JPH0759561B2 - １．３−ジアルキルピラゾール−４−カルボン酸誘導体の製造方法 - Google Patents
１．３−ジアルキルピラゾール−４−カルボン酸誘導体の製造方法Info
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- JPH0759561B2 JPH0759561B2 JP32720987A JP32720987A JPH0759561B2 JP H0759561 B2 JPH0759561 B2 JP H0759561B2 JP 32720987 A JP32720987 A JP 32720987A JP 32720987 A JP32720987 A JP 32720987A JP H0759561 B2 JPH0759561 B2 JP H0759561B2
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は一般式（Ｉ） （式中、R1及びR2はそれぞれ低級アルキル基を示す） で示される1,3−ジアルキルピラゾール−４−カルボン
酸誘導体の製造方法に関する。
酸誘導体の製造方法に関する。
本発明に係る製造方法により製造される一般式（Ｉ）で
示される1,3−ジアルキルピラゾール−４−カルボン酸
誘導体は農薬、特に殺菌剤及び除草剤として有用なピラ
ゾールカルボニルアミノアセトニトリル誘導体の製造中
間体として極めて有用である。
示される1,3−ジアルキルピラゾール−４−カルボン酸
誘導体は農薬、特に殺菌剤及び除草剤として有用なピラ
ゾールカルボニルアミノアセトニトリル誘導体の製造中
間体として極めて有用である。
1,3−ジメチルピラゾール−４−カルボン酸の製造方法
については、オーストラリアン ジャーナル オブ ケ
ミストリー（Aust.J.Chem.）、第36巻、135〜147ぺーじ
（1983）に下記反応経路による製造方法が記載されてい
る。
については、オーストラリアン ジャーナル オブ ケ
ミストリー（Aust.J.Chem.）、第36巻、135〜147ぺーじ
（1983）に下記反応経路による製造方法が記載されてい
る。
すなわち、1,3−ジメチルピラゾール−５−オンにオキ
シ塩化リンおよびジメチルホルムアミドを反応させ、得
られた1,3−ジメチルピラゾール−５−クロロ−４−ア
ルデヒドを酸化してアルデヒド基をカルボキシル基に変
換した後、還元脱塩素化して1,3−ジメチルピラゾール
−４−カルボン酸を製造する方法である。
シ塩化リンおよびジメチルホルムアミドを反応させ、得
られた1,3−ジメチルピラゾール−５−クロロ−４−ア
ルデヒドを酸化してアルデヒド基をカルボキシル基に変
換した後、還元脱塩素化して1,3−ジメチルピラゾール
−４−カルボン酸を製造する方法である。
〔本発明が解決しようとする問題点〕 前記従来法では、予めアセト酢酸エステルとメチルヒド
ラジンを反応させることによって原料の1,3−ジメチル
ピラゾール−５−オンを製造し、得られた1,3−ジメチ
ルピラゾール−５−オンをヴィルスマイヤーVilsmeier
反応、酸化、次いで還元し目的とする1,3−ジメチルピ
ラゾール−４−カルボン酸を得る方法であるが、反応工
程が長く、収率も充分でなく、製造コストが高くなる等
の問題点がある。
ラジンを反応させることによって原料の1,3−ジメチル
ピラゾール−５−オンを製造し、得られた1,3−ジメチ
ルピラゾール−５−オンをヴィルスマイヤーVilsmeier
反応、酸化、次いで還元し目的とする1,3−ジメチルピ
ラゾール−４−カルボン酸を得る方法であるが、反応工
程が長く、収率も充分でなく、製造コストが高くなる等
の問題点がある。
本発明は、1,3−ジアルキルピラゾール−４−カルボン
酸誘導体の製造方法について前記問題点を解決し、反応
工程が短く、収率良く製造する方法を提供することを課
題とする。
酸誘導体の製造方法について前記問題点を解決し、反応
工程が短く、収率良く製造する方法を提供することを課
題とする。
前記問題点を解決すべく鋭意検討した結果、ジメチルホ
ルムアルデヒドとホスゲンまたはオキシ塩化リンを反応
させた後、ヒドラジン誘導体を反応させ、得られる1,3
−ジメチルピラゾール−４−アルデヒド誘導体を酸化す
ることにより短い反応工程で、しかも高収率で位置選択
的に1,3−ジメチルピラゾール−４−カルボン酸誘導体
が得られることを見い出し本発明を完成した。
ルムアルデヒドとホスゲンまたはオキシ塩化リンを反応
させた後、ヒドラジン誘導体を反応させ、得られる1,3
−ジメチルピラゾール−４−アルデヒド誘導体を酸化す
ることにより短い反応工程で、しかも高収率で位置選択
的に1,3−ジメチルピラゾール−４−カルボン酸誘導体
が得られることを見い出し本発明を完成した。
