JP2001347599A - 炭酸ガスレーザー孔あけに適した両面処理銅箔付きｂステージ樹脂シート及びそれを用いたプリント配線板。 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 Ｂステージ樹脂付きシートで、炭
酸ガスレーザーを直接照射して孔あけ可能な銅箔付きB
ステージ樹脂シートを得る。 【解決手段】 炭酸ガスレーザー照射側には好適
にはニッケル処理又はニッケル合金処理を施した両面処
理銅箔の反対面に、好適には無機絶縁性充填剤を10〜80
重量部配合した多官能性シアン酸エステル樹脂組成物を
塗布、乾燥して得られたBステージ樹脂層を付着したシ
ート、及び該シートを用いたプリント配線板を提供す
る。これを用いて得られた銅張板の、好適にはニッケル
処理或いはニッケル合金処理された銅箔面の上から、好
適には10〜60mJより選ばれた高出力の炭酸ガスレーザー
を直接照射することにより、外層及び内層銅箔を加工除
去して孔径８０〜１８０μｍの貫通孔及び／又はブライ
ンドビア孔を形成できる。その後、銅箔表裏表面及び内
層銅箔に発生したバリ及び銅箔の表層の一部をエッチン
グ除去して2〜7μmとし、銅メッキを行って得られる銅
張板を用いて高密度プリント配線板を作成する。 【効果】 直接炭酸ガスレーザーを照射して貫
通孔及び／又はブラインドビア孔をあけることができる
両面処理銅箔付きＢステージ樹脂シートを得ることがで
きた。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、両面処理銅箔付き
Ｂステージ樹脂シート及びそれを用いて作成された銅張
板に炭酸ガスレーザーで小径の孔をあけた高密度プリン
ト配線板に関する。得られたプリント配線板は、小型、
軽量の半導体プラスチックパッケージ、マザーボードプ
リント配線板などとして使用される。

【０００２】

【従来の技術】従来、半導体プラスチックパッケージ等
に用いられる高密度のプリント配線板は、表層の銅箔は
表面処理を施したものは使用されていなかった。又、孔
あけ加工において、貫通孔はメカニカルドリルであけて
いた。近年、ますますドリルの径は小径となり、孔径が
0.15mmφ以下となってきており、このような小径の孔を
あける場合、ドリル径が細いため、孔あけ時にドリルが
曲がる、折れる、加工速度が遅い等の欠点があり、生産
性、信頼性等に問題のあるものであった。ブラインドビ
ア孔は、事前に孔あけする位置の銅箔をエッチング除去
してから、低エネルギーの炭酸ガスレーザーで孔を形成
していた。この工程は、エッチングフィルムのラミネー
ト接着、露光、現像、エッチング、フィルム剥離工程な
どが入るために時間を要し、作業性等に問題があった。

【０００３】また、表裏の銅箔にあらかじめネガフィル
ムを使用して所定の方法で同じ大きさの孔をあけてお
き、更には内層の銅箔にも同様の孔を予めエッチングで
形成したものを配置しておき、炭酸ガスレーザーで表裏
を貫通する孔を形成しようとすると、内層銅箔の位置ズ
レ、孔と上下のランドとの間に隙間を生じ、接続不良、
及び表裏のランドが形成できない等の欠点があった。更
に近年ますます高密度化するプリント配線板において、
耐熱性、耐マイグレーション性、吸湿後の絶縁性等が問
題になってきている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、以上の問題
点を解決できるBステージ樹脂シート及び該樹脂シート
を用いて作成した銅張板を用いたプリント配線板の提供
を目的とする。

【０００５】

【課題を解決するための手段】本発明は、両面処理銅箔
のマット面にＢステージの樹脂層を形成して得られるＢ
ステージ樹脂シート及びそれを用いて作成した銅張板を
用いたプリント配線板を提供する。両面処理銅張付きＢ
ステージ樹脂シートを用いて積層成形するか連続的に張
り合わせて銅張板とし、この銅張板に、好適には炭酸ガ
スレーザーで直接銅箔上にレーザービームを照射し、貫
通孔及び／又はブラインドビア孔をあけてプリント配線
板とすることにより、高密度のプリント配線板を作成す
ることができる。

【０００６】又、プリント配線板を作成する場合の孔あ
けにおいて、炭酸ガスレーザーを、好適にはニッケル金
属処理或いはニッケル合金処理した銅箔面に直接照射す
ることにより、貫通孔及び／又はブラインドビア孔を容
易にあけることが可能であり、事前に銅箔をエッチング
除去するなどの時間を節約できるとともに、高速で小径
の孔が効率的に作成できる。炭酸ガスレーザーの出力に
おいて、好ましくは10〜60mJから選ばれたエネルギーの
炭酸ガスレーザーを直接銅箔の上から照射してスルーホ
ール用貫通孔及び／又はブラインドビア孔を形成する。
加工後、孔部には銅箔のバリが発生する。機械的研磨で
バリをとることもできるが、寸法変化等の点から、薬液
によるエッチングが好適である。すなわち、孔あけ後に
薬液を吹き付けるか、吸引して孔内を通し、表層の銅箔
の一部をエッチング除去すると同時に銅箔バリをもエッ
チング除去する。

