JPH05166390A - メモリカードとそのデータの書き込み，消去方法 - Google Patents
メモリカードとそのデータの書き込み，消去方法Info
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- JPH05166390A JPH05166390A JP33065191A JP33065191A JPH05166390A JP H05166390 A JPH05166390 A JP H05166390A JP 33065191 A JP33065191 A JP 33065191A JP 33065191 A JP33065191 A JP 33065191A JP H05166390 A JPH05166390 A JP H05166390A
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- erase
- writing
- erasing
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 Ｅ2ＰＲＯＭを内蔵するメモリカードヘのデ
ータの書き込み，消去の複雑な操作を、外部システムか
ら外し、メモリカードにその機能を持たせ容易とする。 【構成】 フラッシュＥ2ＰＲＯＭを内蔵するメモリカ
ード１において、上記フラッシュＥ2ＰＲＯＭの書き込
みコマンド発生手段３，書き込み時間発生用タイマー手
段４，書き込みベリファイコマンド発生手段５及び書き
込み時間発生用タイマー６を順々に動作させる書込み制
御並びに上記フラッシュＥ2ＰＲＯＭの消去コマンド発
生手段８，消去時間発生用タイマー手段９，消去ベリフ
ァイコマンド発生手段10及び消去時間発生用タイマー11
を順々に動作させる消去の制御を制御手段２で行ない、
これら各手段をメモリカード内に有する。
ータの書き込み，消去の複雑な操作を、外部システムか
ら外し、メモリカードにその機能を持たせ容易とする。 【構成】 フラッシュＥ2ＰＲＯＭを内蔵するメモリカ
ード１において、上記フラッシュＥ2ＰＲＯＭの書き込
みコマンド発生手段３，書き込み時間発生用タイマー手
段４，書き込みベリファイコマンド発生手段５及び書き
込み時間発生用タイマー６を順々に動作させる書込み制
御並びに上記フラッシュＥ2ＰＲＯＭの消去コマンド発
生手段８，消去時間発生用タイマー手段９，消去ベリフ
ァイコマンド発生手段10及び消去時間発生用タイマー11
を順々に動作させる消去の制御を制御手段２で行ない、
これら各手段をメモリカード内に有する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、フラッシュＥ2ＰＲＯ
Ｍ(イースクエア・ピーロム)を内蔵するメモリカードと
そのデータの書き込み消去方法に関する。
Ｍ(イースクエア・ピーロム)を内蔵するメモリカードと
そのデータの書き込み消去方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、フラッシュＥ2ＰＲＯＭを内蔵す
るメモリカード(単にメモリカードという)にデータを書
き込むには、外部システムから書き込みアドレスをセッ
トしてプログラムコマンドを送り、データを書き込む。
そして、書き込まれたデータが正しいか否か外部システ
ムがチェックし、データの書き込みが失敗ならば、同じ
操作をして、正しくデータが書き込まれるまで、操作を
繰返していた。
るメモリカード(単にメモリカードという)にデータを書
き込むには、外部システムから書き込みアドレスをセッ
トしてプログラムコマンドを送り、データを書き込む。
そして、書き込まれたデータが正しいか否か外部システ
ムがチェックし、データの書き込みが失敗ならば、同じ
操作をして、正しくデータが書き込まれるまで、操作を
繰返していた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】このように、従来はメ
モリカードにデータを書き込むには、外部システムで制
御してやらなければならなく、また、メモリカードのデ
ータの消去も、外部システムで複雑なアルゴリズムで操
作しなければならなく、このメモリカードはＳＲＡＭカ
ードに比べて書き込み，消去が複雑で扱いにくいという
問題があった。
