JP2001006998A - パターン露光装置 - Google Patents
パターン露光装置Info
- Publication number
- JP2001006998A JP2001006998A JP11175059A JP17505999A JP2001006998A JP 2001006998 A JP2001006998 A JP 2001006998A JP 11175059 A JP11175059 A JP 11175059A JP 17505999 A JP17505999 A JP 17505999A JP 2001006998 A JP2001006998 A JP 2001006998A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- orientation flat
- detection light
- exposure apparatus
- pattern exposure
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Abstract
(57)【要約】
【課題】ウェハのオリフラあるいはウェハ表面のオリフ
ラ近傍で反射される検出光の形状または強度をもとにし
てオリフラの角度を検出する方法を採ると、オリフラの
へき開面の一部に傷があった場合に、正確なオリフラ角
度の検出ができなかった。 【解決手段】ウェハのオリフラの下方に検出光反射ミラ
ーを設け、検出光が上記反射ミラーに反射した後の反射
光を、ウェハのオリフラあるいはウェハ表面のオリフラ
近傍に反射した後の反射光と区別して検出することによ
って、ウェハのオリフラの回転角を検出する。
ラ近傍で反射される検出光の形状または強度をもとにし
てオリフラの角度を検出する方法を採ると、オリフラの
へき開面の一部に傷があった場合に、正確なオリフラ角
度の検出ができなかった。 【解決手段】ウェハのオリフラの下方に検出光反射ミラ
ーを設け、検出光が上記反射ミラーに反射した後の反射
光を、ウェハのオリフラあるいはウェハ表面のオリフラ
近傍に反射した後の反射光と区別して検出することによ
って、ウェハのオリフラの回転角を検出する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、パターン露光装置
に係り、特に露光の際のホトマスクに対するウェハの結
晶方位を正確に合わせるのに好適な、パターン露光装置
の構造に関する。
に係り、特に露光の際のホトマスクに対するウェハの結
晶方位を正確に合わせるのに好適な、パターン露光装置
の構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、パターン露光装置に関しては、例
えば特開平７−２９７１０９号公報に記載のように、
（ａ）露光装置にセットされ、デバイス形成領域外にス
リットを有し、かつ長辺の長さが被露光半導体ウェハ上
に投影された時に上記半導体ウェハのオリフラ長を超え
ない形状のオリフラ方向合わせ用パターンを有するガラ
スマスクを用意し、（ｂ）前記スリットを通して、半導
体ウェハのオリフラで反射される光の形状または強度が
半導体ウェハを移動した時に変化する量を求め、（ｃ）
上記変化量に基いて、半導体ウェハのオリフラ方向とガ
ラスマスクのスリット方向からのずれを減少させる方法
で、半導体ウェハ位置合わせを行っていた。
えば特開平７−２９７１０９号公報に記載のように、
（ａ）露光装置にセットされ、デバイス形成領域外にス
リットを有し、かつ長辺の長さが被露光半導体ウェハ上
に投影された時に上記半導体ウェハのオリフラ長を超え
ない形状のオリフラ方向合わせ用パターンを有するガラ
スマスクを用意し、（ｂ）前記スリットを通して、半導
体ウェハのオリフラで反射される光の形状または強度が
半導体ウェハを移動した時に変化する量を求め、（ｃ）
上記変化量に基いて、半導体ウェハのオリフラ方向とガ
ラスマスクのスリット方向からのずれを減少させる方法
で、半導体ウェハ位置合わせを行っていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来の技術では、パタ
ーン露光装置において、ウェハの結晶方位に対する回転
角を正確に合わせてホトレジストのパターンを形成する
ためには、ウェハのオリフラをへき開によって形成し、
