JPH0757481A - 記憶装置 - Google Patents
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- JPH0757481A JPH0757481A JP19648893A JP19648893A JPH0757481A JP H0757481 A JPH0757481 A JP H0757481A JP 19648893 A JP19648893 A JP 19648893A JP 19648893 A JP19648893 A JP 19648893A JP H0757481 A JPH0757481 A JP H0757481A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 不揮発性メモリへの情報の書き込み回数を低
減して、書き込み回数に制限のある不揮発性メモリの消
耗を防止できる記憶装置を提供すること。 【構成】 Ｓ１３ではＲＡＭ１ｃに記憶した情報のデー
タ量の算出を行なう。Ｓ１４ではフラッシュＲＯＭ２の
使用可能記憶容量を算出する。Ｓ１５ではデータ量が使
用可能記憶容量を上回るか否かを判定する。データ量が
使用可能記憶容量以下の場合、Ｓ１７にてＲＡＭ１ｃに
蓄えられた情報をフラッシュＲＯＭ２に書き込む。一
方、データ量が使用可能記憶容量を上回る場合は、Ｓ１
６にてフラッシュＲＯＭ２に記憶した情報のうち、消去
フラグがセットされた情報のみ消去を実行する。
減して、書き込み回数に制限のある不揮発性メモリの消
耗を防止できる記憶装置を提供すること。 【構成】 Ｓ１３ではＲＡＭ１ｃに記憶した情報のデー
タ量の算出を行なう。Ｓ１４ではフラッシュＲＯＭ２の
使用可能記憶容量を算出する。Ｓ１５ではデータ量が使
用可能記憶容量を上回るか否かを判定する。データ量が
使用可能記憶容量以下の場合、Ｓ１７にてＲＡＭ１ｃに
蓄えられた情報をフラッシュＲＯＭ２に書き込む。一
方、データ量が使用可能記憶容量を上回る場合は、Ｓ１
６にてフラッシュＲＯＭ２に記憶した情報のうち、消去
フラグがセットされた情報のみ消去を実行する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、書き込み回数に制限の
ある不揮発性メモリである例えばフラッシュＲＯＭ等の
記憶装置に関するものである。
ある不揮発性メモリである例えばフラッシュＲＯＭ等の
記憶装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来より、書き込み及び消去が可能なＲ
ＯＭとして、例えば不揮発性メモリであるフラッシュＲ
ＯＭが知られている。このフラッシュＲＯＭは、電源を
使用しなくても情報を蓄えられる手段として、各種の電
子機器に使用されている。
ＯＭとして、例えば不揮発性メモリであるフラッシュＲ
ＯＭが知られている。このフラッシュＲＯＭは、電源を
使用しなくても情報を蓄えられる手段として、各種の電
子機器に使用されている。
【０００３】前記フラッシュＲＯＭに新たに記憶する場
合には、まず、以前に記憶した情報の全体又は一部を消
去し、その後、電子機器等から送られてきた情報をその
消去した部分に順次書き込む動作を行なっている。とこ
ろが、フラッシュＲＯＭの様な不揮発性メモリは、書換
え回数（実際は消去回数）の増大に伴って劣化する性質
があり、そのため書換え回数の寿命は１０万回程度と制
限されているので、次の様な不具合があった。
合には、まず、以前に記憶した情報の全体又は一部を消
去し、その後、電子機器等から送られてきた情報をその
消去した部分に順次書き込む動作を行なっている。とこ
ろが、フラッシュＲＯＭの様な不揮発性メモリは、書換
え回数（実際は消去回数）の増大に伴って劣化する性質
があり、そのため書換え回数の寿命は１０万回程度と制
限されているので、次の様な不具合があった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】例えば、フラッシュＲ
ＯＭのデータ格納状態が、図８（ａ）の様な場合、デー
タＢの消去が指示されると、フラッシュＲＯＭの使用可
能な記憶容量を確保するために、まずデータＣ〜Ｅを一
旦ＲＡＭに記憶させ、その後データＢ〜Ｅを一括して消
去し、最後に図８（ｂ）に示す様に、ＲＡＭに記憶され
ているデータＣ〜ＥをフラッシュＲＯＭに詰めて書き込
んで、データの消去及び移動を行なっていた。
ＯＭのデータ格納状態が、図８（ａ）の様な場合、デー
タＢの消去が指示されると、フラッシュＲＯＭの使用可
能な記憶容量を確保するために、まずデータＣ〜Ｅを一
旦ＲＡＭに記憶させ、その後データＢ〜Ｅを一括して消
去し、最後に図８（ｂ）に示す様に、ＲＡＭに記憶され
ているデータＣ〜ＥをフラッシュＲＯＭに詰めて書き込
んで、データの消去及び移動を行なっていた。
【０００５】しかしながら、この方法では、１回の消去
命令で、フラッシュＲＯＭの多くの領域（バンド）の消
去及び再書き込みが生ずることになるので、書き込み回
数に制限のあるフラッシュＲＯＭの場合には、その寿命
が急速に短くなってしまうという問題があった。
命令で、フラッシュＲＯＭの多くの領域（バンド）の消
去及び再書き込みが生ずることになるので、書き込み回
数に制限のあるフラッシュＲＯＭの場合には、その寿命
が急速に短くなってしまうという問題があった。
