JPH0750230A - 固体電解コンデンサの製造方法 - Google Patents
固体電解コンデンサの製造方法Info
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- JPH0750230A JPH0750230A JP6021269A JP2126994A JPH0750230A JP H0750230 A JPH0750230 A JP H0750230A JP 6021269 A JP6021269 A JP 6021269A JP 2126994 A JP2126994 A JP 2126994A JP H0750230 A JPH0750230 A JP H0750230A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ＴＣＮＱ塩を電解質として用い、樹脂封口し
た固体電解コンデンサにおいて、樹脂とＴＣＮＱ塩との
反応に起因する漏れ電流の増大やショ−ト不良の問題を
解決する。 【構成】 ＴＣＮＱ塩を含浸したコンデンサ素子を筒状
ケースの底部に収納し、該ケ−スの開口部側から後で注
入する第２の樹脂に比べてＴＣＮＱ塩と反応しにくい材
料からなる第１の樹脂を注入して前記コンデンサ素子及
びＴＣＮＱ塩を被覆する第１の樹脂層を形成し、さらに
その上に前記第１の樹脂に比べて耐湿性に優れた材料か
らなる第２の樹脂を注入して前記第１の樹脂層に比べて
厚い第２の樹脂層を形成することにより、前記ケースの
開口部を封止する。
た固体電解コンデンサにおいて、樹脂とＴＣＮＱ塩との
反応に起因する漏れ電流の増大やショ−ト不良の問題を
解決する。 【構成】 ＴＣＮＱ塩を含浸したコンデンサ素子を筒状
ケースの底部に収納し、該ケ−スの開口部側から後で注
入する第２の樹脂に比べてＴＣＮＱ塩と反応しにくい材
料からなる第１の樹脂を注入して前記コンデンサ素子及
びＴＣＮＱ塩を被覆する第１の樹脂層を形成し、さらに
その上に前記第１の樹脂に比べて耐湿性に優れた材料か
らなる第２の樹脂を注入して前記第１の樹脂層に比べて
厚い第２の樹脂層を形成することにより、前記ケースの
開口部を封止する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、有機半導体の一種であ
るＴＣＮＱ塩を電解質として用いた固体電解コンデンサ
に関する。
るＴＣＮＱ塩を電解質として用いた固体電解コンデンサ
に関する。
【０００２】
【従来の技術】有機半導体の一種であるＴＣＮＱ塩を電
解質として用いた固体電解コンデンサは、特公昭６２−
５２９３９号公報（Ｈ０１Ｇ ９／０２）に開示されて
いる。ここでＴＣＮＱとは、７,７,８,８テトラシアノ
キノジメタンを意味する。
解質として用いた固体電解コンデンサは、特公昭６２−
５２９３９号公報（Ｈ０１Ｇ ９／０２）に開示されて
いる。ここでＴＣＮＱとは、７,７,８,８テトラシアノ
キノジメタンを意味する。
【０００３】上記従来技術においては、ＴＣＮＱ塩の粉
末を熱伝導性に優れたケ−ス（アルミニウム製ケース）
に装填し、これを２５０〜３００℃に昇温して融解液化
し、予熱しておいたコンデンサ素子を融解液化したＴＣ
ＮＱ塩中に浸漬した後、急冷却し、ケ−スの開口部にエ
ポキシ系樹脂を充填し、８５〜１０５℃に昇温して長時
間保持することによりエポキシ系樹脂を硬化させ、図５
に示すような断面構造を有する固体電解コンデンサを製
造していた。図５において、(1)はコンデンサ素子、(2)
はＴＣＮＱ塩、(3)はケ−ス、(4)はエポキシ系樹脂、
(5)はリ−ドボス、(6)は陽極リ−ド線、(7)は陰極リー
ド線である。
末を熱伝導性に優れたケ−ス（アルミニウム製ケース）
に装填し、これを２５０〜３００℃に昇温して融解液化
し、予熱しておいたコンデンサ素子を融解液化したＴＣ
ＮＱ塩中に浸漬した後、急冷却し、ケ−スの開口部にエ
ポキシ系樹脂を充填し、８５〜１０５℃に昇温して長時
間保持することによりエポキシ系樹脂を硬化させ、図５
に示すような断面構造を有する固体電解コンデンサを製