上記オリフラの回転角をパターン露光装置内で正確に検
出することによって、ホトマスクに対するウェハの結晶
方位の回転角を正確に合わせてホトレジストの露光を行
う。
ーン露光装置において、ウェハの結晶方位に対する回転
角を正確に合わせてホトレジストのパターンを形成する
ためには、ウェハのオリフラをへき開によって形成し、
上記オリフラの回転角をパターン露光装置内で正確に検
出することによって、ホトマスクに対するウェハの結晶
方位の回転角を正確に合わせてホトレジストの露光を行
う。
【０００４】しかし、ウェハのオリフラあるいはウェハ
表面のオリフラ近傍で反射される検出光の形状または強
度をもとにしてオリフラの回転角を検出する方法を採る
と、オリフラのへき開面の一部に傷があった場合など
に、反射光の形状あるいは強度が乱れ、ウェハの本来の
結晶方位を正確に検出できずに、ウェハの結晶方位に対
する回転角を正確に合わせてホトレジストのパターンを
形成することが困難であった。
表面のオリフラ近傍で反射される検出光の形状または強
度をもとにしてオリフラの回転角を検出する方法を採る
と、オリフラのへき開面の一部に傷があった場合など
に、反射光の形状あるいは強度が乱れ、ウェハの本来の
結晶方位を正確に検出できずに、ウェハの結晶方位に対
する回転角を正確に合わせてホトレジストのパターンを
形成することが困難であった。
【０００５】本発明の目的は、ホトマスクに対するウエ
ハの結晶方位の回転角を正確に合わせてホトレジストの
露光を行うことを可能とし、半導体レーザのストライプ
・パターンのウエハの結晶方位に対する回転角を精度良
く決定することで半導体装置製造の歩留まりを向上する
ことにある。
ハの結晶方位の回転角を正確に合わせてホトレジストの
露光を行うことを可能とし、半導体レーザのストライプ
・パターンのウエハの結晶方位に対する回転角を精度良
く決定することで半導体装置製造の歩留まりを向上する
ことにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記本発明の目的は、半
導体等のウェハ上に塗布したホトレジストにホトマスク
を通して光や電子線を照射することによって所望のホト
レジストパターンを形成するパターン露光装置におい
て、ウェハのオリフラ面を検出するための検出光源およ
び光検出器を設け、かつウェハのオリフラ面の下となる
部分およびその近傍を含む位置に、上記検出光源から発
生した検出光を上記光検出器の方向へ反射する検出光反
射ミラーを設け、かつ上記パターン露光装置の構成を、
上記検出光源から発生した光がウェハのオリフラ近傍お
よび上記検出光反射ミラーの両方に照射されるようなも
のにし、かつ上記パターン露光装置に、検出光反射ミラ
ーのうちウェハのオリフラによって入射する検出光から
隠されている部分の形状に基いて、オリフラ面の向いて
いる方向を検知する機能を有せしめることによって達成
される。
導体等のウェハ上に塗布したホトレジストにホトマスク
を通して光や電子線を照射することによって所望のホト
レジストパターンを形成するパターン露光装置におい
て、ウェハのオリフラ面を検出するための検出光源およ
び光検出器を設け、かつウェハのオリフラ面の下となる
部分およびその近傍を含む位置に、上記検出光源から発
生した検出光を上記光検出器の方向へ反射する検出光反
射ミラーを設け、かつ上記パターン露光装置の構成を、
上記検出光源から発生した光がウェハのオリフラ近傍お
よび上記検出光反射ミラーの両方に照射されるようなも
のにし、かつ上記パターン露光装置に、検出光反射ミラ
ーのうちウェハのオリフラによって入射する検出光から
隠されている部分の形状に基いて、オリフラ面の向いて
いる方向を検知する機能を有せしめることによって達成
される。
【０００７】また、本発明の目的は、半導体等のウェハ
上に塗布したホトレジストにホトマスクを通して光や電
子線を照射することによって所望のホトレジストパター
ンを形成するパターン露光装置において、ウェハ上の異
なる位置で反射させた少なくとも３つ以上のレーザ光の
それぞれのレーザ干渉作用による距離測定を用いてウェ
ハ平面の角度を測定する機構を設け、かつ上記の機構に
よって測定した角度に対する検出光反射ミラーの角度の
ずれを±０．００５度以内に修正する機構を設けること
によって達成される。
上に塗布したホトレジストにホトマスクを通して光や電