すなわち、本発明はジメチルホルムアミドにホスゲンま
たはオキシ塩化リンを反応させた後、一般式（II） （式中、R1及びR2はそれぞれ低級アルキル基を示す） で示されるヒドラゾン誘導体を反応させ、得られる一般
式（III） （式中、R1及びR2はそれぞれ前記の意味を示す） で示される1,3−ジアルキルピラゾール−４−アルデヒ
ド誘導体を酸化することを特徴とする一般式（Ｉ） （式中、R1及びR2はそれぞれ前記の意味を示す） で示される1,3−ジアルキルピラゾール−４−カルボン
酸誘導体の製造方法である。
たはオキシ塩化リンを反応させた後、一般式（II） （式中、R1及びR2はそれぞれ低級アルキル基を示す） で示されるヒドラゾン誘導体を反応させ、得られる一般
式（III） （式中、R1及びR2はそれぞれ前記の意味を示す） で示される1,3−ジアルキルピラゾール−４−アルデヒ
ド誘導体を酸化することを特徴とする一般式（Ｉ） （式中、R1及びR2はそれぞれ前記の意味を示す） で示される1,3−ジアルキルピラゾール−４−カルボン
酸誘導体の製造方法である。
本発明に係る製造方法は1,3−ジアルキルピラゾール−
４−カルボン酸誘導体の新規な製造方法であり、本発明
に係る製造方法によって製造される1,3−ジアルキルピ
ラゾール−４−カルボン酸誘導体は疾病、べと病用殺菌
剤として優れた性質を有するピラゾールカルボニルアミ
ノアセトニトリル誘導体の重要な製造中間体として極め
て有用である。
４−カルボン酸誘導体の新規な製造方法であり、本発明
に係る製造方法によって製造される1,3−ジアルキルピ
ラゾール−４−カルボン酸誘導体は疾病、べと病用殺菌
剤として優れた性質を有するピラゾールカルボニルアミ
ノアセトニトリル誘導体の重要な製造中間体として極め
て有用である。
本発明に係る製造法について以下に詳しく説明する。
出発原料の式（II）で示されるヒドラゾン誘導体はジャ
ーナル オブ オルガニック ケミストリー（J.Org.Ch
em.）、第32巻、2865（1967）及びテトラヘドロン（Tet
rahedron）、第22巻、913（1966）に記載されているア
セトンメチルヒドラゾンの合成法に従い次式により製造
することが出来る。
ーナル オブ オルガニック ケミストリー（J.Org.Ch
em.）、第32巻、2865（1967）及びテトラヘドロン（Tet
rahedron）、第22巻、913（1966）に記載されているア
セトンメチルヒドラゾンの合成法に従い次式により製造
することが出来る。
本発明に係る製造方法においては、ホスゲンを使用する
場合には、反応溶媒を兼ねた過剰のジメチルホルムアミ
ド、又は、不活性溶媒にジメチルホルムアミドを溶解さ
せた液に、攪拌下にホスゲンを吹き込み反応させて、い
わゆるヴィルスマイヤーVilsmeier試薬を合成する。不
活性溶媒を用いた場合は、過剰のホスゲンを反応系外に
除去した後攪拌下に一般式（II）で示されるヒドラゾン
誘導体を滴下し反応させるのが望ましい。用いた不活性
溶媒の沸点が低い場合はヒドラゾン誘導体との反応に長
時間を要するので、好ましくは、反応系外に低沸点の不
活性溶媒を除去し、希釈剤としてジメチルホルムアミド
を加えると反応時間が短縮出来る。
場合には、反応溶媒を兼ねた過剰のジメチルホルムアミ
ド、又は、不活性溶媒にジメチルホルムアミドを溶解さ
せた液に、攪拌下にホスゲンを吹き込み反応させて、い
わゆるヴィルスマイヤーVilsmeier試薬を合成する。不
活性溶媒を用いた場合は、過剰のホスゲンを反応系外に
除去した後攪拌下に一般式（II）で示されるヒドラゾン
誘導体を滴下し反応させるのが望ましい。用いた不活性
溶媒の沸点が低い場合はヒドラゾン誘導体との反応に長
時間を要するので、好ましくは、反応系外に低沸点の不
活性溶媒を除去し、希釈剤としてジメチルホルムアミド
を加えると反応時間が短縮出来る。
本発明に用いるジメチルホルムアミドの使用量は、不活
性溶媒を用いない場合は一般式（II）で示されるヒドラ
ゾン誘導体１モルに対し10〜30モル、不活性溶媒を用い
る場合は１〜４モル、好ましくは1.6〜2.4モルである。
不活性溶媒の使用量は、ヒドラゾン誘導体の重量に対し
５〜30倍、好ましくは15〜25倍量である。
性溶媒を用いない場合は一般式（II）で示されるヒドラ
ゾン誘導体１モルに対し10〜30モル、不活性溶媒を用い
る場合は１〜４モル、好ましくは1.6〜2.4モルである。
不活性溶媒の使用量は、ヒドラゾン誘導体の重量に対し
５〜30倍、好ましくは15〜25倍量である。
本発明に用いるホスゲンの使用量は、ヒドラゾン誘導体
１モルに対して１〜10モル、好ましくは1.8〜4.0モルで
ある。ホスゲンの吹き込み温度は−10℃〜100℃、好ま