造していた。図５において、(1)はコンデンサ素子、(2)
はＴＣＮＱ塩、(3)はケ−ス、(4)はエポキシ系樹脂、
(5)はリ−ドボス、(6)は陽極リ−ド線、(7)は陰極リー
ド線である。
【０００４】このような従来の固体電解コンデンサにお
いては、エポキシ系樹脂を硬化するための加熱時やプリ
ント基板等に半田付けするための加熱時に、エポキシ系
樹脂(4)とＴＣＮＱ塩(2)とが反応してＴＣＮＱ塩の固体
電解質としての特性が劣化するばかりでなく、前記反応
に起因してコンデンサ素子(1)の陽極に形成された酸化
被膜も弱体化し、高電圧印加時に漏れ電流が増大した
り、極端な場合にはショ−トに至ることがあった。
いては、エポキシ系樹脂を硬化するための加熱時やプリ
ント基板等に半田付けするための加熱時に、エポキシ系
樹脂(4)とＴＣＮＱ塩(2)とが反応してＴＣＮＱ塩の固体
電解質としての特性が劣化するばかりでなく、前記反応
に起因してコンデンサ素子(1)の陽極に形成された酸化
被膜も弱体化し、高電圧印加時に漏れ電流が増大した
り、極端な場合にはショ−トに至ることがあった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、従来の固体
電解コンデンサにおける上述のような問題点、すなわち
エポキシ系樹脂とＴＣＮＱ塩との反応に起因する漏れ電
流の増大やショ−ト不良の問題を解決するものである。
電解コンデンサにおける上述のような問題点、すなわち
エポキシ系樹脂とＴＣＮＱ塩との反応に起因する漏れ電
流の増大やショ−ト不良の問題を解決するものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明による固体電解コ
ンデンサの製造方法は、陽極箔と陰極箔とをセパレ−タ
を介して巻回したコンデンサ素子を準備する工程と、Ｔ
ＣＮＱ塩の粉末を有底筒状のケ−スに装填し、融点以上
の温度に加熱して融解液化する工程と、融解液化したＴ
ＣＮＱ塩に前記コンデンサ素子を浸漬した後、急冷却
し、コンデンサ素子に含浸したＴＣＮＱ塩を固化すると
ともに該コンデンサ素子を前記ケ−スの底部に固定する
工程と、該ケ−スの開口部側から、後で注入する第２の
樹脂に比べてＴＣＮＱ塩と反応しにくい材料（例えば変
性アクリレ−ト系樹脂、シアノアクリレ−ト系樹脂、ナ
イロン樹脂等）からなる第１の樹脂を注入して、前記コ
ンデンサ素子及びＴＣＮＱ塩を被覆する第１の樹脂層を
形成する工程と、さらにその上に、前記第１の樹脂に比
べて耐湿性に優れた材料（例えばエポキシ系樹脂等）か
らなる第２の樹脂を注入して前記第１の樹脂層に比べて
厚い第２の樹脂層を形成することにより、前記ケースの
開口部を封止する工程とを備えることを特徴とするもの
である。
ンデンサの製造方法は、陽極箔と陰極箔とをセパレ−タ
を介して巻回したコンデンサ素子を準備する工程と、Ｔ
ＣＮＱ塩の粉末を有底筒状のケ−スに装填し、融点以上
の温度に加熱して融解液化する工程と、融解液化したＴ
ＣＮＱ塩に前記コンデンサ素子を浸漬した後、急冷却
し、コンデンサ素子に含浸したＴＣＮＱ塩を固化すると
ともに該コンデンサ素子を前記ケ−スの底部に固定する
工程と、該ケ−スの開口部側から、後で注入する第２の
樹脂に比べてＴＣＮＱ塩と反応しにくい材料（例えば変
性アクリレ−ト系樹脂、シアノアクリレ−ト系樹脂、ナ
イロン樹脂等）からなる第１の樹脂を注入して、前記コ
ンデンサ素子及びＴＣＮＱ塩を被覆する第１の樹脂層を
形成する工程と、さらにその上に、前記第１の樹脂に比
べて耐湿性に優れた材料（例えばエポキシ系樹脂等）か
らなる第２の樹脂を注入して前記第１の樹脂層に比べて
厚い第２の樹脂層を形成することにより、前記ケースの
開口部を封止する工程とを備えることを特徴とするもの
である。
【０００７】
【作用】上記本発明の製造方法によれば、第２の樹脂層
がケースの開口部に十分に厚く形成されることによって
固体電解コンデンサとしての耐湿性が確保され、ＴＣＮ
Ｑ塩を含浸したコンデンサ素子と第２の樹脂層との間に
第１の樹脂層が介在することによってＴＣＮＱ塩と第２
