JPH075685Y2 - マイクロ波モジュール - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この考案は、信頼性を高めるために半導体素子をパツケ
ージに納めた構造のマイクロ波モジユールに関するもの
である。

〔従来の技術〕 第３図は、例えば1987年11月発行のMicrowave Journal
93頁に示された従来のマイクロ波モジユールを示すもの
で、第３図（ａ）は上記マイクロ波モジユールの蓋をは
ずした状態の平面図であり、第３図（ｂ）は第３図
（ａ）のAA断面図である。図において、（１）は金属筐
体、（２）は高周波用貫通端子、（３）はマイクロ波集
積回路基板（以下MIC基板と略す。）、（４）は上記MIC
基板（３）上に形成されたマイクロストリツプ線路用ス
トリツプ導体、（５）は上記マイクロストリツプ線路用
ストリツプ導体（４）上に設置された半導体素子、
（６）は上記高周波用貫通端子（２）と上記マイクロス
トリツプ線路用ストリツプ導体（４）を接続する金ワイ
ヤである。高周波用貫通端子（２）は、金属筐体（１）
の側面を貫通して固定されている。MIC基板（３）は、
金属筐体（１）内側に半田により接着されている。

次に、このマイクロ波モジユールをSP3Tスイツチ（Sing
le pole 3 throw Switch:単極三投スイツチ）として動
作させた時について、動作について説明する。

高周波用貫通端子（2a）に印加された電波は、金ワイヤ
（６）を通して、マイクロストリツプ線路用ストリツプ
導体（４）に入力される。半導体素子（5a）が導通状態
であり、かつ、半導体素子（5b）と半導体素子（5c）が
非導通状態である時は、電波は高周波用貫通端子（2b）
に出力され、高周波用貫通端子（2c）及び高周波用貫通
端子（2d）には出力されない。半導体素子（5b）が導通
状態であり、かつ、半導体素子（5a）と半導体素子（5
c）が導通状態である時は、電波は高周波用貫通端子（2
c）に出力され、高周波用貫通端子（2b）と高周波用貫
通端子（2d）には出力されない。

半導体素子（5c）が導通状態であり、かつ、半導体素子
（5a）と半導体素子（5b）が非導通状態である時は、電
流は高周波用貫通端子（2d）に出力され、高周波用貫通
端子（2b）と高周波用貫通端子（2c）には出力されな
い。

〔考案が解決しようとする課題〕

従来の半導体素子を金属筐体に納めた構造のマイクロ波
モジユールは以上のように構成されているので、高周波
用貫通端子（２）がすでに固定されている金属筐体
（１）に、MIC基板（３）を取り付ける場合、金属筐体
（１）の内側に突出した高周波用貫通端子（２）に引つ
かからない大きさのMIC基板（３）を用いなければなら
ず、金属筐体（１）内側の面積が有効利用できないとい
う課題があつた。又、金属筐体（１）内側に突出した高
周波用貫通端子（２）が空中に浮いているのでこの部分
が高インピーダンスとなり、又、金ワイヤ（６）がイン
ダクタとして作用するので特に高周波での反射が大きく
なり、SPDTスイツチの挿入損失が大きくなるという課題
があつた。

この考案は上記のような課題点を解消するためになされ
たもので、金属筐体内側の面積を有効利用できるととも
に、反射の小さな、かつ、金ワイヤによる接続が不要な
マイクロ波モジユールを得ることを目的とする。

〔課題を解決するための手段〕

この考案に係るマイクロ波モジユールは、金属筐体を円
形にし、金属筐体の中に入れるMIC基板を円形にすると
ともに、金属筐体内側に突出した高周波用貫通端子に合
わせて切り込みを入れたものである。

〔作用〕

この考案におけるマイクロ波モジユールは、MIC基板に
切り込みが入つているので、金属筐体内側に突出した高
周波用貫通端子に防害されることなく金属筐体内側の大
きさとほぼ等しい大きさのMIC基板を装着することがで
きる。又、金属筐体とMIC基板を円形とするためにMIC基
板を金属筐体に入れた後に回転させてやることにより、
高周波用貫通端子の下側にマイクロストリツプ線路を入
れる構造となり、高インピーダンス部及び金ワイヤをな
くすことができるので、反射を小さくし、かつ、金ワイ
ヤの接着の工作をなくすことができる。

