JPH0758081A - ドライエッチング深さ測定方法および装置 - Google Patents
ドライエッチング深さ測定方法および装置Info
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- JPH0758081A JPH0758081A JP19817193A JP19817193A JPH0758081A JP H0758081 A JPH0758081 A JP H0758081A JP 19817193 A JP19817193 A JP 19817193A JP 19817193 A JP19817193 A JP 19817193A JP H0758081 A JPH0758081 A JP H0758081A
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- Japan
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- etching
- substrate
- light
- light source
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- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ドライエッチングにおいてエッチング中にエ
ッチング深さを測定する方法及び装置を提供する。 【構成】 光軸合わせ用可視光レーザ１と測定用長波長
光源２をカプラー３で結び、光軸合わせは可視光で容易
に行い、可視光を吸収する基板１１のエッチングの場合
は吸収されない長波長光源を測定用光源に用いる。また
光源はパルス光とし、エッチングに対するレーザ励起効
果を低減する。ロックイン検出系９を用いてＳ／Ｎ比を
上げるととともに、基板回転をともなうエッチングにお
いて回転と同期して測定を行い、回転にともなう基板振
動やパターンの影響を低減する。また光源に波長可変光
源を用いて、所望のエッチング深さの時に強度振動のピ
ークがくるような波長で測定を行う。
ッチング深さを測定する方法及び装置を提供する。 【構成】 光軸合わせ用可視光レーザ１と測定用長波長
光源２をカプラー３で結び、光軸合わせは可視光で容易
に行い、可視光を吸収する基板１１のエッチングの場合
は吸収されない長波長光源を測定用光源に用いる。また
光源はパルス光とし、エッチングに対するレーザ励起効
果を低減する。ロックイン検出系９を用いてＳ／Ｎ比を
上げるととともに、基板回転をともなうエッチングにお
いて回転と同期して測定を行い、回転にともなう基板振
動やパターンの影響を低減する。また光源に波長可変光
源を用いて、所望のエッチング深さの時に強度振動のピ
ークがくるような波長で測定を行う。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はドライエッチング工程に
おいて、エッチング深さを測定する方法及び装置に関す
る。
おいて、エッチング深さを測定する方法及び装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】ドライエッチングにおいて、エッチング
深さの制御は重要であるが、多くの場合は数回の予備実
験からエッチング速度を算出し、それを用いたエッチン
グ時間制御によりエッチング停止深さを定めている。し
かし、エッチング速度は厳密な再現性をもたないためこ
の方法では所望のエッチング深さとの間に誤差を生じ
る。
深さの制御は重要であるが、多くの場合は数回の予備実
験からエッチング速度を算出し、それを用いたエッチン
グ時間制御によりエッチング停止深さを定めている。し
かし、エッチング速度は厳密な再現性をもたないためこ
の方法では所望のエッチング深さとの間に誤差を生じ
る。
【０００３】これに対してＭｕｌｌｅｒらが提唱したエ
ッチング深さの“その場”測定方法がある（Ａｐｐｌ．
Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，Ｖｏｌ．５７，１０２０，１９
９０）。これはエッチング中の基板にレーザ光を照射
し、表面での反射光と基板の層構造の境界での反射光が
干渉し、エッチング進行とともに反射光強度が振動する
ことを利用したエッチング深さ測定方法である。
ッチング深さの“その場”測定方法がある（Ａｐｐｌ．
Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，Ｖｏｌ．５７，１０２０，１９
９０）。これはエッチング中の基板にレーザ光を照射
し、表面での反射光と基板の層構造の境界での反射光が
干渉し、エッチング進行とともに反射光強度が振動する
ことを利用したエッチング深さ測定方法である。
【０００４】また、回折光を用いたエッチング深さ測定
方法と装置が特開昭６０−８６８３３号公報に記載され
ている。
方法と装置が特開昭６０−８６８３３号公報に記載され
ている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上述のエッチング深さ
モニターの場合、基板での吸収が大きい波長の測定光を
用いることはできないため、ＩｎＰ系材料等では測定光
に長波長光を用いる必要がある。この場合、光は肉眼で
見えないので、基板が真空中にあることとあわせて光軸
合わせが非常に困難である。
モニターの場合、基板での吸収が大きい波長の測定光を
用いることはできないため、ＩｎＰ系材料等では測定光
に長波長光を用いる必要がある。この場合、光は肉眼で
見えないので、基板が真空中にあることとあわせて光軸
合わせが非常に困難である。
【０００６】またいわゆるレーザ励起エッチングと同じ
で、レーザ光にはエッチングを促進する効果があるの
で、測定光を照射した部分のエッチングが深くなる、あ
るいは同時にエッチングした他の基板より測定光を照射
した基板のエッチングが深くなる。
で、レーザ光にはエッチングを促進する効果があるの
で、測定光を照射した部分のエッチングが深くなる、あ
るいは同時にエッチングした他の基板より測定光を照射
した基板のエッチングが深くなる。
【０００７】ドライエッチングでは、エッチング深さの
均一性を良くする目的でエッチング中に基板回転を行う
ことがしばしばある。この場合、回転にともない基板が
振動するだけでなく、エッチングパターンに対しての入
射方向が変化するために反射光も不規則な振動をもち、
エッチング深さに応じた振動が見えなくなる。
均一性を良くする目的でエッチング中に基板回転を行う
ことがしばしばある。この場合、回転にともない基板が
振動するだけでなく、エッチングパターンに対しての入
射方向が変化するために反射光も不規則な振動をもち、
エッチング深さに応じた振動が見えなくなる。
【０００８】またエッチング深さ測定時には振動ピーク
は分かりやすいが、振動波形の途中までが所望のエッチ
ング深さに相当する場合には、エッチング停止位置の判
定が困難である。
は分かりやすいが、振動波形の途中までが所望のエッチ
ング深さに相当する場合には、エッチング停止位置の判
定が困難である。
【０００９】多層構造でない基板は干渉が起こらないた
め反射光の強度振動が得らず、また測定用光源の光を吸
収してしまう基板では反射光が検出でず、さらにまた屈
折率の低い材料では振動周期が大きく深さ測定精度が悪
い。
め反射光の強度振動が得らず、また測定用光源の光を吸
収してしまう基板では反射光が検出でず、さらにまた屈
折率の低い材料では振動周期が大きく深さ測定精度が悪
い。
【００１０】回折格子のエッチングを行う場合、回折強
度はエッチング深さに大きく影響され、例えばＧａＡｓ
系で回折角３０度の場合、回折強度は格子深さが７ｎｍ
ずれると１０％減少する。ところが回折格子のエッチン
グ深さ測定方法では振動周期ｄは基板の屈折率ｎと測定
波長λで定まり、入射角θの時ｄ＝λ／２ｎｃｏｓθな
る関係がある。これは屈折率３．４のＧａＡｓ基板に波
長６５０ｎｍのレーザを垂直に入射した場合に９６ｎｍ
にあたる。これでは格子深さのずれ７ｎｍの制御は非常
に困難である。
度はエッチング深さに大きく影響され、例えばＧａＡｓ
系で回折角３０度の場合、回折強度は格子深さが７ｎｍ
ずれると１０％減少する。ところが回折格子のエッチン
グ深さ測定方法では振動周期ｄは基板の屈折率ｎと測定
波長λで定まり、入射角θの時ｄ＝λ／２ｎｃｏｓθな
る関係がある。これは屈折率３．４のＧａＡｓ基板に波
長６５０ｎｍのレーザを垂直に入射した場合に９６ｎｍ
にあたる。これでは格子深さのずれ７ｎｍの制御は非常
に困難である。
【００１１】本発明の目的は、以上のような欠点を解消
し、ドライエッチングにおいてエッチング中にエッチン
グ深さを測定することを可能とするドライエッチング深
さ測定方法を提供することにある。
し、ドライエッチングにおいてエッチング中にエッチン
グ深さを測定することを可能とするドライエッチング深
さ測定方法を提供することにある。