子線を照射することによって所望のホトレジストパター
ンを形成するパターン露光装置において、ウェハ上の異
なる位置で反射させた少なくとも３つ以上のレーザ光の
それぞれのレーザ干渉作用による距離測定を用いてウェ
ハ平面の角度を測定する機構を設け、かつ上記の機構に
よって測定した角度に対する検出光反射ミラーの角度の
ずれを±０．００５度以内に修正する機構を設けること
によって達成される。
【０００８】また、本発明の目的は、半導体等のウェハ
上に塗布したホトレジストにホトマスクを通して光や電
子線を照射することによって所望のホトレジストパター
ンを形成するパターン露光装置において、ウェハのオリ
フラ面を検出するための検出光源を、ｉ線よりも波長の
長い光源で構成することによって達成される。
上に塗布したホトレジストにホトマスクを通して光や電
子線を照射することによって所望のホトレジストパター
ンを形成するパターン露光装置において、ウェハのオリ
フラ面を検出するための検出光源を、ｉ線よりも波長の
長い光源で構成することによって達成される。
【０００９】また、本発明の目的は、半導体等のウェハ
上に塗布したホトレジストにホトマスクを通して光や電
子線を照射することによって所望のホトレジストパター
ンを形成するパターン露光装置において、ウェハのオリ
フラ面を検出するための検出光源を、レーザ光源で構成
することによって達成される。
上に塗布したホトレジストにホトマスクを通して光や電
子線を照射することによって所望のホトレジストパター
ンを形成するパターン露光装置において、ウェハのオリ
フラ面を検出するための検出光源を、レーザ光源で構成
することによって達成される。
【００１０】また、本発明の目的は、半導体等のウェハ
上に塗布したホトレジストにホトマスクを通して光や電
子線を照射することによって所望のホトレジストパター
ンを形成するパターン露光装置において、ウェハのオリ
フラ面を検出するための検出光源を、Ｈｅ−Ｎｅレーザ
で構成することによって達成される。
上に塗布したホトレジストにホトマスクを通して光や電
子線を照射することによって所望のホトレジストパター
ンを形成するパターン露光装置において、ウェハのオリ
フラ面を検出するための検出光源を、Ｈｅ−Ｎｅレーザ
で構成することによって達成される。
【００１１】また、本発明の目的は、半導体等のウェハ
上に塗布したホトレジストにホトマスクを通して光や電
子線を照射することによって所望のホトレジストパター
ンを形成するパターン露光装置において、ウェハのオリ
フラ面を検出するための検出光源をレーザ光源で構成
し、かつウェハのオリフラ面を検出するための光検出器
に、レーザ光の干渉作用を利用して光検出器から検出光
反射ミラーまでの距離を測定する機能を有せしめ、かつ
測定した距離に基いて、検出光反射ミラーで反射された
光と検出光反射ミラー以外で反射された光を区別する機
能を有せしめることによって達成される。
上に塗布したホトレジストにホトマスクを通して光や電
子線を照射することによって所望のホトレジストパター
ンを形成するパターン露光装置において、ウェハのオリ
フラ面を検出するための検出光源をレーザ光源で構成
し、かつウェハのオリフラ面を検出するための光検出器
に、レーザ光の干渉作用を利用して光検出器から検出光
反射ミラーまでの距離を測定する機能を有せしめ、かつ
測定した距離に基いて、検出光反射ミラーで反射された
光と検出光反射ミラー以外で反射された光を区別する機
能を有せしめることによって達成される。
【００１２】また、本発明の目的は、半導体等のウェハ
上に塗布したホトレジストにホトマスクを通して光や電
子線を照射することによって所望のホトレジストパター
ンを形成するパターン露光装置において、ウェハのオリ
フラ面を検出するための光検出器から得られたデータを
処理して、検出光反射ミラーのうちウェハによって入射
する検出光から隠されている部分の形状を計算し、ウェ
ハのオリフラ面が向いている方向を正確に計算するデー
タ処理装置を設けることによって達成される。
上に塗布したホトレジストにホトマスクを通して光や電
子線を照射することによって所望のホトレジストパター
ンを形成するパターン露光装置において、ウェハのオリ
フラ面を検出するための光検出器から得られたデータを
処理して、検出光反射ミラーのうちウェハによって入射
する検出光から隠されている部分の形状を計算し、ウェ