【０００７】これを銅メッキでメッキアップして得られ
る両面銅張板を用い、表裏に回路形成を行い、定法にて
プリント配線板とする。表裏の回路を細密にするために
は、表裏層の銅箔を2〜7μm、好ましくは３〜５μｍと
する。この場合にはショートやパターン切れ等の不良の
発生もなく、高密度のプリント配線板を作成することが
できる。更には、加工速度はドリルであける場合に比べ
て格段に速く、生産性も良好で、経済性にも優れている
ものが得られた。

【０００８】又、多官能性シアン酸エステル、該シアン
酸エステルプレポリマーを必須成分とする熱硬化性樹脂
組成物を銅張板の絶縁層として使用するのが好ましく、
耐熱性、耐マイグレーション性、吸湿後の耐熱性等に優
れたものが得られた。更には、熱硬化性樹脂組成物中に
絶縁性無機充填剤を配合することにより、炭酸ガスレー
ザー孔あけにおいて、未添加の場合に比して孔壁を均質
にあけることができ、より孔の接続信頼性に優れたプリ
ント配線板を作成することができる

【０００９】

【発明の実施の形態】本発明は、両面処理銅箔付きＢス
テージ樹脂シート、及びこのＢステージ樹脂シートを少
なくとも外層銅箔に使用して得られる銅張板又は多層板
に、直接銅箔の上に炭酸ガスレーザーをパルス発振で照
射し、孔径80〜180μmの貫通孔及び／又はブラインドビ
ア孔をあける等の工程を経て作成されるプリント配線板
を提供する。孔あけ加工されたプリント配線板は、主に
半導体チップの搭載用として使用される。孔あけ後、表
裏及び内層の銅箔のバリが発生するが、この場合、高圧
でエッチング液を吹き付けるか、吸引して孔内を通し、
内外層の銅箔のバリを溶解除去する。その後、定法にて
全体を銅メッキし、回路形成等を行ってプリント配線板
を作成する。

【００１０】本発明で使用する銅張板を作成するのに必
要な両面処理銅箔とは、シャイニー面に炭酸ガスレーザ
ーエネルギーを直接照射して孔あけ可能なエネルギーの
吸収の良好な金属又は合金処理を施した銅箔である。炭
酸ガスレーザーでの孔あけを容易にするためには、好適
には、少なくともシャイニー面にニッケル金属処理或い
はニッケル合金処理を施した両面処理銅箔が使用され
る。ニッケル処理或いはニッケル合金処理を施した面と
は反対側の、銅張板の樹脂と接着するマット面は、一般
に公知の銅張板用処理を施したものを使用する。もちろ
ん、ニッケル金属処理、ニッケル合金処理も含まれる。
この樹脂側の銅箔面には数μmの凹凸がある。又、この
両面処理銅箔のニッケル金属処理或いはニッケル合金処
理を施した面は、凹凸があっても無くても良い。両面処
理銅箔の銅箔の厚みは、好適には厚さ3〜12μmの電解銅
箔の両面を処理したものが使用される。圧延銅箔も使用
できる。内層板の銅箔としては厚さ9〜18μmが好適に使
用される。

【００１１】本発明で使用する銅張板は、少なくとも１
層以上の銅の層が存在する銅張板、多層板であり、基材
補強されたもの、フィルム基材のもの、補強基材の無い
樹脂単独のもの等が使用可能である。しかしながら、寸
法収縮等の点からガラス布基材銅張板が好ましい。又、
高密度の回路を作成する場合、表層の銅箔は、最初から
薄いものを使用できるが、好適には、9〜12μmの厚い銅
箔を積層成形しておいて、炭酸ガスレーザーなどで孔加
工後、表層の銅箔をエッチング液で2〜7μm、好適には3
〜5μmまで薄くしたものを使用する。

【００１２】本発明の両面処理銅箔付きＢステージ樹脂
シートは、好適には積層成形時に銅箔側に離型フィルム
又は銅箔を配置し、その外側にステンレス板を使用し
て、加熱、加圧、好ましくは真空下に積層成形し、片面
銅張板、両面銅張板とする。又、内層板を使用し、必要
により銅箔表面に化学処理を施し、その外側に両面処理
銅箔付き樹脂シートを配置し、積層成形する。積層成形
後に加工方法によっては保護シートを剥離して孔あけす
る。もちろん、連続的に内層板に加熱、加圧下に貼り付
け、その後、硬化する方法等も使用できる。

