JP3806966B2 - 磁性ガーネット単結晶の製造方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
この発明は磁性ガーネット単結晶の製造方法に関し、特に、たとえば、光磁気光学素子や静磁波素子に用いられる磁性ガーネット単結晶の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
光磁気光学素子や静磁波素子に用いられる磁性ガーネット単結晶として最も重要なものは、イットリウム・鉄・ガーネット(Y3 Fe5 O12:以下「YIG」と表す。)単結晶である。
【0003】
従来、YIG単結晶を得るためには、フラックス法または浮遊帯域溶融法(以下「FZ法」と表す。)によってバルク単結晶が育成されるか、液相エピタキシャル法(以下「LPE法」と表す。)によってガーネット基板上に単結晶膜が育成される。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、フラックス法やFZ法では大型の磁性ガーネット単結晶を育成することができないという問題があり、LPE法では磁性特性に何も関与していない高価なガーネット基板を用いるため、育成される磁性ガーネット単結晶のコストが高くなるという問題があった。
【0006】
この発明の主たる目的は、大型の磁性ガーネット単結晶を低コストで製造することができる磁性ガーネット単結晶の製造方法を提供することである。
【0010】
【課題を解決するための手段】
この発明にかかる磁性ガーネット単結晶の製造方法は、化学式R3(Ga1-xAlx)5-yFeyO12(ただし、RはY,La,Gd,Nd,Smより選ばれる1種以上の元素であり、xおよびyはそれぞれ0≦x≦1,0<y≦1.65である)を満足する金属元素を含む組成の化合物を混合し、加熱溶融させた後、冷却固化させて磁性ガーネット単結晶を得る、磁性ガーネット単結晶の製造方法であって、加熱溶融させた後、冷却固化させて磁性ガーネット単結晶を得る方法は、引き上げ法またはブリッジマン法である、磁性ガーネット単結晶の製造方法である。
【0011】
【作用】
この発明にかかる磁性ガーネット単結晶のように、非磁性ガーネット単結晶材料の一部を磁性材料であるFeで置換すれば、引き上げ法やブリッジマン法によって大型の磁性ガーネット単結晶を育成することができるようになる。なお、Feによる置換量すなわちyを1.65より大きくすると、温度変化したときに組成変化を示さずに固相および液相間の相変化をおこす一致溶融化合物にならないため、引き上げ法やブリッジマン法によって磁性ガーネット単結晶を育成することができない。
【0012】
【発明の効果】
この発明によれば、引き上げ法やブリッジマン法によって大型の磁性ガーネット単結晶を育成することができるようになるので、高価なガーネット基板を用いることなく低コストで大型の磁性ガーネット単結晶を製造することができるようになる。
【0013】
この発明の上述の目的、その他の目的、特徴および利点は、図面を参照して行う以下の発明の実施の形態の詳細な説明から一層明らかとなろう。
【0014】
【発明の実施の形態】
図1はこの発明にかかる磁性ガーネット単結晶を引き上げ法によって育成するための単結晶育成装置の一例を示す図解図である。図1に示す単結晶育成装置10は、上方が開放された箱型の断熱用炉材12を含む。断熱用炉材12の内底には、るつぼ支持体14が形成される。るつぼ支持体14上には、たとえば内径60mm、高さ60mm、厚さ1mmのイリジウム製のるつぼ16が支持される。るつぼ16は、その中に単結晶材料の融液Aを入れるためのものである。るつぼ16と断熱用炉材12との間には、断熱材18が設けられる。また、るつぼ16の上方には、上方が開放された断熱用炉材20が形成される。さらに、るつぼ16の上方には、種子結晶支持体22が設けられる。種子結晶支持体22は、種子結晶Bを支持するためのものであり、種子結晶Bは、その表面に単結晶Cを育成するためのものである。
【0015】
(実施例1)
Gd3 (Ga,Fe)5 O12系単結晶を育成するための出発物質(単結晶材料)として、Gd2 O3 、Ga2 O3 およびFe2 O3 を、表1に示す組成比になるように約700g調合し、混合成型した後、図1に示す単結晶育成装置10のるつぼ16に充填し、高周波誘導加熱によって融解させた。
【0016】
【表1】
【0017】
そして、るつぼ16内の単結晶材料の融液Aに、種子結晶支持体22で支持した4.5mm×4.5mm×50mmのGd3 Ga5 O12種子結晶Bを接触させて、種子結晶Bの表面から下方に単結晶Cを育成した。
【0018】
