JP5935028B2 - スパッタリング装置 - Google Patents
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図6に特許文献1に記載の太陽電池の構造を示す。
10は単結晶または多結晶シリコン基板、12,13,17は真性半導体層iとドーピングされた半導体層n,pである。16は反射防止膜である。18は絶縁層である。19aはITO層、19bは銅など金属層である。19c、19dはCu,Snなどメッキ層である。この太陽電池は、光11を単結晶または多結晶シリコン基板10で吸収し、正孔と電子を生成し、電極14より電子を電極15より正孔を収集することにより発電する。
特許文献3には、円筒回転型のターゲットを使用したスパッタリング装置が開示されている。生産性を向上するためには複数のセルを一括して処理する場合は、円筒型ターゲットは長尺なものが用いられる。長尺なターゲットを作るためにターゲットは複数のピースから成り立つ。特にITO焼結体のターゲットは割れやすく大きなピースを作ることができず、複数のピースを使って長尺なターゲットを作るのが一般的である。また、複数のピースにすることによってスパッタによる熱膨張に起因する割れを防止するという効果もある。
特許文献5には、ITOターゲットの密度を上げてノジュールを抑制する技術が開示されている。
図7において1はスパッタリング装置である。
図7において11はロードロック室、12は成膜室、13はリターン室である。
図7(a)に示すように、スパッタリング装置の外でトレー30に、太陽電池基板40a,40b,40cがロボット等を使用して載置される。この時、ロードロック室11は大気圧であり、ロードロック室11と成膜室12との間のゲートバルブによって成膜室12およびリターン室13は真空に保たれている。
図8は図7(c)のX部分の断面図である。
ターゲット20は、図示していないボンディング材によって、バッキングチューブ60に固定されている。バッキングチューブ60内には図示しない水路によって水が流れており、ターゲット20を冷却している。
ノジュール発生の原因は明確になっていないが、次の二つの原因が考えられている。
このノジュールの発生について説明する。
図9(b)は、ターゲットピース間の隙間の拡大図で、図9(a)のA部分に相当する。スパッタリング装置において、プラズマ80中のアルゴンイオンはターゲットに印加された電圧によりシース領域81でターゲットに垂直に加速されてターゲットに衝突する。大部分のアルゴンイオンは、82aのごとくターゲットに衝突してターゲットをスパッタする。しかしながら一部のArイオンは82bのごとく、隙間50aに入り込んでボンディング材に衝突する。これによってボンディング材を構成する原子または分子がたたき出される。
特に、太陽電池に使用されるITOターゲットは光学的特性に対する要求からSnの濃度が5%以下であり、密度を上げることは難しかった。
ノジュールには電界が集中し正の電荷が蓄積されやすくなる。ある閾値以上の正電荷が蓄積されるとターゲット上で電子と結合し異常放電となる。異常放電はパーティクルを発生させたり、ターゲット割れの原因となるのでノジュールが発生したら装置を停止させて、ノジュールを削るメンテナンスをしなければならない。
(実施の形態1)
図1(a)(b)は本発明の実施の形態1のスパッタリング装置の断面図を示す。
成膜室12には、ノジュール除去部100と、ノジュール除去部100とターゲット20との距離を変更する距離変更機構110を備えている。距離変更機構110は、図1(a)のようにノジュール除去部100がターゲット20に接する位置と、図1(b)に示すようにノジュール除去部100がターゲット20から離れた位置とに駆動できるように構成されている。
スパッタリング装置で成膜している時は、図1(b)に示すように、ノジュール除去部100は距離変更機構110によって、ターゲットから20〜50mmの距離に離される。スパッタリング装置で成膜している時は、ターゲット20の表面が100℃〜300℃程度に温度が上昇するので、ノジュール除去部100はターゲット20から離さなければならない。また、スパッタリング装置で成膜している時は、ターゲット20は200〜600Vの電位がかかるので、ノジュール除去部100がポリテトラフルオロエチレンなどの樹脂ではなく、金属である場合、ノジュール除去部100とターゲットの放電によるスパッタ電力ロスやノジュール除去部100の破壊を防止するために、ノジュール除去部100と距離変更機構110の間に、樹脂やセラミックの絶縁部材を介在させ、ノジュール除去部100をフローティングするのが望ましい。
図3は本発明の実施の形態2のスパッタリング装置の成膜室12の断面図を示す。
図3(a)は成膜室12の成膜待機中の断面図、図3(b)は成膜中の断面図を示す。
118は円筒部材102を回転させる駆動部で、ギアやモーターやベルトなど一般的な回転駆動機構によって実現できる。
ノジュール除去部100は、移動機構120によってターゲット長さ方向に移動しながらノジュールを除去する。このような構成によって、消耗品であるノジュール除去部100を小型にし、ノジュール除去部100の製造価格を低減できる。移動機構120はモーターとベルトの組み合わせなど一般的な移動機構を採用しうる。
また、実施の形態1に比べ、突起117がたくさんあるので、ノジュール除去時の磨耗による消耗が少なく、除去部101の寿命を長くすることができる。
(実施の形態3)
図4は本発明の実施の形態3のスパッタリング装置の成膜室12の断面図を示す。
図5は本発明の実施の形態4のスパッタリング装置の成膜室12の断面図を示す。
実施の形態1の構成に加えて、この実施の形態4では、ノジュール除去部100とターゲット20との接触個所に近接してガス導入ノズル140を有することを特徴とする。ガス導入ノズル140には、ガス導入経路121より、ターゲット20とノジュール除去部100の接触個所に向かって不活性ガスとしてのアルゴンガスを吹き付ける。具体的には、500sccm〜1000sccmの量のアルゴンガスを吹き付ける。アルゴンガスは、スパッタ用のガスを分岐して使用できる。
20 回転円筒スパッタリングターゲット
30 トレー
40 太陽電池基板
60 バッキングチューブ
70 マグネット
80 プラズマ
100 ノジュール除去部
101 除去部材
110 距離変更機構
120 移動機構
130 集塵板
140 ガス導入ノズル
c ターゲットの回転中心
Claims (3)
- 回転円筒スパッタリングターゲットを有するスパッタリング装置であって、
前記ターゲットの表面に接触して付着物を掻き取るノジュール除去部と、
前記ノジュール除去部と前記ターゲットとの距離を変更する距離変更機構と、
前記ノジュール除去部と前記ターゲットとの接触個所に近接して配置された集塵板と、
前記ターゲットと集塵板の間に電圧を印加する電源と、を備えている
スパッタリング装置。 - 前記ノジュール除去部が回転機構を有することを特徴とする
請求項1記載のスパッタリング装置。 - 前記ノジュール除去部が前記ターゲットに接触してノジュール除去期間中、または前記ノジュール除去期間が終了後に、前記集塵板と前記ターゲットの間に電圧を印加するよう構成した
請求項1記載のスパッタリング装置。
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