【００１２】本発明の他の目的は、このような測定方法
を実施する測定装置を提供することにある。
を実施する測定装置を提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明は、ドライエッチ
ング時にエッチングする基板に光を照射し、その反射光
の強度振動からエッチング深さを測定するエッチング深
さ測定方法において、共通の出射端を有する可視光波長
光源と長波長光源を設け、光軸合せには前記可視光光源
を用いて、前記可視光波長光源からの光を共通の出射端
から基板へ向けて出射し、エッチングには前記可視光波
長光源または前記長波長光源を用いて、前記可視光波長
光源からの光または前記長波長光源からの光を共通の出
射端から基板へ向けて出射することを特徴とする。
ング時にエッチングする基板に光を照射し、その反射光
の強度振動からエッチング深さを測定するエッチング深
さ測定方法において、共通の出射端を有する可視光波長
光源と長波長光源を設け、光軸合せには前記可視光光源
を用いて、前記可視光波長光源からの光を共通の出射端
から基板へ向けて出射し、エッチングには前記可視光波
長光源または前記長波長光源を用いて、前記可視光波長
光源からの光または前記長波長光源からの光を共通の出
射端から基板へ向けて出射することを特徴とする。
【００１４】また本発明は、エッチングする第１の基板
とエッチングモニター用の第２の基板を同時にエッチン
グし、モニター用基板のエッチング深さを測定し、その
値から第１の基板のエッチング深さを求めることを特徴
とする。
とエッチングモニター用の第２の基板を同時にエッチン
グし、モニター用基板のエッチング深さを測定し、その
値から第１の基板のエッチング深さを求めることを特徴
とする。
【００１５】また本発明は、基板に回折格子をエッチン
グで作製する時に、回折格子のエッチング深さを測定す
る方法において、所定の偏向角での回折光を直接測定す
る。
グで作製する時に、回折格子のエッチング深さを測定す
る方法において、所定の偏向角での回折光を直接測定す
る。
【００１６】また本発明は、ドライエッチング時にエッ
チングする基板に光を照射し、その反射光の強度振動か
らエッチング深さを測定するエッチング深さ測定装置に
おいて、光軸合せ用可視光波長半導体レーザと、測定用
長波長半導体レーザと、これら半導体レーザからの光を
共通の出射端へ導く光ファイバーと、エッチングの際
に、前記基板からの反射光を検出する検出系とを備える
ことを特徴とする。
チングする基板に光を照射し、その反射光の強度振動か
らエッチング深さを測定するエッチング深さ測定装置に
おいて、光軸合せ用可視光波長半導体レーザと、測定用
長波長半導体レーザと、これら半導体レーザからの光を
共通の出射端へ導く光ファイバーと、エッチングの際
に、前記基板からの反射光を検出する検出系とを備える
ことを特徴とする。
【００１７】
【作用】光軸合わせ用可視波長光源からの光と測定用光
源からの光とを同じ出射端から基板へ向けて出射するこ
とで、測定用光源が長波長光源などの目に見えない場合
でも可視光を用いて光軸合わせを容易に行うことが可能
となる。
源からの光とを同じ出射端から基板へ向けて出射するこ
とで、測定用光源が長波長光源などの目に見えない場合
でも可視光を用いて光軸合わせを容易に行うことが可能
となる。
【００１８】測定用光源にパルス光源を用いることで、
エッチングに対するレーザ励起効果を十分低減すること
が可能となる。
エッチングに対するレーザ励起効果を十分低減すること
が可能となる。
【００１９】検出系にロックイン検出系を用いること
で、反射強度が弱い場合でもＳ／Ｎ比を高められるだけ
でなく、基板回転をした場合でも、回転速度に同期して
検出を行えば基板回転に影響されない反射光検出が可能
となる。
で、反射強度が弱い場合でもＳ／Ｎ比を高められるだけ
でなく、基板回転をした場合でも、回転速度に同期して
検出を行えば基板回転に影響されない反射光検出が可能
となる。
【００２０】測定用光源に波長可変光源を用いると、強
度振動の周期は測定用光源の波長に比例するので、所望
の深さに対してちょうど反射光振動のピークがくるよう
な波長を選択することができ、エッチング停止位置の判
定が容易になる。
度振動の周期は測定用光源の波長に比例するので、所望
の深さに対してちょうど反射光振動のピークがくるよう
な波長を選択することができ、エッチング停止位置の判
定が容易になる。
【００２１】所望の基板が層構造の無い基板、吸収の大
