、無電解メッキのいずれでもよ
い。メッキの厚さは特に限定しないが、一般には１〜１
０μｍ、好適には２〜５μｍである。

【００１９】炭酸ガスレーザーの波長は、9.3〜10.6μm
が使用される。エネルギーは、好適には10〜60mJ で、
パルス発振で所定量照射して孔あけする。貫通孔及び／
ブラインドビア孔をあける場合、最初から最後まで同一
エネルギーを照射して孔あけする方法、エネルギーを途
中で高くするか、低くして孔あけする方法、いずれの方
法でも良い。

【００２０】本発明の炭酸ガスレーザーでの孔あけにお
いて、孔周囲に銅箔のバリが発生する。孔部に発生した
銅のバリをエッチング除去する方法としては、特に限定
しないが、例えば、特開平02-22887、同02-22896、同02
-25089、同02-25090、同02-59337、同02-60189、同02-1
66789、同03-25995、同03-60183、同03-94491、同04-19
9592、同04-263488号公報で開示された、薬品で金属表
面を溶解除去する方法(ＳＵＥＰ法と呼ぶ）による。エ
ッチング速度は、一般には0.02〜1.0μm/秒 で行う。ま
た、内層の銅箔バリをエッチング除去する場合、同時に
銅箔の表面の一部をもエッチング除去し、厚さ2〜7μ
m、好適には３〜５μｍとすることにより、その後の銅
メッキされた銅箔に細密なパターンを形成でき、高密度
のプリント配線板とすることができる。

【００２１】銅張板の裏面には、孔が貫通した場合のレ
ーザーによるレーザーマシーンのテーブルの損傷を防ぐ
ために、単に金属板を配置することも可能である。しか
し好ましくは、金属板の表面の少なくとも一部を接着さ
せた樹脂層を銅張多層板の裏面銅箔と接着させて配置
し、貫通孔あけ後に金属板を剥離する。

【００２２】加工された孔内部の表層銅箔、内層銅箔の
樹脂が接着していた面には厚さ約1μmの樹脂層が銅箔表
面に残存する場合が殆どである。この樹脂層を、エッチ
ング前にデスミア処理等の一般に公知の処理で事前に除
去が可能であるが、液が小径の孔内部に到達しない場
合、内層の銅箔表面に残存する樹脂層の除去残が発生
し、銅メッキとの接続不良になる場合がある。従って、
より好適には、まず気相処理で孔内部を処理して樹脂の
残存層を完全に除去し、次いで孔内部及び表裏の銅箔バ
リをエッチング除去する。気相処理としては一般に公知
の処理が使用可能であるが、例えばプラズマ処理、低圧
紫外線処理等が挙げられる。プラズマは、高周波電源に
より分子を部分的に励起し、電離させた低温プラズマを
用いる。これは、イオンの衝撃を利用した高速の処理、
ラジカル種による穏やかな処理が一般には使用され、処
理ガスとして、反応性ガス、不活性ガスが使用される。
反応性ガスとしては、主に酸素が使用され、科学的に両
面処理をする。不活性ガスとしては、主にアルゴンガス
を使用する。このアルゴンガス等を使用し、物理的な表
面処理を行う。物理的な処理は、イオンの衝撃を利用し
て表面をクリーニングする。低紫外線は、波長が短い領
域の紫外線であり、波長として、184.9nm、253.7nm が
ピークの短波長域の波長を照射し、樹脂層を分解除去す
る。孔内部は、通常の銅メッキを施すことも可能である
が、また銅メッキで孔内部を一部、好適には80容積%以
上充填することもできる。

