JPH0742148U - 光電変換回路 - Google Patents

光電変換回路

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JPH0742148U
JPH0742148U JP7332893U JP7332893U JPH0742148U JP H0742148 U JPH0742148 U JP H0742148U JP 7332893 U JP7332893 U JP 7332893U JP 7332893 U JP7332893 U JP 7332893U JP H0742148 U JPH0742148 U JP H0742148U
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Abstract

(57)【要約】 (修正有) 【目的】 ホトダイオードの等価容量や負荷抵抗の値を
変える事無く、応答速度を改善した光電変換回路を提供
する。 【構成】 出力電圧を基準電圧と比較する比較回路3
と、該比較回路により制御され、ホトダイオードD1に
電流を供給する定電流源回路6とを設けた。

Description

【考案の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】
本考案は、発光ダイオード等によって発生した光を受光して、光電流に変換、 増幅する光電変換回路に係り、特に応答速度を改善した光電変換回路に関するも のである。
【0002】
【従来の技術】
図2に、従来の光電変換回路の回路図を示す。図において、1は演算増幅器、 2は出力端子、D1は受光素子であるホトダイオード、R1は負荷抵抗、C1は 結合用コンデンサである。
【0003】 ホトダイオードD1のカソードは、負荷抵抗R1を介して電源に接続されると 共に、結合用コンデンサC1の一端に接続され、アノードは接地されている。結 合用コンデンサC1の他端には演算増幅器1の入力が接続され、演算増幅器1の 出力は出力端子2に接続されている。
【0004】 このような光電変換回路は、電源電圧を投入し、一定時間経過した後の通常状 態では、ホトダイオードD1のカソード(B点)の電位は電源電圧とほぼ等しい 値となっている。
【0005】 このホトダイオードD1の受光面に光が入射すると、ホトダイオードの接合部 に対して逆方向電流である光電流が流れる。そしてこの光電流と抵抗R1に流れ る電流とにより電圧降下が生じて、B点の電位は低下する。ホトダイオードD1 に光が入射している間は定電位を示しているが、光が入射しなくなると元の高い 電位に戻ろうとする。
【0006】 この電位の変化をコンデンサC1を介して、交流成分のみを演算増幅器1に入 力する。演算増幅器1では図示しない次段の処理回路の動作に必要な電圧まで増 幅して、出力端子2より出力する。
【0007】
【考案が解決しようとする課題】
しかし、上記のような回路構成では、ホトダイオードD1が等価容量CDとし て述べる容量成分を有しているので、抵抗R1との時定数の関係により、光が入 射しなくなってから通常状態に戻るまで、時定数τ=CD・R1の時間が必要で ある。
【0008】 この時定数τにより、応答速度が決定されている。そして、時定数τにより戻 ろうとする電位が、演算増幅器1より次段の信号処理回路の動作点を越えないう ちに、再び光が入射しても演算増幅器1より次段の信号処理回路に出力が現われ ず、誤動作を引き起こしてしまう。
【0009】 また、光電変換回路の感度を上げたい場合には、一般にホトダイオードD1の 受光面積を大きくするか、負荷抵抗R1の抵抗値を大きくしなければならなかっ た。ホトダイオードの受光面積を大きくすると、等価容量CDも増加することに なる。上記、いずれの方法も時定数τが大きくなり、感度を上げると応答速度は 低下してしまうという問題があった。
【0010】 本考案は、上記のような問題点を解消し、等価容量CDや抵抗R1の値を変え る事無く、応答速度を改善した光電変換回路を提供することを目的とする。
【0011】
【課題を解決するための手段】
本考案は、出力電圧を基準電圧と比較する比較回路と、該比較回路の出力によ り制御され、受光素子に電流を供給する定電流源回路とを設けた構成としたもの である。
【0012】
【作用】
このように構成することにより、出力電圧を基準電圧と比較器により、比較し 、比較器の出力によって、定電流源回路を制御するので、光が入射されなくなる と、受光素子に電流が供給されるように作用する。
【0013】
【実施例】
図1に本考案の一実施例を示す。図において、図2と同一の符号は同一又は相 当するものを示し、3は比較回路、4はコンパレータ、5は基準電圧源、6は定 電流源回路、7は定電流源、8はトランジスタQ2、Q3からなる第1のカレン トミラー回路、9はトランジスタQ4、Q5からなる第2のカレントミラー回路 である。
【0014】 ホトダイオードD1のカソードにコンパレータ4の反転入力端子が接続され、 コンパレータ4の非反転入力端子には基準電圧源5が接続されている。コンパレ ータ4の出力にはトランジスタQ1のベースが接続され、トランジスタQ1のエ ミッタは接地されている。
