JPH0751756B2 - 集塵装置付薄膜処理装置 - Google Patents
集塵装置付薄膜処理装置Info
- Publication number
- JPH0751756B2 JPH0751756B2 JP60251710A JP25171085A JPH0751756B2 JP H0751756 B2 JPH0751756 B2 JP H0751756B2 JP 60251710 A JP60251710 A JP 60251710A JP 25171085 A JP25171085 A JP 25171085A JP H0751756 B2 JPH0751756 B2 JP H0751756B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- dust
- dust collecting
- thin film
- film processing
- collecting means
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
- C23C14/564—Means for minimising impurities in the coating chamber such as dust, moisture, residual gases
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- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は、大規模集積回路(LSI、超LSI)の作製に利用
されるスパッタリング装置、プラズマCVD装置、蒸着装
置、ドライエッチング装置などのように特に塵の付着を
嫌う装置において威力を発揮する集塵装置を付加した薄
膜処理装置に関する。
されるスパッタリング装置、プラズマCVD装置、蒸着装
置、ドライエッチング装置などのように特に塵の付着を
嫌う装置において威力を発揮する集塵装置を付加した薄
膜処理装置に関する。
(従来技術) 従来、LSI、超LSIを製造する上記の薄膜処理装置におい
ては、有害な塵の発生を防止するため、塵の発生の主な
原因となる変形、摺動、着脱を伴う動作をつとめて避
け、且それらの可動機構部分が少なくなるように設計に
配慮が加えられていた。
ては、有害な塵の発生を防止するため、塵の発生の主な
原因となる変形、摺動、着脱を伴う動作をつとめて避
け、且それらの可動機構部分が少なくなるように設計に
配慮が加えられていた。
(本発明が解決しようとする問題点) しかし、無人操作や量産化、高速処理の要請は高まる一
方であり、被処理基板のハンドリングの頻度は増大の一
途をたどり、従来の考え方では次第に対応が難しくなっ
て来ている。
方であり、被処理基板のハンドリングの頻度は増大の一
途をたどり、従来の考え方では次第に対応が難しくなっ
て来ている。
しかも最近の超LSIにおいては、配線巾の微細化、高密
度化がすゝみ、微小の塵埃に起因して製造の歩留は著る
しく悪化する傾向にあり、高度の無塵化が絶対の急務と
なっている。
度化がすゝみ、微小の塵埃に起因して製造の歩留は著る
しく悪化する傾向にあり、高度の無塵化が絶対の急務と
なっている。
本発明は、被処理基板に付着する塵埃の極めて少ない薄
膜処理装置を提供することを目的とする。
膜処理装置を提供することを目的とする。
(問題点を解決する手段) 上記の目的を達成するために本発明は、真空室の内部に
可動機構を有する薄膜処理装置において、該可動機構を
構成する部材のうち、変形、摺動又は着脱を伴う部材の
該変形、摺動又は着脱の場所の近傍に、該場所を覆う集
塵カバーの内面に静電気を誘起させて塵を付着させる集
塵手段又は該場所を覆う集塵カバーの内側に配置された
磁気力を利用する集塵手段を具える構成にしている。
可動機構を有する薄膜処理装置において、該可動機構を
構成する部材のうち、変形、摺動又は着脱を伴う部材の
該変形、摺動又は着脱の場所の近傍に、該場所を覆う集
塵カバーの内面に静電気を誘起させて塵を付着させる集
塵手段又は該場所を覆う集塵カバーの内側に配置された
磁気力を利用する集塵手段を具える構成にしている。
(実 施 例) 以下図を用いて本発明の実施例を説明する。第1図は本
発明の実施例の断面図を示し、真空室1の室内1a(大気
側は1b)には被処理基板であるシリコン基板5を搬送す
る可動機構2が示されている。図示しない回転駆動装置
で駆動される回転軸201(軸受211,212で支持)の回転
は、プーリー221,222とベルト231によって回転軸202