ハのオリフラ面が向いている方向を正確に計算するデー
タ処理装置を設けることによって達成される。
【００１３】また、本発明の目的は、半導体等のウェハ
上に塗布したホトレジストにホトマスクを通して光や電
子線を照射することによって所望のホトレジストパター
ンを形成するパターン露光装置において、検知したオリ
フラ面の方向をもとにして、ホトマスクに対するウェハ
・チャックの水平方向の回転角を調整する機構を設ける
ことによって達成される。
上に塗布したホトレジストにホトマスクを通して光や電
子線を照射することによって所望のホトレジストパター
ンを形成するパターン露光装置において、検知したオリ
フラ面の方向をもとにして、ホトマスクに対するウェハ
・チャックの水平方向の回転角を調整する機構を設ける
ことによって達成される。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下に述べる実施例は、ｉ線（波
長３６５nm）を露光光源とする縮小投影露光方式のパタ
ーン露光装置を例に説明する。図１は、本発明の一実施
例によるパターン露光装置の一部を示す概観図、図２
は、本発明の一実施例によるパターン露光装置の一部を
示す断面図である。
長３６５nm）を露光光源とする縮小投影露光方式のパタ
ーン露光装置を例に説明する。図１は、本発明の一実施
例によるパターン露光装置の一部を示す概観図、図２
は、本発明の一実施例によるパターン露光装置の一部を
示す断面図である。
【００１５】本実施例のパターン露光装置の、アライン
メントおよび露光対象となるウェハ１を真空吸着させる
ウェハチャック３には、回転精度が０．００５度である
θ−ｚ−ｔｉｌｔ機構（図示略）を内蔵させる。ウェハ
上の３つの異なる位置で、３つのＨｅ−Ｎｅレーザ光か
らなるウェハ位置検出光１０を反射させ、レーザ光１０
の干渉作用による距離測定を用いてウェハ表面の角度を
測定できるように、３つのウェハ位置検出器９を設け
る。ウェハチャック３は、上記θ−ｚ−ｔｉｌｔ機構お
よび適宜の制御手段（図示略）によって、ウェハ位置検
出器９で測定したウェハ表面の角度に基いて、ｉ線露光
光源に対する自身の角度を自動的に調整される。
メントおよび露光対象となるウェハ１を真空吸着させる
ウェハチャック３には、回転精度が０．００５度である
θ−ｚ−ｔｉｌｔ機構（図示略）を内蔵させる。ウェハ
上の３つの異なる位置で、３つのＨｅ−Ｎｅレーザ光か
らなるウェハ位置検出光１０を反射させ、レーザ光１０
の干渉作用による距離測定を用いてウェハ表面の角度を
測定できるように、３つのウェハ位置検出器９を設け
る。ウェハチャック３は、上記θ−ｚ−ｔｉｌｔ機構お
よび適宜の制御手段（図示略）によって、ウェハ位置検
出器９で測定したウェハ表面の角度に基いて、ｉ線露光
光源に対する自身の角度を自動的に調整される。
【００１６】また、本実施例のパターン露光装置は、ウ
ェハ１のオリフラ面２を検出するためのＨｅ−Ｎｅレー
ザからなるオリフラ検出光源５およびオリフラ反射光検
出器６を有し、かつ図１および図２に示したごとく、ウ
ェハ１のオリフラ面２の下となる部分およびその近傍を
含む位置に、上記オリフラ検出光源５から発生したオリ
フラ検出光７を上記オリフラ反射光検出器６の方向へオ
リフラ検出反射光８として反射する検出光反射ミラー４
を有する。
ェハ１のオリフラ面２を検出するためのＨｅ−Ｎｅレー
ザからなるオリフラ検出光源５およびオリフラ反射光検
出器６を有し、かつ図１および図２に示したごとく、ウ
ェハ１のオリフラ面２の下となる部分およびその近傍を
含む位置に、上記オリフラ検出光源５から発生したオリ
フラ検出光７を上記オリフラ反射光検出器６の方向へオ
リフラ検出反射光８として反射する検出光反射ミラー４
を有する。
【００１７】検出光反射ミラー４は、ウェハチャック３
のθ−ｚ−ｔｉｌｔ機構によって自動的に調整されたウ
ェハ表面の角度に対して、自身の角度のずれを±０．０
０５度以内に調整できるものとする。上記オリフラ検出
光７は、上記検出光反射ミラー４とウェハ１の表面のオ
リフラ面２近傍の両方にまたがって照射されるものとす
る。上記オリフラ反射光検出器６は、オリフラ検出反射
光８およびウェハ１で反射された光を検知できるものと
する。
のθ−ｚ−ｔｉｌｔ機構によって自動的に調整されたウ
ェハ表面の角度に対して、自身の角度のずれを±０．０
