JP2991661B2 - 半導体素子の工程欠陥検査方法 - Google Patents
半導体素子の工程欠陥検査方法Info
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Description
陥検査方法に関し、特に一回の露光工程の際に、露光さ
れる領域(以下、フィールドと称する)内での位置にか
かわらず同じ大きさの光遮断膜パターンを用いた露光に
おいても、形成される感光膜パターンの大きさが異なる
よう形成されることを利用し、縮小露光装置のレンズ特
性変化をマスクに補償することができる半導体素子の工
程欠陥検査方法に関する。
欠陥の検出方法は半導体素子の信頼性及び収率(Yie
ld)に密接な関係があるため、半導体製造工程の中間
において欠陥検査(Defect Inspectio
n)を行う必要がある。
ithography)工程では、露光マスクの光遮断
膜パターン密度によりこれを通過する光の回折程度や近
接パターンを通過した光の干渉等により、同じ大きさの
パターンにおいても実際にウェーハに形成されるパター
ンの大きさが変化する近接効果(ProximityE
ffect)が現れるようになる。このような近接効果
を考慮して望む大きさのパターンを形成しようとする場
合には、一時に同じ大きさの光遮断膜パターンが形成さ
れた露光マスクを用いてパターンを形成した後、前記パ
ターンの近接効果による臨界大きさ(critical
dimension:以下CDと称する)の差、即ち
パターンの幅の差を検出し、これをフィードバックして
互いに異なる大きさの光遮断膜パターンを有する露光マ
スクを形成して用いる。
れたメモリ素子や、多様な大きさの配線を有するASI
C素子の場合には非常に多い数のパターンを全て検査し
てCD差を計算し、これを補償することは現実的に不可
能である。
パターンを形成したり、いずれか一定部分のみを補償す
る方法を用いている。
来技術による半導体素子の工程欠陥検査方法によれば、
素子内の全てのパターンのCD差を求めず一部分のCD
差のみを求めて補償するため、素子が高集積化される場
合や多様な大きさのパターンを有する素子の場合には種
々の位置で不良が発生して工程収率が下落し、これを補
償するため長い時間が必要となり製造単価を上昇させる
問題点がある。
のもので、本発明の目的は一フィールド内で位置により
パターンの大きさが変化する性質を利用し、CD差や光
遮断膜パターンの誤謬やレンズ特性等によりいずれかの
部分に残ることになる高反射率の被エッチング層パター
ンの密度及び大きさを工程欠陥検査装置で検出し、これ
を補償して工程収率及び素子動作の信頼性を向上させ、
製造単価を軽減することができる半導体素子の工程欠陥
検査方法を提供することにある。
るための本発明による半導体素子の工程欠陥検査方法の
特徴は、所定の基板上に第1被エッチング層を形成する
工程と、第1被エッチング層上にポジティブ感光膜パタ
ーンを形成するが、一フィールド内で大きさが異なるよ
う形成されるようにする工程と、ポジティブ感光膜パタ
ーンをマスクに第1被エッチング層をエッチングして被
エッチング層パターンを形成しポジティブ感光膜パター
ンを除去する工程と、前記構造の全表面に第1被エッチ
ング層より光反射率の低い第2被エッチング層を形成す
る工程と、第2被エッチング層上にネガティブ感光膜パ
ターンを形成するが、ポジティブ感光膜露光の際の露光
マスクを用いて位置により別の大きさに形成されるよう
にする工程と、ネガティブ感光膜パターンにより露出さ
れている第2被エッチング層を除去して第2被エッチン
グ層を形成するが、一側の第2被エッチング層はその下
部の第1被エッチング層を露出させるように形成する工
程と、ネガティブ感光膜を除去する工程と、第2被エッ
チング層パターンにより露出している比較的高反射率の
第1被エッチング層パターンを工程欠陥検査装置で検査
し、露出している第1被エッチング層パターンの密度及
び大きさを検査して位置によるCD差を検査する工程を
備えることにある。
ば、ポジティブ型感光膜で高反射率の被エッチング層を
パターニングし、ネガティブ感光膜パターンで低反射率
の被エッチング層をパターニングした後、工程欠陥検査
装置を用いてフィールド内の位置によるCD変化を定量
的に知ることができ近接効果(proximity e
ffect)によるパターンの大きさの変化を求め、こ
れをフィードバックして露光マスクの光遮断膜パターン
を補正する。
工程欠陥検査方法の一実施形態を添付図面を参照して詳
細に説明する。
工程欠陥検査方法の原理を説明するための図であり、相
互関連させて説明する。
露光マスク1は石英や、ガラス等の材質でなる透明基板