【０００６】本発明は、上記課題を解決するためになさ
れたものであり、不揮発性メモリへの情報の書き込み回
数を低減して、書き込み回数に制限のある不揮発性メモ
リの消耗を防ぐことができる記憶装置を提供することを
目的とする。
れたものであり、不揮発性メモリへの情報の書き込み回
数を低減して、書き込み回数に制限のある不揮発性メモ
リの消耗を防ぐことができる記憶装置を提供することを
目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に、請求項１の発明は、図１に例示する様に、任意の情
報を、書き込み回数に制限のある不揮発性メモリに記憶
する記憶装置において、不揮発性メモリに記憶された情
報の消去を指示する消去指示手段Ｍ１と、消去指示手段
Ｍ１によって所定の情報の消去が指示された場合には、
指示された所定の情報を区別する情報区別手段Ｍ２と、
不揮発性メモリの使用可能記憶容量を求める記憶容量算
出手段Ｍ３と、不揮発性メモリに新たに記憶される情報
のデータ量が、記憶容量算出手段Ｍ３によって算出され
た使用可能記憶容量を上回るか否かを判定するデータ量
判定手段Ｍ４と、データ量判定手段Ｍ４によって、デー
タ量が前記使用可能記憶容量を上回ると判定された場合
には、情報区別手段Ｍ２によって区別された情報のみを
消去する消去実行手段Ｍ５と、を備えたことを特徴とす
る記憶装置を要旨とする。
に、請求項１の発明は、図１に例示する様に、任意の情
報を、書き込み回数に制限のある不揮発性メモリに記憶
する記憶装置において、不揮発性メモリに記憶された情
報の消去を指示する消去指示手段Ｍ１と、消去指示手段
Ｍ１によって所定の情報の消去が指示された場合には、
指示された所定の情報を区別する情報区別手段Ｍ２と、
不揮発性メモリの使用可能記憶容量を求める記憶容量算
出手段Ｍ３と、不揮発性メモリに新たに記憶される情報
のデータ量が、記憶容量算出手段Ｍ３によって算出され
た使用可能記憶容量を上回るか否かを判定するデータ量
判定手段Ｍ４と、データ量判定手段Ｍ４によって、デー
タ量が前記使用可能記憶容量を上回ると判定された場合
には、情報区別手段Ｍ２によって区別された情報のみを
消去する消去実行手段Ｍ５と、を備えたことを特徴とす
る記憶装置を要旨とする。
【０００８】また、請求項２の発明は、図２に例示する
様に、任意の情報を、書き込み回数に制限のある不揮発
性メモリに記憶する記憶装置において、不揮発性メモリ
に記憶された情報の消去を指示する消去指示手段Ｍ１１
と、消去指示手段Ｍ１１によって所定の情報の消去が指
示された場合には、指示された所定の情報を区別する情
報区別手段Ｍ１２と、不揮発性メモリの使用中又は使用
可能の記憶容量を求める記憶容量算出手段Ｍ１３と、記
憶容量算出手段Ｍ１３によって算出された記憶容量が判
定値に達したか否かを判定する記憶容量判定手段Ｍ１４
と、記憶容量判定手段Ｍ１４によって、記憶容量が判定
値に達したと判定された場合には、情報区別手段Ｍ１２
によって区別された情報のみを消去する消去実行手段Ｍ
１５と、を備えたことを特徴とする記憶装置を要旨とす
る。
様に、任意の情報を、書き込み回数に制限のある不揮発
性メモリに記憶する記憶装置において、不揮発性メモリ
に記憶された情報の消去を指示する消去指示手段Ｍ１１
と、消去指示手段Ｍ１１によって所定の情報の消去が指
示された場合には、指示された所定の情報を区別する情
報区別手段Ｍ１２と、不揮発性メモリの使用中又は使用
可能の記憶容量を求める記憶容量算出手段Ｍ１３と、記
憶容量算出手段Ｍ１３によって算出された記憶容量が判
定値に達したか否かを判定する記憶容量判定手段Ｍ１４
と、記憶容量判定手段Ｍ１４によって、記憶容量が判定
値に達したと判定された場合には、情報区別手段Ｍ１２
によって区別された情報のみを消去する消去実行手段Ｍ
１５と、を備えたことを特徴とする記憶装置を要旨とす
る。
【０００９】
【作用】前記構成を有する本発明の記憶装置は、任意の
情報を、例えばフラッシュＲＯＭ等の書き込み回数に制
限のある不揮発性メモリに記憶するものである。請求項
１の記憶装置においては、不揮発性メモリに記憶された
情報の消去を指示する消去指示手段Ｍ１によって所定の
情報の消去が指示された場合には、情報区別手段Ｍ２に
よって、前記消去が指示された所定の情報を区別する。
また、記憶容量算出手段Ｍ３によって、不揮発性メモリ
の使用可能記憶容量を求め、データ量判定手段Ｍ４によ
って、不揮発性メモリに新たに記憶される情報のデータ
量が使用可能記憶容量を上回るか否かを判定する。ここ
で、データ量が使用可能記憶容量を上回ると判定された
場合には、消去実行手段Ｍ５によって、前記情報区別手
段Ｍ２により区別された情報のみを消去する。
情報を、例えばフラッシュＲＯＭ等の書き込み回数に制
限のある不揮発性メモリに記憶するものである。請求項
１の記憶装置においては、不揮発性メモリに記憶された
情報の消去を指示する消去指示手段Ｍ１によって所定の
情報の消去が指示された場合には、情報区別手段Ｍ２に
よって、前記消去が指示された所定の情報を区別する。
また、記憶容量算出手段Ｍ３によって、不揮発性メモリ
の使用可能記憶容量を求め、データ量判定手段Ｍ４によ
って、不揮発性メモリに新たに記憶される情報のデータ
量が使用可能記憶容量を上回るか否かを判定する。ここ