０５度以内に調整できるものとする。上記オリフラ検出
光７は、上記検出光反射ミラー４とウェハ１の表面のオ
リフラ面２近傍の両方にまたがって照射されるものとす
る。上記オリフラ反射光検出器６は、オリフラ検出反射
光８およびウェハ１で反射された光を検知できるものと
する。
【００１８】本実施例のパターン露光装置中には、上記
オリフラ反射光検出器６から得られたデータを処理する
データ処理装置（図示略）を設ける。上記データ処理装
置においては、画像処理によって、オリフラ検出反射光
８をウェハ１で反射された光と区別し、検出光反射ミラ
ー４のうちウェハ１によってオリフラ検出光７から隠さ
れている部分の形状を計算し、ウェハのオリフラ面が向
いている方向を計算する。計算されたオリフラ面の角度
に基いて、ウェハチャック３の水平方向の回転角を調整
する機構を設ける。
オリフラ反射光検出器６から得られたデータを処理する
データ処理装置（図示略）を設ける。上記データ処理装
置においては、画像処理によって、オリフラ検出反射光
８をウェハ１で反射された光と区別し、検出光反射ミラ
ー４のうちウェハ１によってオリフラ検出光７から隠さ
れている部分の形状を計算し、ウェハのオリフラ面が向
いている方向を計算する。計算されたオリフラ面の角度
に基いて、ウェハチャック３の水平方向の回転角を調整
する機構を設ける。
【００１９】本実施例によれば、図２に一部を拡大して
示す示すように、オリフラ面２の一部、特に上半分や下
半分に傷２０があった場合においても、オリフラ検出光
８には乱れが生じない。従って、ウェハのオリフラある
いはウェハ表面のオリフラ近傍で反射される検出光の形
状または強度をもとにしてオリフラの回転角を検出する
場合に比べて、ウェハ本来の結晶方位を正確に検出でき
る。
示す示すように、オリフラ面２の一部、特に上半分や下
半分に傷２０があった場合においても、オリフラ検出光
８には乱れが生じない。従って、ウェハのオリフラある
いはウェハ表面のオリフラ近傍で反射される検出光の形
状または強度をもとにしてオリフラの回転角を検出する
場合に比べて、ウェハ本来の結晶方位を正確に検出でき
る。
【００２０】以上によって、本発明の実施例であるパタ
ーン露光装置を実現することができる。
ーン露光装置を実現することができる。
【００２１】ウェハ面の面方位が（１００）で、（０１
１）面のへき開オリフラを有する直径３インチ、厚さ
０．６mmのｎ型ＩｎＰウェハ上に、減圧ＭＯＶＰＥ法を
用いて１．３μm帯ＩｎＧａＡｓＰ系ひずみ量子井戸半
導体レーザの下側クラッド層、量子井戸活性層、上側ク
ラッド層を成長した。その後、ホトレジストをマスクと
して上記の上側クラッド層、量子井戸活性層、下側クラ
ッド層をエッチング加工し、量子井戸活性層の幅が１．
５μm、長さが９００μmの半導体レーザのメサストライ
プを形成した。
１）面のへき開オリフラを有する直径３インチ、厚さ
０．６mmのｎ型ＩｎＰウェハ上に、減圧ＭＯＶＰＥ法を
用いて１．３μm帯ＩｎＧａＡｓＰ系ひずみ量子井戸半
導体レーザの下側クラッド層、量子井戸活性層、上側ク
ラッド層を成長した。その後、ホトレジストをマスクと
して上記の上側クラッド層、量子井戸活性層、下側クラ
ッド層をエッチング加工し、量子井戸活性層の幅が１．
５μm、長さが９００μmの半導体レーザのメサストライ
プを形成した。
【００２２】このとき、上記実施例のパターン露光装置
を用いることにより、（０１１）面のへき開オリフラに
対する上記メサストライプの角度ずれを±０．０１度以
下に抑えることができた。この結果、単一横モードの特
性を有する半導体レーザを、メサストライプの加工工程
における歩留まり約８０パーセントで作製することが可
能になった。
を用いることにより、（０１１）面のへき開オリフラに
対する上記メサストライプの角度ずれを±０．０１度以
下に抑えることができた。この結果、単一横モードの特
性を有する半導体レーザを、メサストライプの加工工程
における歩留まり約８０パーセントで作製することが可
能になった。
【００２３】本実施例においては、パターン露光装置の
露光光源として、ｉ線を用いたが、それに替えて、Ｋｒ
Ｆエキシマレーザ光、ＡｒＦエキシマレーザ光、フッ素
ダイマーエキシマレーザ光、電子線等を用いてもよい。
露光光源として、ｉ線を用いたが、それに替えて、Ｋｒ
Ｆエキシマレーザ光、ＡｒＦエキシマレーザ光、フッ素