2上に同一ライン/スペースを有する光遮断膜パターン
3がクロム層等で形成されている。この露光マスク1を
用いて露光処理を行うと、フィールド内の位置により、
例えばフィールドの中央部分Cと縁の部分EとではCD
差やレンズ加工程度差により、透過した光の強度及び幅
が異なり、その程度は縮小露光装置のレンズやパターン
の密度、ディフォーカス(defocues)又は、露
光エネルギー等により変化する。
ンを形成すればパターン大きさが位置に従い相違して形
成される。
可能な物質で被エッチング層11を塗布し、被エッチン
グ層11上にポジティブ感光膜12とネガティブ感光膜
13をそれぞれ形成すれば、図2及び図3に示す如く、
CD差により互いに異なる大きさを有することになる。
可能なパターンを形成する。
工程欠陥検査のためのパターン製造工程図であり、半導
体基板を基板に用いた例である。
高い物質、例えばA1等で第1被エッチング層11Aを
形成し、第1被エッチング層11A上にポジティブ感光
膜12を塗布した後、図1に示すようなフィールド内の
位置にかかわらず同じ大きさのライン/スペースパター
ンを有する露光マスク1を用いて選択的に露光現像して
ポジティブ感光膜12パターンを形成する。
同じ大きさの光遮断膜パターンが形成されている露光マ
スク1を用いても、CD差やレンズの特性変化、又は露
光マスク1の光遮断膜パターン3形成エラー等により、
一フィールド内でも位置に伴って一方は大きく一方は小
さく、例えば中央部分Cと縁の部分Eが互いに異なる大
きさに形成される(図4参照)。
をマスクとして用いて、露出している第1被エッチング
層11Aを除去して第1被エッチング層11Aパターン
を形成し、ポジティブ感光膜12を除去する(図5参
照)。
チング層11Aより低い反射率を有する物質、例えば反
射防止膜に用いられるTiN等でなる第2被エッチング
層11Bを塗布し、その上側にネガティブ感光膜13パ
ターンを形成するが、選択露光は図1の露光マスク1を
用いてXほど移動させミスアライン露光して形成すれ
ば、ポジティブ感光膜12とは逆に中央部分C側は大き
く形成され、縁の部分E側に小さく形成される(図2及
び図3参照)。その際のミスアライン程度は、下式を満
たす。 X=(L+S)×(n+1/2) X:ミスアライメント距離、 L+S:ピッチの大きさ、 L:各ラインの幅、 S:各スペースの幅、 (図6参照)。又、ライン/スペースパターンのライン
幅Lとスペース幅SをS=L×n(n=1,2,3…)
程度に形成する。
により露出している第2被エッチング層11Bを異方性
エッチング方法で除去して第2被エッチング層11Bパ
ターンを形成し、ネガティブ感光膜13パターンを除去
する。ここで、フィールドの中央部分Cでは第2被エッ
チング層11Bパターンが第1被エッチング層11Aパ
ターンを囲んでおり、縁の部分Eでは第2被エッチング
層11Bパターンの両側に第1被エッチング層11Aパ
ターンが露出する(図7参照)。
欠陥検査装置20で検査すれば、第2被エッチング層1
1Bでは光が吸収され露出している高反射率の第1被エ
ッチング層11Aで光が反射するため、縁の部分の露出
している第1被エッチング層11Aパターンで反射する
光を検出する(図8参照)。
された第1被エッチング層11Aパターンの分布位置
と、密度(所定面積あたりの第1被エッチング層パター
ンの個数)及びその大きさ(第1被エッチング層パター
ンの面積)を工程欠陥検査装置で検査すれば、一フィー
ルド内での位置によるCD差と、露光マスクの光遮断膜
パターンの誤謬及び縮小露光装置のレンズ特性等を総合
的に知ることができ、その補償が必要な所も容易に選ぶ
ことができる。
いた工程欠陥検査装置は任意の光源から出た光を所定の
光学的経路(optical path)を経た後、前
記のような被エッチング層残留層を有するウェーハ(w
afer)上に照射してウェーハ上で反射する反射光を
信号感知部で感知する。
ハのパターンイメージ等は反射度に従いそれぞれの明暗
度、或は色度(Colar Index)に分類して色
の情報を0〜255までの電気的信号に分類し、明暗度
の差が一定に指定した値、即ち閾値(Threshol
d Value)を外れれば、その地域に補償が必要な
パターンの存在を知ることができる。
有する露光マスクを半導体基板と誤整列(ミスアライ
ン)させる方法で被エッチング層残留層を形成した。し
かし、コンタクトホールマスクを用いる場合にはネガテ
ィブ感光膜パターン形成の際、露光マスクと半導体基板
の間を誤整列させなくてもパターン作製を行いコンタク
トホールに予定された部分の周辺に環状の被エッチング
層を形成して同一方法で近接効果によるCD差を知るこ