きい基板または屈折率の低い基板などであり、反射光の
振動がエッチング深さ測定に使用できない場合、エッチ
ング深さ測定が容易な基板を同時にエッチングし、その
測定深さから所望の基板のエッチング深さを算出するこ
とで間接的なエッチング深さ測定が可能となる。
きい基板または屈折率の低い基板などであり、反射光の
振動がエッチング深さ測定に使用できない場合、エッチ
ング深さ測定が容易な基板を同時にエッチングし、その
測定深さから所望の基板のエッチング深さを算出するこ
とで間接的なエッチング深さ測定が可能となる。
【００２２】回折格子に対して、所定の偏向角で回折光
を直接モニターし、その回折光強度が最大になった時に
エッチングを停止することで、最大回折効率を有する深
さのエッチングが可能となる。
を直接モニターし、その回折光強度が最大になった時に
エッチングを停止することで、最大回折効率を有する深
さのエッチングが可能となる。
【００２３】
【実施例】以下本発明の実施例を説明する。
【００２４】（実施例１）図１は、本発明の１実施例で
あるエッチング深さ測定装置を示す。光源として光軸合
わせ用可視光波長半導体レーザ１と測定用長波長半導体
レーザ２を使用する。但し、可視光があまり吸収されな
い基板の測定では、可視光を用いた方が振動周期が短く
深さ制御性が上がるので、測定用半導体レーザに光軸合
わせ用可視光波長半導体レーザを測定用に用いる。これ
らの二つの光源からの光は、カプラー３を有する光ファ
イバーによりエッチング装置５内の基板１１へ照射され
る。レーザ駆動には自動出力制御系を有するレーザ駆動
系４を用いる。エッチングを行う前に、可視光波長半導
体レーザ１を発振させ、可視光により光軸合せを行う。
次に、基板１１をエッチングする際に、用途に応じたど
ちらか一方の半導体レーザをパルス発振または連続発振
させる。ファイバーから出射された光はエッチングされ
る基板１１に照射され、反射光がフォトダイオード８で
検出され、検出系９を経てレコーダー１０に記録され
る。光源をパルス光源にすれば、エッチングに対するレ
ーザ励起効果を十分低減することが可能となる。
あるエッチング深さ測定装置を示す。光源として光軸合
わせ用可視光波長半導体レーザ１と測定用長波長半導体
レーザ２を使用する。但し、可視光があまり吸収されな
い基板の測定では、可視光を用いた方が振動周期が短く
深さ制御性が上がるので、測定用半導体レーザに光軸合
わせ用可視光波長半導体レーザを測定用に用いる。これ
らの二つの光源からの光は、カプラー３を有する光ファ
イバーによりエッチング装置５内の基板１１へ照射され
る。レーザ駆動には自動出力制御系を有するレーザ駆動
系４を用いる。エッチングを行う前に、可視光波長半導
体レーザ１を発振させ、可視光により光軸合せを行う。
次に、基板１１をエッチングする際に、用途に応じたど
ちらか一方の半導体レーザをパルス発振または連続発振
させる。ファイバーから出射された光はエッチングされ
る基板１１に照射され、反射光がフォトダイオード８で
検出され、検出系９を経てレコーダー１０に記録され
る。光源をパルス光源にすれば、エッチングに対するレ
ーザ励起効果を十分低減することが可能となる。
【００２５】ＳＮ比が悪いときや、基板回転を行う時に
は、ファイバーの出射端とエッチング装置との間の光路
をチョッパー６により周期的に遮断し、チョッパー駆動
系７からチョッピングの周期をフォトダイオード８の検
出系９にフィードバックしてロックイン検出を行う。レ
ーザ駆動系４のパルス駆動を用いてロックイン検出を行
うことも可能であるが、チャーピングにより波長が安定
しないのでチョッパーを用いた系の方が良い。
は、ファイバーの出射端とエッチング装置との間の光路
をチョッパー６により周期的に遮断し、チョッパー駆動
系７からチョッピングの周期をフォトダイオード８の検
出系９にフィードバックしてロックイン検出を行う。レ
ーザ駆動系４のパルス駆動を用いてロックイン検出を行
うことも可能であるが、チャーピングにより波長が安定
しないのでチョッパーを用いた系の方が良い。
【００２６】ＡｌＧａＩｎＰ／ＧａＡｓ基板をエッチン
グした時のレコーダー１０に記録される波長６３３ｎｍ
反射光の強度振動は図２のようになる。ここで０．５３
μｍのエッチングを行う場合、５周期目の反射率が低い
ピークと次の反射率が高いピークの間にくるため停止の
判断が難しいが、波長可変光源を用いて波長６６４．５
ｎｍの光で測定を行うとちょうど５周期目の反射率が低
