JPH0996650A - 電圧検出回路 - Google Patents

電圧検出回路

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Publication number
JPH0996650A
JPH0996650A JP7276924A JP27692495A JPH0996650A JP H0996650 A JPH0996650 A JP H0996650A JP 7276924 A JP7276924 A JP 7276924A JP 27692495 A JP27692495 A JP 27692495A JP H0996650 A JPH0996650 A JP H0996650A
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JP
Japan
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current
voltage
transistor
collector
base
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JP7276924A
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English (en)
Inventor
Naoko Orii
直子 折井
Kimihisa Tsuji
公壽 辻
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Toyota Motor Corp
Original Assignee
Toyota Motor Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 検出精度を高くしても高い電圧を検出できる
電圧検出回路を提供すること。 【解決手段】 被検出電圧VINが基準電圧以上であると
きにのみ、被検出電圧VINが高いほど大きい電流I5
発生する第1カレントミラー(Q3、Q4)を検知部に
設け、変換部には、電流I5と同一の大きさの電流I6
供給する第2カレントミラー(Q5、Q6)と、電流I
6 の供給を受けながら被検出電圧VINに応じた電流I3
を流すボルテージフォロア(Q9、Q10)とを設け、
電流I3と同一の大きさの電流IOUT を出力端子OUT
に得るようにした。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、電圧信号を電流信
号に変換して出力することにより電圧の検出を行う電圧
検出回路に関し、さらに詳細には、高い検出精度と広い
検出範囲との両立を可能とした電圧検出回路に関するも
のである。
【0002】
【従来の技術】従来の電圧検出回路の例として、特開平
2−154159号公報に記載されたものが挙げられ
る。この公報は電流波形を検知するための回路に係るも
のであるが、その回路の一部に電圧を電流に変換する部
分が含まれている。その部分は、トランジスタのコレク
タ及びベースに電流源を備えており、そして検出対象で
ある電圧をトランジスタのベースに印加し、ベース電圧
が高いほど大きくなる電流をトランジスタのエミッタ電
流として得るものである。
【0003】これを具体化した回路の一例を図2の回路
図に示す。この回路は、検知部と変換部とに大別され
る。検知部は、被検出電圧VINが所定の基準電圧VREF
以上であるときにのみ変換部での電流出力をさせるため
のものであり、変換部は被検出電圧VINが高いほど大き
くなる電流を出力電流として得るものである。
【0004】検知部は、電源VCCと接地との間に8個の
pnpトランジスタQ21〜Q28、3個のnpnトラ
ンジスタQ29〜Q31、2個の抵抗器R11、R1
2、3個のダイオードD1〜D3、を有している。pn
pトランジスタQ21〜Q24は、それぞれエミッタが
電源VCCに接続されている。そしてこれら及び後述する
変換部のpnpトランジスタQ32のベースは互いに接
続されている。pnpトランジスタQ21は、ベースと
コレクタとが短絡され、そしてコレクタは抵抗器R11
を介して接地されている。pnpトランジスタQ22の
コレクタは、pnpトランジスタQ26のベース及びp
npトランジスタQ25のエミッタに接続されている。
pnpトランジスタQ23のコレクタは、pnpトラン
ジスタQ26及びQ27のエミッタに接続されている。
pnpトランジスタQ24のコレクタは、pnpトラン
ジスタQ27のベース及びpnpトランジスタQ28の
エミッタに接続されている。
【0005】pnpトランジスタQ25は、ベースが入
力端子INに接続され、コレクタが接地されている。p
npトランジスタQ26のコレクタは、npnトランジ
スタQ29のコレクタ及びnpnトランジスタQ31の
ベースに接続されている。pnpトランジスタQ27の
コレクタは、npnトランジスタQ30のコレクタに接
続されている。npnトランジスタQ29及びQ30