ダイマーエキシマレーザ光、電子線等を用いてもよい。
【００２４】また本実施例においては、オリフラ反射光
検出器６から得られたデータを処理するデータ処理装置
において、オリフラ検出反射光８をウェハ１で反射され
た光と区別するのに画像処理を用いたが、これに替えて
オリフラ検出光源５から発生したレーザ光の干渉作用に
よる距離測定を用いて、オリフラ反射光８をウェハ１で
反射された光と区別してもよい。
検出器６から得られたデータを処理するデータ処理装置
において、オリフラ検出反射光８をウェハ１で反射され
た光と区別するのに画像処理を用いたが、これに替えて
オリフラ検出光源５から発生したレーザ光の干渉作用に
よる距離測定を用いて、オリフラ反射光８をウェハ１で
反射された光と区別してもよい。
【００２５】
【発明の効果】以上説明したごとく本発明によれば、オ
リフラ面およびオリフラ付近のウェハ表面に多少の傷が
あった場合においても、オリフラの回転角を正確に検知
して、ホトマスクに対するウェハの結晶方位の回転角を
正確に合わせてホトレジストの露光を行うことが可能に
なる。
リフラ面およびオリフラ付近のウェハ表面に多少の傷が
あった場合においても、オリフラの回転角を正確に検知
して、ホトマスクに対するウェハの結晶方位の回転角を
正確に合わせてホトレジストの露光を行うことが可能に
なる。
【００２６】本発明のパターン露光装置を用いることに
より、半導体レーザの作製プロセスにおいて、砒化ガリ
ウム、燐化インジウム、炭化珪素、窒化ガリウム、また
はサファイア等のウェハをへき開して形成したオリフラ
の回転角を、オリフラ面およびオリフラ付近のウェハ表
面の多少の傷に左右されずに正確に検知し、ホトレジス
トの露光・現像によって形成するメサストライプ・パタ
ーンの、ウェハの結晶方位に対する回転角を精度よく決
定することが可能になる。それにより、メサストライプ
幅が狭く単一横モードの特性を有する半導体レーザの作
製が容易になり、歩留まりが向上する。
より、半導体レーザの作製プロセスにおいて、砒化ガリ
ウム、燐化インジウム、炭化珪素、窒化ガリウム、また
はサファイア等のウェハをへき開して形成したオリフラ
の回転角を、オリフラ面およびオリフラ付近のウェハ表
面の多少の傷に左右されずに正確に検知し、ホトレジス
トの露光・現像によって形成するメサストライプ・パタ
ーンの、ウェハの結晶方位に対する回転角を精度よく決
定することが可能になる。それにより、メサストライプ
幅が狭く単一横モードの特性を有する半導体レーザの作
製が容易になり、歩留まりが向上する。
【図１】本発明の実施例によるパターン露光装置の一部
を示す概観図。
を示す概観図。
【図２】本発明の実施例によるパターン露光装置の一部
を示す部分拡大断面図。
を示す部分拡大断面図。
１…ウェハ、２…オリフラ面、３…ウェハチャック、４
…検出光反射ミラー、５…オリフラ検出光源、６…オリ
フラ反射光検出器、７…オリフラ検出光、８…オリフラ
検出反射光、９…ウェハ位置検出器、１０…ウェハ位置
検出光。
…検出光反射ミラー、５…オリフラ検出光源、６…オリ
フラ反射光検出器、７…オリフラ検出光、８…オリフラ
検出反射光、９…ウェハ位置検出器、１０…ウェハ位置
検出光。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 5F031 CA02 FA01 FA07 HA13 HA58 HA59 JA01 JA06 JA07 JA14 JA15 JA17 JA28 JA30 JA32 JA34 KA07 KA08 KA13 MA27 5F046 BA04 CC01 CC05 CC06 CC16 EA20 EB01 FA05 FA09 FB10 FC04 FC05 FC08
Claims (8)
- 【請求項１】半導体等のウェハ上に塗布したホトレジス
トにホトマスクを通して、光や電子線を照射することに
よって所望のホトレジストパターンを形成するパターン
露光装置において、ウェハのオリフラ面を検出するため
の検出光源および光検出器を有し、かつウェハのオリフ
ラ面の下となる部分およびその近傍を含む位置に、上記
検出光源から発生した検出光を上記光検出器の方向へ反
射する検出光反射ミラーを有し、かつ上記検出光源から
発生した光はウェハ表面のオリフラ近傍および上記検出
光反射ミラーの両方に照射され、かつ検出光反射ミラー
のうちウェハのオリフラによって入射する検出光から隠