【００２３】

【実施例】以下に実施例、比較例で本発明を具体的に説
明する。尚、特に断らない限り、『部』は重量部を表
す。

【００２４】実施例１ 2,2-ビス(4-シアナトフェニル)プロパン900部、ビス(4-
マレイミドフェニル)メタン100部を150℃で熔融させ、
撹拌しながら4時間反応させ、プレポリマーを得た。こ
れをメチルエチルケトンとジメチルホルムアミドの混合
溶剤に溶解した。これにビスフェノールA型エポキシ樹
脂(商品名:エピコート1001、油化シェルエポキシ＜株＞
製)400部、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂(商品
名:ESCN-220F、住友化学工業＜株＞製)600部を加え、均
一に溶解混合した。更に触媒としてオクチル酸亜鉛0.4
部を加え、溶解混合し、これに無機充填剤(商品名:焼成
タルク、日本タルク<株>、平均粒子径4μm)2000部、及
び黒色顔料8部を加え、均一撹拌混合してワニスAを得
た。このワニスを厚さ100μmのガラス織布に含浸し150
℃で乾燥して、ゲル化時間(at170℃)102秒、ガラス織布
の含有量が50重量%のプリプレグ(プリプレグB)を作成し
た。

【００２５】このプリプレグＢを４枚重ね、この両面に
厚さ12μmの電解銅箔を配置し、200℃、20kgf/cm²、30m
mHg以下の真空下で2時間積層成形し、両面銅張積層板Ｃ
を得た。 この銅張積層板Cの銅箔表面に無電解ニッケ
ルメッキを5μm付着させ、銅張積層板Dとした。

【００２６】一方、ポリビニルアルコールを水に溶解し
た水溶液を、厚さ50μmのアルミニウム箔に塗布、乾燥
してバックアップシートEとした。このバックアップシ
ートEを銅張積層板Dの下面に置き、100℃のホットロー
ルでラミネートして貼り付けた後、この上面から径100
μmの孔を50mm角内に900個直接炭酸ガスレーザーで、出
力15mJ で６ショット照射して、70ブロックの貫通孔を
あけた。下側のバックアップシートを除去し、プラズマ
装置の中に入れて処理した後、ＳＵＥＰ液を高速で吹き
付けて、表裏のバリを溶解除去すると同時に、表層の銅
箔を4μmまで溶解した。デスミア処理後、銅メッキを15
μm付着させ、既存の方法にて回路(ライン/スペース＝5
0/50μm)、ハンダボール用パッド等を形成し、少なくと
も半導体チップ搭載部、ボンディング用パッド部、ハン
ダボールパッド部を除いてメッキレジストで被覆し、ニ
ッケル、金メッキを施し、プリント配線板を作成した。
このプリント配線板の評価結果を表1に示す。

【００２７】実施例２ エポキシ樹脂（商品名：エピコート1001、油化シェルエ
ポキシ<株>製> 300部、及びエポキシ樹脂（商品名：ESC
N220F、住友化学工業<株>製）700部、ジシアンジアミド
35部、2-エチル-4-メチルイミダゾール1部をメチルエチ
ルケトンとジメチルホルムアミドの混合溶剤に溶解し、
均一に攪拌混合してワニスFとした。これを厚さ100μm
のガラス織布に含浸、乾燥して、ゲル化時間150秒、ガ
ラス布の含有量48重量%のプリプレグG、厚さ50μmのガ
ラス布に含浸、乾燥させてゲル化時間170秒、ガラス布
の含有量31重量%のプリプレグHを作成した。

【００２８】このプリプレグGを1枚使用し、上下に18μ
mの電解銅箔を置き、190℃、20kgf/cm²、30mmHgで積層
成形し、両面銅張積層板Iを得た。この板の表裏に回路
を形成後、CZ処理（メック社）を施した後、上下に上記
プリプレグHを各１枚置き、その両外側に３５μｍの銅
箔キャリア付きの厚さ５μmの電解銅箔を重ね、同様に
積層成形して4層の多層板を作成した。その後、この４
層板にニッケルメッキを４μm付着させ（図１
（１））、下側に上記バックアップシートEを置き、100
℃でラミネートして接着させ、この上側から15mJで１シ
ョット、１０mJで１ショット照射し、孔径100μmのブラ
インドビア孔をあけた。更に、15mJで４ショット照射し
て孔径120μmの貫通孔をあけた（図１（２））。これに
SUEP処理を行い、内外層の銅箔バリを溶解除去するとと
もに、表層の銅箔の厚みを3μmとした後（図１
（３））、過マンガン酸カリウム水溶液にてデスミア処
理を行なって、実施例１と同様の条件で銅メッキを行い
（図１（４））、実施例１同様の条件でプリント配線板
とした。評価結果を表１に示す。

