JP2844796B2 - 増幅回路 - Google Patents

増幅回路

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JP2844796B2
JP2844796B2 JP2024368A JP2436890A JP2844796B2 JP 2844796 B2 JP2844796 B2 JP 2844796B2 JP 2024368 A JP2024368 A JP 2024368A JP 2436890 A JP2436890 A JP 2436890A JP 2844796 B2 JP2844796 B2 JP 2844796B2
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Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はエミッタフォロワ型増幅回路に関する。
〔従来の技術〕
従来,エミッタフォロワ型増幅回路として第2図に示
す増幅回路が知られている。このエミッタフォロワ型増
幅回路は,npnバイポーラトランジスタ1と抵抗2とを備
えている。バイポーラトランジスタ1のコレクタは第1
の電源電圧が与えられ,エミッタは第1の電源電圧より
低い第2の電源電圧が印加された抵抗2に接続されてい
る。npnバイポーラトランジスタ1のベースには入力信
号aが印加され,エミッタから出力信号bが出力され
る。このようなエミッタフォロワ型増幅回路では,入力
信号aに対して出力信号bが極性の反転しない正相の電
流増幅器が構成され,高入力インピーダンスから低出力
インピーダンスのインピーダンス変換作用を持ってい
る。その結果,負荷駆動能力が大きくなる。出力信号b
のレベルは入力信号aのレベルからnpnバイポーラトラ
ンジスタのベース・エミッタ接合電圧分だけシフトして
いる。
〔発明が解決しようとする問題点〕
従来のエミッタフォロワ型増幅回路では,負荷の駆動
を行う際前述のように,正相電流増幅器であるから入力
信号aがロウレベルからハイレベルへと変化し出力信号
bがロウレベルからハイレベルに変化する。この際に
は,出力端子4に接続される負荷をnpnバイポーラトラ
ンジスタ1により充電する必要がある。また,入力信号
aがハイレベルからロウレベルへと変化し出力信号bが
ハイレベルからロウレベルに変化する際には,出力端子
4に接続される負荷から抵抗2に放電する必要がある。
ところで,エミッタフォロワ型増幅回路の消費電力を
小さくするために抵抗2を大きくすると,第3図に示す
ように,出力信号aがハイレベルからロウレベルに変化
する時の負荷駆動能力が小さくなり遅延時間が大きくな
るという問題点がある。
本発明の目的は,消費電力を増加させることなしに出
力立ち下がり時の負荷駆動能力が大きくできるエミッタ
フォロワ増幅回路を提供することにある。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明では,npnバイポーラトランジスタを備え,その
ベースに入力信号が印加され,エミッタから出力が取り
出されるエミッタフォロワ型増幅回路において,npnバイ
ポーラトランジスタのコレクタが第1の電源に接続され
ており,エミッタがnpnバイポーラトランジスタのエミ
ッタに接続され,コレクタが第1の電源より電圧の低い
第2の電源に接続される第1のpnpバイポーラトランジ
スタと,エミッタが第1のpnpバイポーラトランジスタ
のエミッタに接続され、コレクタ及びベースが前記第1
のpnpバイポーラトランジスタのベースに接続されると
ともに抵抗を介して第2の電源に接続される第2のpnp
バイポーラトランジスタとを有し,第2のpnpバイポー
ラトランジスタのベースとnpnバイポーラトランジスタ
との間にコンデンサが接続されていることを特徴として
いる。
〔実施例〕
次に本発明について実施例によって説明する。
第1図を参照して,ここでは,第2図に示す増幅回路
の回路要素と同一の要素には同一符号を付している。np
nバイポーラトランジスタ1はコレクタが第1の電源電
圧VCCに接続され,ベースを入力端子3に接続されてい
る。そして,そのエミッタはpnpバイポーラトランジス
タ5のエミッタ,pnpバイポーラトランジスタ6のエミッ
タ,及び出力端子4に接続されている。pnpバイポーラ
トランジスタ5はコレクタが第1の電源電圧VCCより低
い第2の電源電圧VEEに接続され,ベースがpnpバイポー
ラトランジスタ6のコレクタとベースに接続されてい
る。バイポーラトランジスタ5のベースとバイポーラト
ランジスタのコレクタとの接続点は抵抗7の一端に接続
され,抵抗7の他端は第2の電源電圧VEEに接続され
る。そして,コンデンサ8が入力端子3とpnpバイポー
ラトランジスタ6のベースとの間に挿入されている。
上述の回路構成では,pnpバイポーラトランジスタ5,pn
pバイポーラトランジスタ6,及び抵抗7によって定電流
源が構成されている。上述の増幅回路でnpnバイポーラ
トランジスタ1のベースに入力される入力信号aがハイ
レベルからロウレベルに変化する際コンデンサ8から入
力信号aの微分電圧が発生し,この微分電圧がpnpバイ
ポーラトランジスタ5のベースに加わる。この結果,pnp
バイポーラトランジスタ5のエミッタ−コレクタ間抵抗
は高抵抗値から低抵抗値となる。従って,出力立ち下が
り時の負荷駆動能力が大きくすることができる。
上述の実施例の変形として,npnバイポーラトランジス
タ1の代わりにpnpバイポーラトランジスタを,pnpバイ
ポーラトランジスタ5及び6の代わりにそれぞれnpnバ
イポーラトランジスタを用いるようにしてもよい。
また,pnpバイポーラトランジスタ6の代わりにアノー
ド側がpnpバイポーラトランジスタ5のエミッタに接続
され,カソード側がpnpバイポーラトランジスタ5のベ
ースに接続されたダイオードを用いてもよい。
さらに,コンデンサの代わりにアノード側をpnpバイ
ポーラトランジスタ5のベースに接続しカソード側をnp
nバイポーラトランジスタ1のベースに接続したダイオ
ードを用いてもよい。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明によれば,出力立ち下がり
時にnpnバイポーラトランジスタのコレクタと第2の電
源との間の抵抗値を小さくしているので,消費電力を増
加させることなしに出力立ち下がり時の負荷駆動能力が
大きくすることができる。
【図面の簡単な説明】 第1図は本発明による増幅回路の一実施例を示す回路
図,第2図は従来の増幅回路を示す回路図,第3図は第
2図に示す回路の動作を説明するための波形図である。 1……npnバイポーラトランジスタ,2,7……抵抗,3……
入力端子,4……出力端子,5,6……pnpバイポーラトラン
ジスタ,8……コンデンサ,a……入力信号,b……出力信
号,VCC……第1の電源,VEE……第2の電源。