【００１３】内層板に使用する銅張板の基材としては、
一般に公知の、有機、無機の織布、不織布が使用でき
る。具体的には、無機の繊維としては、Ｅ、Ｓ、Ｄ、Ｍ
ガラス等の繊維等が挙げられる。又、有機繊維として
は、全芳香族ポリアミド、液晶ポリエステル、ポリベン
ザゾールの繊維等が挙げられる。これらは、混抄でも良
い。ポリイミドフィルム等のフィルム類も使用可能であ
る。

【００１４】本発明で使用される両面銅箔付き樹脂シー
トの樹脂としては、一般に公知の熱硬化性樹脂が使用さ
れる。具体的には、エポキシ樹脂、多官能性シアン酸エ
ステル樹脂、多官能性マレイミドーシアン酸エステル樹
脂、多官能性マレイミド樹脂、不飽和基含有ポリフェニ
レンエーテル樹脂等が挙げられ、1種或いは2種類以上が
組み合わせて使用される。出力の高い炭酸ガスレーザー
照射による加工でのスルーホール形状の点からは、ガラ
ス転移温度が150℃以上の熱硬化性樹脂組成物が好まし
く、耐湿性、耐マイグレーション性、吸湿後の電気的特
性等の点から多官能性シアン酸エステル樹脂組成物が好
適である。内層板に使用する樹脂も同様である。

【００１５】本発明の好適な熱硬化性樹脂分である多官
能性シアン酸エステル化合物とは、分子内に2個以上の
シアナト基を有する化合物である。具体的に例示する
と、1,3-又は1,4-ジシアナトベンゼン、1,3,5-トリシア
ナトベンゼン、1,3-、1,4-、1,6-、1,8-、2,6-又は2,7-
ジシアナトナフタレン、1,3,6-トリシアナトナフタレ
ン、4,4-ジシアナトビフェニル、ビス(4-ジシアナトフ
ェニル)メタン、2,2-ビス(4-シアナトフェニル)プロパ
ン、2,2-ビス(3,5-ジブロモー4-シアナトフェニル)プロ
パン、ビス(4-シアナトフェニル)エーテル、ビス(4-シ
アナトフェニル)チオエーテル、ビス(4-シアナトフェニ
ル)スルホン、トリス(4-シアナトフェニル)ホスファイ
ト、トリス(4-シアナトフェニル)ホスフェート、および
ノボラックとハロゲン化シアンとの反応により得られる
シアネート類などである。

【００１６】これらのほかに特公昭41-1928、同43-1846
8、同44-4791、同45-11712、同46-41112、同47-26853及
び特開昭51-63149号公報等に記載の多官能性シアン酸エ
ステル化合物類も用いられ得る。また、これら多官能性
シアン酸エステル化合物のシアナト基の三量化によって
形成されるトリアジン環を有する分子量400〜6,000のプ
レポリマーが使用される。このプレポリマーは、上記の
多官能性シアン酸エステルモノマーを、例えば鉱酸、ル
イス酸等の酸類;ナトリウムアルコラート等、第三級ア
ミン類等の塩基;炭酸ナトリウム等の塩類等を触媒とし
て重合させることにより得られる。このプレポリマー中
には一部未反応のモノマーも含まれており、モノマーと
プレポリマーとの混合物の形態をしており、このような
原料は本発明の用途に好適に使用される。一般には可溶
な有機溶剤に溶解させて使用する。

【００１７】エポキシ樹脂としては、一般に公知のもの
が使用できる。具体的には、液状或いは固形のビスフェ
ノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹
脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾール
ノボラック型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、ブタ
ジエン、ペンタジエン、ビニルシクロヘキセン、ジシク
ロペンチルエーテル等の二重結合をエポキシ化したポリ
エポキシ化合物類;ポリオール、水酸基含有シリコン樹
脂類とエポハロヒドリンとの反応によって得られるポリ
グリシジル化合物類等が挙げられる。これらは1種或い
は2種類以上が組み合わせて使用され得る。

【００１８】ポリイミド樹脂としては、一般に公知のも
のが使用され得る。具体的には、多官能性マレイミド類
とポリアミン類との反応物、特公昭57-005406 に記載の
末端三重結合のポリイミド類が挙げられる。これらの熱
硬化性樹脂は、単独でも使用されるが、特性のバランス
を考え、適宜組み合わせて使用するのが良い。

