JPH0758095A - 回路保護用膜 - Google Patents
回路保護用膜Info
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- JPH0758095A JPH0758095A JP22382893A JP22382893A JPH0758095A JP H0758095 A JPH0758095 A JP H0758095A JP 22382893 A JP22382893 A JP 22382893A JP 22382893 A JP22382893 A JP 22382893A JP H0758095 A JPH0758095 A JP H0758095A
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- Japan
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- formula
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- modified polyimide
- polyimide compound
- circuit
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Abstract
(57)【要約】
【構成】下記一般式(1) ：
【化１】
（式中、Ｘは４価の有機基、Ｙは２価の有機基）で表さ
れる構成単位(A) 及び下記一般式(2) ： 【化２】 （式中、Ｘは前記のとおり、Ｒ1 は２価の有機基、Ｒ2
は１価の有機基、Ｚは２価の基）で表される構成単位
(B) を含有し、１分子中に含有される前記構成単位(A)
のモル数ｍと前記構成単位(B) のモル数ｎがm/n=95/5〜
70/30 である有機ケイ素変性ポリイミド化合物を含有し
てなる半導体基板表面に形成された回路保護用膜。 【効果】酸エッチング処理時の回路損傷が防止され、剥
離も容易である。
れる構成単位(A) 及び下記一般式(2) ： 【化２】 （式中、Ｘは前記のとおり、Ｒ1 は２価の有機基、Ｒ2
は１価の有機基、Ｚは２価の基）で表される構成単位
(B) を含有し、１分子中に含有される前記構成単位(A)
のモル数ｍと前記構成単位(B) のモル数ｎがm/n=95/5〜
70/30 である有機ケイ素変性ポリイミド化合物を含有し
てなる半導体基板表面に形成された回路保護用膜。 【効果】酸エッチング処理時の回路損傷が防止され、剥
離も容易である。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば、シリコンウェ
ハ等の半導体基板表面に形成された回路保護用膜に関
し、特に、耐酸エッチング性を有する回路保護用膜に関
する。
ハ等の半導体基板表面に形成された回路保護用膜に関
し、特に、耐酸エッチング性を有する回路保護用膜に関
する。
【０００２】
【従来の技術】半導体素子の製造において、例えば、シ
リコンウェハ等の基板上に多数の同一の回路を作った
後、該ウェハの厚みを調節するために、酸エッチングを
行い、該酸エッチング終了後に個々の回路を切り離して
製品化するという方法が知られている。しかし、上記の
酸エッチングの過程において前記シリコンウェハ上に作
られた回路が損傷するという不都合がある。
リコンウェハ等の基板上に多数の同一の回路を作った
後、該ウェハの厚みを調節するために、酸エッチングを
行い、該酸エッチング終了後に個々の回路を切り離して
製品化するという方法が知られている。しかし、上記の
酸エッチングの過程において前記シリコンウェハ上に作
られた回路が損傷するという不都合がある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従って、本発明の課題
は、回路が作られたシリコンウェハを酸エッチングする
場合に、該ウェハ上の前記回路の損傷を防止することが
できるシリコンウェハ表面に形成する回路保護用膜を提
供することにある。
は、回路が作られたシリコンウェハを酸エッチングする
場合に、該ウェハ上の前記回路の損傷を防止することが
できるシリコンウェハ表面に形成する回路保護用膜を提
供することにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は、一般式(1) ：
【０００５】
【化６】
【０００６】〔式中、Ｘは式：
【０００７】
【化７】 からなる群から選ばれる４価の有機基であり、Ｙは、
式：
式：
【０００８】
【化８】
【０００９】からなる群から選ばれる２価の有機基であ
る。〕で表される構成単位(A) 、及び、一般式(2) ：
る。〕で表される構成単位(A) 、及び、一般式(2) ：
【００１０】
【化９】
【００１１】〔式中、Ｘは前記のとおりであり、複数の
Ｒ1 は同一でも異なってもよく炭素原子数１〜８の２価
の有機基であり、複数のＲ2 は同一でも異なってもよく
炭素原子数１〜８の１価の有機基であり、Ｚは、式： -O-、 -CH2 CH2 - 、及び、
Ｒ1 は同一でも異なってもよく炭素原子数１〜８の２価
の有機基であり、複数のＲ2 は同一でも異なってもよく
炭素原子数１〜８の１価の有機基であり、Ｚは、式： -O-、 -CH2 CH2 - 、及び、
【００１２】
【化１０】
【００１３】からなる群から選ばれる２価の基であ
る。〕で表される構成単位(B) を含有し、１分子中に含
有される前記構成単位(A) のモル数ｍと、１分子中に含
有される前記構成単位(B) のモル数ｎが、ｍ／ｎ＝95／
５〜70／30である有機ケイ素変性ポリイミド化合物を含
有してなる半導体基板表面に形成された回路保護用膜を
提供する。
る。〕で表される構成単位(B) を含有し、１分子中に含
有される前記構成単位(A) のモル数ｍと、１分子中に含
有される前記構成単位(B) のモル数ｎが、ｍ／ｎ＝95／
５〜70／30である有機ケイ素変性ポリイミド化合物を含
有してなる半導体基板表面に形成された回路保護用膜を
提供する。
【００１４】発明者らは、上記構成単位(A) 及び(B) を
含有する有機ケイ素変性ポリイミド化合物は、耐酸性・
耐酸化性を示すことから酸エッチングに耐え得るころ、
シリコンウェハとの密着性に優れること、更に、いくつ
かの有機溶媒に可溶であり、酸エッチング処理後シリコ
ンウェハから完全に剥離できることを見出し、本発明を
完成させるに至ったものである。
含有する有機ケイ素変性ポリイミド化合物は、耐酸性・
耐酸化性を示すことから酸エッチングに耐え得るころ、
シリコンウェハとの密着性に優れること、更に、いくつ
かの有機溶媒に可溶であり、酸エッチング処理後シリコ
ンウェハから完全に剥離できることを見出し、本発明を
完成させるに至ったものである。
【００１５】有機ケイ素変性ポリイミド化合物 本発明の回路保護用膜の有効成分である有機ケイ素変性
ポリイミド化合物は、上記一般式(1) で表される構成単
位(A) 及び上記一般式(2) で表される構成単位(B) を含
有する。また、前記有機ケイ素変性ポリイミド化合物１
分子中に含まれる複数のＸは同一でも異なってもよく、
複数のＹも同一でも異なってもよい。また、１分子中に
Ｚが複数存在する場合には、それらは同一でも異なって
もよい。
ポリイミド化合物は、上記一般式(1) で表される構成単
位(A) 及び上記一般式(2) で表される構成単位(B) を含
有する。また、前記有機ケイ素変性ポリイミド化合物１
分子中に含まれる複数のＸは同一でも異なってもよく、
複数のＹも同一でも異なってもよい。また、１分子中に
Ｚが複数存在する場合には、それらは同一でも異なって
もよい。
【００１６】また、上記有機ケイ素変性ポリイミド化合
物１分子中に含有される上記構成単位(A) のモル数ｍ
と、上記構成単位(B) のモル数ｎは、ｍ／ｎ＝95／５〜
70／30を満たす必要がある。
物１分子中に含有される上記構成単位(A) のモル数ｍ
と、上記構成単位(B) のモル数ｎは、ｍ／ｎ＝95／５〜
70／30を満たす必要がある。
【００１７】上記一般式(2) 中のＲ1 は、炭素原子数１
〜８の２価有機基であり、具体的には、
〜８の２価有機基であり、具体的には、
【００１８】
【化１１】 等が例示される。
【００１９】また、上記一般式(2) 中のＲ2 は炭素原子
数１〜８の１価有機基であり、具体的には、メチル基、
エチル基、n-プロピル基、i-プロピル基、n-ブチル基、
