JPH07501142A

JPH07501142A - 圧力センサ内に使用するシリコンチップ

Info

Publication number: JPH07501142A
Application number: JP5508862A
Authority: JP
Inventors: ヘルデン，ヴエルナー; マレク，イリ; ヴァイプレン，クルト; バンティーン，フランク; キュッセル，マティアス; シュミット，シュテフェン
Original assignee: ローベルトボツシユゲゼルシヤフトミツトベシユレンクテルハフツング
Priority date: 1991-11-15
Filing date: 1992-10-16
Publication date: 1995-02-02
Anticipated expiration: 2017-01-28
Also published as: EP0612402B1; JP3251289B2; DE4137624A1; EP0612402A1; US5600074A; WO1993010430A1; DE59202469D1

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるため要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】圧力センサ内に使用するシリコンチ・ノブ従来の技術本発明は、請求の範囲第１項記載の種類の圧力センサに使用するシリコンチップを前提とするものである。ドイツ特許出願４１０６１０２０から、既に圧力センサに、特に内燃機関の燃焼室内の圧力検出に使用するシリコンチップが公知である。これらのチップの場合、圧力はプランジャによりシリコンチップに伝えられる。シリコンチップは、圧力の作用により抵抗を変化させる圧電抵抗素子を有している。この圧電抵抗素子の信号は、同じくチップ上に設けられた接続回路により予め処理され、リード線によりチップ外の他の接続回路へ伝えられる。これらのシリコンチップの場合、機械的なひずみの妨害的な影響から接続回路を護る措置が全くとられていない。

発明の利点これに対して、請求の範囲第１項記載の特徴を存する本発明によるシリコンチップは、次のような利点有している。すなわち、圧電抵抗素子が機械応力の大きい区域に配置され、接続回路が機械応力の小さな区域に配置されている点である。

この配置により、圧電抵抗素子の信号が最大化され、接続回路の妨害が最低限に抑えられる。

請求の範囲第１項に記載の特徴を有するシリコンチップは、第２項以下各項に記載の措置により、更に有利に構成され、改善される。４個の圧電抵抗素子を圧力導入区域の周囲に配置し、そのうちの２個は圧力導入区域に対し素子の縦方向で配置し、他の２個は横方向に配置することにより、圧電抵抗素子の信号の分析評価は、たとえばブリッジ接続により特に簡単化される。圧力導入区域に、等方向の２個の圧電抵抗素子を配置することにより、著しくスペースが節約される。

シリコンチップの非対称的な構成の場合、４個の圧電抵抗素子を１つの測定線上に配置するのが有利である。その場合、２個は、測定線上に素子の縦方向に配置し、２個は測定線に対し横方向に配置する。なぜなら、そうすることにより、この場合も、機械応力が最大の区域に同時に配置されるさいには、４個の圧電抵抗素子とのブリッジ接続が可能になるからである。本発明によるシリコンチップの最も簡単な構成は、チップの中央の圧力導入区域と、チップ縁部の接続回路とを有する中実のシリコン片から成るものである。圧力導入区域と接続回路との間の、シリコンチップ上側にみそを設けることにより、接続回路は、特に効果的に圧力導入区域の機械応力を免れることができる。シリコンチップの下側を構造化することにより、シリコンチップの上側の接続回路は、みそを設けるための腐食処理による負荷を低減される。その場合、圧力導入区域と向い合った区域だけが対応受けに載せられると、接続回路は、特に良好に機械的に圧力導入区域から分離される。圧力導入区域がシリコンチップの下側でみぞに取囲まれるようにすると、接続回路が、機械的に圧力導入区域から分離される。しかしながら、接続回路は未だ対応受けに接触しているので、接続回路内に生じる熱は対応受けを介して十分に放熱される。圧電抵抗素子の区域への応力集中度を高めるために、みそにより取囲まれた区域の中央に、更に凹所を設けておくことができる。シリコンチップの縁部に位置する区域のみが対応受けと結合されている非対称的配置により・′す１ンチ′・ブと対応すけとの間の機械応力が低減せしめられる。シリコンチップの下側の圧力導入区域を約２７０°にわたり取囲むみそを設け、みぞに取囲まれた区域に凹所を設けることにより、導入される力により変形されるシリコンチップ区域が、実質的には、片側に応力が加わるたわみビームとして構成されることになる。これに対応して、２つの平行なみそを設け、これらみその間の厚さを減少させることにより、シリコンチップの変形区域を、両側に応力が加わるたわみビームとして構成することもできる。たわみビームに応力が加わるさいに、これらたわみビームの端部に生じる機械応力は、特に簡単に計算可能であり、シリコンチップの挙動を正確に予測可能である。