されている部分の形状に基いて、オリフラ面の向いてい
る方向を検知することを特徴とするパターン露光装置。 - 【請求項２】請求項１に記載のパターン露光装置のう
ち、ウェハ上の異なる位置で反射させた少なくとも３つ
以上のレーザ光のそれぞれのレーザ干渉作用による距離
測定を用いてウェハ平面の角度を測定する機構を有し、
かつ上記の機構によって測定した角度に対する検出光反
射ミラーの角度のずれを±０．００５度以内に修正する
機構を有することを特徴とするパターン露光装置。 - 【請求項３】請求項１に記載のパターン露光装置のう
ち、ウェハのオリフラ面を検出するための検出光源は、
ｉ線よりも波長の長い光源であることを特徴とするパタ
ーン露光装置。 - 【請求項４】請求項１に記載のパターン露光装置のう
ち、ウェハのオリフラ面を検出するための検出光源は、
レーザ光源であることを特徴とするパターン露光装置。 - 【請求項５】請求項４に記載のパターン露光装置のう
ち、ウェハのオリフラ面を検出するための検出光源は、
Ｈｅ−Ｎｅレーザで構成することを特徴とするパターン
露光装置。 - 【請求項６】請求項４に記載のパターン露光装置のう
ち、光検出器は、レーザ光の干渉作用を利用して光検出
器から検出光反射ミラーまでの距離を測定する機能を有
し、測定した距離に基いて、検出光反射ミラーで反射さ
れた光と検出光反射ミラー以外で反射された光を区別す
る機能を有することを特徴とするパターン露光装置。 - 【請求項７】請求項６に記載のパターン露光装置のう
ち、光検出器から得られたデータを処理して、検出光反
射ミラーのうち、ウェハによって入射する検出光から隠
されている部分の形状を計算し、ウェハのオリフラ面が
向いている方向を正確に計算するデータ処理装置を有す
ることを特徴とするパターン露光装置。 - 【請求項８】請求項１に記載のパターン露光装置のう
ち、検知したオリフラ面の方向をもとにして、ホトマス
クに対するウェハ・チャックの回転角を調整する機構を
有することを特徴とするパターン露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11175059A JP2001006998A (ja) | 1999-06-22 | 1999-06-22 | パターン露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11175059A JP2001006998A (ja) | 1999-06-22 | 1999-06-22 | パターン露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001006998A true JP2001006998A (ja) | 2001-01-12 |
Family
ID=15989522
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11175059A Pending JP2001006998A (ja) | 1999-06-22 | 1999-06-22 | パターン露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001006998A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2011096239A1 (ja) * | 2010-02-08 | 2011-08-11 | 株式会社ニコン | 検出方法および検出装置 |
| JP2011216789A (ja) * | 2010-04-01 | 2011-10-27 | Nikon Corp | 位置検出装置、重ね合わせ装置、位置検出方法およびデバイスの製造方法 |
| JP2016063029A (ja) * | 2014-09-17 | 2016-04-25 | 東京エレクトロン株式会社 | アライメント装置 |
-
1999
- 1999-06-22 JP JP11175059A patent/JP2001006998A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2011096239A1 (ja) * | 2010-02-08 | 2011-08-11 | 株式会社ニコン | 検出方法および検出装置 |