モリカードにデータを書き込むには、外部システムで制
御してやらなければならなく、また、メモリカードのデ
ータの消去も、外部システムで複雑なアルゴリズムで操
作しなければならなく、このメモリカードはＳＲＡＭカ
ードに比べて書き込み，消去が複雑で扱いにくいという
問題があった。
【０００４】本発明は、このような従来の問題に鑑み、
従来の外部システムによるデータの書き込み，消去の複
雑な操作を行なう機能を、メモリカードに持せることで
容易にデータの書き込み，消去を行うことを目的とす
る。
従来の外部システムによるデータの書き込み，消去の複
雑な操作を行なう機能を、メモリカードに持せることで
容易にデータの書き込み，消去を行うことを目的とす
る。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、フラッシュＥ
2ＰＲＯＭを内蔵するメモリカードにおいて、上記フラ
ッシュＥ2ＰＲＯＭの書き込みコマンド発生手段，書き
込み時間発生用タイマー手段，書き込みベリファイコマ
ンド発生手段及び書き込み時間発生用タイマーを順々に
動作させる書込み制御手段と、上記フラッシュＥ2ＰＲ
ＯＭの消去コマンド発生手段，消去時間発生用タイマー
手段，消去ベリファイコマンド発生手段及び消去時間発
生用タイマーを順々に動作させる消去制御手段と、をメ
モリカード内に有している。
2ＰＲＯＭを内蔵するメモリカードにおいて、上記フラ
ッシュＥ2ＰＲＯＭの書き込みコマンド発生手段，書き
込み時間発生用タイマー手段，書き込みベリファイコマ
ンド発生手段及び書き込み時間発生用タイマーを順々に
動作させる書込み制御手段と、上記フラッシュＥ2ＰＲ
ＯＭの消去コマンド発生手段，消去時間発生用タイマー
手段，消去ベリファイコマンド発生手段及び消去時間発
生用タイマーを順々に動作させる消去制御手段と、をメ
モリカード内に有している。
【０００６】また、本発明のメモリカードへのデータの
書き込み，消去は、メモリカードに有する書き込み制御
手段によりフラッシュＥ2ＰＲＯＭの書き込みコマン
ド，書き込み時間発生用タイマー，書き込みベリファイ
コマンドの各発生手段及び書き込み時間発生タイマーを
順々に動作させてデータを書き込み，消去制御手段によ
りフラッシュＥ2ＰＲＯＭの消去コマンド，消去時間発
生タイマー，消去ベリファイコマンドの各発生手段及び
消去時間発生用タイマーを順々に動作させて書き込まれ
たデータを消去することができる。
書き込み，消去は、メモリカードに有する書き込み制御
手段によりフラッシュＥ2ＰＲＯＭの書き込みコマン
ド，書き込み時間発生用タイマー，書き込みベリファイ
コマンドの各発生手段及び書き込み時間発生タイマーを
順々に動作させてデータを書き込み，消去制御手段によ
りフラッシュＥ2ＰＲＯＭの消去コマンド，消去時間発
生タイマー，消去ベリファイコマンドの各発生手段及び
消去時間発生用タイマーを順々に動作させて書き込まれ
たデータを消去することができる。
【０００７】
【作用】本発明によれば、メモリカード内に有する書き
込み，消去制御手段により、データの書き込み，消去が
順々に実行されるので、従来のような外部システムによ
る複雑な操作を不要とし、容易に実行できる利点を有す
る。
込み，消去制御手段により、データの書き込み，消去が
順々に実行されるので、従来のような外部システムによ
る複雑な操作を不要とし、容易に実行できる利点を有す
る。
【０００８】
【実施例】図１は、本発明の一実施例におけるメモリカ
ードの機能ブロック図を示す。図１において、１はメモ
リカード、２はデータの書き込み，消去の制御機能を有
する制御手段(小型のマイクロコンピュータ：ＣＰＵ)で
書き込みコマンド発生手段３、書き込み時間発生用タイ
マー手段４，書き込みベリファイコマンド手段５及び書
き込み時間発生用タイマー６を順々に動作させるシーケ
ンシャル機能を有する。また、７はメモリカードへのデ
ータの書き込み，消去回数力カウンターで、出力信号と
してＲＤＹ／ＢＵＳＹを出力し、一定期間、ＢＵＳＹ状
態としてデータの書き込み，消去が不可能であることを
外部システム13に知らせる。
ードの機能ブロック図を示す。図１において、１はメモ
リカード、２はデータの書き込み，消去の制御機能を有
する制御手段(小型のマイクロコンピュータ：ＣＰＵ)で
書き込みコマンド発生手段３、書き込み時間発生用タイ