図面図面には本発明の複数実施例が示されており、以下でそれらの実施例を詳説する。図１には、圧力センサ内に用いる本発明によるシリコンチップが、また図２にはシリコンチップの一実施例の平面図と横断面とが示されている。図３は、上面にみそが設けられたシリコンチップの図、図４は、圧力導入区域と向い合った区域に設けられた対応受は上にのみ載置されたシリコンチップ、図５は、下側に圧力導入区域を取囲むみぞが設けられたシリコンチップ、図６は、図５のシリコンチップの下側に凹所を付加形成したもの、図７は、一方の縁区域のみが対応受けと結合されたシリコンチップ、図８は、片側だけに応力が加えられるたわみビームとして構成されたシリコンチップ、図９は、両側に応力が加わるたわみビームとして構成されたシリコンチップの図である。

実施例の説明図１は、圧力センサ内の本発明によるシリコンチップの用法を示したものである。この用法は、たとえば、燃焼室圧力センサに関する後続刊行されたドイツ特許出願４１０６１０２０に記載されている。シリコンチップ２０は、対応受け３８上に配置されている。圧力はプランジャ１８と中間部材３６とを介してシリコンチップ２０に加えられる。符号２３で示された圧力導入区域は、直接に直接部材３６の下に位置するチップ区域である。中間部材３６は必ず用いなければならないものではなく、プランジャ１８を直接にシリコンチップ上に作用させてもよい。中間部材３６は、しかし、以下の図にもシリコンチップ２０のどの区域に圧力が加わるかを示すために、示しである。更に、シリコンチップ２０には圧電抵抗素子２１と接続回路２２とが備えられている。素子２１と回路２２との正確な配置は本発明の重要な構成要素であり、図２から図９によって詳説される。ボンド線３９を介して、チップ外に位置する、図示されていない接続回路への電気接続が生せしめられる。図１に示した配置のユニットはケーシング内に組付けられている。この配置の構成は、たとえば前述のドイツ特許出願に記載されている。

図２以下のどの図にも、中間部材３６と、その下に位置する圧力導入区域２３と、圧電抵抗素子２１と、接続回路２２とが示されている。簡単化の目的で、ボンド線３９とプランジャ１８とは省略されている。圧電抵抗素子２１は、たとえば拡散処理（Ｄｉｆｆｕｓｉｏｎｐｒ−ｏｚｅｓｓ）によりシリコンチップ２０の材料内に造出しておく。シリコンの機械的変形により、この拡散区域の抵抗が変化する。この抵抗の変化は、たとえば、圧電抵抗素子２１との金属製接続路を介して立証できる。

圧電抵抗素子２１はボンディング（Ｋｏｎｔａｋｔｉｅｒｕｎｇ）にもとづく縦の方向を有している。この縦方向を、シリコンチップ２０の上面に圧電抵抗素子２１を配置するさいに考慮せねばならない。シリコンの圧電抵抗係数は結晶方向に従属するからである。接続回路２２を精密に構成することは、本発明の思想にとって重要ではないが、たとえば、圧電抵抗素子２１の信号を予備分析するためブリッジ接続にすることが考えられる。しかし、重要なことは、接続回路２２を機械応力が低い区域に配置して、シリコンチップ２０の材料の機械的な歪み又は変形により、回路２２の挙動が影響されないようにすることである。