【0015】 トランジスタQ1のコレクタは定電流源7と、トランジスタQ2のコレクタと ベース、及び、トランジスタQ3のベースが接続されている。トランジスタQ2 、Q3のエミッタには、夫々抵抗R2、R3を介して設置されている。トランジ スタQ3のコレクタはトランジスタQ4のコレクタとベース、及びトランジスタ Q5のベースに接続されている。トランジスタQ4、Q5のエミッタには夫々抵 抗R4、R5を介して電源に接続されている。トランジスタQ5のコレクタは、 ホトダイオードD1のカソードに接続されている。
【0016】 コンパレータ4、基準電圧源5、トランジスタQ1で比較回路3を構成し、定 電流源7、カレントミラー回路8、9、抵抗R2〜R5にて定電流源回路6を構 成している。以上のように、従来回路に比較回路3と、定電流源回路6が増設さ れたものである。
【0017】 次にこの回路の動作を説明する。ホトダイオードD1の受光面に光が入射して いない通常状態では、トランジスタQ1がオンとなっており、定電流源7の電流 はトランジスタQ1にて消費されている。よって、ホトダイオードD1には何の 変化もない。
【0018】 従来と同様に、ホトダイオードD1の受光面に光が入射すると、光電流が流れ て、A点の電位は急激に低下する。そして、光が入射しなくなると、抵抗R1と 等価容量CDの時定数τにて、元の高い電位に復帰しようとする。
【0019】 このときのA点の出力電圧を比較回路3に入力して、基準電圧源5の基準電圧 と比較する。この基準電圧の電圧レベルは、演算増幅器1の動作点より少し低い 値に設定されており、出力電圧が基準電圧より低くなると、トランジスタQ1を オフする。
【0020】 トランジスタQ1はオフになると、定電流源7の電流はトランジスタQ1には 流れず、カレントミラー回路8、9を順々に流れることになる。そしてこの電流 はトランジスタQ5のコレクタよりホトダイオードD1に供給されてA点の出力 電圧がコンパレータ4の基準電源電圧(Vth)になるまで、カレントミラーより 電流を供給し、ホトダイオードD1の等価容量CDを充電する。従って、短い時 間にて通常状態に戻ることができるようになり、応答速度が改善されることにな る。
【0021】 本考案の回路構成を用いて、試作実験を行なったところ、詳細な仕様は省略す るが、応答速度の平均が6mSであったものが4.5mSとなり、25%程度改 善されていることを確認した。
【0022】
【考案の効果】
以上説明したように、I−V変換された出力電圧を基準電圧と比較する比較回 路と、該比較回路により制御されて、ホトダイオードに電流を供給する定電流源 回路とを設けることにより、感度を損なう事無く応答速度を速くすることができ る。
【0023】 また、入力波形に対する、出力波形のパルス幅歪を小さくできる光電変換回路 を提供することができるという利点がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本考案における一実施例の回路図である。
【図2】従来の光電変換回路の回路図である。
【符合の説明】
1、演算増幅器 3、比較回路 6、定電流源回路 D1、ホトダイオード C1、結合用コンデンサ R1、負荷抵抗

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 【請求項1】 受光素子と、該受光素子によって得られ
    た光電流を電圧に変換する抵抗と、該抵抗によって変換
    された出力電圧を増幅する演算増幅器とからなる光電変
    換回路に該出力電圧を基準電圧と比較する比較回路と、
    該比較回路の出力により制御され、受光素子に電流を供
    給する定電流源回路とを設けたことを特徴とする光電変
    換回路。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010004026A (ja) * 2008-05-22 2010-01-07 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 光電変換装置、及び当該光電変換装置を具備する電子機器

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010004026A (ja) * 2008-05-22 2010-01-07 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 光電変換装置、及び当該光電変換装置を具備する電子機器
JP2014017522A (ja) * 2008-05-22 2014-01-30 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 電子機器

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