の樹脂層との反応が阻止される。
がケースの開口部に十分に厚く形成されることによって
固体電解コンデンサとしての耐湿性が確保され、ＴＣＮ
Ｑ塩を含浸したコンデンサ素子と第２の樹脂層との間に
第１の樹脂層が介在することによってＴＣＮＱ塩と第２
の樹脂層との反応が阻止される。
【０００８】
【実施例】以下、本発明の実施例について図面を参照し
ながら説明する。尚、従来技術による構成と同一の個所
には同一の符号を付して説明を省略する。
ながら説明する。尚、従来技術による構成と同一の個所
には同一の符号を付して説明を省略する。
【０００９】図１は本発明第１実施例による固体電解コ
ンデンサの断面図である。この固体電解コンデンサは、
以下に述べるような工程を経て製造される。
ンデンサの断面図である。この固体電解コンデンサは、
以下に述べるような工程を経て製造される。
【００１０】すなわち、先ずエッチング処理、化成処理
を行なったアルミニウム箔を陽極箔とし、対向陰極箔と
の間にセパレ−タを挟んで円筒状に巻き取り、コンデン
サ素子(1)を形成する。
を行なったアルミニウム箔を陽極箔とし、対向陰極箔と
の間にセパレ−タを挟んで円筒状に巻き取り、コンデン
サ素子(1)を形成する。
【００１１】次にＴＣＮＱ塩(2)、例えばＮ-ｎ-ブチル
イソキノリニウムのＴＣＮＱ塩（（Ｎ-ｎ-ブチルイソキ
ノリニウム）+（ＴＣＮＱ）-（ＴＣＮＱ））の粉末を有
底筒状のケ−ス(3)に装填し、融点（２１０〜２３０
℃）以上の温度、例えば２９０〜３００℃の温度で融解
液化する。
イソキノリニウムのＴＣＮＱ塩（（Ｎ-ｎ-ブチルイソキ
ノリニウム）+（ＴＣＮＱ）-（ＴＣＮＱ））の粉末を有
底筒状のケ−ス(3)に装填し、融点（２１０〜２３０
℃）以上の温度、例えば２９０〜３００℃の温度で融解
液化する。
【００１２】そして融解液化したＴＣＮＱ塩(2)に前記
コンデンサ素子(1)を浸漬した後、急冷却し、コンデン
サ素子に含浸したＴＣＮＱ塩を固化するとともに該コン
デンサ素子をケ−ス(3)の底部に固定する。尚、ＴＣＮ
Ｑ塩(2)を融解液化後冷却固化するまでの時間は約４分
以内にする必要があり、この時間を越えるとＴＣＮＱ塩
は電気的絶縁物となってしまう。
コンデンサ素子(1)を浸漬した後、急冷却し、コンデン
サ素子に含浸したＴＣＮＱ塩を固化するとともに該コン
デンサ素子をケ−ス(3)の底部に固定する。尚、ＴＣＮ
Ｑ塩(2)を融解液化後冷却固化するまでの時間は約４分
以内にする必要があり、この時間を越えるとＴＣＮＱ塩
は電気的絶縁物となってしまう。
【００１３】次にケ−ス(3)の開口部側から第１の樹脂
層となる変性アクリレ−ト系樹脂(8)（例えば高圧ガス
工業株式会社製商品名「ベガロツク」、品番９０７３）
を注入して、コンデンサ素子(1)及びＴＣＮＱ塩(2)を被
覆する。尚、上記変性アクリレ−ト系樹脂(8)は室温
（２０℃〜３０℃）で２時間程度放置することにより硬
化するものである。
層となる変性アクリレ−ト系樹脂(8)（例えば高圧ガス
工業株式会社製商品名「ベガロツク」、品番９０７３）
を注入して、コンデンサ素子(1)及びＴＣＮＱ塩(2)を被
覆する。尚、上記変性アクリレ−ト系樹脂(8)は室温
（２０℃〜３０℃）で２時間程度放置することにより硬
化するものである。
【００１４】さらにその上に第２の樹脂層となるエポキ
シ系樹脂(4)（例えば田辺化学工業株式会社製商品名
「エピコ−トン」）を注入し、該エポキシ系樹脂(4)を
８５℃で２時間の硬化条件による一次硬化と１０５℃で
１５時間の硬化条件による二次硬化を経て硬化させ、ケ
ースの開口部(3a)を封止する。
シ系樹脂(4)（例えば田辺化学工業株式会社製商品名
「エピコ−トン」）を注入し、該エポキシ系樹脂(4)を
８５℃で２時間の硬化条件による一次硬化と１０５℃で
１５時間の硬化条件による二次硬化を経て硬化させ、ケ
ースの開口部(3a)を封止する。
【００１５】こうして完成した本発明第１実施例による
固体電解コンデンサと、従来の固体電解コンデンサの初
期特性の２０℃における比較を表１に示す。