いピークに相当し、エッチング停止位置の判断が容易に
なる。
グした時のレコーダー１０に記録される波長６３３ｎｍ
反射光の強度振動は図２のようになる。ここで０．５３
μｍのエッチングを行う場合、５周期目の反射率が低い
ピークと次の反射率が高いピークの間にくるため停止の
判断が難しいが、波長可変光源を用いて波長６６４．５
ｎｍの光で測定を行うとちょうど５周期目の反射率が低
いピークに相当し、エッチング停止位置の判断が容易に
なる。
【００２７】（実施例２）回折格子はピッチにより回折
角が定まり、格子の溝深さにより回折効率が定まる。図
３は、面発光レーザの出射面に出射光を偏向させる回折
格子を作製するためのエッチングを、反応性イオンビー
ムエッチング装置１２により行うところを示す図であ
る。測定光を装置の横から入射し角度調整ミラー１３に
より回折格子作製基板１５に照射する。基板は透過窓付
き基板ホルダー１４に装着されており、裏側から光が入
射する。入射光波長を面発光レーザの発振波長に一致さ
せておき、透過光をフォトダイオード８で測定し、透過
強度が最大になったところでエッチングを停止すると、
最大回折効率を有する回折格子が作製される。
角が定まり、格子の溝深さにより回折効率が定まる。図
３は、面発光レーザの出射面に出射光を偏向させる回折
格子を作製するためのエッチングを、反応性イオンビー
ムエッチング装置１２により行うところを示す図であ
る。測定光を装置の横から入射し角度調整ミラー１３に
より回折格子作製基板１５に照射する。基板は透過窓付
き基板ホルダー１４に装着されており、裏側から光が入
射する。入射光波長を面発光レーザの発振波長に一致さ
せておき、透過光をフォトダイオード８で測定し、透過
強度が最大になったところでエッチングを停止すると、
最大回折効率を有する回折格子が作製される。
【００２８】（実施例３）層構造の無いバルク基板では
反射強度は変化しない。また測定光を吸収する基板では
反射光が得られない。図４は反射強度振動の無いＧａＡ
ｓバルク基板１６をエッチングする際にエッチング深さ
測定用ＧａＡｓ／ＡｌＡｓ周期多層膜基板１７を同時に
エッチングし、そのエッチング深さを測定することでＧ
ａＡｓバルク基板のエッチング深さを制御する様子を示
した図である。エッチング深さのばらつきは主にプラズ
マの状態や、エッチング条件のばらつきに起因するた
め、同時にエッチングした異種の基板のエッチング速度
の比を求めれば、この場合のように所望の基板が深さ測
定できなくても、同時に別の深さ測定可能な基板をエッ
チングしそのエッチング深さを測定すれば、所望の基板
のエッチング深さが算出される。温度は室温、電圧は４
００Ｖ、圧力は８×１０-4Ｔｏｒｒのエッチング条件に
おいて、ＧａＡｓとＡｌＡｓは等速エッチングされるの
で、図４の場合はＧａＡｓ／ＡｌＡｓ周期多層膜基板１
７のエッチング深さを測定すれば、それがそのままＧａ
Ａｓバルク基板１６のエッチング深さとなり、バルク基
板においてもエッチング深さ制御が可能となる。
反射強度は変化しない。また測定光を吸収する基板では
反射光が得られない。図４は反射強度振動の無いＧａＡ
ｓバルク基板１６をエッチングする際にエッチング深さ
測定用ＧａＡｓ／ＡｌＡｓ周期多層膜基板１７を同時に
エッチングし、そのエッチング深さを測定することでＧ
ａＡｓバルク基板のエッチング深さを制御する様子を示
した図である。エッチング深さのばらつきは主にプラズ
マの状態や、エッチング条件のばらつきに起因するた
め、同時にエッチングした異種の基板のエッチング速度
の比を求めれば、この場合のように所望の基板が深さ測
定できなくても、同時に別の深さ測定可能な基板をエッ
チングしそのエッチング深さを測定すれば、所望の基板
のエッチング深さが算出される。温度は室温、電圧は４
００Ｖ、圧力は８×１０-4Ｔｏｒｒのエッチング条件に
おいて、ＧａＡｓとＡｌＡｓは等速エッチングされるの
で、図４の場合はＧａＡｓ／ＡｌＡｓ周期多層膜基板１
７のエッチング深さを測定すれば、それがそのままＧａ
Ａｓバルク基板１６のエッチング深さとなり、バルク基
板においてもエッチング深さ制御が可能となる。
【００２９】
【発明の効果】本発明によれば、以下のような効果が得
られる。
られる。
【００３０】測定用光源が目に見えない場合、光軸合せ
用可視光波長光源からの光により容易に光軸合せが可能
となる。
用可視光波長光源からの光により容易に光軸合せが可能
となる。
【００３１】また測定用光源にパルス光を用いることに