【００１９】本発明の熱硬化性樹脂組成物には、組成物
本来の特性が損なわれない範囲で、所望に応じて種々の
添加物を配合することができる。これらの添加物として
は、不飽和ポリエステル等の重合性二重結合含有モノマ
ー類及びそのプレポリマー類;ポリブタジエン、エポキ
シ化ブタジエン、マレイン化ブタジエン、ブタジエン-
アクリロニトリル共重合体、ポリクロロプレン、ブタジ
エン-スチレン共重合体、ポリイソプレン、ブチルゴ
ム、フッ素ゴム、天然ゴム等の低分子量液状〜高分子量
のelasticなゴム類;ポリエチレン、ポリプロピレン、ポ
リブテン、ポリ-4-メチルペンテン、ポリスチレン、AS
樹脂、ABS樹脂、MBS樹脂、スチレン-イソプレンゴム、
ポリエチレン-プロピレン共重合体、4-フッ化エチレン-
6-フッ化エチレン共重合体類;ポリカーボネート、ポリ
フェニレンエーテル、ポリスルホン、ポリエステル、ポ
リフェニレンサルファイド等の高分子量プレポリマー若
しくはオリゴマー;ポリウレタン等が例示され、適宜使
用される。また、その他、公知の有機、無機の充填剤、
染料、顔料、増粘剤、滑剤、消泡剤、分散剤、レベリン
グ剤、光増感剤、難燃剤、光沢剤、重合禁止剤、チキソ
性付与剤等の各種添加剤が、所望に応じて適宜組み合わ
せて用いられる。必要により、反応基を有する化合物は
硬化剤、触媒が適宜配合される。

【００２０】本発明に使用する熱硬化性樹脂組成物の中
に、絶縁性無機充填剤を添加できる。特に炭酸ガスレー
ザー孔あけ用としては、孔の形状を均質にするために10
〜80重量%、好ましくは、20〜70重量%添加する。絶縁性
無機充填剤の種類は特に限定はない。具体的には、タル
ク、焼成タルク、水酸化アルミニウム、カオリン、アル
ミナ、ウオラストナイト、合成雲母等が挙げられ、１種
或いは２種以上を配合して使用する。

【００２１】熱硬化性樹脂組成物は、それ自体は加熱に
より硬化するが硬化速度が遅く、作業性、経済性等に劣
る場合には、使用した熱硬化性樹脂に対して公知の熱硬
化触媒を用い得る。使用量は、熱硬化性樹脂100重量部
に対して0.005〜10重量部、好ましくは0.01〜5重量部で
ある。

【００２２】本発明で使用する銅箔は、両面を処理した
銅箔が使用される。炭酸ガスレーザーの照射面側である
シャイニー面には炭酸ガスレーザーエネルギーの吸収率
が良き金属処理又は合金処理を行ったものを使用する。
好適には、ニッケル金属処理或いはニッケル合金処理を
施す。ニッケル処理は、ニッケル蒸着、ニッケルメッキ
等、一般に公知のものが使用できる。ニッケル合金処理
は、一般に公知のものが使用可能である。例えば、ニッ
ケルとコバルトの合金、ニッケル-クロム-鉄の合金処理
等が挙げられる。もちろん一般のコバルト処理、亜鉛処
理等の中で炭酸ガスレーザーで孔あけ可能な処理は使用
できる。反対側の樹脂と接着させる銅箔のマット面処理
としては、一般に公知の銅張板用処理が使用される。こ
の処理は、もちろんニッケル金属処理、ニッケル合金処
理であっても良い。

【００２３】炭酸ガスレーザーの波長は、9.3〜10.6μm
が使用される。エネルギーは、好適には10〜60mJで、所
定パルス照射して孔あけする。貫通孔及び／又はブライ
ンドビア孔をあける場合、最初から最後まで同一エネル
ギーを照射して孔あけする方法、エネルギーを途中で高
くするか、低くして孔あけする方法、いずれの方法でも
良い。

【００２４】本発明の炭酸ガスレーザーでの孔あけにお
いて、孔周囲に銅箔のバリが発生する。孔部に発生した
銅箔のバリをエッチング除去する方法としては、特に限
定しないが、例えば、特開平02-22887、同02-22896、同
02-25089、同02-25090、同02-59337、同02-60189、同02
-166789、同03-25995、同03-60183、同03-94491、同04-
199592、同04-263488号公報で開示された、薬品で金属
表面を溶解除去する方法(ＳＵＥＰ法と呼ぶ）による。
エッチング速度は、一般には0.02〜1.0μm/秒で行う。
また、内層の銅箔バリをエッチング除去する場合、同時
に銅箔の表面の一部をもエッチング除去し、厚さ２〜７
μm、好適には３〜５μｍとすることにより、その後の
銅メッキされた銅箔に細密なパターンを形成でき、高密
度のプリント配線板とすることができる。