とができる。
程欠陥検査方法によれば、一フィールド内で位置により
同じ大きさの光遮断膜パターンを用いても形成されるパ
ターンの大きさが異なることを利用するものであり、第
1被エッチング層をポジティブ感光膜パターンでパター
ニングして第1被エッチング層パターンを形成し、前記
構造の全表面に第1被エッチング層よりは低反射率の第
2被エッチング層を形成し、これを同様な露光マスクを
用いて形成されたネガティブ感光膜でパターニングすれ
ば、フィールドの一側では第2被エッチング層パターン
が第1被エッチング層パターンより大きく形成されて光
反射が小さく、フィールドの他側には第1被エッチング
層パターンが露出されていて光反射が大きく生じるた
め、前記の第1被エッチング層パターンの分布位置と密
度及び大きさを工程欠陥検査装置で検査し、フィールド
内の位置によるCD変化や縮小露光装置のレンズ特性変
化及び光遮断膜パターンのエラー等を定量的に測定して
近接効果によるパターンの大きさの変化を求め、これを
フィードバックして露光マスクの光遮断膜パターンを補
正すれば、工程欠陥検査工程に費やされる時間が短縮さ
れ工程収率及び素子動作の信頼性を向上させることがで
きる利点がある。
概略図。
ターンが形成された半導体素子の断面図。
ターンが形成された半導体素子の断面図。
陥検査のためのパターン製造工程図。
陥検査のためのパターン製造工程図。
陥検査のためのパターン製造工程図。
陥検査のためのパターン製造工程図。
陥検査のためのパターン製造工程図。
Claims (12)
- 【請求項1】 半導体基板上に第1被エッチング層を形
成するステップと、 露光マスクを用いて前記第1被エッチング層上にポジテ
ィブ感光膜パターンを形成するステップであって、該ポ
ジティブ感光膜パターンの各々が一フィールド領域内の
各位置で相互に異なるポジティブ膜パターン寸法を有す
るように形成されるステップと、 前記ポジティブ感光膜パターンをマスクとして用いて第
1被エッチング層をエッチングし、第1被エッチング層
のパターンを形成し、前記ポジティブ感光膜パターンを
除去するステップと、 前記ポジティブ感光膜の除去によって生じた構造の全表
面に前記第1被エッチング層より低い光反射率を示す第
2被エッチング層を形成するステップと、 前記ポジティブ感光膜パターンの形成に用いた前記露光
マスクと同じ露光マスクを用いて前記第2被エッチング
層上にネガティブ感光膜パターンを形成するステップで
あって、該ネガティブ感光膜パターンの各々が前記フィ
ールド領域内の各位置で相互に異なるネガティブホトレ
ジスト膜パターン寸法を有するように形成されるステッ
プと、 前記ネガティブ感光膜パターンで覆われていない第2被
エッチング層を除去して、前記第1被エッチング層の関
連したパターンを不完全に覆って前記第1被エッチング
層の該不完全に覆われたパターンを部分的に露出したパ
ターンを含む第2被エッチング層のパターンを形成する
ステップと、 前記ネガティブ感光膜を除去するステップと、 工程欠陥検査装置を用いて前記第1被エッチング層の露
出パターンを検査し、前記第1被エッチング層パターン
の密度及び大きさを検査するステップと、 前記検査結果により半導体基板の位置によるCD差(パ
ターンの近接効果による臨界大きさの差)を測定するス
テップと、 を備える半導体素子の工程欠陥検査方法。 - 【請求項2】 前記第1被エッチング層をAlで形成す
ることを特徴とする請求項1記載の半導体素子の工程欠
陥検査方法。 - 【請求項3】 前記第2被エッチング層をTiNで形成
することを特徴とする請求項1記載の半導体素子の工程
欠陥検査方法。 - 【請求項4】 前記ネガティブ感光膜パターンがライン
/スペースであって、 該ライン/スペースの形成が、前記ネガティブ感光膜パ
ターンが前記ポジティブ膜パターンから、該ライン/ス
ペースの長手方向と垂直の方向に、該ライン幅と該スペ
ース幅との和の1/2に対応した距離だけミスアライメ
ントされるように行われることを特徴とする請求項1記
載の半導体素子の工程欠陥検査方法。 - 【請求項5】 X=(L+S)×(n+1/2) X:ミスアライメント距離、 L+S:ピッチの大きさ、 L:各ラインの幅、 S:各スペースの幅、 n:自然数、 の関係を満たすことを特徴とする請求項4記載の半導体
素子の工程欠陥検査方法。 - 【請求項6】 前記第1及び第2被エッチング層のパタ
ーンがライン/スペースパターンであって、 S=L×n L:前記第1及び第2被エッチング層のライン/スペー
スパターンの各ライン幅、 S:前記第1及び第2被エッチング層のライン/スペー
スパターンの各スペース幅、 n:自然数 の関係を満たすこと特徴とする請求項1記載の半導体素