(軸受213で支持)に伝えられ、この軸のプーリー222,2
23に掛る二つのベルト232,233の上に載置されたシリコ
ン基板5を紙面に垂直な方向に搬送するが、各軸・軸
受、各ベルト・プーリー、およびベルト・基板間には摺
動、着脱動作があり、摩耗によって極微細な塵を発生す
る。更に各部の変形、殊にベルトの湾曲はこれもまた微
細塵の発生源となる。既述のように従来はこれら細塵の
発生に対し直接の対策はとられず、専ら、可動機構部分
を少なくすることのみに腐心していたものである。
発明の実施例の断面図を示し、真空室1の室内1a(大気
側は1b)には被処理基板であるシリコン基板5を搬送す
る可動機構2が示されている。図示しない回転駆動装置
で駆動される回転軸201(軸受211,212で支持)の回転
は、プーリー221,222とベルト231によって回転軸202
(軸受213で支持)に伝えられ、この軸のプーリー222,2
23に掛る二つのベルト232,233の上に載置されたシリコ
ン基板5を紙面に垂直な方向に搬送するが、各軸・軸
受、各ベルト・プーリー、およびベルト・基板間には摺
動、着脱動作があり、摩耗によって極微細な塵を発生す
る。更に各部の変形、殊にベルトの湾曲はこれもまた微
細塵の発生源となる。既述のように従来はこれら細塵の
発生に対し直接の対策はとられず、専ら、可動機構部分
を少なくすることのみに腐心していたものである。
実施例では、これらの細塵にそなえて静電気力を利用す
る集塵手段と磁気力を利用する集塵手段とを付加してい
る。
る集塵手段と磁気力を利用する集塵手段とを付加してい
る。
静電気力を利用する集塵手段3は、集塵用直流電源30
と、上述の可動機構2を覆う状態で絶縁物32により真空
室1に取付けられた導電性の集塵カバー31とから構成さ
れている。そして、集塵用直流電源30により、集塵カバ
ー31と真空室1との間に直流高電圧を印加し、可動機構
2で発生した細塵を静電気力で集塵カバー31に吸引し付
着させる。集塵カバー31の窓33はシリコン基板5を紙面
に垂直に後方へと送り出す目的であけられたものであ
る。なお、可動機構2の各導電性部材には、すべて真空
室1と同電位になるような処置が施されている。
と、上述の可動機構2を覆う状態で絶縁物32により真空
室1に取付けられた導電性の集塵カバー31とから構成さ
れている。そして、集塵用直流電源30により、集塵カバ
ー31と真空室1との間に直流高電圧を印加し、可動機構
2で発生した細塵を静電気力で集塵カバー31に吸引し付
着させる。集塵カバー31の窓33はシリコン基板5を紙面
に垂直に後方へと送り出す目的であけられたものであ
る。なお、可動機構2の各導電性部材には、すべて真空
室1と同電位になるような処置が施されている。
更に、角棒形状の永久磁石41a、41bは磁気力を利用する
集塵手段として用いられている。この永久磁石41a、41b
はプーリー222,223(及び、ベルト232,233の掛けられて
いる、これらプーリーの後方のかくれた位置にあるプー
リー)の軸受ケ所に近接して、ベルト232,233に沿う形
で固定されていて、発生した細塵が磁性体であるときに
は、これら永久磁石の磁気力が働いて、細塵がこれら磁
石41a,41bの表面に吸引され付着するようにされてい
る。
集塵手段として用いられている。この永久磁石41a、41b
はプーリー222,223(及び、ベルト232,233の掛けられて
いる、これらプーリーの後方のかくれた位置にあるプー
リー)の軸受ケ所に近接して、ベルト232,233に沿う形
で固定されていて、発生した細塵が磁性体であるときに
は、これら永久磁石の磁気力が働いて、細塵がこれら磁
石41a,41bの表面に吸引され付着するようにされてい
る。
次に、第2a図には別の実施例の断面図、第2b図にはその
6−6矢断面図を示す。
6−6矢断面図を示す。
第1図と同一の部材には同一の符号を付している。この
第2図の可動機構2は、大気側1bの回転ツマミ26で軸20
4(軸受214で支持)を回すことによって傘歯車241,242
の噛合を経て、軸205(軸受215,216で支持)を回転さ
せ、軸205に刻まれた雄ねじ251と、可動体25に刻まれた
雌ねじ252の螺合を利用して、可動体25をガイド253上に
て矢印250方向に駆動するものである。可動体25の上部
は図示しない搬送装置の所定部に連結されている。この
図の場合も、各軸・軸受、両傘歯車間、ねじ送り、可動
体25とガイド253、の相互間に摺動、着脱運動があり、
細塵を発生する。この細塵を吸引付着させる目的で、静
電気力を利用する集塵手段を構成する集塵カバー31が、
可動機構2を覆う状態で、絶縁物32によりで真空室1に