【００２５】銅張板の裏面には、孔が貫通した場合のレ
ーザーによるレーザーマシーンのテーブルの損傷を防ぐ
ために、単に金属板を配置することも可能であるが、好
ましくは、金属板の表面の少なくとも一部を接着させた
樹脂層を銅張板の裏面銅箔と接着させて配置し、貫通孔
あけ後に金属板を剥離する。

【００２６】加工された孔内部の表層、内層銅箔の樹脂
が接着していた面には1μm程度の樹脂層が銅箔表面に残
存する場合が殆どである。この樹脂層を、エッチング前
にデスミア処理等の一般に公知の処理で事前に除去が可
能であるが、液が小径の孔内部に到達しない場合、内層
の銅箔表面に残存する樹脂層の除去残が発生し、銅メッ
キとの接続不良になる場合がある。従って、より好適に
は、まず気相で孔内部を処理して樹脂の残存層を完全に
除去し、次いで孔内部及び表裏の銅箔バリをエッチング
除去する。

【００２７】気相処理としては一般に公知の処理が使用
可能であるが、例えばプラズマ処理、低圧紫外線処理等
が挙げられる。プラズマは、高周波電源により分子を部
分的に励起し、電離させた低温プラズマを用いる。これ
は、イオンの衝撃を利用した高速の処理、ラジカル種に
よる穏やかな処理が一般には使用され、処理ガスとし
て、反応性ガス、不活性ガスが使用される。反応性ガス
としては、主に酸素が使用され、科学的に用面処理をす
る。不活性ガスとしては、主にアルゴンガスを使用す
る。このアルゴンガス等を使用し、物理的な表面処理を
行う。物理的な処理は、イオンの衝撃を利用して表面を
クリーニングする。低紫外線は、波長が短い領域の紫外
線であり、波長として、184.9nm、253.7nm がピークの
短波長域の波長を照射し、樹脂層を分解除去する。

【００２８】孔内部は、通常の銅メッキを施すことも可
能であるが、また銅メッキで孔内部を一部、好適には80
容積%以上充填することもできる。孔あけにおいては、
もちろんエキシマレーザー、YAGレーザー等の併用もで
きる。又、メカニカルドリルの併用も可能である。

【００２９】

【実施例】以下に実施例、比較例で本発明を具体的に説
明する。尚、特に断らない限り、『部』は重量部を表
す。

【００３０】実施例１ 2,2-ビス(4-シアナトフェニル)プロパン900部、ビス(4-
マレイミドフェニル)メタン100部を150℃に溶融させ、
撹拌しながら4時間反応させ、プレポリマーを得た。こ
れをメチルエチルケトンとジメチルホルムアミドの混合
溶剤に溶解した。これにビスフェノールA型エポキシ樹
脂(商品名:エピコート1001、油化シェルエポキシ＜株＞
製)400部、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂(商品
名:ESCN-220F、住友化学工業＜株＞製)600部、フェノー
ルノボラック型エポキシ樹脂（商品名：DEN439、ダウケ
ミカル<株>製）500部を加え、均一に溶解混合した。更
に触媒としてオクチル酸亜鉛0.4部を加え、溶解混合
し、これに無機充填剤(商品名:焼成タルク、日本タルク
<株>、平均粒子径4μm)2000部、及び黒色顔料8部を加
え、均一撹拌混合してワニスAを得た。このワニスを厚
さ100μmのガラス織布に含浸し150℃で乾燥して、ゲル
化時間(at170℃)１０４秒、ガラス布の含有量が５１重
量%のプリプレグ(プリプレグB)を作成した。

【００３１】一方、長さ1000m、厚さ１１μmの両面処理
銅箔のシャイニー面にニッケル合金処理（<株>ジャパン
エナージー、Y処理、LD箔とも言う）を１μm施した電解
銅箔のニッケル合金処理とは反対面の樹脂を接着させる
銅箔マット面上に上記ワニスAを、厚さ60μm、ゲル化時
間45秒になるように連続的に塗布、乾燥しBステージ樹
脂付きシートCを作成した。

【００３２】ここで、上記プリプレグBを用い、12μmの
一般電解銅箔をプリプレグB2枚の両側に配置し、200
℃、20kgf/cm²、30mmHg以下の条件で積層成形して両面
銅張積層板Dを得た。この両面銅張積層板Dの両面に回路
を形成し、黒色酸化銅処理を施した後、その両面に両面
処理銅箔付きＢステージ樹脂シートＣを、樹脂面が内層
板側を向くように置き、その外側に1.5mm厚のステンレ
ス板を配置し、これを繰り返して、熱盤間に15セット入
れ、200℃、20kgf/cm²、30mmHg以下の真空下で2時間積
層成形し、両面銅張多層板Eを得た。一方、ポリビニル
アルコールを水に溶解した樹脂を厚み50μmのアルミニ
ウム箔の片面に塗布し、110℃で20分乾燥して、厚さ20
μmの塗膜を有するバックアップシートEを作成した。