【００２９】比較例１ 実施例１の銅張板を用い、表面に何も付着せずに炭酸ガ
スレーザーで同様に孔あけを行なったが、孔はあかなか
った。

【００３０】比較例２ 実施例２において、表面にニッケルメッキを付着せず
に、表面に黒マジックを塗って同様に炭酸ガスレーザー
で孔あけを行ったが、孔はあかなかった。

【００３１】比較例３ エポキシ樹脂（商品名：エピコート5045)2,000部、ジシ
アンジアミド70部、2ーエチルイミダゾール2部をメチル
エチルケトンとジメチルホルムアミドの混合溶剤に溶解
し、更に実施例１の絶縁性無機充填剤を800部加え、攪
拌混合して均一分散してワニスを得た。これを厚さ100
μmのガラス織布に含浸、乾燥して、ゲル化時間140秒
（at170℃），ガラス含有量52重量%のプリプレグJ、ゲ
ル化間180秒、厚さ50μmのガラスクロスを使用しガラス
含有量35重量%のプリプレグKを得た。このプリプレグJ
を2枚使用し、両面に12μmの電解銅箔を置き、180℃、2
0kgf/cm²、30mmHg以下の真空下で2時間積層成形して両
面銅張積層板Lを得た。この積層板Lの両面に回路を形成
し、黒色酸化銅処理後、その両面にプリプレグKを各1枚
置き、その外側に12μm銅箔を配置し、同様に積層成形
した。これを用い、メカニカルドリルにて孔径150μmの
貫通孔をあけ、SUEP処理を行わず同様に銅メッキを施
し、同様にプリント配線板とした。評価結果を表１に示
す。

【００３２】比較例４ 実施例２の両面銅張板Iを用い（図２（１））、内層の
スルーホールとなる箇所の銅箔を孔径100μmとなるよう
に上下銅箔をエッチング除去し、回路を形成した後、銅
箔表面を黒色酸化銅処理して、その外側にプリプレグH
を置き、その外側に12μmの電解銅箔を配置し、同様に
積層成形して４層板を作成した（図２（2））。この多
層板を用い、貫通孔を形成する表面の位置に孔径100μ
ｍの孔を900個、銅箔をエッチングしてあけた。同様に
裏面にも同じ位置に孔径100μｍの孔を900個あけた。１
パターン900個を70ブロック、合計63,000の孔を、表面
から炭酸ガスレーザーで、出力15mJにて4ショットか
け、貫通孔をあけた（図２（3））。後は比較例３と同
様にして、SUEP処理を行わずに、デスミア処理を１回施
し、銅メッキを15μｍ施し（図２（４））、表裏に回路
を形成し、同様にプリント配線板を作成した。評価結果
を表１に示す。

【００３３】 表１ 項 目 実 施 例 比 較 例 1 2 3 4 表裏面ランド銅箔 との隙間 (μm） 0 0 0 22 内層との孔位置のズレ（μｍ） ー 0 0 36 パターン切れ及び 0/200 0/200 55/200 52/200 ショート （個） ガラス転移温度（℃） 235 160 139 160 スルーホール・ヒー トサイクル試験(％） 100 サイクル 1.1 1.2 1.6 3.9 300 サイクル 1.2 1.4 1.9 6.5 500 サイクル 1.4 1.6 2.8 29.9 孔あけ加工時間（分） １９ １４ ６３０ ー 耐マイグレーション性(HAST)(Ω） 常態 2x10¹¹ ー 1x10¹¹ ー 200hrs. 8x10⁸ < 10⁸ 500hrs. 8x10⁸ ー 700hrs. 7x10⁸ 1000hrs. 2x10⁸