固体電解コンデンサと、従来の固体電解コンデンサの初
期特性の２０℃における比較を表１に示す。
【００１６】
【表１】
【００１７】表１において、(Ａ),(Ｂ)は定格電圧２５
Ｖ, 容量３．３μＦ、(Ｃ),(Ｄ)は定格電圧３５Ｖ,容量
４．７μＦのコンデンサで、(Ａ),(Ｃ)は前述した本発
明第１実施例（図１）の構造、(Ｂ),(Ｄ)は前述した従
来例（図５）の構造である。尚、Ｃａｐ．は１２０Ｈｚ
における静電容量、ｔａｎδは１２０Ｈｚにおける誘電
正接、ＬＣは定格電圧印加１５秒後の漏れ電流（μＡ）
とその歩留り（％）、ＥＳＲは１００ｋＨｚにおける等
価直列抵抗を示すものである。また数値はＬＣを除き、
いずれも各１０個の平均値である。ＬＣについては規格
内の良品１０個の平均値を示し、歩留りは試料５０個中
の歩留りを示しているが、各機種のＬＣ規格は定格２５
Ｖ,３．３μＦの場合は１．６μＡ以下、定格３５Ｖ,
４．７μＦの場合は３．３μＡ以下である。
Ｖ, 容量３．３μＦ、(Ｃ),(Ｄ)は定格電圧３５Ｖ,容量
４．７μＦのコンデンサで、(Ａ),(Ｃ)は前述した本発
明第１実施例（図１）の構造、(Ｂ),(Ｄ)は前述した従
来例（図５）の構造である。尚、Ｃａｐ．は１２０Ｈｚ
における静電容量、ｔａｎδは１２０Ｈｚにおける誘電
正接、ＬＣは定格電圧印加１５秒後の漏れ電流（μＡ）
とその歩留り（％）、ＥＳＲは１００ｋＨｚにおける等
価直列抵抗を示すものである。また数値はＬＣを除き、
いずれも各１０個の平均値である。ＬＣについては規格
内の良品１０個の平均値を示し、歩留りは試料５０個中
の歩留りを示しているが、各機種のＬＣ規格は定格２５
Ｖ,３．３μＦの場合は１．６μＡ以下、定格３５Ｖ,
４．７μＦの場合は３．３μＡ以下である。
【００１８】表１からわかるように、本発明品は従来品
に比べて漏れ電流に関する歩留まりが著しく改善され、
良品のみについて比較しても漏れ電流の平均値が小さく
なっている。
に比べて漏れ電流に関する歩留まりが著しく改善され、
良品のみについて比較しても漏れ電流の平均値が小さく
なっている。
【００１９】図２は本発明第２実施例による固体電解コ
ンデンサの断面図である。この固体電解コンデンサにお
いては、コンデンサ素子(1)にＴＣＮＱ塩(2)を含浸させ
てケ−ス(3)の底部に固定した後、ケースの開口部側か
ら第１の樹脂層となるシアノアクリレ−ト系樹脂(9)
（例えば２−シアノアクリレ−トモノマ−、東亜合成化
学工業株式会社製商品名「アロンアルファ」、セメダイ
ン株式会社製商品名「セメダイン３０００ゴ−ルド」
等）を０．０３〜０．２ｃｃ滴下してコンデンサ素子
(1)及びＴＣＮＱ塩(2)の表面を完全に被覆し、さらにそ
の上に第２の樹脂層となるエポキシ系樹脂(4)を注入し
てケースの開口部(3a)を封止する。
ンデンサの断面図である。この固体電解コンデンサにお
いては、コンデンサ素子(1)にＴＣＮＱ塩(2)を含浸させ
てケ−ス(3)の底部に固定した後、ケースの開口部側か
ら第１の樹脂層となるシアノアクリレ−ト系樹脂(9)
（例えば２−シアノアクリレ−トモノマ−、東亜合成化
学工業株式会社製商品名「アロンアルファ」、セメダイ
ン株式会社製商品名「セメダイン３０００ゴ−ルド」
等）を０．０３〜０．２ｃｃ滴下してコンデンサ素子
(1)及びＴＣＮＱ塩(2)の表面を完全に被覆し、さらにそ
の上に第２の樹脂層となるエポキシ系樹脂(4)を注入し
てケースの開口部(3a)を封止する。
【００２０】ここで、上記シアノアクリレ−ト系樹脂
(9)の滴下量はコンデンサ素子(1)の外径にほぼ比例し、
上記２−シアノアクレリ−トモノマ−の硬化（２−シア
ノアクリレ−トモノマ−の重合による２−シアノアクリ
レ−トポリマ−の形成）は室温（２０℃〜３０℃）で約
１２時間放置することにより完了する。
(9)の滴下量はコンデンサ素子(1)の外径にほぼ比例し、
上記２−シアノアクレリ−トモノマ−の硬化（２−シア
ノアクリレ−トモノマ−の重合による２−シアノアクリ
レ−トポリマ−の形成）は室温（２０℃〜３０℃）で約
１２時間放置することにより完了する。