【００３３】多層板Eの下側にバックアップシートＦを
置き、上側の銅箔の上から径100μmの孔を50mm角内に90
0個直接炭酸ガスレーザーで、パルス発振で出力10mJ で
3ショット、20mJで3ショット照射して70ブロック、合計
６３、０００個の貫通孔をあけた。又、13mJで２ショッ
ト照射し、孔径100μmのブラインドビア孔をあけた。

【００３４】下側のバックアップシートを除去し、プラ
ズマ装置の中に入れて処理した後、ＳＵＥＰ液を高速で
吹き付けて、表裏の孔部に発生した銅箔バリを溶解除去
すると同時に、表層の銅箔を4μmまで溶解した。デスミ
ア処理後、銅メッキを15μm付着させた後、既存の方法
にて回路(ライン/スペース＝50/50μm)、ハンダボール
パッド等を形成し、少なくとも半導体チップ部、ボンデ
ィング用パッド部、ハンダボールパッド部を除いてメッ
キレジストで被覆し、ニッケル、金メッキを施し、プリ
ント配線板を作成した。このプリント配線板の評価結果
を表1に示す。

【００３５】実施例２エポキシ樹脂（商品名：エピコー
ト1001、油化シェルエポキシ<株>製> 300部、及びエポ
キシ樹脂（商品名：ESCN220F、住友化学工業<株>製）70
0部、ジシアンジアミド35部、2-エチル-4-メチルイミダ
ゾール1部をメチルエチルケトンとジメチルホルムアミ
ドの混合溶剤に溶解し、均一に攪拌混合してワニスとし
た。このワニスを厚さ100μmのガラス織布に含浸、乾燥
して、ゲル化時間150秒、ガラス布の含有量48重量%のプ
リプレグGを作成した。

【００３６】一方、幅540mm、厚み9μmの両面処理銅箔
のシャイニー面にニッケル金属処理を施した銅箔の反対
側のマット面にワニスFを厚さ50μmとなるように連続的
に塗布、乾燥して、ゲル化時間55秒のＢステージ樹脂付
きシートＨを得た。530x530mmのプリプレグＧを1枚使用
し、上下に12μmの一般電解銅箔を置き、190℃、20kgf/
cm²、30mmHgで積層成形し、両面銅張積層板Iを得た。こ
の板の表裏に回路を形成後、黒色酸化銅処理を施した
後、上下に両面処理銅箔付きＢステージ樹脂シートＨを
540x540mmに切断したものを各１枚置き、加熱、加圧下
に同様に積層成形して４層板Ｊとした後、この下側にバ
ックアップシートＦを配置し、銅箔の上から炭酸ガスレ
ーザーの出力15mJで２ショット、20mJで2ショット照射
して貫通孔をあけた。

【００３７】更に炭酸ガスレーザーの出力12mJにて2シ
ョット照射してビア孔をあけた。バックアップシートＦ
を除去後、全体をSUEP処理を施して表裏の銅箔厚さを3
μmまで溶解除去した後、過マンガン酸カリウム水溶液
にてデスミア処理を行なって、同様に銅メッキを行い、
同様にプリント配線板とした。評価結果を表１に示す。

【００３８】比較例１ 実施例１の多層板において、表層の銅箔を一般の電解銅
箔（<株>ジャパンエナージー、JTC-LP箔）を用い、その
他は実施例１と同様にして作成した４層板の表面に何も
付着せずに実施例１と同一条件で炭酸ガスレーザーで孔
あけを行なったが、孔はあかなかった。

【００３９】比較例２ 比較例１の多層板の表面に黒色酸化銅処理を施し、その
後この表面を布で１０回擦って処理を研削し、この上か
ら実施例１と同一条件で炭酸ガスレーザーを照射した
が、孔はほとんどあかなかった。

【００４０】比較例３ エポキシ樹脂（商品名：エピコート5045)2,000部、ジシ
アンジアミド70部、2ーエチルイミダゾール2部をメチル
エチルケトンとジメチルホルムアミドの混合溶剤に溶解
し、更に実施例１の絶縁性無機充填剤を800部加え、攪
拌混合して均一分散してワニスＫを得た。これを厚さ10
0μmのガラス織布に含浸、乾燥して、ゲル化時間140秒
（at170℃），ガラス含有量52重量%のプリプレグL、ゲ
ル化間180秒、厚さ50μmのガラス織布を使用しガラス含
有量35重量%のプリプレグMを得た。このプリプレグLを2
枚使用し、両面に12μmの電解銅箔を置き、180℃、20kg
f/cm²、30mmHg以下の真空下で2時間積層成形して両面銅
張積層板Nを得た。この積層板Nの両面に回路を形成し、
黒色酸化銅処理後、その両面にプリプレグMを各1枚置
き、その外側に12μmの一般銅箔を配置し、同様に積層
成形して４層板Oとした。これを用い、メカニカルドリ
ルで同様に孔あけして貫通孔を形成した。炭酸ガスレー
ザーでは直接照射してもビア孔はあかなかった。SUEP処
理を行わず銅メッキを施し、同様にプリント配線板とし
た。評価結果を表１に示す。