しくは０℃〜50℃である。ホスゲン吹き込み後のホスゲ
ンとジメチルホルムアミドとの反応温度は０℃〜100
℃、好ましくは０℃〜50℃である。
１モルに対して１〜10モル、好ましくは1.8〜4.0モルで
ある。ホスゲンの吹き込み温度は−10℃〜100℃、好ま
しくは０℃〜50℃である。ホスゲン吹き込み後のホスゲ
ンとジメチルホルムアミドとの反応温度は０℃〜100
℃、好ましくは０℃〜50℃である。
本発明に用いるヒドラゾン誘導体は−10℃〜50℃、好ま
しくは０℃〜10℃で滴下装入され、０℃〜100℃、好ま
しくは60℃〜90℃でヴィルスマイヤー試薬と反応させ
る。
しくは０℃〜10℃で滴下装入され、０℃〜100℃、好ま
しくは60℃〜90℃でヴィルスマイヤー試薬と反応させ
る。
オキシ塩化リンを使用する場合には、同様にいわゆるヴ
ィルスマイヤーVilsmeier試薬を合成した後、攪拌下一
般式（II）で示されるヒドラゾン誘導体を反応させ一般
式（III）で示される1,3−ジアルキルピラゾール−４−
アルデヒド誘導体を得る。この場合ジメチルホルムアミ
ドの使用量は、オキシ塩化リン１モルに対し1.0〜10モ
ル、好ましくは1.0〜5.0モルである。使用量が少ないと
収率が低くなる。5.0モル以上では何ら収率の低下等の
影響はないが、5.0モル以下が工業的に望ましい。
ィルスマイヤーVilsmeier試薬を合成した後、攪拌下一
般式（II）で示されるヒドラゾン誘導体を反応させ一般
式（III）で示される1,3−ジアルキルピラゾール−４−
アルデヒド誘導体を得る。この場合ジメチルホルムアミ
ドの使用量は、オキシ塩化リン１モルに対し1.0〜10モ
ル、好ましくは1.0〜5.0モルである。使用量が少ないと
収率が低くなる。5.0モル以上では何ら収率の低下等の
影響はないが、5.0モル以下が工業的に望ましい。
本発明に用いるオキシ塩化リンの使用量は、一般式（I
I）で表されるヒドラゾン誘導体１モルに対し1.0〜4.0
モル、好ましくは1.6〜3.0モルが望ましい。オキシ塩化
リンの使用量が少ない場合および4.0モル以上では収率
が低下する。
I）で表されるヒドラゾン誘導体１モルに対し1.0〜4.0
モル、好ましくは1.6〜3.0モルが望ましい。オキシ塩化
リンの使用量が少ない場合および4.0モル以上では収率
が低下する。
オキシ塩化リンの滴下温度は−10℃〜100℃、好ましく
は０℃〜50℃である。反応温度は０℃〜100℃、好まし
くは０℃〜50℃である。
は０℃〜50℃である。反応温度は０℃〜100℃、好まし
くは０℃〜50℃である。
ホスゲンを使用する場合と同様にヒドラゾン誘導体を反
応させる。
応させる。
反応終了後は反応混合物を冷却した希アルカリ水溶液中
に排出し、加水分解して1,3−ジアルキルピラゾール−
４−アルデヒド誘導体とし、要すれば蒸留またはカラム
クロマトグラフィーによって容易に精製することが出来
る。
に排出し、加水分解して1,3−ジアルキルピラゾール−
４−アルデヒド誘導体とし、要すれば蒸留またはカラム
クロマトグラフィーによって容易に精製することが出来
る。
本発明に用いる不活性溶媒としては、ジクロロベンゼ
ン、クロロベンゼン等の芳香族ハロゲン化炭化水素類、
クロロホルム、四塩化炭素、ジクロロメタン、ジクロロ
エタン等の脂肪族ハロゲン化炭化水素類、及びこれらの
混合物等が挙げられる。
ン、クロロベンゼン等の芳香族ハロゲン化炭化水素類、
クロロホルム、四塩化炭素、ジクロロメタン、ジクロロ
エタン等の脂肪族ハロゲン化炭化水素類、及びこれらの
混合物等が挙げられる。
ヴィルスマイヤーVilsmeier試薬としては種々のものが
知られているが、ジメチルホルムアミドと塩化チオニ
ル、Ｎ−メチルホルムアニリドとオキシ塩化リンまたは
塩化チオニル等の組合せでは一般式（II）で示されるヒ
ドラゾン誘導体との反応の目的物である一般式（III）
で示される1,3−ジアルキルピラゾール−４−アルテヒ
ド誘導体の収率は非常に低い。
知られているが、ジメチルホルムアミドと塩化チオニ
ル、Ｎ−メチルホルムアニリドとオキシ塩化リンまたは
塩化チオニル等の組合せでは一般式（II）で示されるヒ
ドラゾン誘導体との反応の目的物である一般式（III）
で示される1,3−ジアルキルピラゾール−４−アルテヒ
ド誘導体の収率は非常に低い。
また、ヴィルスマイヤーVilsmeier試薬を合成せずにジ
メチルホルムアミドと式（II）で示されるヒドラゾン誘
導体の混合物中にホスゲンまたはオキシ塩化リンを装入
反応させる方法は収率が低くなり好ましくない。
メチルホルムアミドと式（II）で示されるヒドラゾン誘
導体の混合物中にホスゲンまたはオキシ塩化リンを装入
反応させる方法は収率が低くなり好ましくない。
次に、1,3−ジアルキルピラゾール−４−アルデヒド誘