フェニル基等が例示される。
数１〜８の１価有機基であり、具体的には、メチル基、
エチル基、n-プロピル基、i-プロピル基、n-ブチル基、
フェニル基等が例示される。
【００２０】上記有機ケイ素変性ポリイミド化合物の重
合度は、好ましくは20〜3000の範囲であり、更に好まし
くは50〜1500の範囲である。
合度は、好ましくは20〜3000の範囲であり、更に好まし
くは50〜1500の範囲である。
【００２１】有機ケイ素変性ポリイミド化合物の製造 上記の有機ケイ素変性ポリイミド化合物は、例えば、式
(3-1) 〜(3-4) ：
(3-1) 〜(3-4) ：
【００２２】
【化１２】 で表されるテトラカルボン酸二無水物の少なくとも１
種、式(4-1) 〜(4-3) ：
種、式(4-1) 〜(4-3) ：
【００２３】
【化１３】
【００２４】で表されるジアミン化合物の少なくとも１
種及び式(5-1) 〜(5-3) ：
種及び式(5-1) 〜(5-3) ：
【００２５】
【化１４】
【００２６】（各式中、Ｒ1 及びＲ2 は前記のとおりで
ある。）で表されるシリコンジアミン化合物の少なくと
も１種を、適当な溶媒中で反応させて一般式(6) ：
ある。）で表されるシリコンジアミン化合物の少なくと
も１種を、適当な溶媒中で反応させて一般式(6) ：
【００２７】
【化１５】
【００２８】(式中、Ｘ及びＹは前記のとおりである。)
で表される構成単位(a) 及び一般式(7) ：
で表される構成単位(a) 及び一般式(7) ：
【化１６】 （式中、Ｘ、Ｚ、Ｒ1 及びＲ2 は前記のとおりであ
る。）で表される構成単位(b) を含有するポリアミック
酸を製造した後に、該ポリアミック酸を加熱して脱水閉
環することにより製造することができる。
る。）で表される構成単位(b) を含有するポリアミック
酸を製造した後に、該ポリアミック酸を加熱して脱水閉
環することにより製造することができる。
【００２９】上記のポリアミック酸は下記の従来公知の
方法により製造することができる。例えば、上記式(3-
1) 〜(3-4) で表されるテトラカルボン酸二無水物と、
上記式(4-1) 〜(4-3) で表されるジアミン化合物と、上
記式(5-1) 〜(5-3) で表されるシリコンジアミン化合物
とを不活性ガス雰囲気下で適当な溶媒にできる限り溶解
させ、通常、80℃以下、好ましくは室温以下の温度で混
合・攪拌すると、速やかに重合反応が進行して溶液の粘
度がしだいに上昇し、ポリアミック酸が生成する。
方法により製造することができる。例えば、上記式(3-
1) 〜(3-4) で表されるテトラカルボン酸二無水物と、
上記式(4-1) 〜(4-3) で表されるジアミン化合物と、上
記式(5-1) 〜(5-3) で表されるシリコンジアミン化合物
とを不活性ガス雰囲気下で適当な溶媒にできる限り溶解
させ、通常、80℃以下、好ましくは室温以下の温度で混
合・攪拌すると、速やかに重合反応が進行して溶液の粘
度がしだいに上昇し、ポリアミック酸が生成する。
【００３０】また、上記のポリアミック酸を、通常、 1
00〜200 ℃に加熱することにより該ポリアミック酸が脱
水閉環して、上記有機ケイ素変性ポリイミド化合物が得
られる。かかる脱水閉環を行う際の脱水を容易にするた
め、好ましくはトルエン、キシレン等の共沸脱水剤を使
用する。
00〜200 ℃に加熱することにより該ポリアミック酸が脱
水閉環して、上記有機ケイ素変性ポリイミド化合物が得
られる。かかる脱水閉環を行う際の脱水を容易にするた
め、好ましくはトルエン、キシレン等の共沸脱水剤を使
用する。
【００３１】上記のポリアミック酸の製造、該ポリアミ
ック酸の脱水閉環反応及び後述する塗布液の調製には、
不活性な溶媒を使用する。該溶媒は、使用する前記テト
ラカルボン酸二無水物、ジアミン化合物及びシリコンジ
アミン化合物すべてを溶解することができる必要はない
が、生成するポリアミック酸及び有機ケイ素変性ポリイ
ミド化合物を溶解することができるものが好ましい。
ック酸の脱水閉環反応及び後述する塗布液の調製には、
不活性な溶媒を使用する。該溶媒は、使用する前記テト
ラカルボン酸二無水物、ジアミン化合物及びシリコンジ
アミン化合物すべてを溶解することができる必要はない