Claims (3)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】npnバイポーラトランジスタを備え、該npn
    バイポーラトランジスタのベースに入力信号が印加され
    前記npnバイポーラトランジスタのエミッタから出力が
    取り出されるエミッタフォロワ型増幅回路において、前
    記npnバイポーラトランジスタのコレクタが第1の電源
    に接続されており、エミッタが前記npnバイポーラトラ
    ンジスタのエミッタに接続され、コレクタが前記第1の
    電源より電圧の低い第2の電源に接続される第1のpnp
    バイポーラトランジスタと、エミッタが前記第1のpnp
    バイポーラトランジスタのエミッタに接続され、コレク
    タ及びベースが前記第1のpnpバイポーラトランジスタ
    のベースに接続されるとともに抵抗を介して前記第2の
    電源に接続される第2のpnpバイポーラトランジスタと
    を有し、前記第2のpnpバイポーラトランジスタのベー
    スと前記npnバイポーラトランジスタのベースとの間に
    コンデンサが接続されていることを特徴とする増幅回
    路。
  2. 【請求項2】特許請求の範囲第1項に記載の増幅回路に
    おいて、前記npnバイポーラトランジスタの代わりにpnp
    バイポーラトランジスタを、前記第1及び前記第2のpn
    pバイポーラトランジスタの代わりにそれぞれ第1及び
    第2のnpnバイポーラトランジスタを用いることを特徴
    とする増幅回路。
  3. 【請求項3】特許請求の範囲第1項に記載の増幅回路に
    おいて、前記第2のpnpバイポーラトランジスタの代わ
    りにアノード側が前記第1のpnpバイポーラトランジス
    タのエミッタに接続され、カソード側が前記第1のpnp
    バイポーラトランジスタのベースに接続されたダイオー
    ドを用いることを特徴とする増幅回路。
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