取付けられ、直流電源30から直流高電圧が印加されてい
る。集塵カバー31の窓33は可動体25の動きに支障を生じ
ないよう僅かにあけられたものである。更に、永久磁石
41c,41d,41eが磁気力を利用する集塵手段として採用さ
れている。このうち、長い帯状の永久磁石41c,41dは、
がねじ部に沿って窓33の開口端の両側に接着され、また
直方体の永久磁石41eが磁極を傘歯車241,242の噛合部に
近接させて固定させている。
第2図の可動機構2は、大気側1bの回転ツマミ26で軸20
4(軸受214で支持)を回すことによって傘歯車241,242
の噛合を経て、軸205(軸受215,216で支持)を回転さ
せ、軸205に刻まれた雄ねじ251と、可動体25に刻まれた
雌ねじ252の螺合を利用して、可動体25をガイド253上に
て矢印250方向に駆動するものである。可動体25の上部
は図示しない搬送装置の所定部に連結されている。この
図の場合も、各軸・軸受、両傘歯車間、ねじ送り、可動
体25とガイド253、の相互間に摺動、着脱運動があり、
細塵を発生する。この細塵を吸引付着させる目的で、静
電気力を利用する集塵手段を構成する集塵カバー31が、
可動機構2を覆う状態で、絶縁物32によりで真空室1に
取付けられ、直流電源30から直流高電圧が印加されてい
る。集塵カバー31の窓33は可動体25の動きに支障を生じ
ないよう僅かにあけられたものである。更に、永久磁石
41c,41d,41eが磁気力を利用する集塵手段として採用さ
れている。このうち、長い帯状の永久磁石41c,41dは、
がねじ部に沿って窓33の開口端の両側に接着され、また
直方体の永久磁石41eが磁極を傘歯車241,242の噛合部に
近接させて固定させている。
上述した各実施例の静電気力を利用する集塵手段や磁気
力を利用する集塵手段の付加によれば、細塵が殊にその
発生源で効果的に除去され、すぐれた防塵効果がえられ
る。また、これらの集塵手段が真空室内1aの浮遊塵に対
しても有効であり、清浄作用を発揮することは明らかで
ある。さらに、静電気力を利用する集塵手段、磁気力を
利用する集塵手段のいずれか一方を備えた構成によって
も十分集塵効果があげられる場合があるのは、勿論であ
る。
力を利用する集塵手段の付加によれば、細塵が殊にその
発生源で効果的に除去され、すぐれた防塵効果がえられ
る。また、これらの集塵手段が真空室内1aの浮遊塵に対
しても有効であり、清浄作用を発揮することは明らかで
ある。さらに、静電気力を利用する集塵手段、磁気力を
利用する集塵手段のいずれか一方を備えた構成によって
も十分集塵効果があげられる場合があるのは、勿論であ
る。
なお、集塵カバー31の表面に絶縁膜(ガス放出のない
膜)を付加しておくときは、静電気力による吸引付着が
金属粉に対しても万全となる効果がある。
膜)を付加しておくときは、静電気力による吸引付着が
金属粉に対しても万全となる効果がある。
(発明の効果) 本発明は、被処理基板に付着する塵埃の極めて少ない薄
膜処理装置を提供する効果がある。
膜処理装置を提供する効果がある。
第1図は本発明の実施例の断面図。 第2a図は別の実施例の断面図で、第2b図はその6−6矢
断面図である。 1……真空室、2……可動機構、 3……静電気力を利用する集塵手段、 41a、〜41e……磁気力を利用する集塵手段としての永久
磁石。
断面図である。 1……真空室、2……可動機構、 3……静電気力を利用する集塵手段、 41a、〜41e……磁気力を利用する集塵手段としての永久
磁石。
Claims (1)
- 【請求項1】真空室の内部に可動機構を有する薄膜処理
装置において、該可動機構を構成する部材のうち、変
形、摺動又は着脱を伴う部材の該変形、摺動又は着脱の
場所の近傍に、該場所を覆う集塵カバーの内面に静電気
を誘起させて塵を付着させる集塵手段又は該場所を覆う
集塵カバーの内側に配置された磁気力を利用する集塵手
段を具えたことを特徴とする集塵装置付薄膜処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60251710A JPH0751756B2 (ja) | 1985-11-09 | 1985-11-09 | 集塵装置付薄膜処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60251710A JPH0751756B2 (ja) | 1985-11-09 | 1985-11-09 | 集塵装置付薄膜処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62112790A JPS62112790A (ja) | 1987-05-23 |