【００４１】比較例４ 実施例２の両面銅張板Iを用い、内層のスルーホールと
なる箇所の銅箔を孔径100μmとなるように上下銅箔をエ
ッチング除去し、回路を形成した後、銅箔表面を黒色酸
化銅処理して、その外側にＢステージ樹脂シートＨの銅
箔として一般の電解銅箔を用いたシートを各１枚置き、
実施例２同様に積層成形して４層板を作成した。この多
層板を用い、貫通孔を形成する表面の位置に孔径100μ
ｍの孔を900個、銅箔をエッチングしてあけた。同様に
裏面にも同じ位置に孔径100μｍの孔を900個エッチング
してあけた。１パターン900個を70ブロック、合計63,00
0の孔を、表面から炭酸ガスレーザーで、出力15mJにて3
ショットかけ、スルーホール用貫通孔をあけた。後は比
較例３と同様にして、SUEP処理を行わずに、デスミア処
理を１回施し、銅メッキを15μｍ施し、表裏に回路を形
成し、同様にプリント配線板を作成した。評価結果を表
１に示す。

【００４２】 表１ 項 目 実 施 例 比 較 例 1 2 2 3 4 貫通孔形成（％） 100 100 9 100 100 表裏面ランド銅箔との隙間(μm） 0 0 ー 0 27 内層との孔位置のズレ（μｍ） ー 0 ー 0 39 パターン切れ及びショート（個） 0/200 0/200 ー 52/200 53/200 ガラス転移温度（℃） 235 160 235 139 160 スルーホール・ヒートサイクル試験（％） 100 サイクル 1.4 1.5 ー 1.6 4.2 300 サイクル 1.7 1.9 ー 1.8 9.6 孔あけ加工時間（分） 19 14 ー 630 ー 耐マイグレーション性(HAST)(Ω） 常態 5x10¹¹ ー ー 1x10¹¹ ー 200hrs. 6x10⁸ < 10⁸ 500hrs. 5x10⁸ ー 700hrs. 3x10⁸ 1000hrs. 2x10⁸

【００４３】＜測定方法＞ 1)表裏孔位置の隙間及び貫通孔の形成数 孔径100μｍ（炭酸ガスレーザー）又は150μm（メカニ
カルドリル）の孔を900孔/ブロック として70ブロック
（孔計63,000孔）作成した。炭酸ガスレーザー及びメカ
ニカルドリルで孔あけを行ない、１枚の銅張板に63,000
孔をあけるに要した時間、及び表裏ランド用銅箔と孔と
の隙間、及び内層銅箔のズレの最大値を示した。 2)回路パターン切れ、及びショート 実施例、比較例で、孔のあいていない板を同様に作成
し、ライン/スペース＝50/50μm の櫛形パターンを作成
した後、拡大鏡でエッチング後の200パターンを目視に
て観察し、パターン切れ、及びショートしているパター
ンの合計を分子に示した。 3)ガラス転移温度 ＤＭＡ法にて測定した。 4)スルーホール・ヒートサイクル試験 各スルーホール孔に直径250μmのランドを作成し、900
孔を表裏交互につなぎ、1サイクルが、260℃・ハンダ・
浸せき30秒→室温・5分 で、300サイクルまで実施し、
抵抗値の変化率の最大値を示した。 5)耐マイグレーション性(HAST) 孔径100μm（炭酸ガスレーザー）又は150μm（メカニカ
ルドリリング）の銅メッキされた貫通孔をそれぞれ表裏
交互に１個ずつ計50個つなぎ、このつないだもの２組が
孔壁間150μmで平行になるようにして、合計100セット
作成し、130℃、85%RH、1.8VDC にて所定時間処理後
に、取り出し、平行に配列した貫通孔間の絶縁抵抗値を
測定した。