は、ベースが互いに接続され、そしてエミッタが共に接
地されている。また、npnトランジスタQ30は、ベ
ースとコレクタとが短絡されている。このnpnトラン
ジスタQ29及びQ30は、カレントミラーを構成して
いる。pnpトランジスタQ28は、コレクタが接地さ
れ、ベースが抵抗器R12を介して電源VCCに接続され
ると共に順方向に直列接続されたダイオードD1〜D3
を介して接地されている。npnトランジスタQ31
は、エミッタが接地され、コレクタが後述する変換部の
pnpトランジスタQ34のコレクタに接続されてい
る。
【0006】かかる検知部では、pnpトランジスタQ
22〜Q28及びnpnトランジスタQ29、Q30に
より、pnpトランジスタQ25のベース電圧すなわち
被検出電圧VINと、pnpトランジスタQ28のベース
電圧すなわち基準電圧VREFとを比較するコンパレータ
を構成している。
【0007】変換部は、電源VCCと接地との間に4個の
pnpトランジスタQ32〜Q35、2個のnpnトラ
ンジスタQ36、Q37、抵抗器R13、を有し、そし
て出力端子OUTと接地との間にnpnトランジスタQ
38を有している。pnpトランジスタQ32〜Q34
は、それぞれエミッタが電源VCCに接続されている。p
npトランジスタQ32は、ベースが前記のように検知
部のpnpトランジスタQ21〜Q24のベースと接続
され、コレクタがpnpトランジスタQ35のエミッタ
及びnpnトランジスタQ36のベースと接続されてい
る。pnpトランジスタQ33は、ベースとコレクタと
が短絡され、そしてコレクタがnpnトランジスタQ3
6のコレクタと接続されている。pnpトランジスタQ
34のコレクタは、npnトランジスタQ37のコレク
タと接続されると共に前記のように検知部のnpnトラ
ンジスタQ31のコレクタと接続されている。pnpト
ランジスタQ33、Q34はベースが互いに接続され、
カレントミラーを構成している。
【0008】pnpトランジスタQ35は、ベースが入
力端子INに接続され、コレクタが接地されている。n
pnトランジスタQ36のエミッタは、抵抗器R13を
介して接地されている。npnトランジスタQ37は、
ベースとコレクタとが短絡され、エミッタが接地されて
いる。npnトランジスタQ38は、コレクタが出力端
子OUTに接続され、エミッタが接地されている。np
nトランジスタQ37、Q38はベースが互いに接続さ
れ、カレントミラーを構成している。
【0009】かかる変換部では、pnpトランジスタQ
35及びnpnトランジスタQ36により、pnpトラ
ンジスタQ25のベース電圧すなわち被検出電圧VIN
高いほど大きい電流をnpnトランジスタQ36のエミ
ッタ電流として得るボルテージフォロアを構成してい
る。
【0010】この構成の回路では、入力端子INに被検
出電圧VINを印加すると、被検出電圧VINは変換部のp
npトランジスタQ35に伝達される。このため、pn
pトランジスタQ35と共にボルテージフォロアを構成
するnpnトランジスタQ36のエミッタから抵抗器R
13を介して接地に、被検出電圧VINが高いほど大きい
電流I36が流れる。この電流I36が、pnpトランジス
タQ33、Q34のカレントミラーにより転写され、p
npトランジスタQ34のコレクタ電流I34(=I36
が流れる。この電流I34は、検知部のnpnトランジス
タQ31がオンされていない限り、npnトランジスタ
Q37、Q38のカレントミラーによりnpnトランジ
スタQ38のコレクタ電流に転写され、出力端子OUT
から検出電流IOUT (=I36=I34)が引き出される。
従って、出力端子OUTにおいて被検出電圧VINを電流
信号として検出できる。npnトランジスタQ31がオ
ンされていると、電流I34の殆どは、npnトランジス
タQ31を介して接地に流れ、カレントミラーに引き出
される検出電流IOUT はゼロに近い。従って被検出電圧
INの検出はされない。
【0011】そして検知部では、被検出電圧VINと基準
電圧VREF とを比較することによりnpnトランジスタ
Q31をオンオフ制御し、変換部における検出と非検出
との切換を行っている。被検出電圧VINは、入力端子I
NからpnpトランジスタQ25のベースに印加されて
いる。一方基準電圧VREF は、抵抗器R12の抵抗値と
ダイオードD1〜D3の順方向抵抗値の合計との比によ
り電源電圧VCCを分圧した固定値であり、pnpトラン
ジスタQ28のベースに印加されている。
【0012】被検出電圧VINが基準電圧VREF に達して
いないときは、pnpトランジスタQ25のベース電圧
がpnpトランジスタQ28のベース電圧より低く、こ
のためpnpトランジスタQ25のエミッタ−コレクタ
間抵抗はpnpトランジスタQ28のものより小さい。
このことは、pnpトランジスタQ25のエミッタ電圧
すなわちpnpトランジスタQ26のベース電圧が、p
npトランジスタQ28のエミッタ電圧すなわちpnp
トランジスタQ27のベース電圧より低いことを意味す