マー手段４，書き込みベリファイコマンド手段５及び書
き込み時間発生用タイマー６を順々に動作させるシーケ
ンシャル機能を有する。また、７はメモリカードへのデ
ータの書き込み，消去回数力カウンターで、出力信号と
してＲＤＹ／ＢＵＳＹを出力し、一定期間、ＢＵＳＹ状
態としてデータの書き込み，消去が不可能であることを
外部システム13に知らせる。
【０００９】また、前記制御手段２は、消去コマンド発
生手段８，消去時間発生用タイマー手段９，消去ベリフ
ァイコマンド発生手段10及び消去時間発生用タイマー11
を順々に動作させるシーケンシャル機能を有する。ま
た、12は不揮発性メモリで、消去回数を記憶し、出力信
号としてメモリカードの履歴情報を外部システム13へ知
らせる。なお、メモリカード１の制御手段２は外部シス
テム13と接続され、データの書き込み消去の簡単な操作
が行なわれる。
生手段８，消去時間発生用タイマー手段９，消去ベリフ
ァイコマンド発生手段10及び消去時間発生用タイマー11
を順々に動作させるシーケンシャル機能を有する。ま
た、12は不揮発性メモリで、消去回数を記憶し、出力信
号としてメモリカードの履歴情報を外部システム13へ知
らせる。なお、メモリカード１の制御手段２は外部シス
テム13と接続され、データの書き込み消去の簡単な操作
が行なわれる。
【００１０】本発明の基本動作は、制御手段２によりフ
ラッシュＥ2ＰＲＯＭの書き込みコマンド発生手段３，
書き込み時間発生用タイマー手段４，書き込みベリファ
イコマンド発生手段５及び書き込み時間発生用タイマー
６を順々に動作させてデータの書き込みを行なう。また
制御手段２によりフラッシュＥ2ＰＲＯＭの消去コマン
ド発生手段８，消去時間発生用タイマー手段９，消去ベ
リファイコマンド発生手段10及び消去時間発生用タイマ
ー11を順々に動作させて書き込まれたデータを消去す
る。
ラッシュＥ2ＰＲＯＭの書き込みコマンド発生手段３，
書き込み時間発生用タイマー手段４，書き込みベリファ
イコマンド発生手段５及び書き込み時間発生用タイマー
６を順々に動作させてデータの書き込みを行なう。また
制御手段２によりフラッシュＥ2ＰＲＯＭの消去コマン
ド発生手段８，消去時間発生用タイマー手段９，消去ベ
リファイコマンド発生手段10及び消去時間発生用タイマ
ー11を順々に動作させて書き込まれたデータを消去す
る。
【００１１】そして、上記制御手段２によりデータの書
き込み，消去回数カウンター７を動作させ、データの書
き込み，消去回数を計数するとともに、不揮発性メモリ
12に消去回数を記憶しておく。
き込み，消去回数カウンター７を動作させ、データの書
き込み，消去回数を計数するとともに、不揮発性メモリ
12に消去回数を記憶しておく。
【００１２】次に、本実施例の具体例について、図２な
いし図５に基づいて説明する。図２は書き込み外部操作
フローチャート、図３は書き込みメモリカード内操作フ
ローチャートであり、データの書き込みを、図２及び図
３を用いて説明する。
いし図５に基づいて説明する。図２は書き込み外部操作
フローチャート、図３は書き込みメモリカード内操作フ
ローチャートであり、データの書き込みを、図２及び図
３を用いて説明する。
【００１３】外部システム13では図２のフローチャート
に従い行なう。即ち、メモリカード１の電源(12Ｖ)をＯ
Ｎし(Ｓ１)、ＣＥ(チップイネイブル：書き込み信号)＝
Ｈとして、外部システム13から書き込みアドレスをセッ
トする(Ｓ３)。その後、データの書き込み(Ｓ４)を行っ
たら、図３に示すようにメモリカード１は、上記出力信
号ＲＤＹ／ＢＵＳＹを、ＢＵＳＹにして(Ｓ９)、その時
の書き込みデータを保管しておく(Ｓ10)。
に従い行なう。即ち、メモリカード１の電源(12Ｖ)をＯ
Ｎし(Ｓ１)、ＣＥ(チップイネイブル：書き込み信号)＝
Ｈとして、外部システム13から書き込みアドレスをセッ
トする(Ｓ３)。その後、データの書き込み(Ｓ４)を行っ
たら、図３に示すようにメモリカード１は、上記出力信
号ＲＤＹ／ＢＵＳＹを、ＢＵＳＹにして(Ｓ９)、その時
の書き込みデータを保管しておく(Ｓ10)。
【００１４】次に、メモリカード１の制御手段２は、書
き込みコマンド発生手段３ないし６を順々に動作させ、
かつ、書き込み，消去回数カウンター７を動作させる。