【００２１】こうして完成した本発明第２実施例による
固体電解コンデンサと、従来の固体電解コンデンサの初
期特性の２０℃における比較を表２に示す。
固体電解コンデンサと、従来の固体電解コンデンサの初
期特性の２０℃における比較を表２に示す。
【００２２】
【表２】
【００２３】表２において、(Ｅ),(Ｆ)は定格電圧２５
Ｖ,容量１μＦ、(Ｇ),(Ｈ)は定格電圧２５Ｖ,容量１０
μＦ、(Ｉ),(Ｊ)は定格電圧２５Ｖ,容量１０μＦ、
(Ｋ),(Ｌ)は定格電圧３５Ｖ,容量４．７μＦ、(Ｍ),
(Ｎ)は定格電圧３５Ｖ,容量２．２μＦのコンデンサで
ある。また、(Ｅ),(Ｇ),(Ｉ),(Ｋ),(Ｍ)は前述した本発
明第２実施例（図２）の構造、(Ｆ),(Ｈ),(Ｊ),(Ｌ),
(Ｎ)は前述した従来例（図５）の構造である。さらに、
(Ｅ)は前述した東亜合成化学工業株式会社製「アロンア
ルファ」、(Ｇ)は同社製「アロンアルファ２０１」、
(Ｉ)はセメダイン株式会社製「セメダイン３０００ゴ−
ルド」、(Ｋ)は同社製「セメダイン３０００マルチ」、
(Ｍ)は同社製「セメダイン木工用３０００」をシアノア
クリレ−ト系樹脂(9)として使用したものである。
Ｖ,容量１μＦ、(Ｇ),(Ｈ)は定格電圧２５Ｖ,容量１０
μＦ、(Ｉ),(Ｊ)は定格電圧２５Ｖ,容量１０μＦ、
(Ｋ),(Ｌ)は定格電圧３５Ｖ,容量４．７μＦ、(Ｍ),
(Ｎ)は定格電圧３５Ｖ,容量２．２μＦのコンデンサで
ある。また、(Ｅ),(Ｇ),(Ｉ),(Ｋ),(Ｍ)は前述した本発
明第２実施例（図２）の構造、(Ｆ),(Ｈ),(Ｊ),(Ｌ),
(Ｎ)は前述した従来例（図５）の構造である。さらに、
(Ｅ)は前述した東亜合成化学工業株式会社製「アロンア
ルファ」、(Ｇ)は同社製「アロンアルファ２０１」、
(Ｉ)はセメダイン株式会社製「セメダイン３０００ゴ−
ルド」、(Ｋ)は同社製「セメダイン３０００マルチ」、
(Ｍ)は同社製「セメダイン木工用３０００」をシアノア
クリレ−ト系樹脂(9)として使用したものである。
【００２４】尚、各特性値の説明は前述した表１のもの
と同様であるから省略するが、ＬＣは表１の場合と異な
り定格電圧印加３０秒後の値（μＡ）と歩留り（％）を
示している。また数値はＬＣを除き、いずれも各２０個
の平均値である。ＬＣについては規格内の良品２０個の
平均値を示し、歩留りは試料各１００個中の歩留りを示
しているが、各機種のＬＣ規格は定格２５Ｖ,１μＦの
場合は０．２５μＡ以下、定格２５Ｖ,１０μＦの場合
は２．５μＡ以下、定格３５Ｖ,４．７μＦの場合は
１．６μＡ以下、定格３５Ｖ,２．２μＦの場合は０．
７７μＡ以下である。
と同様であるから省略するが、ＬＣは表１の場合と異な
り定格電圧印加３０秒後の値（μＡ）と歩留り（％）を
示している。また数値はＬＣを除き、いずれも各２０個
の平均値である。ＬＣについては規格内の良品２０個の
平均値を示し、歩留りは試料各１００個中の歩留りを示
しているが、各機種のＬＣ規格は定格２５Ｖ,１μＦの
場合は０．２５μＡ以下、定格２５Ｖ,１０μＦの場合
は２．５μＡ以下、定格３５Ｖ,４．７μＦの場合は
１．６μＡ以下、定格３５Ｖ,２．２μＦの場合は０．
７７μＡ以下である。
【００２５】表２からわかるように、本発明品は従来品
に比べて漏れ電流に関する歩留まりが著しく改善されて
いる。
に比べて漏れ電流に関する歩留まりが著しく改善されて
いる。
【００２６】図３は本発明第３実施例による固体電解コ
ンデンサの断面図である。この固体電解コンデンサにお
いては、コンデンサ素子(1)にＴＣＮＱ塩(2)を含浸させ
てケ−ス(3)の底部に固定した後、該コンデンサ素子(1)
及びＴＣＮＱ塩(2)を第１の樹脂層となるナイロン樹脂
(10)（例えばゼネラル通商株式会社製商品名「ナイコ−
トＭＴ-２５」）にて被覆し、さらにその上に第２の樹
脂層となるエポキシ系樹脂(4)を注入してケースの開口
部(3a)を封止する。ここで上記ナイロン樹脂(10)は、低
級アルコ−ルを主溶剤とした液体ナイロン樹脂をケース
の開口部(3a)にまで充填した後、室温（２０℃〜３０