その結果、直径20mm,長さ50mm,重量約100gのGd3 (Ga,Fe)5 O12系単結晶を育成することができた。
【0019】
育成した単結晶を5mm×5mm×1mmの大きさに切り出して飽和磁化測定用の試料とした。試料の飽和磁化は振動試料型磁力計を用いて測定した。その結果を表1に示す。
【0020】
なお、表1中、試料番号に*を付したものはこの発明の範囲外のものであり、他のものはこの発明の範囲内のものである。
【0021】
この発明において、組成を限定したのは以下の理由である。
すなわち、試料番号1のように、組成にFeが含有していない試料では、磁気特性を示さない。また、試料番号6のように、Feの量が1.65より多くなると、単結晶を育成することができなくなる。
【0022】
(実施例2)
Gd2.5 Nd0.5 (Ga,Fe)5 O12系単結晶を育成するための出発物質(単結晶材料)として、Gd2 O3 、Nd2 O3 、Ga2 O3 およびFe2 O3 を、表2に示す組成比になるように約700g調合し、混合成型した後、図1に示す単結晶育成装置10のるつぼ16に充填し、高周波誘導加熱によって融解させた。
【0023】
【表2】
【0024】
そして、るつぼ16内の単結晶材料の融液Aに、種子結晶支持体22で支持した4.5mm×4.5mm×50mmのGd3 Ga5 O12種子結晶Bを接触させて、種子結晶Bの表面から下方に単結晶Cを育成した。
【0025】
その結果、直径20mm,長さ50mm,重量約100gのGd2.5 Nd0.5 (Ga,Fe)5 O12系単結晶を育成することができた。
【0026】
育成した単結晶を5mm×5mm×1mmの大きさに切り出して飽和磁化測定用の試料とした。試料の飽和磁化は振動試料型磁力計を用いて測定した。その結果を表2に示す。
【0027】
なお、表2中、試料番号に*を付したものはこの発明の範囲外のものであり、他のものはこの発明の範囲内のものである。
【0028】
この発明において、組成を限定したのは以下の理由である。
すなわち、試料番号7のように、組成にFeが含有していない試料では、磁気特性を示さない。また、試料番号12のように、Feの量が1.65より多くなると、単結晶を育成することができなくなる。
【0029】
(実施例3)
Gd1.5 Sm1.5 (Ga,Fe)5 O12系単結晶を育成するための出発物質(単結晶材料)として、Gd2 O3 、Sm2 O3 、Ga2 O3 およびFe2 O3 を、表3に示す組成比になるように約700g調合し、混合成型した後、図1に示す単結晶育成装置10のるつぼ16に充填し、高周波誘導加熱によって融解させた。
【0030】
【表3】
【0031】
そして、るつぼ16内の単結晶材料の融液Aに、種子結晶支持体22で支持した4.5mm×4.5mm×50mmのGd3 Ga5 O12種子結晶Bを接触させて、種子結晶Bの表面から下方に単結晶Cを育成した。
【0032】
その結果、直径20mm,長さ50mm,重量約100gのGd1.5 Sm1.5 (Ga,Fe)5 O12系単結晶を育成することができた。
【0033】
育成した単結晶を5mm×5mm×1mmの大きさに切り出して飽和磁化測定用の試料とした。試料の飽和磁化は振動試料型磁力計を用いて測定した。その結果を表3に示す。
【0034】
なお、表3中、試料番号に*を付したものはこの発明の範囲外のものであり、他のものはこの発明の範囲内のものである。
【0035】
この発明において、組成を限定したのは以下の理由である。
すなわち、試料番号13のように、組成にFeが含有していない試料では、磁気特性を示さない。また、試料番号18のように、Feの量が1.65より多くなると、単結晶を育成することができなくなる。
【0036】
(実施例4)
Y3 (Ga,Al,Fe)5 O12系単結晶を育成するための出発物質(単結晶材料)として、Y2 O3 、Ga2 O3 、Al2 O3 およびFe2 O3 を、表4に示す組成比になるように約700g調合し、混合成型した後、図1に示す単結晶育成装置10のるつぼ16に充填し、高周波誘導加熱によって融解させた。
【0037】
【表4】
【0038】
そして、るつぼ16内の単結晶材料の融液Aに、種子結晶支持体22で支持した4.5mm×4.5mm×50mmのY3 Al5 O12種子結晶Bを接触させて、種子結晶Bの表面から下方に単結晶Cを育成した。
【0039】
その結果、直径20mm,長さ50mm,重量約100gのY3 (Ga,Al,Fe)5 O12系単結晶を育成することができた。
【0040】
育成した単結晶を5mm×5mm×1mmの大きさに切り出して飽和磁化測定用の試料とした。試料の飽和磁化は振動試料型磁力計を用いて測定した。その結果を表4に示す。
【0041】