る。このためpnpトランジスタQ26のコレクタ電流
26はpnpトランジスタQ27のコレクタ電流I27
り大きい。一方、npnトランジスタQ29及びQ30
がカレントミラーを構成しているので、npnトランジ
スタQ29のコレクタ電流I29は電流I27と等しくなけ
ればならない。このため、電流I26から電流I29(=I
27)を差し引いた電流I31が、図中矢印の向きに流れて
npnトランジスタQ31のベースへのハイ信号(アク
ティブ)となり、npnトランジスタQ31はオンとな
る。従って前記のように変換部は非検出状態である。
【0013】一方、被検出電圧VINが基準電圧VREF
超えているときは、pnpトランジスタQ25のベース
電圧がpnpトランジスタQ28のベース電圧より高
く、このためpnpトランジスタQ25のエミッタ−コ
レクタ間抵抗はpnpトランジスタQ28のものより大
きい。従って、pnpトランジスタQ26のベース電圧
がpnpトランジスタQ27のベース電圧より高く、こ
のためpnpトランジスタQ26のコレクタ電流I26
pnpトランジスタQ27のコレクタ電流I27より小さ
い。電流I29が電流I27と等しくなければならないこと
は前記と同様なので、電流I29から電流I26を差し引い
た電流I31が、図中矢印と反対向きに流れてnpnトラ
ンジスタQ31のベースへのロー信号(非アクティブ)
となり、npnトランジスタQ31はオフとなる。従っ
て前記のように変換部は検出状態である。
【0014】かくしてこの回路では、被検出電圧VIN
基準電圧VREF を超えているときに限り、被検出電圧V
INを電流信号IOUT として検出できるものである。ここ
で、電流信号IOUT 変化の被検出電圧VIN変化に対する
比が大きいほど検出精度が高いわけで、この検出精度は
変換部の抵抗器R13の抵抗値が小さいほど高い。
【0015】
【発明が解決しようとする課題】しかし、前記の電圧検
出回路で検出精度を稼ぐために抵抗値の小さい抵抗器R
13を使用すると、検出電流の頭打ちという問題が発生
した。これは、変換部のnpnトランジスタQ36への
電流供給源であるpnpトランジスタQ32が、事実上
の定電流源となっているためである。
【0016】即ち、pnpトランジスタQ32は検知部
のpnpトランジスタQ21とカレントミラーを構成し
ているので、pnpトランジスタQ32のコレクタ電流
はpnpトランジスタQ21から抵抗器R11を介して
接地へ流れる電流I21により規制される。そして、pn
pトランジスタQ21は被検出電圧VINの入力をベース
に受けないので、電流I21は被検出電圧VINに対して実
質的に固定値である。このためpnpトランジスタQ3
2は定電流電源として作用するのである。このことか
ら、npnトランジスタQ36のコレクタ電流I36すな
わち検出電流IOU T は電流I21を超えることができない
ので、被検出電圧VINがある程度以上大きくなると電流
OUT が頭打ちしてしまい電圧検出ができないのであ
る。このため、検出精度を高くすることと検出できる被
検出電圧VINの範囲を広くすることととの両立ができな
かった。
【0017】本発明は、検出精度を高くしても検出電流
の頭打ちがなく広い範囲の被検出電圧を検出できる電圧
検出回路を提供することを目的とする。
【0018】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
請求項1に係る発明は、入力端子と出力端子とを有し、
入力端子への印加電圧が高いほど大きい電流を出力端子
に流す電圧検出回路であって、前記印加電圧に応じた電
流を出力する追従手段と、この追従手段に電流を供給す
る電流源手段とを有し、この電流源手段は、前記印加電
圧が高いほど大きい電流を供給することを特徴とする。
ここで「電圧が高い」とは、接地電位のような基準電位
に対する入力端子電位の電位差の絶対値が大きいことを
いう。
【0019】かかる電圧検出回路によれば、入力端子電
圧は、電流源手段及び追従手段に伝達される。そして、
電流源手段は追従手段に電流を供給し、追従手段はこの
電流の供給を受けて入力端子電圧に応じた電流を出力す
る。この追従手段の出力電流により、入力端子電圧が検
出される。ここにおいて、電流源手段が追従手段に供給
する電流は、入力端子電圧が高いほど大きい。この電圧
が高いときは追従手段が大きな電流の供給を必要とする
ときでもあるので、追従手段は、高い入力端子電圧に対
してもそれに応じた電流を出力できる。従って、追従手
段において入力端子電圧変化に対する出力電流変化の比
が大きい高精度な設定をしているときでも、広い範囲の
入力端子電圧を検出できる。また、入力端子電圧が低い
ときは電流源手段が供給する電流も小さいので、消費電
力が小さくなる。
【0020】また、請求項2に係る発明は、請求項1に
記載の電圧検出回路であって、前記電流源手段は、前記
印加電圧が基準電圧以上であるときにのみ前記追従手段
への電流供給を行うことを特徴とする。
【0021】かかる電圧検出回路によれば、入力端子電