が、生成するポリアミック酸及び有機ケイ素変性ポリイ
ミド化合物を溶解することができるものが好ましい。
【００３２】前記溶媒としては、具体的には、テトラヒ
ドロフラン、1,4-ジオキサン、ジエチレングリコールジ
メチルエーテル、メチルセロソルブ、エチルセロソル
ブ、ブチルセロソルブ、アセトン、メチルエチルケト
ン、メチルイソブチルケトン、シクロペンタノン、シク
ロヘキサノン、γ- ブチロラクトン、ブチルセロソルブ
アセテート、ブチルアセテート、エチルアセテート、N-
メチル-2- ピロリドン、N,N-ジメチルアセトアミド、N,
N-ジメチルホルムアミド等が例示され、これらは１種単
独で、又は２種以上を組み合わせて使用することができ
る。
ドロフラン、1,4-ジオキサン、ジエチレングリコールジ
メチルエーテル、メチルセロソルブ、エチルセロソル
ブ、ブチルセロソルブ、アセトン、メチルエチルケト
ン、メチルイソブチルケトン、シクロペンタノン、シク
ロヘキサノン、γ- ブチロラクトン、ブチルセロソルブ
アセテート、ブチルアセテート、エチルアセテート、N-
メチル-2- ピロリドン、N,N-ジメチルアセトアミド、N,
N-ジメチルホルムアミド等が例示され、これらは１種単
独で、又は２種以上を組み合わせて使用することができ
る。
【００３３】回路保護用膜の形成 塗布液の調製 シリコンウェハ表面に回路保護用膜を形成する場合に
は、上記有機ケイ素変性ポリイミド化合物を適当な溶媒
に溶解した溶液の状態で、即ち、塗布液として使用す
る。塗布液とすることにより、作業性が向上し、膜厚の
調整が容易になる。かかる塗布液としては、上記の製造
を行った有機ケイ素変性ポリイミド化合物含有溶液をそ
のまま或いは上記した溶媒で希釈して使用することがで
きる。また、前記有機ケイ素変性ポリイミド化合物含有
溶液をメタノール中に攪拌しながら注ぎ込むか、或いは
ヘキサンを該溶液に攪拌しながら加えることにより有機
ケイ素変性ポリイミド化合物を析出させて、該ポリイミ
ド化合物を濾別後、上記した溶媒に溶解して塗布液とす
ることも可能である。また、前記塗布液の粘度は、後述
のシリコンウェハ表面への塗布時の作業性を考慮して、
3000〜15000 cSt の範囲が好ましい。
は、上記有機ケイ素変性ポリイミド化合物を適当な溶媒
に溶解した溶液の状態で、即ち、塗布液として使用す
る。塗布液とすることにより、作業性が向上し、膜厚の
調整が容易になる。かかる塗布液としては、上記の製造
を行った有機ケイ素変性ポリイミド化合物含有溶液をそ
のまま或いは上記した溶媒で希釈して使用することがで
きる。また、前記有機ケイ素変性ポリイミド化合物含有
溶液をメタノール中に攪拌しながら注ぎ込むか、或いは
ヘキサンを該溶液に攪拌しながら加えることにより有機
ケイ素変性ポリイミド化合物を析出させて、該ポリイミ
ド化合物を濾別後、上記した溶媒に溶解して塗布液とす
ることも可能である。また、前記塗布液の粘度は、後述
のシリコンウェハ表面への塗布時の作業性を考慮して、
3000〜15000 cSt の範囲が好ましい。
【００３４】膜の形成 本発明の回路保護用膜の形成は、例えば、通常使用され
ているポリイミドからなる膜をシリコンウェハに形成す
る従来公知の方法と同様の方法で行うことができる。例
えば、シリコンウェハの回路が作られた面に、上記塗布
液をスピンコーターで塗布してプリベークした後、該ウ
ェハをオーブンに入れて上記有機ケイ素変性ポリイミド
化合物を硬化させることにより前記回路保護用膜を形成
することができる。
ているポリイミドからなる膜をシリコンウェハに形成す
る従来公知の方法と同様の方法で行うことができる。例
えば、シリコンウェハの回路が作られた面に、上記塗布
液をスピンコーターで塗布してプリベークした後、該ウ
ェハをオーブンに入れて上記有機ケイ素変性ポリイミド
化合物を硬化させることにより前記回路保護用膜を形成
することができる。
【００３５】前記のスピンコーターの回転数は、1000〜
5000rpm の範囲が好ましく、特に1500〜3000rpm の範囲
が好ましい。
5000rpm の範囲が好ましく、特に1500〜3000rpm の範囲
が好ましい。
【００３６】また、前記の有機ケイ素変性ポリイミド化
