JPH0750266B2 - ファラデー回転子の製造方法 - Google Patents

ファラデー回転子の製造方法

Info

Publication number
JPH0750266B2
JPH0750266B2 JP1231166A JP23116689A JPH0750266B2 JP H0750266 B2 JPH0750266 B2 JP H0750266B2 JP 1231166 A JP1231166 A JP 1231166A JP 23116689 A JP23116689 A JP 23116689A JP H0750266 B2 JPH0750266 B2 JP H0750266B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
faraday rotator
mol
flux
single crystal
manufacturing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP1231166A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH0394216A (ja
Inventor
裕夫 沼尻
克典 鈴木
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Copal Electronics Co Ltd
Original Assignee
Copal Electronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Copal Electronics Co Ltd filed Critical Copal Electronics Co Ltd
Priority to JP1231166A priority Critical patent/JPH0750266B2/ja
Publication of JPH0394216A publication Critical patent/JPH0394216A/ja
Publication of JPH0750266B2 publication Critical patent/JPH0750266B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は光アイソレータや光スイッチ等に使用するファ
ラデー回転子の製造方法に関するもので、特に回転子に
用いられる磁気光学ガーネット材料に関するものであ
る。
(従来の技術) この種の回転子の製造方法は特開昭59−164692号に開示
されている。この先行技術のファラデー回転子の製造方
法として、原料とフラックスとをGd2O3を8mol%以下(0
mol%を除く)、Fe2O3を30〜53mol%、Bi2O3を40〜61mo
l%、およびフラックスとしてB2O3とBi2O3とのモル比が
B2O3(mol%)/Bi2O3(mol%)≦008となるように前記
原料とフラックスとを混合して融解し、徐冷しつつ単結
晶を析出して成長させるフラックス法において、前記フ
ラックスが溶融している状態で、成長した前記単結晶を
取り出す製造方法が記載されている。
(発明が解決しようとする課題) 前記先行技術のファラデー回転子製造方法においては、
製造中、比重の関係で、ファラデー回転子が浮上し、浮
上した部分より熱発散し、溶液中の温度と浮上部との温
度差が生じるのでファラデー回転子内に、割れ目が発生
する。更に割れ目の部分にフラックスが混入して、割れ
目を助長している。割れ目の発生したファラデー回転子
は、光の有効径を満足できず、光もれが生じて、完成し
たファラデー回転子として使用出来ないという問題点が
あった。従って、製造上の歩留まりが悪く製造効率の低
下をまねいていた。本発明は前述の問題点を解決するこ
とを目的として、ファラデー回転子に割れ目等の発生し
ない製造方法を提供する。
(課題を解決するための手段) 本発明のファラデー回転子の製造方法は、原料とフラッ
クスとを混合して融解し、徐冷しつつ単結晶を析出して
成長させるフラックス法において、前記原料と前記フラ
ックスとをGd2O34.5〜9.1mol%、Fe2O337〜46mol%、Bi
2O336〜50mol%、B2O35.5〜18.4mol%とを前記mol%の
範囲で混合し、ビスマス置換ガドリニウム鉄ガーネット
単結晶を育成する工程と、使用するB2O3のmol%量を増
加することにより、浮上したファラデー回転子の上部に
B2O3の膜を形成する工程と、この膜によりファラデー回
転子は直接大気との接触が遮断されることにより、ファ
ラデー回転子からの熱発散を防止し、フラックス溶融状
態で溶液中で育成され、割れ目の発生しないビスマス置
換ガドリニウム鉄ガーネット単結晶を取り出す工程とよ
りなることを特徴とするファラデー回転子の製造方法で
ある。
(作 用) 本発明によれば、ファラデー回転子の比重よりもB2O3
比重が軽くあるので、使用するB2O3のmol%量を増加す
ることにより、浮上したファラデー回転子の上部にB2O3
の膜を形成する。ファラデー回転子の上部にB2O3の膜が
形成されているので、ファラデー回転子は直接大気との
接触が行われない。従ってファラデー回転子からの熱発
散を防止し、溶液中でファラデー回転子の育成が可能で
ある。その結果ファラデー回転子内に割れ目等が発生し
なくなる。
(実施例) 以下本発明の実施例を説明する。
るつぼ内にフラックスと原料成分とを入れて、炉内の温
度を上昇して前記素材を十分に混合溶融させた後、冷却
して、融液中で単結晶を成長させる。この単結晶は、徐
冷最低温度において、るつぼよりフラックスを分離し
て、炉内で24時間かけて室温まで下げた後に取り出すも
のである。
フラックスとしては、Bi2O3とB2O3両方を使用し、原料
成分としてGd2O3とFe2O3を使用して、原料成分とフラッ
クスの混合比、原料成分の混合比の育成条件を変えて実
験を行なった。本実験例においては、Gd3xBixFe5O12
単結晶を育成することが目的であるから、Bi2O3はフラ
ックスであるとともに原料成分の役目を果すものであ
る。得られた単結晶についてX線回析装置を用いて単結
晶の固定を行った。また、1.3μmの波長におけるファ
ラデー回転角を測定した。
以上のような結晶育成条件および単結晶の特性値を第1
表に示す。
第1表において、単結晶の固定は、下記のようにして行
った。得られた単結晶を粉末状にして、X線デイフラク
トメータで回析パターンの回析角を測定し、その回析角
から面間隔を求め、ASTM(American Society for Test
ng Materiols粉末や線データ([Powder Diffraction
File Inorganic Volum]Joint n Commitee Powder
Diffraction Standards Sets 19−20,P.449、P.521、S
ets 11〜15 P.503)と比較することによって測定を行っ
た。
第1表の成長結晶欄において、Gはガーネット型単結
晶、αはα−Fe2O3を示す。第1表の実験例1,2,4,7,8,9
に示す組成では、ガーネット型単結晶(GdBiIG)が中心
となって成長し、実験例3,5,6のようにB2O3が多い組
成、もしくはBi2O3が多い組成では、α−Fe2O3が中心に
多く成長している。この成長した結晶を研磨し、磁気光
学特性の1つであるファラデー回転角を測定したとこ
ろ、2200(度/cm)であり、先行技術を開示した特開昭5
9−164692号に記載のものとほぼ同じ回転角で示した。
さらに数10個研磨して、光の有効径を測定したところ、
割れ目の存在しない完全な単結晶が多く得られた。従っ
て歩留まりが向上したことが明白である。
(発明の効果) 本発明によれば、B2O3を5.5mol%以上組成比を変化させ
ても、ガーネット型単結晶(Gd3-xBixFe5O12)を育成す
ることが出来、さらにB2O3が比重の関係で液上面に存在
することにより、ガーネット型単結晶が浮上することな
くして、液中で育成することが出来る。従って単結晶の
熱放散による割れ目の形成が減少し、光の有効径を満足
したファラデー回転子を効率的に得ることができる等の
効果がある。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】原料とフラックスとを混合して融解し、徐
    冷しつつ単結晶を析出して成長させるフラックス法にお
    いて、前記原料と前記フラックスとをGd2O34.5〜9.1mol
    %、Fe2O337〜46mol%、Bi2O336〜50mol%、B2O35.5〜1
    8.4mol%とを前記mol%の範囲で混合し、ビスマス置換
    ガドリニウム鉄ガーネット単結晶を育成する工程と、使
    用するB2O3のmol%量を増加することにより、浮上した
    ファラデー回転子の上部にB2O3の膜を形成する工程と、
    この膜によりファラデー回転子は直接大気との接触が遮
    断されることにより、ファラデー回転子からの熱発散を
    防止し、フラックス溶融状態で溶液中で育成され、割れ
    目の発生しないビスマス置換ガドリニウム鉄ガーネット
    単結晶を取り出す工程とよりなることを特徴とするファ
    ラデー回転子の製造方法。
JP1231166A 1989-09-06 1989-09-06 ファラデー回転子の製造方法 Expired - Lifetime JPH0750266B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1231166A JPH0750266B2 (ja) 1989-09-06 1989-09-06 ファラデー回転子の製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1231166A JPH0750266B2 (ja) 1989-09-06 1989-09-06 ファラデー回転子の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH0394216A JPH0394216A (ja) 1991-04-19
JPH0750266B2 true JPH0750266B2 (ja) 1995-05-31