で、データ量が使用可能記憶容量を上回ると判定された
場合には、消去実行手段Ｍ５によって、前記情報区別手
段Ｍ２により区別された情報のみを消去する。
【００１０】つまり、この発明では、消去が指示された
情報を即時消去するのではなく、単にフラグ等で区別し
ておき、使用可能な記憶容量が不足した場合にまとめて
消去するので、消去回数（即ち書き込み回数）が少なく
なり、よって、書き込み回数に制限のある不揮発性メモ
リの消耗を低減することが可能である。
情報を即時消去するのではなく、単にフラグ等で区別し
ておき、使用可能な記憶容量が不足した場合にまとめて
消去するので、消去回数（即ち書き込み回数）が少なく
なり、よって、書き込み回数に制限のある不揮発性メモ
リの消耗を低減することが可能である。
【００１１】また、請求項２の記憶装置においては、不
揮発性メモリに記憶された情報の消去を指示する消去指
示手段Ｍ１１によって所定の情報の消去が指示された場
合には、情報区別手段Ｍ１２によって、前記消去が指示
された所定の情報を区別する。また、記憶容量算出手段
Ｍ１３によって、不揮発性メモリの使用中又は使用可能
の記憶容量を求め、記憶容量判定手段Ｍ１４によって、
この記憶容量が判定値に達したか否かを判定する。ここ
で、記憶容量が判定値に達したと判定された場合には、
消去実行手段Ｍ１５によって、前記情報区別手段Ｍ１２
により区別された情報のみを消去する。
揮発性メモリに記憶された情報の消去を指示する消去指
示手段Ｍ１１によって所定の情報の消去が指示された場
合には、情報区別手段Ｍ１２によって、前記消去が指示
された所定の情報を区別する。また、記憶容量算出手段
Ｍ１３によって、不揮発性メモリの使用中又は使用可能
の記憶容量を求め、記憶容量判定手段Ｍ１４によって、
この記憶容量が判定値に達したか否かを判定する。ここ
で、記憶容量が判定値に達したと判定された場合には、
消去実行手段Ｍ１５によって、前記情報区別手段Ｍ１２
により区別された情報のみを消去する。
【００１２】つまり、この発明では、消去が指示された
情報を即時消去するのではなく、単にフラグ等で区別し
ておき、使用されている記憶容量又は使用可能な記憶容
量が判定値に達した場合にまとめて消去するので、消去
回数（即ち書き込み回数）が少なくなり、よって、書き
込み回数に制限のある不揮発性メモリの消耗を低減する
ことが可能である。
情報を即時消去するのではなく、単にフラグ等で区別し
ておき、使用されている記憶容量又は使用可能な記憶容
量が判定値に達した場合にまとめて消去するので、消去
回数（即ち書き込み回数）が少なくなり、よって、書き
込み回数に制限のある不揮発性メモリの消耗を低減する
ことが可能である。
【００１３】
【実施例】以下、本発明を具体化した記憶装置の実施例
を、図面に基づいて説明する。図３は、第１実施例の電
気的構成を示すブロック図である。図３に示す様に、本
実施例の記憶装置は、プリンタ１を中心としたシステム
として構成され、このプリンタ１に対してフラッシュＲ
ＯＭ２を内蔵するカートリッジ３が着脱自在に装着され
ている。また、プリンタ１には、プリンタ１を制御する
とともに、フラッシュＲＯＭ２に書き込む情報を入力す
るホストコンピュータ４が接続されている。
を、図面に基づいて説明する。図３は、第１実施例の電
気的構成を示すブロック図である。図３に示す様に、本
実施例の記憶装置は、プリンタ１を中心としたシステム
として構成され、このプリンタ１に対してフラッシュＲ
ＯＭ２を内蔵するカートリッジ３が着脱自在に装着され
ている。また、プリンタ１には、プリンタ１を制御する
とともに、フラッシュＲＯＭ２に書き込む情報を入力す
るホストコンピュータ４が接続されている。
【００１４】前記プリンタ１は、その電子制御機構とし
て、プリンタ１の制御処理を行なうＣＰＵ１ａ，メイン
制御プログラムやフラッシュＲＯＭ２の制御プログラム
などの制御プログラムを格納するＲＯＭ１ｂ，ホストコ
ンピュータ４等から送られた情報や各種演算結果等を一
時記憶するＲＡＭ１ｃ，フラッシュＲＯＭ２の読み込
み，書き込み，消去等の制御を行なうフラッシュＲＯＭ
制御部１ｄ，ホストコンピュータ４との間の通信を行な
う入出力インターフェース１ｅ，印字を行うための印字
情報処理部１ｆ，各種のパネル処理を行なうパネル操作
部１ｇ，それらを相互に接続するバス１ｈを備えてい
る。
て、プリンタ１の制御処理を行なうＣＰＵ１ａ，メイン
制御プログラムやフラッシュＲＯＭ２の制御プログラム
などの制御プログラムを格納するＲＯＭ１ｂ，ホストコ
ンピュータ４等から送られた情報や各種演算結果等を一
時記憶するＲＡＭ１ｃ，フラッシュＲＯＭ２の読み込
み，書き込み，消去等の制御を行なうフラッシュＲＯＭ
制御部１ｄ，ホストコンピュータ４との間の通信を行な
う入出力インターフェース１ｅ，印字を行うための印字
情報処理部１ｆ，各種のパネル処理を行なうパネル操作
部１ｇ，それらを相互に接続するバス１ｈを備えてい
る。
【００１５】また、前記フラッシュＲＯＭ制御部１ｄに
は、消去が指示されたデータに消去フラグをセットする
消去フラグ制御部１ｄ’が設けられており、更にＲＡＭ
１ｃには、ホストコンピュータ４から送られた情報を一
時記憶したり、フラッシュＲＯＭから送られた情報を一
時記憶する受信バッファ１ｃ’が設けられている。
は、消去が指示されたデータに消去フラグをセットする