℃）で１〜８時間程度（素子の外径にほぼ比例）放置し
て液体ナイロン樹脂中の溶剤を蒸発させることにより、
コンデンサ素子(1)及びＴＣＮＱ塩(2)の上に厚さ１ｍｍ
以下の皮膜として形成される。
ンデンサの断面図である。この固体電解コンデンサにお
いては、コンデンサ素子(1)にＴＣＮＱ塩(2)を含浸させ
てケ−ス(3)の底部に固定した後、該コンデンサ素子(1)
及びＴＣＮＱ塩(2)を第１の樹脂層となるナイロン樹脂
(10)（例えばゼネラル通商株式会社製商品名「ナイコ−
トＭＴ-２５」）にて被覆し、さらにその上に第２の樹
脂層となるエポキシ系樹脂(4)を注入してケースの開口
部(3a)を封止する。ここで上記ナイロン樹脂(10)は、低
級アルコ−ルを主溶剤とした液体ナイロン樹脂をケース
の開口部(3a)にまで充填した後、室温（２０℃〜３０
℃）で１〜８時間程度（素子の外径にほぼ比例）放置し
て液体ナイロン樹脂中の溶剤を蒸発させることにより、
コンデンサ素子(1)及びＴＣＮＱ塩(2)の上に厚さ１ｍｍ
以下の皮膜として形成される。
【００２７】こうして完成した本発明第３実施例による
固体電解コンデンサと、従来の固体電解コンデンサと、
前記本発明第１実施例による固体電解コンデンサのリフ
ロ−式半田付け装置による半田付け前後における各特性
の比較を表３に示す。
固体電解コンデンサと、従来の固体電解コンデンサと、
前記本発明第１実施例による固体電解コンデンサのリフ
ロ−式半田付け装置による半田付け前後における各特性
の比較を表３に示す。
【００２８】
【表３】
【００２９】表３において、(Ｏ),(Ｐ),(Ｑ)は、定格電
圧２５Ｖ,容量１μＦのコンデンサで、(Ｏ)は前述した
本発明第３実施例（図３）の構造、(Ｐ)は前述した従来
例（図５）の構造、(Ｑ)は前述した本発明第１実施例
（図１）の構造である。尚、Ｃａｐ．は１２０Ｈｚにお
ける静電容量、ｔａｎδは１２０Ｈｚにおける誘電正
接、ＬＣは漏れ電流のデ−タで定格電圧印加１５秒後の
値を示し、ＥＳＲは１００ｋＨｚにおける等価直列抵抗
を示すものである。また数値は、いずれも各１０個の平
均値である。
圧２５Ｖ,容量１μＦのコンデンサで、(Ｏ)は前述した
本発明第３実施例（図３）の構造、(Ｐ)は前述した従来
例（図５）の構造、(Ｑ)は前述した本発明第１実施例
（図１）の構造である。尚、Ｃａｐ．は１２０Ｈｚにお
ける静電容量、ｔａｎδは１２０Ｈｚにおける誘電正
接、ＬＣは漏れ電流のデ−タで定格電圧印加１５秒後の
値を示し、ＥＳＲは１００ｋＨｚにおける等価直列抵抗
を示すものである。また数値は、いずれも各１０個の平
均値である。
【００３０】表３からわかるように、半田付け前の漏れ
電流は規格内の良品ばかりを選別しているので本発明品
と従来品でほとんど差がないが、半田付け後の漏れ電流
は本発明品の方が従来品に比べて極めて小さくなってい
る。
電流は規格内の良品ばかりを選別しているので本発明品
と従来品でほとんど差がないが、半田付け後の漏れ電流
は本発明品の方が従来品に比べて極めて小さくなってい
る。
【００３１】一方、表４は本発明品と従来品のプレッシ
ャ−クッカ−試験（条件：１２０℃,２ａｔｍ,３２時
間）による耐湿特性の比較を示すものである。
ャ−クッカ−試験（条件：１２０℃,２ａｔｍ,３２時
間）による耐湿特性の比較を示すものである。
【００３２】
【表４】
【００３３】表４において、(Ｒ),(Ｓ),(Ｔ)は、定格電
圧２５Ｖ,容量１μＦのコンデンサで、(Ｒ)は前述した
本発明第３実施例（図３）の構造、(Ｓ)は前述した従来
例（図５）の構造、(Ｔ)は前述した本発明第１実施例
（図１）の構造である。尚、各特性値の説明は前述した
表３のものと同様である。
圧２５Ｖ,容量１μＦのコンデンサで、(Ｒ)は前述した
本発明第３実施例（図３）の構造、(Ｓ)は前述した従来
例（図５）の構造、(Ｔ)は前述した本発明第１実施例
（図１）の構造である。尚、各特性値の説明は前述した
表３のものと同様である。
【００３４】表４によれば、第１の樹脂層としてナイロ