【００３４】＜測定方法＞ 1)表裏孔位置の隙間 孔径100又は200μmの孔を900孔/ブロック として70ブロ
ック（孔計63,000孔）作成した。炭酸ガスレーザー及び
メカニカルドリルで孔あけを行ない、１枚の銅張板に 6
3,000孔をあけるに要した時間、及び表裏ランド用銅箔
と孔との隙間、及び内層銅箔のズレの最大値を示した。 2)回路パターン切れ、及びショート 実施例、比較例で、孔のあいていない板を同様に作成
し、ライン/スペース＝50/50μm の櫛型パターンを作成
した後、拡大鏡でエッチング後の200パターンを目視に
て観察し、パターン切れ、及びショートしているパター
ンの合計を分子に示した。 3)ガラス転移温度 ＤＭＡ法にて測定した。 4)スルーホール・ヒートサイクル試験 各スルーホール孔にランド径250μmを作成し、900孔を
表裏交互につなぎ、1サイクルが、260℃・ハンダ・浸せ
き30秒→室温・5分 で、500サイクルまで実施し、抵抗
値の変化率の最大値を示した。 5)耐マイグレーション性(HAST) 孔形100μm又は150μm（メカニカルドリル）のスルーホ
ールをそれぞれ表裏交互に１個ずつつないで、合計５０
個つなぎ、このつないだもの２組が孔壁間１５０μｍで
平行となるようにして、合計100セット作成し、130℃、
85%RH、1.8VDCにて所定時間処理後に、取り出し、スル
ーホール間の絶縁抵抗値を測定した。

【００３５】

【発明の効果】銅張積層板の銅箔表面にニッケルを含有
するメッキを付着させ、この上から、銅箔を加工するに
十分なエネルギーの炭酸ガスレーザーを直接照射して孔
あけを行う本発明の方法によれば、メカニカルドリリン
グに比べて格段に加工速度が速く、生産性も大幅に改善
できる孔あけ方法が提供される。又、その後、孔部に発
生した銅箔バリを溶解除去すると同時に、銅箔の表面の
一部を溶解し、好ましくは銅箔の残存厚さ2〜7μm、好
適には３〜５μｍとすることにより、その後の銅メッキ
によるメッキアップにおいても、細密パターンを形成す
ることができ、高密度のプリント配線板を作成すること
ができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施例2の銅張板への炭酸ガスレーザーによる
貫通孔あけ及びブラインドビア孔あけ（２）、ＳＵＥＰ
による表層と内層銅箔のバリ除去及び表層の銅箔のエッ
チング(３）、銅メッキ（４）の工程図である。

【図２】比較例４の両面銅張多層板の炭酸ガスレーザー
による孔あけ及び銅メッキの工程図である（ＳＵＥＰ無
し）。

【符号の説明】

ａ ４層板の内層回路 ｂ 炭酸ガスレーザーの貫通孔あけで外層に発生した
銅箔バリ ｃ 孔あけされた貫通孔部 ｄ 炭酸ガスレーザーのブラインドビア孔あけで外層
に発生した銅箔バリ ｅ 孔あけされたブラインドビア孔部 ｆ 内層銅箔バリ ｇ ＳＵＥＰ処理で銅箔バリが除去された貫通孔部 ｈ ＳＵＥＰ処理で銅箔バリが除去されたブラインド
ビア孔部 ｉ スルーホールメッキされた貫通孔 ｊ 銅メッキされたブラインドビア孔部 ｋ 外層銅箔をエッチング除去した貫通孔形成部 ｌ 内層銅箔をエッチング除去した貫通孔形成部 ｍ 孔壁とズレを生じた内層銅箔部 ｎ 銅メッキされたSUEP処理していない貫通孔部 ｏ ニッケルメッキされた外層銅箔

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 銅張板の銅箔表面にニッケルを含有する
   メッキを施した後、この上から、銅箔を孔あけ加工する
   に十分なエネルギーの炭酸ガスレーザーを、パルス発振
   にて直接照射して貫通孔及び／又はブラインドビア孔を
   形成することを特徴とする炭酸ガスレーザーによる孔あ
   け方法。
2. 【請求項２】 炭酸ガスレーザーのエネルギーが、10〜
   60mJから選ばれたエネルギーである請求項1記載の炭酸
   ガスレーザーによる孔あけ方法。。
3. 【請求項３】 該炭酸ガスレーザー孔あけ後、孔周辺に
   発生した銅箔バリを除去するとともに、銅箔を厚さ方向
   に一部平面的にエッチング除去することを特徴とする請
   求項１又は２記載の炭酸ガスレーザーによる孔あけ方
   法。