消去フラグ制御部１ｄ’が設けられており、更にＲＡＭ
１ｃには、ホストコンピュータ４から送られた情報を一
時記憶したり、フラッシュＲＯＭから送られた情報を一
時記憶する受信バッファ１ｃ’が設けられている。
【００１６】次に、本実施例の記憶装置の動作を、図４
及び図５のフローチャート及び図６のデータ格納状態を
示す説明図に基づいて説明する。まず、図４に基づい
て、消去するデータに消去フラグを設定する処理ついて
説明する。
及び図５のフローチャート及び図６のデータ格納状態を
示す説明図に基づいて説明する。まず、図４に基づい
て、消去するデータに消去フラグを設定する処理ついて
説明する。
【００１７】図４に示す様に、ステップ（以下Ｓと記
す）１にて、ホストコンピュータ４又はパネル操作部１
ｇから、フラッシュＲＯＭ２に記憶されている情報の消
去の指示があるか否かを判定し、ここで肯定判断される
とＳ２に進み、一方否定判断されると、一旦本処理を終
了する。
す）１にて、ホストコンピュータ４又はパネル操作部１
ｇから、フラッシュＲＯＭ２に記憶されている情報の消
去の指示があるか否かを判定し、ここで肯定判断される
とＳ２に進み、一方否定判断されると、一旦本処理を終
了する。
【００１８】Ｓ２では、フラッシュＲＯＭ２に記憶され
ている情報のうち、消去を指示された情報（即ち消去す
べき各々のデータ）に対し、消去フラグ制御部を１ｄ’
を駆動して、消去フラグを”１”と設定する。例えば、
図６に示す様に、データＡ〜Ｄのうち、消去を指示され
たものがデータＡ，Ｃ，Ｄの場合には、そのデータに消
去フラグをセットする。尚、消去を指示されないデータ
Ｂの消去フラグはセットされず、その値は”０”のまま
である。
ている情報のうち、消去を指示された情報（即ち消去す
べき各々のデータ）に対し、消去フラグ制御部を１ｄ’
を駆動して、消去フラグを”１”と設定する。例えば、
図６に示す様に、データＡ〜Ｄのうち、消去を指示され
たものがデータＡ，Ｃ，Ｄの場合には、そのデータに消
去フラグをセットする。尚、消去を指示されないデータ
Ｂの消去フラグはセットされず、その値は”０”のまま
である。
【００１９】続くＳ３では、情報の消去の指示が終了し
たか否かを判定し、ここ否定判断されるとＳ１に戻っ
て、他のデータに消去フラグをセットする処理を繰り返
し、一方肯定判断されると、一旦本処理を終了する。次
に、図５に基づいて、図４の処理にて設定された消去フ
ラグを用いて、実際に消去を実行する処理について説明
する。
たか否かを判定し、ここ否定判断されるとＳ１に戻っ
て、他のデータに消去フラグをセットする処理を繰り返
し、一方肯定判断されると、一旦本処理を終了する。次
に、図５に基づいて、図４の処理にて設定された消去フ
ラグを用いて、実際に消去を実行する処理について説明
する。
【００２０】図５に示す様に、まず、Ｓ１１にて、ホス
トコンピュータ４からプリンタ１へ、新たに記憶すべき
情報の入力を行ない、入力した情報を、ＲＡＭ１ｃ内の
受信バッファ１ｃ’に記憶する。続くＳ１２では、情報
の入力が終了したか否かを判定し、ここで否定判断され
るとＳ１１に戻り、一方肯定判断されるとＳ１３に進
む。
トコンピュータ４からプリンタ１へ、新たに記憶すべき
情報の入力を行ない、入力した情報を、ＲＡＭ１ｃ内の
受信バッファ１ｃ’に記憶する。続くＳ１２では、情報
の入力が終了したか否かを判定し、ここで否定判断され
るとＳ１１に戻り、一方肯定判断されるとＳ１３に進
む。
【００２１】Ｓ１３では、ＲＡＭ１ｃに記憶した情報
（例えば図６のデータＥ）のデータ量の算出を行なう。
続くＳ１４では、フラッシュＲＯＭ２の使用可能記憶容
量を算出する。この使用可能記憶容量とは、フラッシュ
ＲＯＭ２の記憶容量のうち、現在記憶されている情報に
使用されている容量以外の残りの記憶容量である。
（例えば図６のデータＥ）のデータ量の算出を行なう。
続くＳ１４では、フラッシュＲＯＭ２の使用可能記憶容
量を算出する。この使用可能記憶容量とは、フラッシュ
ＲＯＭ２の記憶容量のうち、現在記憶されている情報に
使用されている容量以外の残りの記憶容量である。
【００２２】続くＳ１５では、ＲＡＭ１ｃに記憶した情
報のデータ量が、フラッシュＲＯＭ２の使用可能記憶容
量を上回るか否かを判定する。ここで肯定判断されると
Ｓ１６に進み、一方否定判断されるとＳ１７に進む。Ｓ
１７では、ＲＡＭ１ｃに記憶されている情報のデータ量
がフラッシュＲＯＭ２の使用可能記憶容量以下であり、
この使用可能記憶容量で正常に記憶が可能であるので、
フラッシュＲＯＭ制御部１ｄを駆動して、ＲＡＭ１ｃに
蓄えられた情報をフラッシュＲＯＭ２に書き込み、一旦
本処理を終了する。
報のデータ量が、フラッシュＲＯＭ２の使用可能記憶容
量を上回るか否かを判定する。ここで肯定判断されると
Ｓ１６に進み、一方否定判断されるとＳ１７に進む。Ｓ
１７では、ＲＡＭ１ｃに記憶されている情報のデータ量
がフラッシュＲＯＭ２の使用可能記憶容量以下であり、
この使用可能記憶容量で正常に記憶が可能であるので、
フラッシュＲＯＭ制御部１ｄを駆動して、ＲＡＭ１ｃに
蓄えられた情報をフラッシュＲＯＭ２に書き込み、一旦
本処理を終了する。
【００２３】一方、Ｓ１６では、ＲＡＭ１ｃに記憶した
情報のデータ量がフラッシュＲＯＭ２の使用可能記憶容
量を上回り、そのまま記憶を実行すると記憶が失敗する