子の工程欠陥検査方法。 - 【請求項7】 半導体基板上に第1被エッチング層を形
成するステップと、 露光マスクを用いて前記第1被エッチング層上に、パタ
ーン寸法が一様でないポジティブ感光膜パターンを形成
するステップと、 第1被エッチング層のパターンを形成するために前記ポ
ジティブ感光膜パターンをマスクとして用いて第1被エ
ッチング層をエッチングするステップと、 前記ポジティブ感光膜パターンを除去するステップであ
って、その結果、構造を形成するステップと、 該構造の全表面に前記第1被エッチング層より低い光反
射率を示す第2被エッチング層を形成するステップと、 前記露光マスクを用いて前記第2被エッチング層上にネ
ガティブ感光膜パターンを形成するステップであって、
パターン寸法が一様でないネガティブ感光膜パターンを
形成するステップと、 前記ネガティブ感光膜パターンで覆われていない第2被
エッチング層を除去して、前記第1被エッチング層のパ
ターンを完全に覆っていない第2被エッチング層のパタ
ーンを形成するステップと、 前記ネガティブ感光膜を除去するステップと、 工程欠陥検査装置を用いて前記第1被エッチング層の露
出パターンを検査するステップと、 前記検査を基礎として露光マスクに含まれるCD差(パ
ターンの近接効果による臨界大きさの差)を測定するス
テップと、 を備える半導体素子の工程欠陥検査方法。 - 【請求項8】 前記第1被エッチング層をA1で形成す
ることを特徴とする請求項7載の半導体素子の工程欠陥
検査方法。 - 【請求項9】 前記第2被エッチング層をTiNで形成
することを特徴とする請求項7載の半導体素子の工程欠
陥検査方法。 - 【請求項10】 前記ネガティブ感光膜パターンがライ
ン/スペースであって、 該ライン/スペースの形成が、ネガティブ感光膜パター
ンが前記ポジティブ膜パターンから、該ライン/スペー
スの長手方向と垂直の方向に、該ライン幅と該スペース
幅との和の1/2に対応した距離だけミスアライメント
されるように行われることを特徴とする請求項7記載の
半導体素子の工程欠陥検査方法。 - 【請求項11】 X=(L+S)×(n+1/2) X:ミスアライメント距離、 L+S:ピッチの大きさ、 L:各ライン幅、 S:各スペース幅、 n:自然数、 の関係を満たすことを特徴とする請求項10記載の半導
体素子の工程欠陥検査方法。 - 【請求項12】 前記第1及び第2被エッチング層のパ
ターンがライン/スペースパターンであって、 S=L×n L:前記第1及び第2被エッチング層のライン/スペー
スパターンの各ライン幅 S:前記第1及び第2被エッチング層のライン/スペー
スパターンの各スペース幅、 n:自然数 の関係を満たすこと特徴とする請求項7記載の半導体素
子の工程欠陥検査方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR95-32095 | 1995-09-27 | ||
KR1019950032095A KR100206594B1 (ko) | 1995-09-27 | 1995-09-27 | 반도체 소자의 공정 결함 검사방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH09293764A JPH09293764A (ja) | 1997-11-11 |
JP2991661B2 true JP2991661B2 (ja) | 1999-12-20 |
Family
ID=19427986
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP25348296A Expired - Fee Related JP2991661B2 (ja) | 1995-09-27 | 1996-09-25 | 半導体素子の工程欠陥検査方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5821131A (ja) |
JP (1) | JP2991661B2 (ja) |
KR (1) | KR100206594B1 (ja) |
TW (1) | TW385511B (ja) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6048745A (en) * | 1997-10-28 | 2000-04-11 | International Business Machines Corporation | Method for mapping scratches in an oxide film |