ン樹脂を用いた本発明第３実施例は、変性アクリレ−ト
系樹脂を用いた本発明第１実施例に比べて耐湿性に優
れ、第１の樹脂層が形成されていない従来品と同レベル
の耐湿特性となっている。このことからわかるように、
本発明の固体電解コンデンサにおいて耐湿性を向上させ
るためには、耐湿性に優れた第２の樹脂層をなるべく厚
く、すなわち第１の樹脂層をなるべく薄く形成すること
が望ましい。
ン樹脂を用いた本発明第３実施例は、変性アクリレ−ト
系樹脂を用いた本発明第１実施例に比べて耐湿性に優
れ、第１の樹脂層が形成されていない従来品と同レベル
の耐湿特性となっている。このことからわかるように、
本発明の固体電解コンデンサにおいて耐湿性を向上させ
るためには、耐湿性に優れた第２の樹脂層をなるべく厚
く、すなわち第１の樹脂層をなるべく薄く形成すること
が望ましい。
【００３５】尚、コンデンサ素子を樹脂で被覆した固体
電解コンデンサの構造としては、図４に示すような所謂
樹脂ディップタイプのものも考えられるが、この場合、
コンデンサ素子(1)の周囲全体に厚い樹脂層(4),(8)が形
成されるため、コンデンサ素子の巻回径方向に関する外
形寸法ｄが本発明のようなケース収納タイプにおける当
該外形寸法、すなわちケースの外径（図１に示したｃ）
に比べて大きくなり、プリント基板等に実装する際の占
有面積が大きくなって不利である。
電解コンデンサの構造としては、図４に示すような所謂
樹脂ディップタイプのものも考えられるが、この場合、
コンデンサ素子(1)の周囲全体に厚い樹脂層(4),(8)が形
成されるため、コンデンサ素子の巻回径方向に関する外
形寸法ｄが本発明のようなケース収納タイプにおける当
該外形寸法、すなわちケースの外径（図１に示したｃ）
に比べて大きくなり、プリント基板等に実装する際の占
有面積が大きくなって不利である。
【００３６】
【発明の効果】上述の如く、本発明による固体電解コン
デンサにおいては、第２の樹脂層がケースの開口部に十
分な厚さに充填されることによって耐湿性が確保される
とともに、ＴＣＮＱ塩を含浸したコンデンサ素子と第２
の樹脂層との間に第１の樹脂層が介在することによって
ＴＣＮＱ塩と第２の樹脂層との反応が阻止されてコンデ
ンサ素子の陽極酸化被膜の弱体化が抑制され、実用上、
半田リフロー工程等を経ても漏れ電流特性がほとんど劣
化しない。
デンサにおいては、第２の樹脂層がケースの開口部に十
分な厚さに充填されることによって耐湿性が確保される
とともに、ＴＣＮＱ塩を含浸したコンデンサ素子と第２
の樹脂層との間に第１の樹脂層が介在することによって
ＴＣＮＱ塩と第２の樹脂層との反応が阻止されてコンデ
ンサ素子の陽極酸化被膜の弱体化が抑制され、実用上、
半田リフロー工程等を経ても漏れ電流特性がほとんど劣
化しない。
【図１】本発明第１実施例による固体電解コンデンサの
断面図である。
断面図である。
【図２】本発明第２実施例による固体電解コンデンサの
断面図である。
断面図である。
【図３】本発明第３実施例による固体電解コンデンサの
断面図である。
断面図である。
【図４】比較例による固体電解コンデンサの断面図であ
る。
る。
【図５】従来例による固体電解コンデンサの断面図であ
る。
る。
(1) コンデンサ素子 (2) ＴＣＮＱ塩 (3) ケース (4) エポキシ系樹 脂 (8) 変性アクリレート系樹脂 (9) シアノアクリレート系樹脂 (10) ナイロン樹脂
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｇ 9/24 Ａ
Claims (2)
- 【請求項１】 陽極箔と陰極箔とをセパレ−タを介して
巻回したコンデンサ素子を準備する工程と、 ＴＣＮＱ塩の粉末を有底筒状のケ−スに装填し、融点以
上の温度に加熱して融解液化する工程と、 融解液化したＴＣＮＱ塩に前記コンデンサ素子を浸漬し
た後、急冷却し、コンデンサ素子に含浸したＴＣＮＱ塩
を固化するとともに該コンデンサ素子を前記ケ−スの底
部に固定する工程と、 該ケ−スの開口部側から、後で注入する第２の樹脂に比
べてＴＣＮＱ塩と反応しにくい材料からなる第１の樹脂