導体をジョーンズ試薬、または酢酸ブチルエステル中無
水酢酸銅存在下、空気または酸素によって酸化し、1,3
−ジアルキルピラゾール−４−カルボン酸誘導体とし、
水より再結晶し容易に精製品を得ることが出来る。
導体をジョーンズ試薬、または酢酸ブチルエステル中無
水酢酸銅存在下、空気または酸素によって酸化し、1,3
−ジアルキルピラゾール−４−カルボン酸誘導体とし、
水より再結晶し容易に精製品を得ることが出来る。
本発明に係る反応は開放又は密閉された反応容器のどち
らでも行い得る。
らでも行い得る。
以下に本発明に係る製造方法について実施例を挙げ具体
的に説明する。
的に説明する。
実施例１ 不活性溶媒としてクロロホルム125mlを用い、これにジ
メチルホルムアミド14.6g（0.2モル）を溶解させる。攪
拌下この混合物にホスゲン33.2g（0.335モル）を内温が
50℃を越えないように冷却しながら吹き込んだ。混合物
を50℃で１時間攪拌した後、窒素ガスを吹き込んで過剰
のホスゲンを反応系外に除去した。反応混合物を氷浴に
て５〜10℃に冷却した後、アセトンメチルヒドラゾン8.
6g（0.1モル）を内温が10℃を越えないように冷却下滴
下した。次に反応混合物を60〜65℃に加熱し軽沸点物を
反応系外に除去した後、ジメチルホルムアミド38mlを加
え80℃に加熱し、４〜５時間攪拌を続け反応を終了し
た。反応物を室温迄冷却した後、氷400gと水酸化ナトリ
ウム50gの混合物中に排出し、１時間攪拌を行ない濃塩
酸で中和した。反応物を塩析した後、酢酸エチル200ml
で３回抽出を行ない、有機層を合わせて飽和食塩水で洗
浄、忙硝で乾燥した後、減圧下に蒸留を行ない軽沸点物
を除去した。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマト
グラフィーにて精製した。ヘキサン−酢酸エチル系より
溶出し、1,3−ジメチルピラゾール−４−アルデヒドを1
2.2g得た。
メチルホルムアミド14.6g（0.2モル）を溶解させる。攪
拌下この混合物にホスゲン33.2g（0.335モル）を内温が
50℃を越えないように冷却しながら吹き込んだ。混合物
を50℃で１時間攪拌した後、窒素ガスを吹き込んで過剰
のホスゲンを反応系外に除去した。反応混合物を氷浴に
て５〜10℃に冷却した後、アセトンメチルヒドラゾン8.
6g（0.1モル）を内温が10℃を越えないように冷却下滴
下した。次に反応混合物を60〜65℃に加熱し軽沸点物を
反応系外に除去した後、ジメチルホルムアミド38mlを加
え80℃に加熱し、４〜５時間攪拌を続け反応を終了し
た。反応物を室温迄冷却した後、氷400gと水酸化ナトリ
ウム50gの混合物中に排出し、１時間攪拌を行ない濃塩
酸で中和した。反応物を塩析した後、酢酸エチル200ml
で３回抽出を行ない、有機層を合わせて飽和食塩水で洗
浄、忙硝で乾燥した後、減圧下に蒸留を行ない軽沸点物
を除去した。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマト
グラフィーにて精製した。ヘキサン−酢酸エチル系より
溶出し、1,3−ジメチルピラゾール−４−アルデヒドを1
2.2g得た。
収率98.2％ m.p.46.5〜47.0℃ 元素分析値 Ｃ Ｈ Ｎ 計算値 58.05 6.49 22.56 測定値 58.01 6.50 22.52 次に、得られたアルデヒドをアセトン100mlに溶解し、
氷浴で冷却しながら攪拌下にジョーンズ試薬10gを内温
が10℃を越えないように滴下した。氷浴をはずし、室温
で８〜10時間攪拌を行い反応を終了した。反応物中にメ
タノール70gを加え過剰のジョーンズ試薬を分解し、濾
過し、湿ケーキをメタノール50mlで洗浄し、濾液と洗浄
液を合わせて減圧下に蒸留し軽沸点物を除去した。得ら
れた残渣を希アルカリ水溶液200gに溶解した後、酢酸エ
チル50mlで洗浄した。分液後、水層を冷却しながら濃塩
酸でpHを３〜４にした後塩析した。酢酸エチル100mlで
３回抽出を行い、有機層を合わせて飽和食塩水で洗浄
し、忙硝で乾燥した後、減圧下に蒸留し軽沸点物を除去
した。得られた個化物を水より再結晶し所望の1,3−ジ
メチルピラゾール−４−カルボン酸12.6gを得た。
氷浴で冷却しながら攪拌下にジョーンズ試薬10gを内温
が10℃を越えないように滴下した。氷浴をはずし、室温
で８〜10時間攪拌を行い反応を終了した。反応物中にメ
タノール70gを加え過剰のジョーンズ試薬を分解し、濾
過し、湿ケーキをメタノール50mlで洗浄し、濾液と洗浄
液を合わせて減圧下に蒸留し軽沸点物を除去した。得ら
れた残渣を希アルカリ水溶液200gに溶解した後、酢酸エ
チル50mlで洗浄した。分液後、水層を冷却しながら濃塩