この結果、メモリカード１は図３の各ステップ(Ｓ11)な
いし(Ｓ16)のデータ書き込み処理を行ない、書き込み操
作が終了したら、書き込み，消去回数カウンター７の出
力信号ＲＤＹ／ＢＵＳＹをＲＤＹにする(Ｓ17)。
き込みコマンド発生手段３ないし６を順々に動作させ、
かつ、書き込み，消去回数カウンター７を動作させる。
この結果、メモリカード１は図３の各ステップ(Ｓ11)な
いし(Ｓ16)のデータ書き込み処理を行ない、書き込み操
作が終了したら、書き込み，消去回数カウンター７の出
力信号ＲＤＹ／ＢＵＳＹをＲＤＹにする(Ｓ17)。
【００１５】上記出力信号ＲＤＹ／ＢＵＳＹがＲＤＹに
なったら、外部システム13はデータの書き込み終了と判
断して(Ｓ５)、図２のフローチャートに示す残りの操
作、つまり、読み出しコマンド書き込み処理を行ない
(Ｓ６)、ＣＥ＝Ｌ(書き込み信号)にして(Ｓ７)、メモリ
カード１の電源(12Ｖ)をＯＦＦする(Ｓ８)。
なったら、外部システム13はデータの書き込み終了と判
断して(Ｓ５)、図２のフローチャートに示す残りの操
作、つまり、読み出しコマンド書き込み処理を行ない
(Ｓ６)、ＣＥ＝Ｌ(書き込み信号)にして(Ｓ７)、メモリ
カード１の電源(12Ｖ)をＯＦＦする(Ｓ８)。
【００１６】図４は消去外部フローチャート、図５は消
去メモリカード内操作フローチャートであり、上記書き
込まれたデータの消去を、図４及び図５を用いて説明す
る。
去メモリカード内操作フローチャートであり、上記書き
込まれたデータの消去を、図４及び図５を用いて説明す
る。
【００１７】外部システム13では、図４のフローチャー
トに従い行なう。即ち、メモリカード１の電源(12Ｖ)を
ＯＮし(Ｓ１)、ＣＥ＝Ｈとし(Ｓ２)、外部システム13か
ら消去開始コマンドを送る(Ｓ３)。
トに従い行なう。即ち、メモリカード１の電源(12Ｖ)を
ＯＮし(Ｓ１)、ＣＥ＝Ｈとし(Ｓ２)、外部システム13か
ら消去開始コマンドを送る(Ｓ３)。
【００１８】図５に示すようにメモリカード１は、上記
出力信号ＲＤＹ／ＢＵＳＹをＢＵＳＹにする(Ｓ８)。
出力信号ＲＤＹ／ＢＵＳＹをＢＵＳＹにする(Ｓ８)。
【００１９】次にメモリカード１の制御手段２は、消去
コマンド発生手段等８ないし11を順々に動作させ、か
つ、不揮発性メモリ12を動作させる。この結果、メモリ
カード１は図５の各ステップ(Ｓ９)ないし(Ｓ20)のデー
タ消去処理を行ない。消去操作が終了したら、書き込
み，消去回数カウンター７の出力信号ＲＤＹ／ＢＵＳＹ
をＲＤＹにする(Ｓ21)。
コマンド発生手段等８ないし11を順々に動作させ、か
つ、不揮発性メモリ12を動作させる。この結果、メモリ
カード１は図５の各ステップ(Ｓ９)ないし(Ｓ20)のデー
タ消去処理を行ない。消去操作が終了したら、書き込
み，消去回数カウンター７の出力信号ＲＤＹ／ＢＵＳＹ
をＲＤＹにする(Ｓ21)。
【００２０】上記出力信号ＲＤＹ／ＢＵＳＹがＲＤＹに
なったら、外部システム13は、データの消去終了と判断
して(Ｓ４)、図４のフローチャートに示す残り操作、つ
まり、読み出しコマンド書き込み処理状態となし(Ｓ
５)、ＣＥ＝Ｌにして(Ｓ６)、メモリカードの電源(12
Ｖ)をＯＦＦする(Ｓ７)。
なったら、外部システム13は、データの消去終了と判断
して(Ｓ４)、図４のフローチャートに示す残り操作、つ
まり、読み出しコマンド書き込み処理状態となし(Ｓ
５)、ＣＥ＝Ｌにして(Ｓ６)、メモリカードの電源(12
Ｖ)をＯＦＦする(Ｓ７)。
【００２１】上述したメモリカード１の外部システム13
からのデータの書き込み失敗やデータ消去不可能は、書
き込み，消去回数カウンター７の出力信号ＲＤＹ／ＢＵ
ＳＹ信号を一定期間、ＢＵＳＹ状態にしておくことによ
り外部システム13は判断できる。
からのデータの書き込み失敗やデータ消去不可能は、書
き込み，消去回数カウンター７の出力信号ＲＤＹ／ＢＵ
ＳＹ信号を一定期間、ＢＵＳＹ状態にしておくことによ
り外部システム13は判断できる。
【００２２】なお、上記データの書き込み失敗やデータ
消去不可能は、メモリカード内操作フローチャート図３
や図５にソフトカウンターを設けることで可能であり、
例えば、図３の場合はステップ(Ｓ16)のＮＧになった位
置に、図５の場合はステップ(Ｓ17)のＮＯになった位置
に、夫々設ける。