図２には、一体のシリコン片１００として構成された本発明によるシリコンチップの最も簡単な実施例が示されている。図２の（ａ）の平面図には、４個の圧電抵抗素子２１が圧力導入区域２３の周囲に配置されている様子が示されている。

この場合、２個の素子２１は圧力導入区域２３に対し素子の縦方向に、他′の２個は横方向に配置されている。接続回路２２はチップ２０の縁部に配置されている。図２の（ｂ）の横断面図からは、シリコン片１００が対応受け３８と完全に結合されていることが分かる。この場合は、冒頭に挙げた特許出願に開示された、適当な膨張係数を有する材料の組合せを利用するのが有利である。

図３に示したシリコンチップ２０は、上側にみぞが設けられている。図３の（ａ）は平面図であり、図３の（ｂ）と（ｃ）とは、図３（ａ）のｍ−ｍ線に沿った横断面図である。図３（ｂ）のみぞは、図３（ａ）のみぞとは別の処理によって形成された。平面図（図３（ａ））からは、圧電抵抗素子２１が圧力導入区域２３内に配置されていることが分かる。圧力導入区域２３の２つの側には、みぞ１２２が形成されている。

シリコンチップ２０の、区域２３とは反対の側には接続回路２２が配置されている。シリコンの圧電抵抗係数が方向従属性であるため、双方の圧電抵抗素子２１は等方向に向けられている。この方向は任意のどの方向でもよいが、みぞ１２２と平行でないほうがよい。

区域２３は、たとえば円形に構成しておいてもよい。

みぞ１２２は、その縦方向に区域２３の延びよりも明らかに長尺でなければならないだろう。図３（ｂ）には、図３（ａ）の■−■線に沿った断面図が示されている。みぞ１２２は長方形横断面を有している。長方形横断面のみぞは、たとえば湿式化学的（ｎａｓｓｃｈｅｍｉｓｃｈ）な異方性腐食処理によって配向度１１０（１１０ｏｒ−ｉｅｎｔｉｅｒｔ）のシリコンウェファ−内に形成することができる。この腐食処理の異方性が大であるため、みそは、その場合、数百のオーダーの深さ・幅比が可能である。シリコンチップ上のこれらのみぞの位置は、しかし、シリコンの結晶構造と結び付いている。大体長方形の横断面を有するみぞは、シリコンの結晶構造とは無関係に形成できる。しかし、そのさい達成できる深さ・幅比は、湿式化学的な腐食処理の場合より、明らかに低い値である。図３（ｃ）には、同じ＜ｍ−ｍ線に沿った断面図が示されている。この場合は、みぞ１２２が約７０．５°の開角を有するＶ字形横断面を有している。この横断面を有するみぞは、配向度１００のシリコン内に湿式化学的な腐食処理によって形成できる。

図３と図２の場合、圧力導入区域２３の周囲又は区域２３内に圧電抵抗素子２１が配置されており、この配置は、それぞれ本発明のシリコンチップの２つの実施形式として考えられるものである。

図４に示した本発明のシリコンチップの場合、下側の区域１３１だけが対応受け３８上に載せられている。図４（ａ）の平面図には、４個の圧電抵抗素子２１が圧力導入区域２３の周囲に配置され、接続回路は、シリコンチップ２０の、対応受けと結合されていない区域に配置された形式のものが示されている。図４（ｂ）は、図４（ａ）のｒＶ−ｒＶ線に沿ってシリコンチップを切断して示した横断面図である。圧電抵抗素子２１は、圧力導入区域２３の双方の側に配置されている。その配置位置は、対応受け３８と結合されている区域１３１内である。図３に示した配置形式、すなわち圧力導入区域２３内に２個の素子２１を配置する形式を使用する場合は、対応受け３８と結合された区域１３１は、区域２３と等しい寸法にすることができる。