酸でpHを３〜４にした後塩析した。酢酸エチル100mlで
３回抽出を行い、有機層を合わせて飽和食塩水で洗浄
し、忙硝で乾燥した後、減圧下に蒸留し軽沸点物を除去
した。得られた個化物を水より再結晶し所望の1,3−ジ
メチルピラゾール−４−カルボン酸12.6gを得た。
収率91.7％、オーバーオールの収率 90.0％ m.p.190〜190.5℃ 元素分析値 Ｃ Ｈ Ｎ 計算値 51.42 5.75 19.99 測定値 51.42 5.76 20.01 実施例２ 不活性溶媒としてクロロホルム62.5mlとジクロロメタン
62.5mlの混合物を用い、実施例１に記載した方法に準じ
て反応した結果、所望の1,3−ジメチルピラゾール−４
−カルボン酸12.3gを得た。
62.5mlの混合物を用い、実施例１に記載した方法に準じ
て反応した結果、所望の1,3−ジメチルピラゾール−４
−カルボン酸12.3gを得た。
収率87.8％ m.p.190〜190.5℃ 実施例３ 不活性溶媒としてジクロロメタン125mlを用い、実施例
１に記載した方法に準じて反応した結果、所望の1,3−
ジメチルピラゾール−４−カルボン酸11.9gを得た。
１に記載した方法に準じて反応した結果、所望の1,3−
ジメチルピラゾール−４−カルボン酸11.9gを得た。
収率85.0％ m.p.190〜190.5℃ 実施例４ ジメチルホルムアミド146.2g（2.0モル）中に、攪拌下
にホスゲン19.8g（0.2モル）を内温が50℃を越えないよ
うに吹き込んだ。50℃で１時間攪拌した後、窒素ガスを
吹き込んで未反応ホスゲンを反応系外に除去した。反応
混合物を氷浴にて５〜10℃に冷却した後、アセトンメチ
ルヒドラゾン8.6g（0.1モル）を内温が10℃を越えない
ように滴下した。次に反応混合物を80℃に加熱し４〜５
時間攪拌を続け反応を終了した。反応物を室温迄冷却し
た後、氷200gと水酸化ナトリウム32gの混合物中に排出
し、１時間攪拌を行ない濃塩酸で中和した。反応物を塩
析した後、酢酸エチル200mlで３回抽出を行ない、有機
層を合わせて飽和食塩水で洗浄、忙硝で乾燥した後、減
圧下に蒸留を行ない軽沸点物を除去した。得られた残渣
をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製した。
ヘキサン−酢酸エチル系より溶出し、1,3−ジメチルピ
ラゾール−４−アルデヒド11.7gを得た。
にホスゲン19.8g（0.2モル）を内温が50℃を越えないよ
うに吹き込んだ。50℃で１時間攪拌した後、窒素ガスを
吹き込んで未反応ホスゲンを反応系外に除去した。反応
混合物を氷浴にて５〜10℃に冷却した後、アセトンメチ
ルヒドラゾン8.6g（0.1モル）を内温が10℃を越えない
ように滴下した。次に反応混合物を80℃に加熱し４〜５
時間攪拌を続け反応を終了した。反応物を室温迄冷却し
た後、氷200gと水酸化ナトリウム32gの混合物中に排出
し、１時間攪拌を行ない濃塩酸で中和した。反応物を塩
析した後、酢酸エチル200mlで３回抽出を行ない、有機
層を合わせて飽和食塩水で洗浄、忙硝で乾燥した後、減
圧下に蒸留を行ない軽沸点物を除去した。得られた残渣
をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製した。
ヘキサン−酢酸エチル系より溶出し、1,3−ジメチルピ
ラゾール−４−アルデヒド11.7gを得た。
収率94.3％ 次に、得られたアルデヒドを酢酸ブチルエステル300gに
溶解し、無水酢酸銅1.2gを加え、100〜120℃に加熱す
る。攪拌下に同温度で酸素を反応液中に約３時間吹き込
んで反応を終了した。反応液を減圧下に蒸留し軽沸点物
を除去した。得られた残渣に希アルカリ水溶液200gを加
え、濾過し、濾液を酢酸エチル50mlで洗浄した。分液
後、水層を冷却しながら濃塩酸でpHを３〜４にした後塩
析した。酢酸エチル100mlで３回抽出を行い、有機層を
合わせて飽和食塩水で洗浄し、芒硝で乾燥した後、減圧
下に蒸留し軽沸点物を除去した。得られた個化物を水よ
り再結晶し所望の1,3−ジメチルピラゾール−４−カル
ホン酸12.2gを得た。
溶解し、無水酢酸銅1.2gを加え、100〜120℃に加熱す
る。攪拌下に同温度で酸素を反応液中に約３時間吹き込
んで反応を終了した。反応液を減圧下に蒸留し軽沸点物
を除去した。得られた残渣に希アルカリ水溶液200gを加
え、濾過し、濾液を酢酸エチル50mlで洗浄した。分液
後、水層を冷却しながら濃塩酸でpHを３〜４にした後塩
析した。酢酸エチル100mlで３回抽出を行い、有機層を
合わせて飽和食塩水で洗浄し、芒硝で乾燥した後、減圧
下に蒸留し軽沸点物を除去した。得られた個化物を水よ
り再結晶し所望の1,3−ジメチルピラゾール−４−カル
ホン酸12.2gを得た。