消去不可能は、メモリカード内操作フローチャート図３
や図５にソフトカウンターを設けることで可能であり、
例えば、図３の場合はステップ(Ｓ16)のＮＧになった位
置に、図５の場合はステップ(Ｓ17)のＮＯになった位置
に、夫々設ける。
【００２３】また、図１に示すように不揮発性メモリ12
(メモリカード内ゲートアレイ部)に、消去回数を書き込
んでおくことで、外部システムから不揮発性メモリの内
容を読むと、メモリカードの履歴情報がわかる。そし
て、消去回数は外部システムより消去開始コマンドを受
けるとインクリメントされる。
(メモリカード内ゲートアレイ部)に、消去回数を書き込
んでおくことで、外部システムから不揮発性メモリの内
容を読むと、メモリカードの履歴情報がわかる。そし
て、消去回数は外部システムより消去開始コマンドを受
けるとインクリメントされる。
【００２４】
【発明の効果】以上説明したように本発明のメモリカー
ドとそれのデータの書き込み消去方法によれば、従来、
外部システムでデータの書き込み，消去を行なわなけれ
ばならなかったのを、本発明はメモリカードに上述した
機能を持たせたことで、容易に行うことができる。
ドとそれのデータの書き込み消去方法によれば、従来、
外部システムでデータの書き込み，消去を行なわなけれ
ばならなかったのを、本発明はメモリカードに上述した
機能を持たせたことで、容易に行うことができる。
【図１】本発明の一実施例におけるメモリカードの機能
ブロック図である。
ブロック図である。
【図２】図１の書き込み外部操作フローチャートであ
る。
る。
【図３】図１の書き込みメモリカード内操作フローチャ
ートである。
ートである。
【図４】図１の消去外部操作フローチャートである。
【図５】図１の消去メモリカード内操作フローチャート
である。
である。
１…メモリカード、 ２…制御手段、 ３…書き込みコ
マンド発生手段、 ４…書き込み時間発生用タイマー手
段、 ５…書き込みベリファイコマンド発生手段、 ６
…書き込み時間発生用タイマー、 ７…書き込み消去回
数カウンター、８…消去コマンド発生手段、 ９…消去
時間発生用タイマー手段、 10…消去ベリファイコマン
ド発生手段、 11…消去時間発生用タイマー、 12…不
揮発性メモリ、 13…外部システム。
マンド発生手段、 ４…書き込み時間発生用タイマー手
段、 ５…書き込みベリファイコマンド発生手段、 ６
…書き込み時間発生用タイマー、 ７…書き込み消去回
数カウンター、８…消去コマンド発生手段、 ９…消去
時間発生用タイマー手段、 10…消去ベリファイコマン
ド発生手段、 11…消去時間発生用タイマー、 12…不
揮発性メモリ、 13…外部システム。
Claims (6)
- 【請求項１】 フラッシュＥ2ＰＲＯＭを内蔵するメモ
リカードにおいて、上記フラッシュＥ2ＰＲＯＭの書き
込みコマンド発生手段，書き込み時間発生用タイマー手
段，書き込みベリファイコマンド発生手段及び書き込み
時間発生用タイマーを順々に動作させる書込み制御手段
と、上記フラッシュＥ2ＰＲＯＭの消去コマンド発生手
段，消去時間発生用タイマー手段，消去ベリファイコマ
ンド発生手段及び消去時間発生用タイマーを順々に動作
させる消去制御手段と、をメモリカード内に有すること
を特徴とするメモリカード。 - 【請求項２】 書き込み及び消去不可能を外部システム
に知らせるＲＤＹ／ＢＵＳＹ信号を一定期間、ＢＵＳＹ
状態にしておくことを特徴とする請求項１記載のメモリ
カード。 - 【請求項３】 不揮発性メモリーを有し、フラッシュＥ
2ＰＲＯＭの消去回数を記録することを特徴とする請求
項１記載のメモリカード。 - 【請求項４】 書き込み制御手段によりフラッシュＥ2
ＰＲＯＭの書き込みコマンド，書き込み時間発生用タイ
マー，書き込みベリファイコマンドの各発生手段及び書
き込み時間発生タイマーを順々に動作させてデータを書
き込み，消去制御手段によりフラッシュＥ2ＰＲＯＭの
消去コマンド，消去時間発生タイマー，消去ベリファイ
コマンドの各発生手段及び消去時間発生用タイマーを順
々に動作させて書き込まれたデータを消去する、ことを
特徴とするデータの書き込み，消去方法。 - 【請求項５】 外部システムに対し、書き込み，消去が
不可能であることをＲＤＹ／ＢＵＳＹ信号を一定期間、
ＢＵＳＹ状態とすることで知らせることを特徴とする書