Family

ID=16919351

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP1231166A Expired - Lifetime JPH0750266B2 (ja) 1989-09-06 1989-09-06 ファラデー回転子の製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0750266B2 (ja)

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS627631A (ja) * 1985-06-29 1987-01-14 Toshiba Corp 磁気光学素子
DE3607345A1 (de) * 1986-03-06 1987-09-10 Philips Patentverwaltung Magneto-optisches lichtschaltelement und verfahren zu seiner herstellung

Also Published As

Publication number Publication date
JPH0394216A (ja) 1991-04-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPS58130200A (ja) イリジウム−レニウムるつぼ及び該るつぼ中で結晶を生長させる方法
CA1171342A (en) Method of making magnetic film substrate composites
JPH0750266B2 (ja) ファラデー回転子の製造方法
Houlton et al. A study of growth defects in lead germanate crystals
US6165263A (en) Method for growing single crystal
JPH0475879B2 (ja)
JPH0446920B2 (ja)
US4046954A (en) Monocrystalline silicates
Zydzik The growth of LiNbO3 crystals using an automated puller
JPS6335496A (ja) 単結晶ガ−ネツト体の製造法
US3894142A (en) Method for producing gadolinium molybdate single crystals having high transparency
CN114457423B (zh) 一种Zn4B6O13单晶的生长方法
JP6933424B1 (ja) Sggg単結晶の育成方法とsggg単結晶
JP2005089223A (ja) 単結晶及びその製造方法
JPH05117095A (ja) ビスマス置換希土類鉄ガーネツトの製造方法
JP3770082B2 (ja) ニオブ酸カリウムの製造方法
JP3806966B2 (ja) 磁性ガーネット単結晶の製造方法
JPH0333096A (ja) マグネシウム添加ニオブ酸リチウム単結晶の製造方法
JP2647940B2 (ja) 単結晶育成方法
CA1047897A (en) Monocrystalline silicates and method of growth
JPH092899A (ja) 短波長用ビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶の製造法
Tabata LETFER TO THE EDITORS SPINEL TWIN FORMATION IN FLUX GROWN MgAI2O4 CRYSTALS
Lovell et al. Preparation of Materials
JPH0450188A (ja) 単結晶の製造方法および製造装置
JPH0692781A (ja) 単結晶の製造方法及び製造装置