合物の硬化の温度は、 150〜400 ℃の範囲が好ましく、
特に 200〜300 ℃の範囲が好ましい。
合物の硬化の温度は、 150〜400 ℃の範囲が好ましく、
特に 200〜300 ℃の範囲が好ましい。
【００３７】また、形成する回路保護用膜の厚さは、５
〜20μｍの範囲が好ましく、特に、５〜15μｍの範囲が
好ましい。
〜20μｍの範囲が好ましく、特に、５〜15μｍの範囲が
好ましい。
【００３８】エッチング 回路が作られた面に上記回路保護用膜が形成されたシリ
コンウェハは、例えば、フッ化水素酸・硝酸混合液に浸
して該ウェハの回路が作られていない面を酸エッチング
することにより、前記回路を損傷することなく該ウェハ
の厚さを調節することができる。かかる酸エッチングに
おいては、フッ化水素酸・硝酸混合液に希釈剤として酢
酸を添加するのが好ましい。酢酸を添加する場合、酢酸
は10〜50重量％含有されているのが好ましい。また、酸
エッチングする場合の前記フッ化水素酸・硝酸混合液の
温度は、０〜50℃の範囲が好ましい。
コンウェハは、例えば、フッ化水素酸・硝酸混合液に浸
して該ウェハの回路が作られていない面を酸エッチング
することにより、前記回路を損傷することなく該ウェハ
の厚さを調節することができる。かかる酸エッチングに
おいては、フッ化水素酸・硝酸混合液に希釈剤として酢
酸を添加するのが好ましい。酢酸を添加する場合、酢酸
は10〜50重量％含有されているのが好ましい。また、酸
エッチングする場合の前記フッ化水素酸・硝酸混合液の
温度は、０〜50℃の範囲が好ましい。
【００３９】酸エッチング処理終了後、前記ウェハを水
洗・乾燥後、下記の有機溶媒で洗浄することにより上記
回路保護用膜を剥離することができる。洗浄に使用する
有機溶媒としては、例えば、テトラヒドロフラン、N,N-
ジメチルアセトアミド、N,N-ジメチルホルムアミド、ジ
メチルスルホキシド、N-メチル-2- ピロリドン等が挙げ
られ、これらは１種単独で又は２種以上の混合溶媒とし
て使用される。
洗・乾燥後、下記の有機溶媒で洗浄することにより上記
回路保護用膜を剥離することができる。洗浄に使用する
有機溶媒としては、例えば、テトラヒドロフラン、N,N-
ジメチルアセトアミド、N,N-ジメチルホルムアミド、ジ
メチルスルホキシド、N-メチル-2- ピロリドン等が挙げ
られ、これらは１種単独で又は２種以上の混合溶媒とし
て使用される。
【００４０】
【実施例】以下に本発明の実施例を示す。ただし、以下
に示す実施例は、本発明の説明のためであって本発明は
これらに限定されるものではない。
に示す実施例は、本発明の説明のためであって本発明は
これらに限定されるものではない。
【００４１】実施例１ 500mlセパラブルフラスコに、2,2'- ビス(3,4- ベンゼ
ンジカルボン酸アンヒドリド）パーフルオロプロパン
（ 6FDA ) 44.42ｇ ( 0.10mol )及びγ- ブチロラクト
ン96ｇを仕込み、更に、該フラスコに、2,2-ビス〔4-(4
- アミノフェノキシ）フェニル〕プロパン ( BAPP ) 3
6.95ｇ ( 0.09mol )及び1,3-ビス(3- アミノプロピル)-
1,1,3,3,- テトラメチルジシロキサン ( APM )2.49ｇ(
0.01mol )をγ- ブチロラクトン 100ｇに溶解した溶液
を滴下して該フラスコ内の混合物を一晩撹拌しすること
によりポリアミック酸を製造した。次に、該混合物にト
ルエン30ｇを添加して、 170℃に加熱して前記ポリアミ
ック酸を脱水閉環した。このようにして、１分子中に式
(8) ：
ンジカルボン酸アンヒドリド）パーフルオロプロパン
（ 6FDA ) 44.42ｇ ( 0.10mol )及びγ- ブチロラクト
ン96ｇを仕込み、更に、該フラスコに、2,2-ビス〔4-(4
- アミノフェノキシ）フェニル〕プロパン ( BAPP ) 3
6.95ｇ ( 0.09mol )及び1,3-ビス(3- アミノプロピル)-
1,1,3,3,- テトラメチルジシロキサン ( APM )2.49ｇ(
0.01mol )をγ- ブチロラクトン 100ｇに溶解した溶液
を滴下して該フラスコ内の混合物を一晩撹拌しすること
によりポリアミック酸を製造した。次に、該混合物にト