き込み，消去方法。 - 【請求項６】 外部システムに対し不揮発性メモリの消
去回数の値から、メモリーカードの履歴情報を知らせる
ことを特徴とするデータの書き込み，消去方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33065191A JPH05166390A (ja) | 1991-12-13 | 1991-12-13 | メモリカードとそのデータの書き込み，消去方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33065191A JPH05166390A (ja) | 1991-12-13 | 1991-12-13 | メモリカードとそのデータの書き込み，消去方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05166390A true JPH05166390A (ja) | 1993-07-02 |
Family
ID=18235055
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33065191A Pending JPH05166390A (ja) | 1991-12-13 | 1991-12-13 | メモリカードとそのデータの書き込み，消去方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05166390A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0642135A2 (en) * | 1993-09-08 | 1995-03-08 | Fujitsu Limited | A nonvolatile semiconductor memory and its test method |
| JP2006066060A (ja) * | 2004-08-24 | 2006-03-09 | Samsung Electronics Co Ltd | 不揮発性メモリ装置の初期化状態を検証する方法、及び装置 |
| JP2010003401A (ja) * | 2008-06-23 | 2010-01-07 | Samsung Electronics Co Ltd | メモリシステムの動作方法並びにそれを含むメモリシステム及びメモリカード |
| JP2011008878A (ja) * | 2009-06-26 | 2011-01-13 | Samsung Electronics Co Ltd | 不揮発性半導体メモリの放電回路 |
-
1991
- 1991-12-13 JP JP33065191A patent/JPH05166390A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0642135A2 (en) * | 1993-09-08 | 1995-03-08 | Fujitsu Limited | A nonvolatile semiconductor memory and its test method |
| EP0642135A3 (en) * | 1993-09-08 | 1998-09-30 | Fujitsu Limited | A nonvolatile semiconductor memory and its test method |
| JP2006066060A (ja) * | 2004-08-24 | 2006-03-09 | Samsung Electronics Co Ltd | 不揮発性メモリ装置の初期化状態を検証する方法、及び装置 |
| JP2010003401A (ja) * | 2008-06-23 | 2010-01-07 | Samsung Electronics Co Ltd | メモリシステムの動作方法並びにそれを含むメモリシステム及びメモリカード |
| JP2011008878A (ja) * | 2009-06-26 | 2011-01-13 | Samsung Electronics Co Ltd | 不揮発性半導体メモリの放電回路 |
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