圧が基準電圧に達していないときには、電流源手段が電
流を供給しないので、追従手段による電圧検出が行われ
ない。入力端子電圧が基準電圧以上になると、電流源手
段が電流を供給し、追従手段による電圧検出が行われ
る。従って、ノイズ等の基準電圧に達しない電圧変動が
いちいち検出されることはない。また、入力端子電圧が
基準電圧に達しないために電圧検出がされない状態にな
っているときは、電圧検出回路の消費電力はほとんどゼ
ロに近い。
【0022】また、請求項3に係る発明は、請求項2に
記載の電圧検出回路であって、前記印加電圧が基準電圧
に達していないときには電流を発生せず、前記印加電圧
が基準電圧以上であるときには前記印加電圧が高いほど
大きい電流を発生する検知手段を有し、前記電流源手段
は、この検知手段が発生する電流と同一の大きさの電流
を前記追従手段に供給することを特徴とする。
【0023】かかる電圧検出回路によれば、入力端子電
圧が基準電圧に達していないときには、検知手段が電流
を発生しないので、電流源手段により電流が追従手段に
供給されることはない。このため、追従手段による電圧
検出は行われない。入力端子電圧が基準電圧以上になる
と、検知手段が電流を発生し、その電流は入力端子電圧
が高いほど大きい。そして電流源手段がこの電流と同一
の大きさの電流を追従手段に供給するので、追従手段に
よる入力端子電圧の検出が行われる。
【0024】また、請求項4に係る発明は、請求項3に
記載の電圧検出回路であって、前記検知手段が、ベース
とコレクタとが短絡された第1トランジスタと、この第
1トランジスタと同一極性であって第1トランジスタの
ベースにベースが接続された第2トランジスタとを含む
第1カレントミラーを有し、前記電流源手段が、前記第
1トランジスタと逆極性であってベースとコレクタとが
短絡されるとともに前記第2トランジスタのコレクタに
コレクタが接続された第3トランジスタと、この第3ト
ランジスタと同一極性であって第3トランジスタのベー
スにベースが接続されるとともに前記追従手段にコレク
タが接続された第4トランジスタとを有する第2カレン
トミラーであることを特徴とする。
【0025】かかる電圧検出回路によれば、第1トラン
ジスタのベース及びコレクタの電圧が第1トランジスタ
のしきい値電圧に達しないときは、第1トランジスタに
も第2トランジスタにも電流が流れず、即ち検知手段で
ある第1カレントミラーが作動しない。従って第3トラ
ンジスタにも第4トランジスタにも電流が流れず、即ち
電流源手段である第2カレントミラーが作動しない。こ
のため、追従手段への電流供給が行われず、電圧検出は
行われない。第1トランジスタのベース及びコレクタ電
圧がしきい値電圧以上であるときは、第1トランジスタ
がオンしてコレクタ電流が流れ、この電流はベース及び
コレクタ電圧が高いほど大きい。そしてこの電流と同一
の大きさの電流が第1、第2トランジスタの第1カレン
トミラーにより第2トランジスタのコレクタ電流として
転写され、第3トランジスタのコレクタ電流となる。こ
の電流が第3、第4トランジスタの第2カレントミラー
により第4トランジスタのコレクタ電流として転写さ
れ、追従手段に供給される。従って、第1トランジスタ
のベース及びコレクタ電圧が高いほど、追従手段への供
給電流が大きい。
【0026】ここで前記各発明における追従手段は、例
えば、第5トランジスタと、これと逆極性の第6トラン
ジスタと、抵抗器とを用い、第5トランジスタのベース
を入力端子に接続し、第6トランジスタのベースを第5
トランジスタのエミッタ及び電流源手段に接続し、抵抗
器を第6トランジスタのエミッタに接続することにより
実現できる。
【0027】このように構成した追従手段では、電流源
手段から電流が供給されているときには、入力端子電圧
が高いほど第5トランジスタに対する非アクティブ信号
として作用するので第5トランジスタのエミッタ−コレ
クタ間抵抗が大きい。このため、入力端子電圧が高いほ
ど電流源手段からの供給電流のうち第6トランジスタの
ベースに印加される成分が多くなる。これが第6トラン
ジスタへのアクティブ信号として作用するので、入力端
子電圧が高いほど第6トランジスタのコレクタから抵抗
器に流れる電流が大きくなる。この電流により入力端子
電圧の検出がなされる。ここで、抵抗器の抵抗値が小さ
いほど入力端子電圧に対する検出電流の比が大きく、検
出値の精度を高くすることができる。
【0028】
【発明の実施の形態】以下に本発明の実施の形態を図面
を参照して詳細に説明する。本実施の形態に係る電圧検
出回路を図1の回路図に示す。この回路は、検知部と変
換部とに大別される。検知部は、被検出電圧VINが所定
の基準電圧VREF 以上であるときにのみ変換部での電流
出力をさせるための検知手段であり、変換部は被検出電
圧VINが高いほど大きくなる電流を出力電流として得る
ものである。
【0029】検知部は、電源VCCと接地との間に4個の
npnトランジスタQ1〜Q4、2個の抵抗器R1、R
2、を有している。一方、変換部は、電源VCCと接地と