接続回路２２は、対応受け３８と結合されていないシリコンチップ区域１３２上に配置されている。回路２２は、したがって、圧力が加わっても機械的な変形が生じない区域に配置されている。図４のシリコンチップ２０は、下側が腐食処理によって構成される。図４（ｂ）に示した垂直の腐食壁を有する実施形式は、プラズマ腐食処理を用いて製造でき、図４（Ｃ）に示した傾斜壁を有する変化形は、配向度１００のシリコンウェファ−内に湿式化学的な異方性腐食処理により製造される。図４（ｂ）に示した変化形は、配向度１１０のシリコンウェファ−を用いて、湿式化学的な腐食処理により製造することもできる。ただその場合には、みそは、もはや長方形（ｏｒｔｈｏｇｏｎａｌ）とはならない。図４の実施例の基礎となっている本発明の思想は、図２のシリコンチップ及び相応に構成された対応受け３８によっても実現可能である。シリコンチップ２０及び対応受け３８と結合された区域１３１は、その場合、対応受け３８の隆起部として構成される。対応受け３８がガラス状の場合には、腐食処理により構成可能であり、対応受け３８が金属製の場合は、同じく腐食処理か、又は切削による表面加工を用いることができる。製造技術上、特に簡単に実現可能なのは、区域１３１の対応受け３８の隆起部を局所的に、たとえばシルクスクリーン印刷により形成し、シリコンチップ２０と対応受け３８とを接着剤で接着することである図５に示したシリコンチップ２０は、下側１４４にみぞ１４１が設けられている。このみぞ１４１は、圧力導入区域２３と向い合った区域１４２を完全に取囲んでいる。図５（ａ）には平面図が、図５（ｂ）と図５（ｃ）には、図５（ａ）のｖ−ｖ線に沿った横断面図が示されている。平面図からは、圧力導入区域４個の圧電抵抗素子２１に取囲まれていることが分かる。

この場合、圧力導入区域２３内に２個の圧電抵抗素子２１を配置することも考えられる。区域２３と素子２１とは、長方形のみぞ１４１により取囲まれている。

みぞ１４１形状は、円形又はその他の形状のものも考えられ番。みぞ１４１の、区域２３とは反対の側には応力の僅かな区域１４３が設けられ、この区域１４３に接続回路２２が配置されている。図５（ｂ）に示した横断面図には、長方形横断面を有するみぞ１４１が示されている。このみぞ１４１は、異方性プラズマ腐食処理により形成された。この腐食処理はシリコンの結晶方向とは無関係に行なわれるので、平面図で見て円形のみぞ形状の場合も、この腐食処理によって形成できる。図５（Ｃ）には、配向度１００のシリコンチップ２０の横断面が示されている。このチップ２０には、みぞ１４１が湿式化学的な異方性腐食処理により形成されている。斜めの壁部の開角が約７０．５°であるみぞ１４１の台形横断面は、腐食深さの時間的な監視、又はシリコンウェファ−上側に腐食停止層を用いることにより達成される。図示のみぞ１４１により、接続回路２２は圧力導入区域２３から良好に機械的に分離される。接続回路２２が配置されている区域１４３は、しかし、機械的には対応受け３８と結合されているので、接続回路２２内に発生する熱は、対応受け３８を介して良好に放熱できる。