収率92.6％、オーバーオールの収率 87.3％ m.p.190〜190.5℃ 実施例５ ジメチルホルムアミド24.1g（0.33モル）に攪拌下オキ
シ塩化リン30.6g（0.2モル）を内温が50℃を越えないよ
うに冷却しながら徐々に滴下した。混合物を50℃で１時
間攪拌した後、氷浴で０〜５℃に冷却した後、攪拌下に
アセトンメチルヒドラゾン8.6g（0.1モル）を内温が10
℃を越えないように冷却下徐々に滴下した。滴下終了後
氷浴をはずし、室温で攪拌を続けると発熱し50〜60℃ま
で内温が上昇した。発熱が無くなったところで内温を80
℃に昇温し、４〜５時間攪拌を続け反応を終了した。反
応物を室温迄冷却した後、氷200gと水酸化ナトリウム32
gの混合物中に排出し、0.5〜１時間攪拌を行ない濃塩酸
で中和した。反応物を塩析した後、酢酸エチル100mlで
３回抽出を行ない、有機層を合わせて飽和食塩水で洗
浄、忙硝で乾燥した後、減圧下に蒸留を行ない溶媒を除
去した。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラ
フィーにて精製した。ヘキサン−酢酸エチル系より溶出
し、所望の1,3−ジメチルピラゾール−４−アルデヒド1
1.7gを得た。収率94.2％ m.p.46.5〜47.0℃ 元素分析値 Ｃ Ｈ Ｎ 計算値 58.05 6.49 22.56 測定値 58.12 6.54 22.49 次に、得られたアルデヒドをアセトン100mlに溶解し、
氷浴で冷却しながら攪拌下にジョーンズ試薬10gを内温
が10℃を越えないように滴下した。氷浴をはずし、室温
で８〜10時間攪拌を行い反応を終了した。反応物中にメ
タノール70gを加え過剰のジョーンズ試薬を分解し、濾
過し、湿ケーキをメタノール50mlで洗浄し、濾液と洗浄
液を合わせて減圧下に蒸留し軽沸点物を除去した。得ら
れた残渣を希アルカリ水溶液200gに溶解した後、酢酸エ
チル50mlで洗浄した。分液後、水層を冷却しながら濃塩
酸でpHを３〜４にした後塩析した。酢酸エチル100mlで
３回抽出を行い、有機層を合わせて飽和食塩水で洗浄
し、芒硝で乾燥した後、減圧下に蒸留し軽沸点物を除去
した。得られた個化物を水より再結晶し所望の1,3−ジ
メチルピラゾール−４−カルホン酸12.4gを得た。
シ塩化リン30.6g（0.2モル）を内温が50℃を越えないよ
うに冷却しながら徐々に滴下した。混合物を50℃で１時
間攪拌した後、氷浴で０〜５℃に冷却した後、攪拌下に
アセトンメチルヒドラゾン8.6g（0.1モル）を内温が10
℃を越えないように冷却下徐々に滴下した。滴下終了後
氷浴をはずし、室温で攪拌を続けると発熱し50〜60℃ま
で内温が上昇した。発熱が無くなったところで内温を80
℃に昇温し、４〜５時間攪拌を続け反応を終了した。反
応物を室温迄冷却した後、氷200gと水酸化ナトリウム32
gの混合物中に排出し、0.5〜１時間攪拌を行ない濃塩酸
で中和した。反応物を塩析した後、酢酸エチル100mlで
３回抽出を行ない、有機層を合わせて飽和食塩水で洗
浄、忙硝で乾燥した後、減圧下に蒸留を行ない溶媒を除
去した。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラ
フィーにて精製した。ヘキサン−酢酸エチル系より溶出
し、所望の1,3−ジメチルピラゾール−４−アルデヒド1
1.7gを得た。収率94.2％ m.p.46.5〜47.0℃ 元素分析値 Ｃ Ｈ Ｎ 計算値 58.05 6.49 22.56 測定値 58.12 6.54 22.49 次に、得られたアルデヒドをアセトン100mlに溶解し、
氷浴で冷却しながら攪拌下にジョーンズ試薬10gを内温
が10℃を越えないように滴下した。氷浴をはずし、室温
で８〜10時間攪拌を行い反応を終了した。反応物中にメ
タノール70gを加え過剰のジョーンズ試薬を分解し、濾
過し、湿ケーキをメタノール50mlで洗浄し、濾液と洗浄
液を合わせて減圧下に蒸留し軽沸点物を除去した。得ら
れた残渣を希アルカリ水溶液200gに溶解した後、酢酸エ
チル50mlで洗浄した。分液後、水層を冷却しながら濃塩
酸でpHを３〜４にした後塩析した。酢酸エチル100mlで
３回抽出を行い、有機層を合わせて飽和食塩水で洗浄
し、芒硝で乾燥した後、減圧下に蒸留し軽沸点物を除去
した。得られた個化物を水より再結晶し所望の1,3−ジ
メチルピラゾール−４−カルホン酸12.4gを得た。
収率94.2％、オーバーオールの収率 88.7％ m.p.190〜190.5℃ 元素分析値 Ｃ Ｈ Ｎ 計算値 51.42 5.75 19.99 測定値 51.46 5.69 20.04 参考例１ ジメチルホルムアミド24.1g（0.33モル）の中に、攪拌
下塩化チオニル23.8g（0.2モル）を内温が50℃以上にな