の間に5個のpnpトランジスタQ5〜Q9、2個のn
pnトランジスタQ10、Q11、抵抗器R3、を有
し、そして出力端子OUTと接地との間にnpnトラン
ジスタQ12を有している。
【0030】検知部において、npnトランジスタQ
1、Q2は、共にコレクタが電源VCCに接続されてい
る。npnトランジスタQ1は、ベースが入力端子IN
に接続され、エミッタがnpnトランジスタQ2のベー
スに接続されるとともに抵抗器R1を介して接地されて
いる。そしてnpnトランジスタQ2のエミッタは、抵
抗器R2を介してnpnトランジスタQ3のコレクタに
接続されている。
【0031】npnトランジスタQ3は、ベースとコレ
クタとが短絡されており、そのベースはnpnトランジ
スタQ4のベースに接続されている。またエミッタは接
地されている。npnトランジスタQ4は、エミッタが
接地され、コレクタが後述する変換部のpnpトランジ
スタQ5のコレクタに接続されている。npnトランジ
スタQ3、Q4は、請求項4にいう第1カレントミラー
を構成しており、npnトランジスタQ3にコレクタ電
流が流れたときにそれを転写して同一の大きさの電流を
npnトランジスタQ4のコレクタ電流として流すよう
にされている。
【0032】変換部において、pnpトランジスタQ5
〜Q8は、それぞれエミッタが電源VCCに接続されてい
る。pnpトランジスタQ5は、コレクタが前記のよう
に検知部のnpnトランジスタQ4のコレクタと接続さ
れ、ベースがpnpトランジスタQ6のベースと接続さ
れ、そしてベースとコレクタとが短絡されている。pn
pトランジスタQ6のコレクタは、pnpトランジスタ
Q9のエミッタ及びnpnトランジスタQ10のベース
と接続されている。pnpトランジスタQ5、Q6は請
求項4にいう第2カレントミラーを構成する電流源手段
であり、pnpトランジスタQ5にコレクタ電流が流れ
たときにそれを転写して同一の大きさの電流をpnpト
ランジスタQ6のコレクタ電流として流すようになって
いる。
【0033】pnpトランジスタQ7は、ベースがpn
pトランジスタQ8のベースと接続され、コレクタがn
pnトランジスタQ10のコレクタと接続され、そして
ベースとコレクタとが短絡されている。pnpトランジ
スタQ8のコレクタは、npnトランジスタQ11のコ
レクタと接続されている。pnpトランジスタQ7、Q
8は、pnpトランジスタQ7のコレクタ電流をpnp
トランジスタQ8のコレクタ電流として転写する第3カ
レントミラーを構成している。
【0034】pnpトランジスタQ9のコレクタは接地
されている。npnトランジスタQ10のエミッタは抵
抗器R3を介して接地されている。pnpトランジスタ
Q9及びnpnトランジスタQ10は、第2カレントミ
ラーから電流の供給を受けつつ、pnpトランジスタQ
9のベース電圧に応じた電流をnpnトランジスタQ1
0のエミッタから抵抗器R3に流す追従手段であるボル
テージフォロアを構成している。
【0035】npnトランジスタQ11は、ベースとコ
レクタとが短絡され、ベースはnpnトランジスタQ1
2のベースと接続されている。エミッタは接地されてい
る。npnトランジスタQ12は、エミッタが接地さ
れ、コレクタが出力端子OUTに接続されている。np
nトランジスタQ11、Q12は、npnトランジスタ
Q11のコレクタ電流をnpnトランジスタQ12のコ
レクタ電流として転写する第4カレントミラーを構成し
ている。
【0036】この構成の回路では、入力端子INに被検
出電圧VINを印加すると、被検出電圧VINは、検知部の
npnトランジスタQ1及び変換部のpnpトランジス
タQ9のそれぞれベースに伝達される。
【0037】被検出電圧VINが後述する基準電圧VTH
達していないときは、検知部においてnpnトランジス
タQ1はオフでありそのエミッタ−コレクタ間抵抗が著
しく大きく、そのエミッタ電圧、即ちnpnトランジス
タQ2のベース電圧は殆ど0である。従ってnpnトラ
ンジスタQ2もオフであり、npnトランジスタQ2か
ら抵抗器R2を介してnpnトランジスタQ3に流れる
電流I2 はゼロと見なしてよい。そして第1カレントミ
ラー(Q3、Q4)により電流I2 がpnpトランジス
タQ5からnpnトランジスタQ4への電流I5に転写
されるので(I2=I5)、pnpトランジスタQ5のコ
レクタ電流であるI5がゼロとなる。
【0038】つまり、変換部の第2カレントミラー(Q
5、Q6)に対する電流の供給がなされないことにな
り、このため変換部では、ボルテージフォロアのpnp
トランジスタQ9のベースに被検出電圧VINが印加され
ているにもかかわらず、電流の供給がないために電圧検
出は行われない。この状態では、電源VCCから変換部又
は検知部を介して接地に流れる電流は殆どゼロであり、
被検出電圧VINが基準電圧VTHに達していない非検出状
態における電流(以下、「暗電流」という)の消費が非
常に少ない。
【0039】一方、図2で説明した従来の電圧検出回路
では、被検出電圧VINの値と無関係に、従って回路が検