KR100355771B1 (ko) * | 1999-12-31 | 2002-10-19 | 아남반도체 주식회사 | 반도체 미세 패턴 변위 측정 방법 |
US6671396B1 (en) | 2000-09-18 | 2003-12-30 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Method to monitor stepper lens quality in color filter process |
KR100694597B1 (ko) * | 2005-07-28 | 2007-03-13 | 삼성전자주식회사 | 반도체 장치에서 패턴 결함 검출 방법 |
TW200746259A (en) * | 2006-04-27 | 2007-12-16 | Nikon Corp | Measuring and/or inspecting method, measuring and/or inspecting apparatus, exposure method, device manufacturing method, and device manufacturing apparatus |
KR20180050444A (ko) * | 2016-11-04 | 2018-05-15 | 삼성전자주식회사 | 패턴 검사 방법 및 그를 사용한 레티클 제조 방법 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4586822A (en) * | 1983-06-21 | 1986-05-06 | Nippon Kogaku K. K. | Inspecting method for mask for producing semiconductor device |
JPH0669031B2 (ja) * | 1984-07-17 | 1994-08-31 | 日本電気株式会社 | 半導体装置 |
US5001083A (en) * | 1988-07-12 | 1991-03-19 | Microwave Modules & Devices Inc. | Method of priming semiconductor substrate for subsequent photoresist masking and etching |
-
1995
- 1995-09-27 KR KR1019950032095A patent/KR100206594B1/ko not_active IP Right Cessation
-
1996
- 1996-09-25 TW TW085111719A patent/TW385511B/zh not_active IP Right Cessation
- 1996-09-25 JP JP25348296A patent/JP2991661B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1996-09-25 US US08/719,449 patent/US5821131A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR100206594B1 (ko) | 1999-07-01 |
JPH09293764A (ja) | 1997-11-11 |
US5821131A (en) | 1998-10-13 |
TW385511B (en) | 2000-03-21 |
KR970018319A (ko) | 1997-04-30 |
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Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071015 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081015 Year of fee payment: 9 |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091015 Year of fee payment: 10 |
|
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Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091015 Year of fee payment: 10 |
|
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