を注入して、前記コンデンサ素子及びＴＣＮＱ塩を被覆
する第１の樹脂層を形成する工程と、 さらにその上に、前記第１の樹脂に比べて耐湿性に優れ
た材料からなる第２の樹脂を注入して前記第１の樹脂層
に比べて厚い第２の樹脂層を形成することにより、前記
ケースの開口部を封止する工程とを備えることを特徴と
する固体電解コンデンサの製造方法。 - 【請求項２】 前記第１の樹脂が変性アクリレ−ト系樹
脂、シアノアクリレ−ト系樹脂、又はナイロン樹脂から
なり、前記第２の樹脂がエポキシ系樹脂からなることを
特徴とする請求項１記載の固体電解コンデンサの製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6021269A JP2771767B2 (ja) | 1988-02-02 | 1994-02-18 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2337288 | 1988-02-02 | ||
| JP63-23372 | 1988-02-02 | ||
| JP6021269A JP2771767B2 (ja) | 1988-02-02 | 1994-02-18 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63097318A Division JP2594101B2 (ja) | 1988-02-02 | 1988-04-20 | 固体電解コンデンサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0750230A true JPH0750230A (ja) | 1995-02-21 |
| JP2771767B2 JP2771767B2 (ja) | 1998-07-02 |
Family
ID=26358300
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6021269A Expired - Lifetime JP2771767B2 (ja) | 1988-02-02 | 1994-02-18 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2771767B2 (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5052594A (ja) * | 1973-09-05 | 1975-05-10 | ||
| JPS6252939A (ja) * | 1985-08-31 | 1987-03-07 | Nec Kansai Ltd | 半導体装置 |
| JPS62185308A (ja) * | 1986-02-10 | 1987-08-13 | 信英通信工業株式会社 | 電解コンデンサの製造方法 |
-
1994
- 1994-02-18 JP JP6021269A patent/JP2771767B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5052594A (ja) * | 1973-09-05 | 1975-05-10 | ||
| JPS6252939A (ja) * | 1985-08-31 | 1987-03-07 | Nec Kansai Ltd | 半導体装置 |
| JPS62185308A (ja) * | 1986-02-10 | 1987-08-13 | 信英通信工業株式会社 | 電解コンデンサの製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2771767B2 (ja) | 1998-07-02 |
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Legal Events
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