より、エッチングに対してレーザ励起効果が十分に低減
可能となる。
より、エッチングに対してレーザ励起効果が十分に低減
可能となる。
【００３２】またロックイン検出系を用いることで、Ｓ
／Ｎ比が悪い場合及び基板回転に影響されず、反射光検
出が可能となる。
／Ｎ比が悪い場合及び基板回転に影響されず、反射光検
出が可能となる。
【００３３】また更に、測定用光源に波長可変光源を用
いると、反射光振動のピークがくるような波長の選択可
能となりエッチング停止位置の判定が容易になる。
いると、反射光振動のピークがくるような波長の選択可
能となりエッチング停止位置の判定が容易になる。
【００３４】また更に、反射光の振動がエッチング深さ
の測定に使用できない場合、エッチング深さが容易な基
板を同時にエッチングし、間接的にエッチング深さ測定
を行える。
の測定に使用できない場合、エッチング深さが容易な基
板を同時にエッチングし、間接的にエッチング深さ測定
を行える。
【００３５】また更に、回折格子について、所定の偏向
角で回折光を直接測定することにより回折光強度が最大
の時エッチング停止をし、最大回折効率を有するエッチ
ングを可能とする。
角で回折光を直接測定することにより回折光強度が最大
の時エッチング停止をし、最大回折効率を有するエッチ
ングを可能とする。
【図１】本発明によるエッチング深さ測定系を備えたエ
ッチング装置を示す図である。
ッチング装置を示す図である。
【図２】本発明を用いてＡｌＧａＩｎＰ／ＧａＡｓ基板
をエッチングしたときの反射強度の振動を示す図であ
る。
をエッチングしたときの反射強度の振動を示す図であ
る。
【図３】本発明による回折光を直接測定することでエッ
チング深さを制御する系を備えたエッチング装置を示す
図である。
チング深さを制御する系を備えたエッチング装置を示す
図である。
【図４】本発明によるエッチング深さモニタ用ＧａＡｌ
／ＡｌＡｓ基板とＧａＡｓ基板の配置を示す図である。
／ＡｌＡｓ基板とＧａＡｓ基板の配置を示す図である。
１ 光軸合わせ用可視光波長半導体レーザ ２ 測定用長波長半導体レーザ ３ フォトカプラー ４ レーザ駆動系 ５ 反応性イオンビームエッチング装置 ６ チョッパー ７ チョッパー駆動系 ８ フォトダイオード ９ 検出系 １０ レコーダー １１ 基板 １２ 反応性イオンビームエッチング装置 １３ 角度調整ミラー １４ 透過窓付き基板ホルダー １５ 回折格子作製基板 １６ ＧａＡｓバルク基板 １７ ＧａＡｓ／ＡｌＡｓ周期多層膜基板
Claims (10)
- 【請求項１】ドライエッチング時にエッチングする基板
に光を照射し、その反射光の強度振動からエッチング深
さを測定するエッチング深さ測定方法において、 共通の出射端を有する可視光波長光源と長波長光源を設
け、 光軸合せには前記可視光波長光源を用いて、前記可視光
波長光源からの光を共通の出射端から基板へ向けて出射
し、 エッチングには前記可視光波長光源または前記長波長光
源を用いて、前記可視光波長光源からの光または前記長
波長光源からの光を共通の出射端から基板へ向けて出射
する、 ことを特徴とするエッチング深さ測定方法。 - 【請求項２】エッチングの際に、前記可視光波長光源ま
たは前記長波長光源として、パルス光を用いることを特
徴とする請求項１記載のエッチング深さ測定方法。 - 【請求項３】エッチングの際に、前記基板から反射光を
検出する検出系に、ロックイン検出系を用いることを特
徴とする請求項１記載のエッチング深さ測定方法。 - 【請求項４】エッチングの際の前記可視光波長光源また
は前記長波長光源として、波長可変光源を用いることを
特徴とするエッチング深さ測定方法。 - 【請求項５】エッチングする第１の基板とエッチングモ
ニター用の第２の基板を同時にエッチングし、 モニター用基板のエッチング深さを請求項１記載の測定
方法で測定し、その値から前記第１の基板のエッチング
深さを求める、 ことを特徴とするエッチング深さ測定方法。 - 【請求項６】基板に回折格子をエッチングで作製する時
に、回折格子のエッチング深さを測定する方法におい
て、 所定の偏向角での回折光を直接測定することを特徴とす
るエッチング深さ測定方法。 - 【請求項７】前記回折光を直接測定するため、基板裏側
から光を照射することを特徴とする請求項６記載のエッ
チング深さ測定方法。 - 【請求項８】ドライエッチング時にエッチング装置内の
エッチングする基板に光を照射し、その反射光の強度振
動からエッチング深さを測定するエッチング深さ測定装