出状態か非検出状態かと無関係に抵抗器12からダイオ
ードD1〜D3を介して常時流れる電流を主成分とする
暗電流がかなり大きい。このため、例えば自動車の電気
系統における自己診断機能に使用する場合のように外部
から遮断された電池を電源とする場合には、電池(図で
はVCC)の放電による消耗が問題となった。これに対し
図1の電圧検出回路ではこのような問題はない。
【0040】被検出電圧VINが基準電圧VTH以上である
ときには、npnトランジスタQ1に対するアクティブ
信号として作用する。このため、npnトランジスタQ
1がオンしそのエミッタ−コレクタ間抵抗が低下し、そ
のエミッタ電圧、即ちnpnトランジスタQ2のベース
電圧が引き上げられて(アクティブ信号)npnトラン
ジスタQ2がオンし、npnトランジスタQ2から抵抗
器R2を介してnpnトランジスタQ3に電流I2 が流
れる。被検出電圧VINが高いほどnpnトランジスタQ
1のベース電流が高くなり、そのエミッターコレクタ間
抵抗の低下度合が大きくなる為、そのエミッタ電圧、即
ちnpnトランジスタQ2のベース電圧も高くなり、そ
のエミッターコレクタ間抵抗の低下度合も大きくなる。
従って、npnトランジスタQ2から抵抗器R2を介し
てnpnトランジスタQ3に流れる電流I2 は被検出電
圧VINが高いほど大きい。そして第1カレントミラー
(Q3、Q4)により電流I2 がpnpトランジスタQ
5からnpnトランジスタQ4への電流I5 に転写され
るので(I2=I5)、pnpトランジスタQ5のコレク
タ電流であるI5が流れる。この電流I5は、電流I2
等しいので、被検出電圧VINが高いほど大きい。
【0041】そして変換部において、pnpトランジス
タQ5、Q6の第2カレントミラーにより電流I5がp
npトランジスタQ6のコレクタ電流I6に転写される
(I5=I6)。この電流I6が、pnpトランジスタQ
9、npnトランジスタQ10のボルテージフォロアへ
の供給電流となり、電圧検出が行われる。電流I6 は電
流I5 と同様に被検出電圧VINが高いほど大きいので、
第2カレントミラー(Q5、Q6)はボルテージフォロ
ア(Q9、Q10)に対する可変電流源として作用す
る。
【0042】即ち、ボルテージフォロアのpnpトラン
ジスタQ9には、被検出電圧VINがベース電圧として印
加されており、この電圧VINは非アクティブ信号として
作用するので、電圧VINが高いほどpnpトランジスタ
Q9のエミッタ−コレクタ間抵抗が増大し、電流I6
うちpnpトランジスタQ9のエミッタへ流れる成分I
9が減少する。このため、電流I6のうちnpnトランジ
スタQ10のベースに印加される成分I10(=I6
9)が増大する。これがnpnトランジスタQ10に
対するアクティブ信号として作用するので、電圧VIN
高いほどnpnトランジスタQ10のエミッタから抵抗
器R3を介して接地へ流れる電流I3 が大きいことにな
る。従って電流I3 の大きさは、被検出電圧VINを反映
している。
【0043】そして、この電流I3 により、第3カレン
トミラーのpnpトランジスタQ7に電流I7が流れ
る。この電流I7は厳密には電流I3 から電流I10を差
し引いたものであるが、電流I3が電流I10よりはるか
に大きい(I10≪I3)ので、電流I7と電流I3とを等
しいと見なしても差し支えない。そしてこの電流I7
が、第3カレントミラー(Q7、Q8)によりpnpト
ランジスタQ8からnpnトランジスタQ11への電流
8に転写される(I7=I8)。そして電流I8が、第4
カレントミラー(Q11、Q12)により転写され、出
力端子OUTから電流IOUTが引き出される(I8=I
OUT)。従って、出力端子OUTの電流IOUTの大きさは
被検出電圧VINを反映しており、電圧の検出がなされた
ことになる。
【0044】ここで、検知部において第1カレントミラ
ー(Q3、Q4)が作動して電流供給が行われるために
必要な基準電圧VTHについて説明する。第1カレントミ
ラー(Q3、Q4)が作動するためには前記のように、
npnトランジスタQ1〜Q4のすべてがオンしなけれ
ばならない。ここでnpnトランジスタQ3、Q4は常
に同時にオンオフし、そしてnpnトランジスタQ1〜
Q3はベース−エミッタが直列に接続されているので、
これらをすべてオンさせるような電圧を考えればよい。
従って、npnトランジスタQ1〜Q3のベース−エミ
ッタ間電圧のしきい値の合計が基準電圧VTHとなる。被
検出電圧VINがこの基準電圧VTH未満であるときには電
圧検出はなされず、基準電圧VTH以上であるときに限り
電圧検出がなされることは前記のとおりである。従っ
て、入力端子INにノイズ等により基準電圧VTHに達し
ない電圧変動が生じても、それがいちいち検出されるこ
とはない。
【0045】次に、変換部における電圧検出の精度と検
出可能な電圧の上限との関係について説明する。まず検
出精度については、被検出電圧VIN変化に対する検出電
流IOUT 変化の比(ΔIOUT/ΔVIN )が大きいほど、