JPH0751756B2 true JPH0751756B2 (ja) | 1995-06-05 |
Family
ID=17226839
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60251710A Expired - Lifetime JPH0751756B2 (ja) | 1985-11-09 | 1985-11-09 | 集塵装置付薄膜処理装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0751756B2 (ja) |
Families Citing this family (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6422042A (en) * | 1987-07-17 | 1989-01-25 | Kyushu Nippon Electric | Vacuum transfer chamber of semiconductor manufacturing equipment |
JPH02218456A (ja) * | 1987-10-09 | 1990-08-31 | Nitto Denko Corp | 混入異物の除去方法 |
JP2556364B2 (ja) * | 1988-06-21 | 1996-11-20 | アネルバ株式会社 | 真空蒸着装置 |
JPH0474547A (ja) * | 1990-07-16 | 1992-03-09 | Aeria:Kk | 空気清浄機 |
JPH06232235A (ja) * | 1993-02-05 | 1994-08-19 | Japan Steel Works Ltd:The | ロードロック室 |
KR100662499B1 (ko) * | 2002-11-18 | 2007-01-02 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시소자 제조 공정용 기판 합착 장치 |
JP4753092B2 (ja) * | 2007-07-18 | 2011-08-17 | 株式会社安川電機 | 防塵機構を備えた基板搬送ロボット及びそれを備えた半導体製造装置 |
WO2012086535A1 (ja) * | 2010-12-23 | 2012-06-28 | シャープ株式会社 | 成膜材料の回収方法 |
JP5732329B2 (ja) * | 2011-06-24 | 2015-06-10 | 東京エレクトロン株式会社 | 電動アクチュエータ |
JP5935028B2 (ja) * | 2012-05-11 | 2016-06-15 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | スパッタリング装置 |
US20150047785A1 (en) * | 2013-08-13 | 2015-02-19 | Lam Research Corporation | Plasma Processing Devices Having Multi-Port Valve Assemblies |
CN104959224B (zh) * | 2015-07-10 | 2018-04-03 | 佛山市高明区银浩机械设备有限公司 | 一种永磁除铁机 |
CN105938957B (zh) * | 2016-06-23 | 2018-05-08 | 无锡市国松环保机械有限公司 | 一种航空航天用的防尘插板 |
CN113652664B (zh) * | 2021-07-21 | 2023-05-02 | 苏州沃伦工业成套设备有限公司 | 一种全自动真空镀膜涂装线 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5839783A (ja) * | 1981-09-03 | 1983-03-08 | Toshiba Corp | 反応性イオンエツチング装置 |
-
1985
- 1985-11-09 JP JP60251710A patent/JPH0751756B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS62112790A (ja) | 1987-05-23 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
EXPY | Cancellation because of completion of term |