ルエン30ｇを添加して、 170℃に加熱して前記ポリアミ
ック酸を脱水閉環した。このようにして、１分子中に式
(8) ：
【００４２】
【化１７】
【００４３】で表される構成単位90 mol％と、式(9) ：
【００４４】
【化１８】
【００４５】で表される構成単位10 mol％を含有する有
機ケイ素変性ポリイミド化合物の溶液を得た。該溶液の
粘度は5900cSt であった。
機ケイ素変性ポリイミド化合物の溶液を得た。該溶液の
粘度は5900cSt であった。
【００４６】上記で得られた有機ケイ素変性ポリイミド
化合物の溶液を、シリコンウェハの片面にスピンコータ
ーを用いて1500 rpm/30secで塗布した。次に、該シリコ
ンウェハを 150℃で30分間加熱した後、更に、 250℃で
１時間加熱して上記一般式(6) で表される有機ケイ素変
性ポリイミド化合物を含有する膜を形成した。
化合物の溶液を、シリコンウェハの片面にスピンコータ
ーを用いて1500 rpm/30secで塗布した。次に、該シリコ
ンウェハを 150℃で30分間加熱した後、更に、 250℃で
１時間加熱して上記一般式(6) で表される有機ケイ素変
性ポリイミド化合物を含有する膜を形成した。
【００４７】上記のようにして片面に膜が形成されたウ
ェハを50％弗化水素酸３容＋40％硝酸３容＋酢酸４容の
混合液に４分間浸し、膜が形成されていない面を酸エッ
チングした。その後、該ウェハを水洗・乾燥しても形成
した前記膜の剥離は認められなかった。次に、水洗・乾
燥したウェハをテトラヒドロフランに浸し、超音波洗浄
機で洗浄して前記膜を溶解した。膜が形成されていた面
は保護されており、また形成した膜の残渣は認められな
かった。
ェハを50％弗化水素酸３容＋40％硝酸３容＋酢酸４容の
混合液に４分間浸し、膜が形成されていない面を酸エッ
チングした。その後、該ウェハを水洗・乾燥しても形成
した前記膜の剥離は認められなかった。次に、水洗・乾
燥したウェハをテトラヒドロフランに浸し、超音波洗浄
機で洗浄して前記膜を溶解した。膜が形成されていた面
は保護されており、また形成した膜の残渣は認められな
かった。
【００４８】実施例２ 500mlセパラブルフラスコに、2,2-ビス〔4-(3,4- ジカ
ルボキシフェノキシ）フェニル〕- プロパン ( BPADA )
62.42ｇ ( 0.12mol )及びγ- ブチロラクトン94ｇを仕
込み、更に、該フラスコに、2,4-ジアミノトルエン ( T
DA ) 13.19ｇ (0.108mol )及び1,3-ビス(3- アミノプロ
ピル)-1,1,3,3,- テトラメチルジシロキサン ( APM )
2.98ｇ ( 0.012mol ) をγ- ブチロラクトン100gに溶解
した溶液を滴下し、該フラスコ内の混合物を一晩撹拌す
ることによりポリアミック酸を製造した。次に、得られ
た反応混合物にトルエン30ｇを添加して、 170℃に加熱
して前記ポリアミック酸を脱水閉環した。このようにし
て、１分子中に式(10)：
ルボキシフェノキシ）フェニル〕- プロパン ( BPADA )
62.42ｇ ( 0.12mol )及びγ- ブチロラクトン94ｇを仕
込み、更に、該フラスコに、2,4-ジアミノトルエン ( T
DA ) 13.19ｇ (0.108mol )及び1,3-ビス(3- アミノプロ
ピル)-1,1,3,3,- テトラメチルジシロキサン ( APM )
2.98ｇ ( 0.012mol ) をγ- ブチロラクトン100gに溶解
した溶液を滴下し、該フラスコ内の混合物を一晩撹拌す
ることによりポリアミック酸を製造した。次に、得られ
た反応混合物にトルエン30ｇを添加して、 170℃に加熱
して前記ポリアミック酸を脱水閉環した。このようにし
て、１分子中に式(10)：
【００４９】
【化１９】
【００５０】で表される構成単位90 mol％と、式(11)：
【００５１】
【化２０】
【００５２】で表される構成単位10 mol％を含有する有
機ケイ素変性ポリイミド化合物の溶液を得た。該溶液の
粘度は8100cSt であった。
機ケイ素変性ポリイミド化合物の溶液を得た。該溶液の
粘度は8100cSt であった。
【００５３】上記で得られた有機ケイ素変性ポリイミド