わずかな被検出電圧変化に対しても検出電流変化が大き
くなる為、検出精度が高いといえる。この検出精度を上
げるためには抵抗器R3として抵抗値の小さいものを用
いればよい。一方、上限電圧については、第2カレント
ミラー(Q5、Q6)からボルテージフォロア(Q9、
Q10)への供給電流I6 により規制される。ボルテー
ジフォロアのnpnトランジスタQ10へのアクティブ
信号であるI10は電流I6 を超えることができないから
である。
【0046】ここで図1の電圧検出回路においては、前
記のように供給電流I6 は、被検出電圧VINが高いほど
大きくなる。従って、抵抗値の小さい抵抗器R3を採用
して電圧検出の精度が高い設定をしている場合でも、検
出上限電圧が高く、検出電流IOUTが電流I6により規制
されて頭打ちすることは殆どない。従って、検出可能な
被検出電圧VINの範囲が広い。即ち、電圧検出精度と検
出上限電圧との高水準での両立が実現されている。
【0047】かかる電圧検出回路は、例えば、自動車の
電気系統における自己診断装置のための電圧−電流変換
回路として用いることができる。その場合には、自動車
の電子制御装置(ECU)からの電圧信号を入力端子I
Nに入力し、出力端子OUTには電流信号で作動するア
クチュエータを接続する。すると、ECUからの電圧信
号を電圧検出回路で電流に変換してアクチュエータを作
動させることができる。ここで、入力端子電圧VINが基
準電圧VTHに達しない限り電圧検出回路が作動しないの
で、ECUがノイズ等の微小信号を発生してもいちいち
アクチュエータが作動することはない。その一方、電圧
検出回路の検出上限電圧が高いので、ECUの広範囲の
電圧信号に対して適切にアクチュエータを作動させるこ
とができる。
【0048】図1の電圧検出回路については、いくつか
の変形例が考えられる。まず検知部については、npn
トランジスタQ1、抵抗器R1及びこれらを電源VCC
接地との間に配置する配線を省略し、入力端子INを直
接npnトランジスタQ2のベースに入力させてもよ
い。この場合にはnpnトランジスタQ1がない分基準
電圧VTHが下がるが、それ以外は同様に作動する。ある
いは逆に、入力端子INと第1カレントミラー(Q3、
Q4)との間のnpnトランジスタの段数を更に増やし
て基準電圧VTHを上げることも可能である。
【0049】変換部については、第3カレントミラー
(Q7、Q8)と第4カレントミラー(Q11、Q1
2)とのいずれか又は両方を省略してもよい。第3カレ
ントミラー(Q7、Q8)を省略し第4カレントミラー
(Q11、Q12)を省略しない場合には、pnpトラ
ンジスタQ7の箇所は短絡し、pnpトランジスタQ8
の箇所は開放する。そして抵抗器R3と接地との間を開
放すると共にnpnトランジスタQ10のエミッタとn
pnトランジスタQ11のコレクタとを抵抗器R3を介
して接続する。この場合にも同様に被検出電圧VINの検
出がなされる。
【0050】第4カレントミラー(Q11、Q12)を
省略し第3カレントミラー(Q7、Q8)を省略しない
場合には、npnトランジスタQ11、Q12の箇所は
いずれも開放し、pnpトランジスタQ8のコレクタを
出力端子OUTに直接接続する。第3カレントミラー
(Q7、Q8)及び第4カレントミラー(Q11、Q1
2)を共に省略する場合には、pnpトランジスタQ7
の箇所は短絡し、pnpトランジスタQ8の箇所は開放
する。そしてnpnトランジスタQ11、Q12の箇所
はいずれも開放し、抵抗器R3と接地との間を開放する
と共にnpnトランジスタQ10のエミッタと出力端子
OUTとを抵抗器R3を介して接続する。
【0051】これらの場合には、出力端子OUTにおけ
る検出電流IOUT の向きが逆になるが、それ以外は同様
に作動する。従って、出力端子OUTの先に接続される
回路が要求する電流の向きに応じて第4カレントミラー
(Q11、Q12)を省略するか否かを決定すればよ
い。なお、ここで述べた検知部の変形と変換部の変形と
は、独立に適用可能なので、いずれか一方に限らず両方
とも変形してもよい。
【0052】以上詳細に説明したように、本実施の形態
に係る電圧検出回路によれば、ボルテージフォロア(Q
9、Q10)に電流I6 を供給する電流源手段である第
2カレントミラー(Q5、Q6)が、被検出電圧VIN
高いほど大きい電流I6 を供給する可変電流源として作
用するので、被検出電圧VINに対する検出電流IOUT
比が大きい高精度な設定をしているときでも、電流I6
の頭打ちにより検出可能な電圧の範囲が限定されること
がない。従って、高い被検出電圧VINを高い精度で検出
することができる。
【0053】また、検知部を設け、被検出電圧VINが基
準電圧VTHに達しないときには第2カレントミラー(Q
5、Q6)によるボルテージフォロア(Q9、Q10)
への電流供給をさせないようにしたので、入力端子IN
の電圧が基準電圧VTHの範囲内でノイズ等により変動し
ても、いちいちこれが検出されることはない。そして、
基準電圧VTHに達しないために電圧検出が行われない状