| US8547559B2 (en) | 2010-02-08 | 2013-10-01 | Nikon Corporation | Detection method and detection apparatus |
| US8994957B2 (en) | 2010-02-08 | 2015-03-31 | Nikon Corporation | Detection method and detection apparatus |
| JP5708501B2 (ja) * | 2010-02-08 | 2015-04-30 | 株式会社ニコン | 検出方法および検出装置 |
| JP2011216789A (ja) * | 2010-04-01 | 2011-10-27 | Nikon Corp | 位置検出装置、重ね合わせ装置、位置検出方法およびデバイスの製造方法 |
| JP2016063029A (ja) * | 2014-09-17 | 2016-04-25 | 東京エレクトロン株式会社 | アライメント装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6376329B1 (en) | Semiconductor wafer alignment using backside illumination | |
| US20070127037A1 (en) | Position sensor, method for detecting horizontal and vertical position, alignment apparatus including position sensor, and method for horizontal and vertical alignment | |
| JP2716731B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2001006998A (ja) | パターン露光装置 | |
| JPH0642914A (ja) | 変位測定装置 | |
| EP0766298A2 (en) | Method of and apparatus for determining residual damage to wafer edges | |
| JPS62203335A (ja) | エツチングモニタ−装置 | |
| JP2830784B2 (ja) | 位置誤差計測方法および半導体装置の製造方法 | |
| KR102523304B1 (ko) | 노광 장치 및 물품의 제조 방법 | |
| JP2991661B2 (ja) | 半導体素子の工程欠陥検査方法 | |
| JP2002033373A (ja) | パターン露光装置 | |
| US20040135232A1 (en) | Semiconductor wafer and method of marking a crystallographic direction on a semiconductor wafer | |
| JPS62269036A (ja) | 回折格子の回折効率分布自動測定方式 | |
| JPS6352766B2 (ja) | ||
| US6489627B1 (en) | Method for inspecting a reticle and apparatus for use therein | |
| JPH0726648Y2 (ja) | 変位測定装置 | |
| JPH08316132A (ja) | パターンの位置測定方法およびそれを用いた光学装置 | |
| JPH07201804A (ja) | 半導体ウェハのストライプエッチング方法 | |
| JPS61174724A (ja) | エツチング終点検出装置 | |
| JPH03156347A (ja) | 透過率測定方法 | |
| JP2003257829A (ja) | ギャップ測定方法及びギャップ測定装置、並びに露光装置 | |
| JPH0723959B2 (ja) | パタ−ン転写用マスクおよび使用方法 | |
| JPH0915134A (ja) | パーティクルの検査方法および検査装置 | |
| JPH04184101A (ja) | 物体位置合わせ装置及び物体位置合わせ方法 | |
| JPH0666242B2 (ja) | 位置合わせ方法 |