置において、 光軸合せ用可視光波長半導体レーザと、 測定用長波長半導体レーザと、 これら半導体レーザからの光を共通の出射端へ導く光フ
ァイバーと、 エッチングの際に、前記基板からの反射光を検出する検
出系と、 を備えることを特徴とするエッチング深さ測定装置。 - 【請求項９】前記出射端と前記エッチング装置との間に
は、光路を周期的に遮断するチョッパーが設けられてい
ることを特徴とする請求項８記載のエッチング深さ測定
装置。 - 【請求項１０】前記検出系は、前記チョッパーの駆動系
からのチョッピング周期がフィードバックされて、ロッ
クイン検出を行うロックイン検出系であることを特徴と
する請求項９記載のエッチング深さ測定装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5198171A JP2653017B2 (ja) | 1993-08-10 | 1993-08-10 | ドライエッチング深さ測定方法および装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5198171A JP2653017B2 (ja) | 1993-08-10 | 1993-08-10 | ドライエッチング深さ測定方法および装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0758081A true JPH0758081A (ja) | 1995-03-03 |
| JP2653017B2 JP2653017B2 (ja) | 1997-09-10 |
Family
ID=16386657
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5198171A Expired - Lifetime JP2653017B2 (ja) | 1993-08-10 | 1993-08-10 | ドライエッチング深さ測定方法および装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2653017B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103438822A (zh) * | 2013-09-11 | 2013-12-11 | 无锡信大气象传感网科技有限公司 | 一种基于可控光源的积雪深度监测系统 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5650515A (en) * | 1979-10-01 | 1981-05-07 | Mitsubishi Electric Corp | Endpoint detecting method |
| JPS6216515A (ja) * | 1985-07-16 | 1987-01-24 | Ulvac Corp | プラズマ装置用監視装置 |
| JPS63124942A (ja) * | 1986-11-04 | 1988-05-28 | ワツカー・ケミトロニク・ゲゼルシヤフト・フユア・エレクトロニク・グルントシユトツフエ・ミツト・ベシユレンクテル・ハフツング | 特に半導体スライスの表面性状を測定するための方法と装置 |
| JPS643503A (en) * | 1987-06-25 | 1989-01-09 | Fujitsu Ltd | Method for measuring thickness of crystal layer |
| JPH01123102A (ja) * | 1987-11-06 | 1989-05-16 | Oki Electric Ind Co Ltd | トレンチ深さ測定装置 |
| JPH02307003A (ja) * | 1989-05-05 | 1990-12-20 | Applied Materials Inc | 材料の成長速度とエッチング速度の光学的監視 |
-
1993
- 1993-08-10 JP JP5198171A patent/JP2653017B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (6)
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2653017B2 (ja) | 1997-09-10 |
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