図６には、図５に示したシリコンチップ２０の改良形式が示されている。図６（ａ）と図６（ｂ）とは、それぞれ図５（ａ）のｖ−ｖ線に沿った横断面を示したものである。図６のシリコンチップ２０は、図５のみぞ１４１のほかに、チップ２０の下側に凹所１４５が付加されている。凹所１４５は、圧力導入区域２３と向い合った位置に設けられ、はぼ等しい幾何形状を有している。みぞ１４１により取囲まれるシリコンチップ２０と対応受け３８との面積は、凹所１４５によって減少せしめられることになる。区域２３に加わる機械的な力は、このため、減少せしめられた面積を介して対応受け３８へ伝えられる。これと関連する圧電抵抗素子２１の区域での応力集中により、素子２１の信号が増強される。図６の（ａ）に示した長方形横断面を有するみぞ１４１と凹所１４５とを有する構成は、異方性プラズマ腐食処理を用いて製造される。図示のように、みぞ１４１は凹所１４５と異なる深さを有しているので、この腐食処理は、２つのステップに分けて行なう。図６の（ｂ）に示した配向１００のシリコンに台形の腐食みぞを設けた構成は、湿式化学的な異方性腐食処理を用いて行なわれる。みぞ１４１と凹所１４５とは、深さが等しく、１ステツプの腐食処理で形成される。３角形横断面のみぞ又は凹所を設ける場合は、異なる深さの場合も１ステツプの腐食処理で形成できる。配向１００のシリコンの場合、３角形のみそは実質的にはみそ幅に左右されるからである。

図７に示したシリコンチップ２０は、一方の縁部だけが対応受け３８と結合されている。図７の（ａ）は平面図、図７の（ｂ）と（Ｃ）とは、それぞれ図７の（ａ）の■−■線に沿った断面図である。平面図から分かるように、圧電抵抗素子２１は圧力導入区域２３と、対応受け３８に結合された区域１６１との間に配置されている。接続回路２２は、区域２３の他方の側、すなわち、対応受け３８と結合されていない区域１６３に配置されている。圧電抵抗素子２１は測定線２４上に配置されている。この場合、測定線２４は、対応受け３８と結合された区域１６１と、結合されていない区域１６３との間の境界１６４と合致している。

４個の素子２１のうちの２個は、この場合、それらの縦方向で測定線上に配置され、他の２個は測定線に対し横方向に配置されている。横断面図７の（ｂ）及び７の（Ｃ）により、素子２１の境界１６４上での配置が分かる。圧力導入区域２３への力の導入により、結合されていない薄手の区域１６３は、対応受け３８方向へたわみを生じる。この場合、最大の機械的変形したがって最大の機械応力は結合区域１６１と非結合区域１６３との間の境界１６４に生じる。対応受け３８との非結合区域１６３には、はとんど機械応力は加わらない。接続回路２２は、したがって、非結合区域１６３に配置しておく。図７の（ｂ）に示された実施例は、結合区域１６１と非結合区域１６３との間に垂直の壁部を有しているが、この実施例は、配向度１１０のシリコンに湿式化学的な異方性腐食処理、異方性プラズマ腐食処理のいずれによっても製造できる。図７の（Ｃ）には、区域１６１と区域１６３との間に傾斜壁部を有する実施例が示されている。この実施例は、配向度１００のシリコンに湿式化学的な異方性腐食処理を用いて製造した。この場合の境界１６４は傾斜移行区域の上端と理解する。

図８の（ａ）にはシリコンチップの平面図が、図８の（ｂ）と（ｃ）には、図８の（ａ）の■−■線に沿った横断面図が示されている。平面図から分かるように、圧力導入区域２３は、下側のみぞ１７２によって約２７０６にわたり取囲まれている。横断面図、たとえば図８の（ｂ）からは、みぞ１７２により取囲まれた区域１７３の厚さが薄手にされていることが分かる。このようにして、シリコンチップ２０は区域２３がたわみビームとして構成される。このような構成のたわみビームは、一方の側が、みぞ１７２に取囲まれていない区域１７４に支承されている。支承区域には、測定線２４上に圧電抵抗素子２１が配置されている。

素子２１内に生じる機械応力を大きくするには、みぞ１７２上方のシリコンチップの残留厚を小さくしてお（必要がある。接続回路２２は、みぞ１７２の、区域２３とは反対の側に配置されている。この区域ではシリコンチップの機械応力は最小である。図８の（ｂ）に示した実施例は、異方性プラズマ腐食処理を使用して製造した。したがって、みぞ１７２ないし凹所１７５の壁部は、シリコンチップ２０の上面に対しほぼ直角である。図８の（Ｃ）に示した実施例は、配向度１００のシリコンに湿式化学的な異方性腐食処理を用いて製造した。