ので、フラッシュＲＯＭ２に記憶した情報のうち、消去
フラグがセットされた情報のみ消去を実行する。例えば
図６に示す様に、データＡ，Ｃ，Ｄに消去フラグがセッ
トされている場合には、この消去フラグがセットされた
データＡ，Ｃ，Ｄのみを消去して、消去フラグがセット
されていないデータＢのみ残す処理を行なう。具体的に
は、まず、消去しないデータＢのみを一旦ＲＡＭ１ｃに
記憶し、その後記憶されている全てのデータＡ〜Ｄを消
去し、最後にＲＡＭ１ｃに記憶しておいたデータＢをフ
ラッシュＲＯＭ２に書き込む処理を行なう。
情報のデータ量がフラッシュＲＯＭ２の使用可能記憶容
量を上回り、そのまま記憶を実行すると記憶が失敗する
ので、フラッシュＲＯＭ２に記憶した情報のうち、消去
フラグがセットされた情報のみ消去を実行する。例えば
図６に示す様に、データＡ，Ｃ，Ｄに消去フラグがセッ
トされている場合には、この消去フラグがセットされた
データＡ，Ｃ，Ｄのみを消去して、消去フラグがセット
されていないデータＢのみ残す処理を行なう。具体的に
は、まず、消去しないデータＢのみを一旦ＲＡＭ１ｃに
記憶し、その後記憶されている全てのデータＡ〜Ｄを消
去し、最後にＲＡＭ１ｃに記憶しておいたデータＢをフ
ラッシュＲＯＭ２に書き込む処理を行なう。
【００２４】続くＳ１８では、新たに記憶すべき情報
（データＥ）のデータ量が、消去を行った後のフラッシ
ュＲＯＭ２の使用可能記憶容量を上回るか否かを判定す
る。ここで肯定判断されるとＳ１９に進み、一方否定判
断されるとＳ１７に進む。Ｓ１９では、不要なデータの
消去を行ったにもかかわらず、記憶すべき情報（データ
Ｅ）のデータ量がフラッシュＲＯＭ２の使用可能記憶容
量を上回るので、この旨をメモリフルエラーとして、例
えば図示しないプリンタ１の表示装置やホストコンピュ
ータ４のＣＲＴ等に出力し、一旦本処理を終了する。
（データＥ）のデータ量が、消去を行った後のフラッシ
ュＲＯＭ２の使用可能記憶容量を上回るか否かを判定す
る。ここで肯定判断されるとＳ１９に進み、一方否定判
断されるとＳ１７に進む。Ｓ１９では、不要なデータの
消去を行ったにもかかわらず、記憶すべき情報（データ
Ｅ）のデータ量がフラッシュＲＯＭ２の使用可能記憶容
量を上回るので、この旨をメモリフルエラーとして、例
えば図示しないプリンタ１の表示装置やホストコンピュ
ータ４のＣＲＴ等に出力し、一旦本処理を終了する。
【００２５】この様に、本実施例では、Ｓ１〜Ｓ３の処
理にて、消去を指示された情報に消去フラグを設定する
ことができる。また、Ｓ１１〜Ｓ１９にて、新たに記憶
すべき情報のデータ量とフラッシュＲＯＭ２の使用可能
記憶容量とを比較し、記憶すべき情報のデータ量が記憶
容量をオーバーする場合には、前記Ｓ１〜Ｓ３の処理に
て消去フラグがセットされたデータのみを一括して消去
して、フラッシュＲＯＭ２の使用可能記憶容量を増やす
ことができる。つまり、消去の指示があった場合に逐次
消去を行なうのではなく、使用可能記憶容量に余裕があ
る場合は、あえて消去を行わず、新たに記憶すべき情報
を書き込む余裕がない場合のみ、消去フラグのセットし
てある情報を一括して消去するものである。それによっ
て、書き込み回数は最小限に抑えられるので、フラッシ
ュＲＯＭ２の寿命の低下（消耗）を防止することができ
るという顕著な効果がある。
理にて、消去を指示された情報に消去フラグを設定する
ことができる。また、Ｓ１１〜Ｓ１９にて、新たに記憶
すべき情報のデータ量とフラッシュＲＯＭ２の使用可能
記憶容量とを比較し、記憶すべき情報のデータ量が記憶
容量をオーバーする場合には、前記Ｓ１〜Ｓ３の処理に
て消去フラグがセットされたデータのみを一括して消去
して、フラッシュＲＯＭ２の使用可能記憶容量を増やす
ことができる。つまり、消去の指示があった場合に逐次
消去を行なうのではなく、使用可能記憶容量に余裕があ
る場合は、あえて消去を行わず、新たに記憶すべき情報
を書き込む余裕がない場合のみ、消去フラグのセットし
てある情報を一括して消去するものである。それによっ
て、書き込み回数は最小限に抑えられるので、フラッシ
ュＲＯＭ２の寿命の低下（消耗）を防止することができ
るという顕著な効果がある。
【００２６】次に、第２実施例について、図７のフロー
チャートに基づいて説明する。本実施例は、前記第１実
施例とはデータの消去を実行する条件が異なる。尚、本
実施例のハード構成や消去フラグを設定する処理は、前
記第１実施例と同様であるので説明は省略し、図７に示
すデータの消去を実行する処理についても同様な部分は
簡略化する。
チャートに基づいて説明する。本実施例は、前記第１実
施例とはデータの消去を実行する条件が異なる。尚、本
実施例のハード構成や消去フラグを設定する処理は、前
記第１実施例と同様であるので説明は省略し、図７に示
すデータの消去を実行する処理についても同様な部分は
簡略化する。
【００２７】図７に示す様に、Ｓ２１にて、新たに記憶
すべき情報を、ＲＡＭ１ｃ内の受信バッファ１ｃ’に記
憶し、続くＳ２２では、情報の入力が終了したか否かを
判定し、ここで肯定判断されるとＳ２３に進む。Ｓ２３
では、ＲＡＭ１ｃに記憶した情報のデータ量の算出を行
ない、続くＳ２４では、フラッシュＲＯＭ２の使用可能
記憶容量を算出する。
すべき情報を、ＲＡＭ１ｃ内の受信バッファ１ｃ’に記