〔考案の実施例〕

以下、この考案の一実施例を図について説明する。第１
図はこの考案による一実施例を示す斜視図でSP3Tスイツ
チとして構成した場合について示したものである。

図において、（７）は金属筐体（１）の蓋、（10）はMI
C基板（３）に付けられた切り込み部である。

第２図（ａ）は、第１図に示したマイクロ波モジユール
を組み立て、蓋（７）をはずした時の平面図であり、第
２図（ｂ）は、第２図（ａ）のAA断面図である。マイク
ロストリツプ線路用ストリツプ導体（４）と高周波用貫
通端子（２）は、半田（11）により接続されている。

第１図に示すSP3Tスイツチは従来のものと同様に高周波
用貫通端子（2a）に印加した電波を高周波用貫通端子
（2b）（2c）および（2d）に切りかえる動作をする。

円形の金属筐体（１）の内側の大きさとほぼ等しい円形
のMIC基板（３）には、金属筐体内側に突出した高周波
用貫通端子（２）の位置に合わせて切り込み部（10）が
付けられている。MIC基板（３）上のマイクロストリツ
プ線路用ストリツプ導体（４）は、MIC基板（３）を金
属筐体（１）の内側にはめ込んだ後にある一定の角度θ
回転させて高周波用貫通端子（２）と重なるようにMIC
基板（３）上に描かれている。金属筐体（１）の内側MI
C基板（３）を高周波用貫通端子（２）に当たらないよ
うに入れた後、マイクロストリツプ線路用ストリツプ導
体（４）と高周波用貫通端子（２）とが重なるようにMI
C基板（３）を回転させ固定する。こうすることによつ
て切り込み部（10）を除く金属筐体（１）内側のほとん
どの面積をマイクロ波回路に使用でき、金属筐体（１）
内の面積を有効利用できる。また、マイクロストリツプ
線路用ストリツプ導体（４）とMIC基板（３）は高周波
用貫通端子（２）の下側に配置される構造となり、高周
波用貫通端子（２）が空に浮かないので高インピーダン
スにならず、又、金ワイヤがないために反射を小さくす
ることができる。又、マイクロストリツプ線路用ストリ
ツプ導体（４）と高周波用貫通端子（２）が重なつてい
るので金ワイヤで接続する必要がなく半田（11）による
接続で済むので工作性が良好となる。

なお、上記実施例では、SP3Tスイツチを構成した場合に
ついて説明したが、これに限らず、半導体素子を用いる
たとえば増幅器、発振器、移相器などのいかなるマイク
ロ波集積回路にも、使用しても同様の効果が得られる。

〔考案の効果〕

以上のように、この考案によればマイクロ波モジユール
を金属筐体とMIC基板を円形とし、MIC基板に切れ込み部
をつけて構成したので金属筐体の内側の面積を有効利用
することができ、又、高周波用貫通端子及びその接続部
での反射が少なくなり、高周波特性が良好となる効果が
ある。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの考案の一実施例によるマイクロ波モジユー
ルの構成を示す図、第２図はこの考案によるマイクロ波
モジユールの平面図及び断面図、第３図は従来のマイク
ロ波モジユールの平面図及び断面図である。 図において、（１）は金属筐体、（２）は高周波用貫通
端子、（３）はマイクロ波集積回路基板、（４）はマイ
クロストリップ線路用ストリツプ導体、（５）は半導体
素子、（７）は蓋、（10）は切り込み部である。 なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】
1. 【請求項１】１個又は複数個の半導体素子を装着してい
   るマイクロ波集積回路基板を、高周波用貫通端子を側面
   に有する金属筐体内に固定する構造のマイクロ波モジユ
   ールにおいて、上記金属筐体及び上記マイクロ波集積回
   路基板を円形とするとともに、金属筐体内に突出した高
   周波用貫通端子に合わせた深さ，寸法及び数の切り込み
   を上記マイクロ波集積回路基板に設けたことを特徴とす
   るマイクロ波モジユール。