【００４４】

【発明の効果】本発明は、両面処理箔において、銅箔の
シャイニー面に炭酸ガスレーザーエネルギーを直接照射
して孔あけ可能な金属処理、好適には、少なくともシャ
イニー面にニッケル金属処理或いはニッケル合金処理を
施した銅箔の、ニッケル金属処理或いはニッケル合金処
理を施した面とは反対の銅箔マット面にＢステージの熱
硬化性樹脂層を形成した樹脂シートを提供する。これを
用いて積層成形した銅張板は、炭酸ガスレーザー孔あけ
性能に優れ、銅箔の上から直接レーザービームを照射し
て貫通孔及び／又はブラインドビア孔を形成することが
可能である。炭酸ガスレーザー孔あけは、メカニカルド
リリングに比べて格段に加工速度が速く、生産性につい
て大幅に改善でき、又、その後、孔部に発生した銅箔バ
リを溶解除去すると同時に、銅箔の表面の一部を溶解
し、2〜7μm、好ましくは3〜5μmとすることにより、そ
の後の銅メッキによるメッキアップにおいても、細密パ
ターンを形成することができ、高密度のプリント配線板
を作成することができる。加えて、絶縁性無機充填剤を
添加することにより、孔形状が良好となる。表裏銅箔に
エッチングして孔をあけ、ついで炭酸ガスレーザーで孔
をあける場合に比して表裏用ランド銅箔と孔との隙間が
生じない。加えて熱硬化性樹脂組成物として多官能性シ
アン酸エステル化合物、該シアン酸エステルプレポリマ
ーを必須成分とする樹脂組成物を使用することにより得
られたプリント配線板は、耐熱性、耐マイグレーション
性等に優れたものが得られる。

─────────────────────────────────────────────────────

【手続補正書】

【提出日】平成１２年８月１７日（２０００．８．１
７）

【手続補正１】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】請求項１

【補正方法】変更

【補正内容】

フロントページの続き Ｆターム(参考） 4F100 AA01B AA01E AB01B AB01D AB16B AB17A AB31B AB31D AC10H AG00 AK01C AK01E AK53 AL05C AL05E AR00B AR00D BA05 BA06 BA10C BA10E CA13 CA23 DG11 EA02C EA02E EJ08 EJ082 EJ17 EJ172 EJ42 EJ422 EJ82 EJ821 EJ861 GB41 JB13C JB13E JD01 JG04C JG04E JJ03 YY00C YY00E

Claims (9)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 炭酸ガスレーザーエネルギー吸収の良い
   金属又は合金処理を銅箔マット面に施した両面処理銅箔
   のマット面に、Ｂステージの樹脂層を付着させたことを
   特徴とする両面処理銅箔付きＢステージ樹脂シート。
2. 【請求項２】 該両面処理銅箔の少なくともシャイニー
   面の銅箔面処理が、ニッケル金属処理又はニッケル合金
   処理であることを特徴とする請求項１記載の両面処理銅
   箔付きＢステージ樹脂シート。
3. 【請求項３】 該両面処理銅箔が、電解銅箔である請求
   項１又は２記載の両面処理銅箔付きＢステージ樹脂シー
   ト。
4. 【請求項４】 該両面処理銅箔付きＢステージ樹脂シー
   トが、連続シートであることを特徴とする請求項１、２
   又は３記載のＢステージ樹脂シート。
5. 【請求項５】 該Ｂステージ樹脂シートの樹脂が、多官
   能性シアン酸エステル、該シアン酸エステルプレポリマ
   ーを必須成分とする熱硬化性樹脂組成物であることを特
   徴とする請求項１，２、３又は４記載の両面処理銅箔付
   きＢステージ樹脂シート。
6. 【請求項６】 該熱硬化性樹脂組成物に絶縁性無機充填
   剤を10〜80重量%配合したことを特徴とする請求項１，
   ２，３、４又は５記載の両面処理銅箔付きＢステージ樹
   脂シート。
7. 【請求項７】 請求項１記載の両面処理銅箔付きＢステ
   ージ樹脂シートを、内層板の少なくとも片面に配置し、
   加熱、加圧下に積層成形された銅張板の上から銅箔を孔
   あけ加工するに十分なエネルギーの炭酸ガスレーザーを
   直接照射して貫通孔及び／又はブラインドビア孔を形成
   して作成されることを特徴とするプリント配線板。
8. 【請求項８】 請求項４記載の両面処理銅箔付き連続Ｂ
   ステージ樹脂シートを、内層板の少なくとも片面に配置
   し、連続的に加熱、加圧して接着させ、硬化して作成さ
   れた銅張板の上から銅箔を孔あけ加工するに十分なエネ
   ルギーの炭酸ガスレーザーを直接照射して貫通孔及び／
   又はブラインドビア孔を形成して作成されることを特徴
   とするプリント配線板。
9. 【請求項９】 炭酸ガスレーザーで孔あけ後、孔周辺に
   発生した銅箔バリを薬液で溶解除去すると同時に表層の
   銅箔の一部を溶解して作成されることを特徴とする請求
   項７又は８記載のプリント配線板。