憶し、続くＳ２２では、情報の入力が終了したか否かを
判定し、ここで肯定判断されるとＳ２３に進む。Ｓ２３
では、ＲＡＭ１ｃに記憶した情報のデータ量の算出を行
ない、続くＳ２４では、フラッシュＲＯＭ２の使用可能
記憶容量を算出する。
【００２８】続くＳ２５では、ＲＡＭ１ｃに記憶した情
報（記憶すべき情報）のデータ量が、使用可能記憶容量
を上回るか否かを判定する。ここで肯定判断されるとＳ
２７に進み、一方否定判断されるとＳ２６に進む。Ｓ２
７では、仮に不要なデータの消去を行った場合でも、記
憶すべき情報のデータ量がフラッシュＲＯＭ２の使用可
能記憶容量を上回ってしまうので、即ち、不要なデータ
を消去しても記憶容量が不足するので、この旨をメモリ
フルエラーとして出力し、一旦本処理を終了する。
報（記憶すべき情報）のデータ量が、使用可能記憶容量
を上回るか否かを判定する。ここで肯定判断されるとＳ
２７に進み、一方否定判断されるとＳ２６に進む。Ｓ２
７では、仮に不要なデータの消去を行った場合でも、記
憶すべき情報のデータ量がフラッシュＲＯＭ２の使用可
能記憶容量を上回ってしまうので、即ち、不要なデータ
を消去しても記憶容量が不足するので、この旨をメモリ
フルエラーとして出力し、一旦本処理を終了する。
【００２９】一方、Ｓ２６では、記憶すべき情報のデー
タ量が使用可能記憶容量以下であり、新たに記憶する余
裕があるので、そのままフラッシュＲＯＭ２に情報を書
き込む。続くＳ２８では、フラッシュＲＯＭ２の使用可
能記憶容量が、予め設定した判定値（例えば全記憶容量
の５０％）を下回るか否かを判定する。ここで肯定判断
されるとＳ２９に進み、一方否定判断されると、使用可
能記憶容量にまだ余裕があるとして、一旦本処理を終了
する。
タ量が使用可能記憶容量以下であり、新たに記憶する余
裕があるので、そのままフラッシュＲＯＭ２に情報を書
き込む。続くＳ２８では、フラッシュＲＯＭ２の使用可
能記憶容量が、予め設定した判定値（例えば全記憶容量
の５０％）を下回るか否かを判定する。ここで肯定判断
されるとＳ２９に進み、一方否定判断されると、使用可
能記憶容量にまだ余裕があるとして、一旦本処理を終了
する。
【００３０】Ｓ２９では、フラッシュＲＯＭ２の使用可
能記憶容量が５０％以下と少なくなっているので、フラ
ッシュＲＯＭ２に記憶した情報のうち、消去フラグがセ
ットされた情報のみ消去を実行し、一旦本処理を終了す
る。この様に、本実施例では、使用可能記憶容量がある
値に達した場合には、消去セットがセットされたデータ
のみを一括して消去して、フラッシュＲＯＭ２の使用可
能記憶容量を増やすことができる。つまり、消去の指示
があった場合に逐次消去を行なうのではなく、使用可能
記憶容量に余裕がある場合は、あえて消去を行わず、使
用可能記憶容量が少なくなった場合のみ、消去フラグの
セットしてある情報を一括して消去するものである。そ
れによって、前記第１実施例と同様に、書き込み回数を
抑えられるので、フラッシュＲＯＭ２の寿命の低下を防
止することができる。また、本実施例の場合には、デー
タがかなり記憶された後に、新たなデータを記憶すると
きには、既に不要なデータの消去が実行されているの
で、迅速に新たなデータを書き込むことができるという
顕著な効果がある。
能記憶容量が５０％以下と少なくなっているので、フラ
ッシュＲＯＭ２に記憶した情報のうち、消去フラグがセ
ットされた情報のみ消去を実行し、一旦本処理を終了す
る。この様に、本実施例では、使用可能記憶容量がある
値に達した場合には、消去セットがセットされたデータ
のみを一括して消去して、フラッシュＲＯＭ２の使用可
能記憶容量を増やすことができる。つまり、消去の指示
があった場合に逐次消去を行なうのではなく、使用可能
記憶容量に余裕がある場合は、あえて消去を行わず、使
用可能記憶容量が少なくなった場合のみ、消去フラグの
セットしてある情報を一括して消去するものである。そ
れによって、前記第１実施例と同様に、書き込み回数を
抑えられるので、フラッシュＲＯＭ２の寿命の低下を防
止することができる。また、本実施例の場合には、デー
タがかなり記憶された後に、新たなデータを記憶すると
きには、既に不要なデータの消去が実行されているの
で、迅速に新たなデータを書き込むことができるという
顕著な効果がある。
【００３１】尚、本発明は、上記実施例に何等限定され
ず、本発明の要旨の範囲内において各種の態様で実施で
きることは勿論である。例えば、前記第２実施例では、
使用可能記憶容量が所定値に達した場合に、不要なデー
タの消去を行なっているが、それとは別に、既に使用さ
れた記憶容量が所定に達した場合に、不要なデータの消
去を行なってもよい。
ず、本発明の要旨の範囲内において各種の態様で実施で
きることは勿論である。例えば、前記第２実施例では、
使用可能記憶容量が所定値に達した場合に、不要なデー
タの消去を行なっているが、それとは別に、既に使用さ
れた記憶容量が所定に達した場合に、不要なデータの消
去を行なってもよい。
【００３２】また、最初の１回の消去のみ第２実施例で
データの消去を行ない、２回目からは、第１実施例でデ
ータの消去を行なってもよい。更に、ホストコンピュー
タ４から入力されたデータをフラッシュＲＯＭ２に格納
する以外に、例えばパネル操作部１ｇの操作によって、
ＲＯＭ１ｂに格納されているフォントデータ等をフラッ