化合物の溶液を、シリコンウェハの片面にスピンコータ
ーを用いて2000 rpm/30secで塗布した。次に、該シリコ
ンウェハを 150℃で30分間加熱した後、更に、 250℃で
１時間加熱して上記一般式(7) で表される有機ケイ素変
性ポリイミド化合物を含有する膜を形成した。
化合物の溶液を、シリコンウェハの片面にスピンコータ
ーを用いて2000 rpm/30secで塗布した。次に、該シリコ
ンウェハを 150℃で30分間加熱した後、更に、 250℃で
１時間加熱して上記一般式(7) で表される有機ケイ素変
性ポリイミド化合物を含有する膜を形成した。
【００５４】上記のようにして片面に膜が形成されたウ
ェハを50％弗化水素酸３容＋40％硝酸３容＋酢酸４容の
混合液に４分間浸し、膜が形成されていない面を酸エッ
チングした。その後、該ウェハを水洗・乾燥しても形成
した前記膜の剥離は認められなかった。次に、水洗・乾
燥したウェハをテトラヒドロフランに浸し、超音波洗浄
機で洗浄して前記膜を溶解した。膜が形成されていた面
は保護されており、また形成した膜の残渣は認められな
かった。
ェハを50％弗化水素酸３容＋40％硝酸３容＋酢酸４容の
混合液に４分間浸し、膜が形成されていない面を酸エッ
チングした。その後、該ウェハを水洗・乾燥しても形成
した前記膜の剥離は認められなかった。次に、水洗・乾
燥したウェハをテトラヒドロフランに浸し、超音波洗浄
機で洗浄して前記膜を溶解した。膜が形成されていた面
は保護されており、また形成した膜の残渣は認められな
かった。
【００５５】
【発明の効果】本発明の回路保護用膜は、例えば、シリ
コンウェハ等の半導体基板の酸エッチング処理時に回路
の損傷を防止することができる。更に、本発明の回路保
護用膜はいくつかの有機溶媒に可溶であることから、エ
ッチング処理後完全に剥離することができる。
コンウェハ等の半導体基板の酸エッチング処理時に回路
の損傷を防止することができる。更に、本発明の回路保
護用膜はいくつかの有機溶媒に可溶であることから、エ
ッチング処理後完全に剥離することができる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 豊田 聡志 群馬県碓氷郡松井田町大字人見１番地10 信越化学工業株式会社シリコーン電子材料 技術研究所内
Claims (1)
- 【請求項１】 一般式(1) ： 【化１】 〔式中、Ｘは式： 【化２】 からなる群から選ばれる４価の有機基であり、Ｙは、
式： 【化３】 からなる群から選ばれる２価の有機基である。〕で表さ
れる構成単位(A) 、及び、一般式(2) ： 【化４】 〔式中、Ｘは前記のとおりであり、複数のＲ1 は同一で
も異なってもよく炭素原子数１〜８の２価の有機基であ
り、複数のＲ2 は同一でも異なってもよく炭素原子数１
〜８の１価の有機基であり、Ｚは、式： -O-、 -CH2 CH2 - 、及び、 【化５】 からなる群から選ばれる２価の基である。〕で表される
構成単位(B) を含有し、１分子中に含有される前記構成
単位(A) のモル数ｍと、１分子中に含有される前記構成
単位(B) のモル数ｎが、ｍ／ｎ＝95／５〜70／30である
有機ケイ素変性ポリイミド化合物を含有してなる半導体
基板表面に形成された回路保護用膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22382893A JP2914852B2 (ja) | 1993-08-17 | 1993-08-17 | 回路保護用膜 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22382893A JP2914852B2 (ja) | 1993-08-17 | 1993-08-17 | 回路保護用膜 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0758095A true JPH0758095A (ja) | 1995-03-03 |
| JP2914852B2 JP2914852B2 (ja) | 1999-07-05 |
Family
ID=16804358