図９の（ａ）に平面図で示したシリコンチップ２０には、下側１８３に設けられた平行のみぞ１８１が備えられている。双方のみぞ１８１の間は、下側１８３の凹所１８５により厚さが薄くされている。この薄手の区域１８５と残りのシリコンチップ区域との間の２つの境界１８４には、それぞれ２つの圧電抵抗素子２１が配置されている。これらの素子２１のうち、それぞれ１個が圧力導入区域２３に対し素子縦方向で、それぞれ１個が横方向で配置されている。接続回路２２は、みぞ１８１の、区域２３とは反対の側に配置されている。シリコンチップ２０の薄手にされた区域１８５は、両側で支えられたたわみビームを形成している。

区域２３に力が加わると、最大の機械応力は、このたわみビームの両側の支え個所に発生する。

ピエゾ抵抗素子２１は、これらの個所に配置されている。このシリコンチップ２０が機械応力を素子２１のところに集中するようにするには、シリコンチップ２０の、みぞ１８１上方の厚さを比較的僅かにしておく必要がある。接続回路２２は、対応受け３８と良好に熱接触せしめられている。図９の（ｂ）には、図９の（ａ）のＩＸ−ＩＸ線に沿った断面図が示されている。

図示のみぞは、長方形横断面を有し、異方性プラズマ腐食処理によりシリコンチップ２０に形成された。図９の（Ｃ）も同じく、■−■線に沿った断面図だが、この場合は、みぞ１８１と凹所１８２とが湿式化学的な異方性腐食処理により形成された。

ＦＩＧ、６０１ム２　１１４２ＦＩＧ、　６ｂ国際調査報告国際調査報告国際調査報告フロントページの続き（７２）発明者　ヴアイプレン、タルトドイツ連邦共和国　Ｄ−７４３０メツインゲン　２　メツインゲン　シュトラーセ１４（７２）発明者　パンティーン、フランクドイツ連邦共和国　Ｄ　−７２５７ディツインゲン　クニールシュトラーセ　４４（７２）発明者　キュッセル、マティアスドイツ連邦共和国　Ｄ−７０１５コルンタールーミュンヒンゲン　２　プフルークフェルダー　ヴエーク　９／１（７２）発明者　シュミット、シュテフェンドイツ連邦共和国　Ｄ　−７４１０ロイトリンゲン　１１　へツベルシュトラーセ　１８