なお、表4中、試料番号に*を付したものはこの発明の範囲外のものであり、他のものはこの発明の範囲内のものである。
【0042】
この発明において、組成を限定したのは以下の理由である。
すなわち、試料番号19のように、組成にFeが含有していない試料では、磁気特性を示さない。また、試料番号24のように、Feの量が1.65より多くなると、単結晶を育成することができなくなる。
【0043】
図2はこの発明にかかる磁性ガーネット単結晶をブリッジマン法によって育成するための単結晶育成装置の一例を示す図解図である。図2に示す単結晶育成装置30は、るつぼ昇降機32を含む。るつぼ昇降機32上端には、たとえば内径30mm、高さ240mm、厚さ0.4mmの白金ロジウム製のるつぼ34が支持される。るつぼ34は、その中に単結晶材料の融液Aを入れるためのものである。るつぼ昇降機32によるるつぼ34の昇降通路の上部の外側には、縦型管状のヒーター36が設けられる。
【0044】
(実施例5)
Gd3 (Ga,Fe)5 O12系単結晶を育成するための出発物質(単結晶材料)として、Gd2 O3 、Ga2 O3 およびFe2 O3 を、表5に示す組成比になるように約700g調合し、混合成型した後、図2に示す単結晶育成装置30のるつぼ34に充填し、ヒーター36による加熱によって融解させた。
【0045】
【表5】
【0046】
その後、るつぼ昇降機32でるつぼ34を2mm/時間の速度で降下させて、るつぼ34内の単結晶材料の溶液Aを、下部から凝固させ単結晶化させた。
【0047】
その結果、直径30mm,長さ22mm,重量約100gのGd3 (Ga,Fe)5 O12系単結晶を育成することができた。
【0048】
育成した単結晶を5mm×5mm×1mmの大きさに切り出して飽和磁化測定用の試料とした。試料の飽和磁化は振動試料型磁力計を用いて測定した。その結果を表5に示す。
【0049】
なお、表5中、試料番号に*を付したものはこの発明の範囲外のものであり、他のものはこの発明の範囲内のものである。
【0050】
この発明において、組成を限定したのは以下の理由である。
すなわち、試料番号25のように、組成にFeが含有していない試料では、磁気特性を示さない。また、試料番号30のように、Feの量が1.65より多くなると、単結晶を育成することができなくなる。
【0051】
上述のように、この発明によれば、引き上げ法やブリッジマン法によって大型の磁性ガーネット単結晶を育成することができるので、高価なガーネット基板を用いることなく低コストで大型の磁性ガーネット単結晶を製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明にかかる磁性ガーネット単結晶を引き上げ法によって育成するための単結晶育成装置の一例を示す図解図である。
【図2】この発明にかかる磁性ガーネット単結晶をブリッジマン法によって育成するための単結晶育成装置の一例を示す図解図である。
【符号の説明】
10 単結晶育成装置
12 断熱用炉材
14 るつぼ支持体
16 るつぼ
18 断熱材
20 断熱用炉材
22 種子結晶支持体
30 単結晶育成装置
32 るつぼ昇降機
34 るつぼ
36 ヒーター
A 単結晶材料の融液
B 種子結晶
C 単結晶
Claims (1)
- 化学式R3(Ga1-xAlx)5-yFeyO12(ただし、RはY,La,Gd,Nd,Smより選ばれる1種以上の元素であり、xおよびyはそれぞれ0≦x≦1,0<y≦1.65である)を満足する金属元素を含む組成の化合物を混合し、加熱溶融させた後、冷却固化させて磁性ガーネット単結晶を得る、磁性ガーネット単結晶の製造方法であって、
前記加熱溶融させた後、冷却固化させて磁性ガーネット単結晶を得る方法は、引き上げ法またはブリッジマン法である、磁性ガーネット単結晶の製造方法。
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JP02990296A JP3806966B2 (ja) | 1996-01-23 | 1996-01-23 | 磁性ガーネット単結晶の製造方法 |
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JPH09202696A JPH09202696A (ja) | 1997-08-05 |
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- 1996-01-23 JP JP02990296A patent/JP3806966B2/ja not_active Expired - Fee Related
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