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22382893A Expired - Fee Related JP2914852B2 (ja) | 1993-08-17 | 1993-08-17 | 回路保護用膜 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2914852B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10014587A1 (de) * | 2000-03-27 | 2001-10-18 | Ventec Ges Fuer Venturekapital | Versiegelung von porösen Werkstoffen und Oberflächenbeschichtungen mit Polyimid insbesondere für den Einsatz als Prozeßbauteile für Plasmareaktoren zum Herstellen und Bearbeiten von Halbleitersubstraten (Wafern) |
| JP2005042091A (ja) * | 2003-07-04 | 2005-02-17 | Nitto Denko Corp | 電気絶縁材料用ポリイミド樹脂 |
| JP2007106893A (ja) * | 2005-10-13 | 2007-04-26 | Kaneka Corp | 新規なポリイミド樹脂組成物 |
| JP2007106891A (ja) * | 2005-10-13 | 2007-04-26 | Kaneka Corp | 新規なポリイミド樹脂 |
| JP2007112891A (ja) * | 2005-10-20 | 2007-05-10 | Kaneka Corp | 新規なポリイミド樹脂組成物 |
| JP2007112890A (ja) * | 2005-10-20 | 2007-05-10 | Kaneka Corp | 新規なポリイミド樹脂 |
-
1993
- 1993-08-17 JP JP22382893A patent/JP2914852B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10014587A1 (de) * | 2000-03-27 | 2001-10-18 | Ventec Ges Fuer Venturekapital | Versiegelung von porösen Werkstoffen und Oberflächenbeschichtungen mit Polyimid insbesondere für den Einsatz als Prozeßbauteile für Plasmareaktoren zum Herstellen und Bearbeiten von Halbleitersubstraten (Wafern) |
| JP2005042091A (ja) * | 2003-07-04 | 2005-02-17 | Nitto Denko Corp | 電気絶縁材料用ポリイミド樹脂 |
| JP2007106893A (ja) * | 2005-10-13 | 2007-04-26 | Kaneka Corp | 新規なポリイミド樹脂組成物 |
| JP2007106891A (ja) * | 2005-10-13 | 2007-04-26 | Kaneka Corp | 新規なポリイミド樹脂 |
| JP2007112891A (ja) * | 2005-10-20 | 2007-05-10 | Kaneka Corp | 新規なポリイミド樹脂組成物 |
| JP2007112890A (ja) * | 2005-10-20 | 2007-05-10 | Kaneka Corp | 新規なポリイミド樹脂 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2914852B2 (ja) | 1999-07-05 |
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