らないように徐々に滴下した。反応物を100〜110℃に加
熱し１時間攪拌した。反応物を氷浴にて５〜10℃に冷却
した後、攪拌下にアセトンメチルヒドラゾン8.6g（0.1
モル）を内温が10℃以上にならないように徐々に滴下し
た。次に氷浴をはずし、反応混合物を80℃に加熱して４
〜５時間攪拌を続け反応を終了した。反応物を氷200gと
水酸化ナトリウム32gの混合物に注入し、0.5〜１時間攪
拌し濃塩酸で中和した。反応物を塩析した後、酢酸エチ
ル100mlで３回抽出し、有機層を合わせて飽和食塩水で
洗浄し、次いで忙硝で乾燥した後、減圧下蒸留して溶媒
を除去した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィ
ーで精製した。ヘキサン−酢酸エチル系で溶出し、1,3
−ジメチルピラゾール−４−アルデヒドを0.87g得た。
収率7.0％ 参考例２ Ｎ−メチルホルムアニリド44.6g（0.33モル）の中に攪
拌下オキシ塩化リン30.6g（0.2モル）を内温が40℃を越
えないように徐々に滴下した。反応混合物を40〜50℃で
１時間攪拌した後、氷浴にて０〜５℃に冷却した。次に
攪拌下にアセトンメチルヒドラゾン8.6g（0.1モル）を
内温が10℃以上にならないように徐々に滴下した。滴下
終了後氷浴をはずし、反応混合物を40℃に加熱し、５時
間攪拌を続け反応を終了した。反応物を氷200gと水酸化
ナトリウム32gの混合物に排出し１時間攪拌し、濃塩酸
で中和した。反応物を塩析した後、酢酸エチル100mlで
３回抽出し、有機層を合わせて飽和食塩水で洗浄し、忙
硝で乾燥した後、減圧下蒸留して溶媒を除去した。残渣
をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製した。ヘ
キサン−酢酸エチル系で溶出し、1,3−ジメチルピラゾ
ール−４−アルデヒド1.3gを得た。収率10.5％ 参考例３ アセトンメチルヒドラゾンの合成 アセトン232gを氷浴で冷却し、窒素ガスで反応系内を置
換した後、攪拌下にメチルヒドラゾン46g（1.0モル）を
内温が10℃を越えないように徐々に滴下した。次に氷浴
を除き、室温で５〜６時間攪拌した後、一夜放置し反応
を終了した。反応物を減圧下に濃縮し、軽沸点物を留去
した。得られた油状物を減圧下に蒸留し、所望のアセト
ンメチルヒドラゾン84.7gを得た。収率98.5％ 油状 以下同様に一般式（II）で示されるヒドラゾン誘導体は
参考例３に準じて合成できる。
下塩化チオニル23.8g（0.2モル）を内温が50℃以上にな
らないように徐々に滴下した。反応物を100〜110℃に加
熱し１時間攪拌した。反応物を氷浴にて５〜10℃に冷却
した後、攪拌下にアセトンメチルヒドラゾン8.6g（0.1
モル）を内温が10℃以上にならないように徐々に滴下し
た。次に氷浴をはずし、反応混合物を80℃に加熱して４
〜５時間攪拌を続け反応を終了した。反応物を氷200gと
水酸化ナトリウム32gの混合物に注入し、0.5〜１時間攪
拌し濃塩酸で中和した。反応物を塩析した後、酢酸エチ
ル100mlで３回抽出し、有機層を合わせて飽和食塩水で
洗浄し、次いで忙硝で乾燥した後、減圧下蒸留して溶媒
を除去した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィ
ーで精製した。ヘキサン−酢酸エチル系で溶出し、1,3
−ジメチルピラゾール−４−アルデヒドを0.87g得た。
収率7.0％ 参考例２ Ｎ−メチルホルムアニリド44.6g（0.33モル）の中に攪
拌下オキシ塩化リン30.6g（0.2モル）を内温が40℃を越
えないように徐々に滴下した。反応混合物を40〜50℃で
１時間攪拌した後、氷浴にて０〜５℃に冷却した。次に
攪拌下にアセトンメチルヒドラゾン8.6g（0.1モル）を
内温が10℃以上にならないように徐々に滴下した。滴下
終了後氷浴をはずし、反応混合物を40℃に加熱し、５時
間攪拌を続け反応を終了した。反応物を氷200gと水酸化
ナトリウム32gの混合物に排出し１時間攪拌し、濃塩酸
で中和した。反応物を塩析した後、酢酸エチル100mlで
３回抽出し、有機層を合わせて飽和食塩水で洗浄し、忙
硝で乾燥した後、減圧下蒸留して溶媒を除去した。残渣
をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製した。ヘ
キサン−酢酸エチル系で溶出し、1,3−ジメチルピラゾ
ール−４−アルデヒド1.3gを得た。収率10.5％ 参考例３ アセトンメチルヒドラゾンの合成 アセトン232gを氷浴で冷却し、窒素ガスで反応系内を置
換した後、攪拌下にメチルヒドラゾン46g（1.0モル）を
内温が10℃を越えないように徐々に滴下した。次に氷浴