シュＲＯＭ２に格納する様にしてもよい。
データの消去を行ない、２回目からは、第１実施例でデ
ータの消去を行なってもよい。更に、ホストコンピュー
タ４から入力されたデータをフラッシュＲＯＭ２に格納
する以外に、例えばパネル操作部１ｇの操作によって、
ＲＯＭ１ｂに格納されているフォントデータ等をフラッ
シュＲＯＭ２に格納する様にしてもよい。
【００３３】また、フラッシュＲＯＭ２がカートリッジ
式ではなく、例えばプリンタ１等の装置の本体側に内蔵
されているものでもよい。
式ではなく、例えばプリンタ１等の装置の本体側に内蔵
されているものでもよい。
【００３４】
【発明の効果】以上詳述したことから明らかな様に、請
求項１の発明によれば、消去が指示された情報を即時消
去するのではなく、単にフラグ等で区別しておき、使用
可能な記憶容量が不足した場合にまとめて消去するの
で、書き込み回数が少なくなり、よって、書き込み回数
に制限のある不揮発性メモリの消耗を低減することがで
きるという顕著な効果を奏する。
求項１の発明によれば、消去が指示された情報を即時消
去するのではなく、単にフラグ等で区別しておき、使用
可能な記憶容量が不足した場合にまとめて消去するの
で、書き込み回数が少なくなり、よって、書き込み回数
に制限のある不揮発性メモリの消耗を低減することがで
きるという顕著な効果を奏する。
【００３５】また、請求項２の発明によれば、消去が指
示された情報を即時消去するのではなく、単にフラグ等
で区別しておき、使用されている記憶容量又は使用可能
な記憶容量が判定値に達した場合にまとめて消去するの
で、書き込み回数が少なくなり、よって、請求項１の発
明と同様に、不揮発性メモリの消耗を低減することがで
きる。特に本発明では、ある程度情報が記憶されている
場合に新たに情報を記憶するときには、不要な情報は既
に消去されているので、迅速にメモリに書き込むことが
できるという顕著な効果を奏する。
示された情報を即時消去するのではなく、単にフラグ等
で区別しておき、使用されている記憶容量又は使用可能
な記憶容量が判定値に達した場合にまとめて消去するの
で、書き込み回数が少なくなり、よって、請求項１の発
明と同様に、不揮発性メモリの消耗を低減することがで
きる。特に本発明では、ある程度情報が記憶されている
場合に新たに情報を記憶するときには、不要な情報は既
に消去されているので、迅速にメモリに書き込むことが
できるという顕著な効果を奏する。
【図１】 請求項１の発明を例示する概略構成図であ
る。
る。
【図２】 請求項２の発明を例示する概略構成図であ
る。
る。
【図３】 第１実施例の装置の全体構成を示すブロック
図である。
図である。
【図４】 第１実施例のフラグ設定の処理を示すフロー
チャートである。
チャートである。
【図５】 第１実施例のデータ消去の処理を示すフロー
チャートである。
チャートである。
【図６】 第１実施例のデータ格納状態を示す説明図で
ある。
ある。
【図７】 第２実施例のデータ消去の処理を示すフロー
チャートである。
チャートである。
【図８】 従来例のデータ格納状態を示す説明図であ
る。
る。
Ｍ１，Ｍ１１…消去指示手段 Ｍ２，Ｍ１２…情
報区別手段 Ｍ３，Ｍ１３…記憶容量算出手段 Ｍ４…データ量算
出手段 Ｍ５，Ｍ１５…消去実行手段 Ｍ１４…記憶容量
判定手段 １…プリンタ ２…フラッシュＲＯＭ ３…カートリッジ ４…ホストコンピュータ １ｃ…ＲＡＭ １ｄ…フラッシュＲＯＭ
制御部 １ｄ’…消去フラグ制御部
報区別手段 Ｍ３，Ｍ１３…記憶容量算出手段 Ｍ４…データ量算
出手段 Ｍ５，Ｍ１５…消去実行手段 Ｍ１４…記憶容量
判定手段 １…プリンタ ２…フラッシュＲＯＭ ３…カートリッジ ４…ホストコンピュータ １ｃ…ＲＡＭ １ｄ…フラッシュＲＯＭ
制御部 １ｄ’…消去フラグ制御部
Claims (2)
- 【請求項１】 任意の情報を、書き込み回数に制限のあ
る不揮発性メモリに記憶する記憶装置において、 前記不揮発性メモリに記憶された情報の消去を指示する
消去指示手段と、 該消去指示手段によって所定の情報の消去が指示された
場合には、指示された所定の情報を区別する情報区別手
段と、 前記不揮発性メモリの使用可能記憶容量を求める記憶容
量算出手段と、 前記不揮発性メモリに新たに記憶される情報のデータ量
が、前記記憶容量算出手段によって算出された使用可能
記憶容量を上回るか否かを判定するデータ量判定手段
と、 該データ量判定手段によって、前記データ量が前記使用
可能記憶容量を上回ると判定された場合には、前記情報
区別手段によって区別された情報のみを消去する消去実
行手段と、 を備えたことを特徴とする記憶装置。 - 【請求項２】 任意の情報を、書き込み回数に制限のあ
る不揮発性メモリに記憶する記憶装置において、 前記不揮発性メモリに記憶された情報の消去を指示する
消去指示手段と、 該消去指示手段によって所定の情報の消去が指示された
場合には、指示された所定の情報を区別する情報区別手
段と、 前記不揮発性メモリの使用中又は使用可能の記憶容量を
求める記憶容量算出手段と、 該記憶容量算出手段によって算出された記憶容量が判定
値に達したか否かを判定する記憶容量判定手段と、 該記憶容量判定手段によって、前記記憶容量が判定値に
達したと判定された場合には、前記情報区別手段によっ