Claims

【特許請求の範囲】１．特に、内燃機関燃焼室内の圧力測定用の圧力センサ内に用いられるシリコンチップであって、少なくとも１個の圧電抵抗素子（２１）と、少なくとも１つの圧電抵抗素子（２１）の信号を分析評価する接続回路（２２）と、プランジャ（１８）の圧力を受ける圧力導入区域（２３）とを有する形式のものにおいて、少なくとも１つのピエゾ抵抗素子（２１）が機械応力の大きい区域に配置され、接続回路（２２）が機械応力の小さい区域に配置されていることを特徴とする、圧力センサ内に用いられるシリコンチップ。２．シリコンチップが、ボンディングにより予め与えられる縱方向を備えた圧電抵抗素子（２１）を有し、これらの素子（２１）が圧力導入区域（２３）の周囲に配置され、これら素子（２１）のうちの２個が圧力導入区域（２３）に対し素子の縱方向で、他の２個が区域（２３）に対し横方向に配置されていることを特徴とする、請求項１記載のシリコンチップ。３．シリコンチップ（２０）が、ボンディングにより予め定められた縦方向を備えた圧電抵抗素子（２１）を有し、これら圧電抵抗素子（２１）が、素子の縱方向で同一方向を指して圧力導入区域（２３）内に配置されていることを特徴とする、請求項１記載のシリコンチップ。４．シリコンチップ（２０）が、ボンディングにより予め定められた縱方向を有する４個の圧電抵抗素子（２１）を有し、これらの圧電抵抗素子が１つの測定線（２４）上に配置され、素子（２１）のうちの２個が、測定線（２４）上に、素子の縦方向で、他の２個が横方向に配置されていることを特徴とする、請求項１記載のシリコンチップ。５．チップ（２０）が中実のシリコン片（１００）から成り、かつ圧力導入区域（２３）がチップの中央に、接続回路（２２）がチップの縁部に配置されていることを特徴とする、請求項１から４までのいずれか１項に記載のシリコンチップ。６．シリコンチップ（２０）の上側（１２１）に少なくとも１つのみぞ（１２２）が設けられ、みぞ（１２２）の、圧力導入区域（２３）とは反対の側に接続回路（２２）が配置されていることを特徴とする、請求項１から４までのいずれか１項に記載のシリコンチップ。７．シリコンチップ（２０）が、下側（１３２）の、圧力導入区域（２３）に向い合った区域（１３１）でのみ対応受け（１３８）に支えられており、かつまた、接続回路（２２）が、その区域（１３１）に配置されていないことを特徴とする、請求項１から４までのいずれか１項に記載のシリコンチップ。８．シリコンチップ（２０）が、下側（１４４）にみぞ（１４１）を有し、このみぞ（１４１）が、圧力導入区域（２３）と向い合った下側区域（１４２）の周囲に、この区域を完全に取囲んで設けられ、みぞに取囲まれていない区域（１４３）には接続回路（２２）が配直されていることを特徴とする、請求項１から４までのいずれか１項に記載のシリコンチップ。９．みぞに取囲まれた区域（１４２）の中央に、下側（１４４）から凹所（１４５）が設けられていることを特徴とする、請求項８記載のシリコンチップ。１０．シリコンチップ（２０）の下側の縁部に位置する区域（１６１）のみが、対応受け（１６２）と結合されており、結合されていない区域（１６３）は結合されている区域（１６１）より薄手であり、また双方の区域（１６１，１６３）の間の境界は直線状であり、更に接続回路（２２）が、結合されていない区域（１６３）上に配置されていることを特徴とする、請求項４記載のシリコンチップ。１１．シリコンチップ（２０）が下側（１７１）にみぞ（１７２）を有し、このみぞ（１７２）が、下側（１７１）の、圧力導入区域（２３）と向い合った区域（１７３）の周囲を約２７０°にわたって取囲むように設けられており、シリコンチップ（２０）のこの区域（１７３）の厚さが、下側（１７１）の凹所（１７５）のために減少せしめられており、更に、測定線（２４）が、この区域（１７３）と、みぞ（１７２）によって取囲まれていない区域との間の境界上に延びており、更にまた接続回路（２２）が、みぞ（１７２）の、圧力導入区域（２３）とは反対の側に配置されていることを特徴とする、請求項４記載のシリコンチップ。１２．シリコンチップ（２０）が下側（１８３）に２つの平行なみぞ（１８１）を有し、これらのみぞ（１８１）の間に圧力導入区域（２３）が位置しており、みぞ（１８１）の間のシリコンチップ（２０）の区域（１８５）は、下側（１８３）の凹所（１８２）のため厚さが減少せしめられており、更に、それぞれ２個の圧電抵抗素子（２１）が、シリコンチップ（２０）の厚さの減少せしめられた区域（１８５）と残りの区域との間の双方の境界上に、ボンディングにより予め定められた縦方向で配置され、これら圧電抵抗素子（２１）の各１個が圧力導入区域（２３）に対して素子縦方向に、また各１個が横方向に配置されており、更に接続回路（２２）が、みぞ（１８１）の、圧力導入区域（２３）とは反対の側に配置されていることを特徴とする、請求項１記載のシリコンチップ。