態となっているときには、電源VCCから接地への暗電流
が殆ど流れないので、非検出時の電力消費が非常に少な
い。更に、入力端子INと第1カレントミラー(Q3、
Q4)との間のnpnトランジスタの段数を変更するこ
とにより、基準電圧VTHを適宜選択することができる。
【0054】また、出力端子OUTの前段に第4カレン
トミラー(Q11、Q12)を設けてこれを省略可能に
したので、この第4カレントミラーを省略するか否かに
より、出力端子OUTの先に接続される回路が要求する
向きの電流を出力端子OUTに出力させることができ
る。更に、図2に示した従来の電圧検出回路に比べて回
路を構成する素子の数が著しく少なく構造が簡易であ
る。
【0055】以上実施の形態について説明したが、本発
明は上記実施の形態に何ら限定されるものではなく、本
発明の趣旨を逸脱しない範囲で種々の設計変更ができる
ことは言うまでもないことである。例えば、先に説明し
た検知部や変換部の変形例のほか、電源VCCや各トラン
ジスタの極性等をすべて逆にしてもよい。
【0056】
【発明の効果】以上説明したことから明らかなように本
発明によれば、追従手段に電流を供給する電流源手段
を、入力端子への印加電圧が高いほど供給電流を大きく
する可変電流源としたので、検出精度を高くしても検出
電流の頭打ちがなく広い範囲の被検出電圧を検出できる
電圧検出回路が実現されている。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態に係る電圧検出回路の回路
図である。
【図2】従来の電圧検出回路の回路図である。
【符号の説明】
Q3、Q4 第1カレントミラー Q5、Q6 第2カレントミラー Q9、Q10 ボルテージフォロア IN 入力端子 OUT 出力端子 VIN 被検出電圧 IOUT 検出電流

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 入力端子と出力端子とを有し、入力端子
    への印加電圧が高いほど大きい電流を出力端子に流す電
    圧検出回路において、 前記印加電圧に応じた電流を出力する追従手段と、 この追従手段に電流を供給する電流源手段とを有し、 この電流源手段は、前記印加電圧が高いほど大きい電流
    を供給することを特徴とする電圧検出回路。
  2. 【請求項2】 請求項1に記載の電圧検出回路におい
    て、 前記電流源手段は、前記印加電圧が基準電圧以上である
    ときにのみ前記追従手段への電流供給を行うことを特徴
    とする電圧検出回路。
  3. 【請求項3】 請求項2に記載の電圧検出回路におい
    て、 前記印加電圧が基準電圧に達していないときには電流を
    発生せず、前記印加電圧が基準電圧以上であるときには
    前記印加電圧が高いほど大きい電流を発生する検知手段
    を有し、 前記電流源手段は、この検知手段が発生する電流と同一
    の大きさの電流を前記追従手段に供給することを特徴と
    する電圧検出回路。
  4. 【請求項4】 請求項3に記載の電圧検出回路におい
    て、 前記検知手段が、 ベースとコレクタとが短絡された第1トランジスタと、 この第1トランジスタと同一極性であって第1トランジ
    スタのベースにベースが接続された第2トランジスタと
    を含む第1カレントミラーを有し、 前記電流源手段が、 前記第1トランジスタと逆極性であってベースとコレク
    タとが短絡されるとともに前記第2トランジスタのコレ
    クタにコレクタが接続された第3トランジスタと、 この第3トランジスタと同一極性であって第3トランジ
    スタのベースにベースが接続されるとともに前記追従手
    段にコレクタが接続された第4トランジスタとを有する
    第2カレントミラーであることを特徴とする電圧検出回
    路。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100703098B1 (ko) * 2004-10-14 2007-04-06 산요덴키가부시키가이샤 전압 검출 회로
CN104101774A (zh) * 2014-07-31 2014-10-15 珠海格力电器股份有限公司 等离子体恒效空气净化器的检测方法和装置及检测工装
CN105301342A (zh) * 2014-06-26 2016-02-03 Dialog半导体(英国)有限公司 采用电流镜对led电源电压的测试

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100703098B1 (ko) * 2004-10-14 2007-04-06 산요덴키가부시키가이샤 전압 검출 회로
CN105301342A (zh) * 2014-06-26 2016-02-03 Dialog半导体(英国)有限公司 采用电流镜对led电源电压的测试
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