て区別された情報のみを消去する消去実行手段と、 を備えたことを特徴とする記憶装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19648893A JPH0757481A (ja) | 1993-08-06 | 1993-08-06 | 記憶装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19648893A JPH0757481A (ja) | 1993-08-06 | 1993-08-06 | 記憶装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0757481A true JPH0757481A (ja) | 1995-03-03 |
Family
ID=16358618
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19648893A Pending JPH0757481A (ja) | 1993-08-06 | 1993-08-06 | 記憶装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0757481A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999027436A1 (fr) * | 1997-11-25 | 1999-06-03 | Seiko Epson Corporation | Imprimante, procede de commande et support d'enregistrement |
| JP2001195889A (ja) * | 2000-11-15 | 2001-07-19 | Fujitsu Ltd | 記憶装置の書き込み／消去方法 |
| US6847950B1 (en) * | 1999-04-30 | 2005-01-25 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Contents managing method and contents managing apparatus |
| JP2005338897A (ja) * | 2004-05-24 | 2005-12-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 不揮発性記憶装置および不揮発性メモリの消去方法と書込み方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0527924A (ja) * | 1991-07-12 | 1993-02-05 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 半導体メモリを用いた外部記憶システム及びその制御方法 |
-
1993
- 1993-08-06 JP JP19648893A patent/JPH0757481A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0527924A (ja) * | 1991-07-12 | 1993-02-05 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 半導体メモリを用いた外部記憶システム及びその制御方法 |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999027436A1 (fr) * | 1997-11-25 | 1999-06-03 | Seiko Epson Corporation | Imprimante, procede de commande et support d'enregistrement |
| US6244762B1 (en) | 1997-11-25 | 2001-06-12 | Seiko Epson Corporation | Printing apparatus, method of controlling it and storage medium |
| US6847950B1 (en) * | 1999-04-30 | 2005-01-25 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Contents managing method and contents managing apparatus |
| JP2001195889A (ja) * | 2000-11-15 | 2001-07-19 | Fujitsu Ltd | 記憶装置の書き込み／消去方法 |
| JP2005338897A (ja) * | 2004-05-24 | 2005-12-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 不揮発性記憶装置および不揮発性メモリの消去方法と書込み方法 |
| JP4661086B2 (ja) * | 2004-05-24 | 2011-03-30 | パナソニック株式会社 | 不揮発性記憶装置および不揮発性メモリの消去方法と書込み方法 |
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