を除き、室温で５〜６時間攪拌した後、一夜放置し反応
を終了した。反応物を減圧下に濃縮し、軽沸点物を留去
した。得られた油状物を減圧下に蒸留し、所望のアセト
ンメチルヒドラゾン84.7gを得た。収率98.5％ 油状 以下同様に一般式（II）で示されるヒドラゾン誘導体は
参考例３に準じて合成できる。
本発明に係る1,3−ジアルキルピラゾール−４−カルボ
ン酸誘導体の製造方法は、反応工程が長く、収率が低い
という従来法の欠点を克服し、反応工程が短かく、しか
も高い収率で目的物を合成することを可能とした。
ン酸誘導体の製造方法は、反応工程が長く、収率が低い
という従来法の欠点を克服し、反応工程が短かく、しか
も高い収率で目的物を合成することを可能とした。
また、本発明に係る製造方法によって製造される1,3−
ジアルキルピラゾール−４−カルボン酸誘導体は、疾
病、べと病用殺菌剤として優れた性質を有するピラゾー
ルカルボニルアミノアセトニトリル誘導体の重要な製造
中間体であり、本発明に係る製造方法は農産業上有用で
ある。
ジアルキルピラゾール−４−カルボン酸誘導体は、疾
病、べと病用殺菌剤として優れた性質を有するピラゾー
ルカルボニルアミノアセトニトリル誘導体の重要な製造
中間体であり、本発明に係る製造方法は農産業上有用で
ある。
Claims (4)
- 【請求項１】ジメチルホルムアミドにホスゲンまたはオ
キシ塩化リンを反応させた後、一般式（II） （式中、R1及びR2はそれぞれ低級アルキル基を示す） で示されるヒドラゾン誘導体を反応させ、得られる一般
式（III） （式中、R1及びR2はそれぞれ前記の意味を示す） で示される1,3−ジアルキルピラゾール−４−アルデヒ
ド誘導体を酸化することを特徴とする一般式（Ｉ） （式中、R1及びR2はそれぞれ前記の意味を示す） で示される1,3−ジアルキルピラゾール−４−カルボン
酸誘導体の製造方法。 - 【請求項２】前記一般式（III）で示される1,3−ジアル
キルピラゾール−４−アルデヒド誘導体を得るに至る工
程を過剰のジメチルホルムアミド又は不活性溶媒中で反
応させることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
製造方法。 - 【請求項３】不活性溶媒としてハロゲン化炭化水素を用
いることを特徴とする特許請求の範囲第２項記載の製造
方法。 - 【請求項４】ハロゲン化炭化水素がクロロホルムまたは
ジクロロメタンまたはそれらの混合物であることを特徴
とする特許請求の範囲第３項記載の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32720987A JPH0759561B2 (ja) | 1987-12-25 | 1987-12-25 | １．３−ジアルキルピラゾール−４−カルボン酸誘導体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32720987A JPH0759561B2 (ja) | 1987-12-25 | 1987-12-25 | １．３−ジアルキルピラゾール−４−カルボン酸誘導体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01168674A JPH01168674A (ja) | 1989-07-04 |
| JPH0759561B2 true JPH0759561B2 (ja) | 1995-06-28 |
Family
ID=18196534
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32720987A Expired - Fee Related JPH0759561B2 (ja) | 1987-12-25 | 1987-12-25 | １．３−ジアルキルピラゾール−４−カルボン酸誘導体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0759561B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100726672B1 (ko) * | 2003-04-30 | 2007-06-11 | 한국화학연구원 | 피라졸 유도체 및 그의 제조방법 |
-
1987
- 1987-12-25 JP JP32720987A patent/JPH0759561B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01168674A (ja) | 1989-07-04 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |