JPH07326010A - 磁気ヘッドの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 高密度記録化を可能とし、隣接イレーズが抑
えられ、再生出力が良好な磁気ヘッドを、製造歩留り良
好に製造する。 【構成】 基板１６の一主面１６ａに複数のトラック幅
規制溝１７を形成する際、基板１６の両端部におけるト
ラック幅規制溝１７間の間隔Ｂと、基板１６の中央部に
おけるトラック幅規制溝１７間の間隔Ｂを異なるものと
する。そして、上記基板１６を一対の基板に分割し、該
基板上に金属磁性薄膜を被着形成し、その表面を鏡面加
工して、金属磁性薄膜の突き合わせ幅を規制する。次
に、上記一対の基板を前記鏡面加工した金属磁性薄膜同
士が対向するようにギャップ材を介して接合一体化し、
磁気ヘッド毎に切断する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、例えばビデオテープレ
コーダ等に搭載される高密度記録用磁気ヘッドを形成す
る磁気ヘッドの製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、ビデオテープレコーダー（以下、
ＶＴＲと称する。）等の記録再生装置においては、高密
度記録化のためにトラックピッチを例えば１０μｍ以下
とする狭トラック化が進められている。そして、これに
対応すべく、磁気ヘッドのトラック幅は１３±１μｍ程
度とされている。

【０００３】媒体である磁気テープに記録された情報を
再生する際、図１３に示すように磁気テープ１０１上の
記録パターン中の再生しようとするトラックパターンＰ
₁ を磁気ヘッド１０２がずれることなくトレースすれば
良いが、実際には図１４に示すように磁気ヘッド１０３
は再生しようとするトラックパターンＰ₂ に対して１μ
ｍ程度のずれを有してトレースすることが多い。

【０００４】すなわち、トラックピッチを１０μｍとし
た場合に磁気ヘッドのトラック幅も１０μｍとすると、
図１３に示すように磁気ヘッド１０２がずれることなく
トラックパターンＰ₁ をトレースすれば、磁気ヘッド１
０２の磁気ギャップＧのトラック幅ｔｗ₁₀₂ とトラック
パターンＰ₁ のトラック幅Ｔ₁ が丁度重なり良好に再生
が行われる。しかしながら、図１４に示すように磁気ヘ
ッド１０３がずれを有してトラックパターンＰ₂ をトレ
ースすると、磁気ヘッド１０３の磁気ギャップＧのトラ
ック幅ｔｗ₁₀₃ とトラックパターンＰ₂ のトラック幅Ｔ
₂ 間にずれが生じ、トラックパターンＰ₂ の両端部に図
中Ｓ₁ ，Ｓ₂ で示す１μｍ程度のずれが生じ、再生出力
が低下してしまう。

【０００５】そこで、図１５に示すように、磁気ヘッド
１０４の磁気ギャップＧのトラック幅ｔｗ₁₀₄ を最低で
も１２μｍとし、再生しようとするトラックパターンＰ
₂ を上記磁気ヘッド１０４がずれることなくトレースし
た場合にトラックパターンＰ ₂ の両端部に図中Ｓ₃ ，Ｓ
₄ で示すマージンが形成されるようにしている。すなわ
ち、磁気ヘッド１０４のトラックパターンＰ₂ に対する
ずれが１μｍ以下であれば、再生出力が低下することも
ない。

【０００６】また、ＶＴＲ等の記録再生装置において
は、隣接トラックパターンからのクロストークを避ける
ために、図１３に示すように、隣接トラックパターンＰ
₁ ，Ｐ ₂ にそれぞれ異なったアジマス角を有する磁気ヘ
ッドを用いて情報の記録を行うようにしている。なお、
隣接トラックパターンＰ₁ ，Ｐ₂ 間にはガードバンドが
ない。

【０００７】そして、上記のような方法で記録を行い、
これを再生する際、磁気ヘッドのトラック幅があまり大
きいと、長波長領域においてクロストークが発生してし
まい、Ｃ／Ｎが劣化してしまう虞がある。

【０００８】そこで、上記のような磁気ヘッドにおいて
は、磁気ギャップのトラック幅の上限を１４μｍとして
いる。すなわち、上記のような磁気ヘッドにおいては、
磁気ギャップのトラック幅を１３±１μｍの精度で規制
している。

【０００９】ところで、ＶＴＲ等の記録装置に搭載され
る磁気ヘッドとしては、該ＶＴＲにおいてメタルテープ
や蒸着テープ等の高抗磁力磁気記録媒体が使用されるよ
うになってきていることから、磁気コア半体に金属磁性
体を用いたものが用いられている。このような磁気ヘッ
ドの代表的なものとしては、フェライト等の酸化物磁性
材料よりなる磁気コア基板と金属磁性体の複合型の磁気
ヘッド、いわゆるメタル・イン・ギャップ（Ｍｅｔａｌ
ｉｎ ｇａｐ）ヘッド（以下、ＭＩＧヘッドと略す
る。）が挙げられる。

【００１０】上記ＭＩＧヘッドは、フェライト等の酸化
物磁性材料よりなる磁気コア基板の対向面に金属磁性薄
膜が被着形成された一対の磁気コア半体が、上記金属磁
性薄膜同士を突き合わせるようにして接合一体化された
ものであり、当該金属磁性薄膜の突合わせ面間には磁気
ギャップが形成されている。この時、磁気コア基板の対
向面の磁気ギャップに相当する位置には磁気ギャップと
平行なギャップ形成面が形成されており、上記ギャップ
形成面の両端には、磁気ギャップのトラック幅を規制す
るトラック幅規制溝が設けられている。従って、磁気コ
ア基板の対向面にその形状に沿って被着形成される金属
磁性薄膜は、ギャップ形成面上において磁気ギャップと
平行となる。また、上記トラック幅規制溝により一対の
磁気コア半体間に形成される溝部には融着ガラスが充填
され、一対の磁気コア半体は接合一体化されている。

【００１１】上記のようなＭＩＧヘッドは、例えば次に
示されるような方法によって製造される。先ず、フェラ
イト等の酸化物磁性材料よりなる一対の基板の一主面
に、所定の間隔を有して複数のトラック幅規制溝を形成
する。次いで、上記基板のトラック幅規制溝形成面に金
属磁性薄膜をスパッタリング，蒸着等の手法によって形
成し、一対の磁気コア半体ブロックを形成する。そし
て、上記一対の基板に形成されるトラック幅規制溝同士
の位置合わせを行い、各金属磁性薄膜を対向するように
突き合わせ、融着ガラスを溶融充填して一対の磁気コア
半体ブロックを接合一体化する。続いて、接合一体化さ
れた磁気コア半体ブロックを所定の切断線にて切断し、
複数のＭＩＧヘッドを完成する。この時、金属磁性薄膜
の突き合わせ面間には、磁気ギャップが形成され、金属
磁性薄膜の突き合わせ面がトラック幅となる。

【００１２】そして、上記のようなＭＩＧヘッドを用
い、上述のように、隣接トラックパターンにそれぞれ異
なったアジマス角でガードバンドなしで記録を行う場
合、ＭＩＧヘッドの金属磁性薄膜のトラックエッジ近傍
にダレが生じていると、この部分からの漏れ磁界により
既に記録したトラックを消去する隣接イレーズが生じ、
再生出力が低下してしまう。そこで、特願平５−３３６
２５４号明細書に示されるように、上記のようなＭＩＧ
ヘッドを製造する際、金属磁性薄膜の形成後に該金属磁
性薄膜のエッジのダレを除去すべくその表面をポリッシ
ング等により研磨し、トラックエッジをシャープなもの
とし、上記のような不都合を防止している。

【００１３】

【発明が解決しようとする課題】ところが、上記のよう
に金属磁性薄膜の形成後に該金属磁性薄膜の表面を研磨
すると、基板の両端部と中央部で金属磁性薄膜の突き合
わせ幅が異なるものとなり、形成される複数の磁気ヘッ
ドのトラック幅にばらつきが生じ、製造歩留りが低下す
るという不都合が生じる。

【００１４】すなわち、先ず、図１６に示すように、基
板１１０の一主面１１０ａに図中Ｃで示す所定のピッチ
で、すなわち所定の間隔を有して図中Ｗで示す溝幅の複
数のトラック幅規制溝１１１を形成し、一主面１１０ａ
を研磨してトラック幅規制溝１１１間の間隔を図中Ｍで
示す所定間隔とする。そして、上記一主面１１０ａ上に
金属磁性薄膜を形成すると、図１７に示すように、基板
１１０と金属磁性薄膜１１２の熱膨張率の差から例えば
中央部が凸となるような反りが生じる。

【００１５】例えば、基板１１０としてトラック幅規制
溝１１１の溝幅Ｗ方向の幅が２０ｍｍ、トラック幅規制
溝１１１形成方向の長さが３ｍｍ、トラック幅規制溝１
１１深さ方向の高さが１ｍｍのものを使用し、膜厚８μ
ｍの金属磁性薄膜を形成した場合には、３μｍの反りが
発生する。

【００１６】なお、上記トラック幅規制溝１１１は、ヘ
ッド効率を向上させるために、その側面と該トラック幅
規制溝１１１深さ方向がなす角を３０゜以上とすること
が好ましいとされている。

【００１７】そして、この状態で図１８に示すように、
基板１１０の中央部１１０ｂの金属磁性薄膜１１２の表
面１１２ａを基準として該金属磁性薄膜１１２を研磨深
さｄで破線の位置まで研磨すると、基板１１０に上記中
央部１１０ｂが凸となるような反りが生じていることか
ら、基板１１０の両端部１１０ｃ，１１０ｄにおいては
研磨深さｄ₁ が中央部１１０ｂにおける研磨深さｄより
も浅くなる。

【００１８】従って、基板１１０の中央部１１０ｂにお
ける研磨後のトラック幅ｔｗ₁ は（１）式のように表さ
れる。 ｔｗ₁ ＝（ｄ×ｔａｎθ）×２＋Ｍ・・・（１） 一方、基板１１０の両端部１１０ｃ，１１０ｄにおける
研磨後のトラック幅ｔｗ₂ ，ｔｗ₃ は（２）式のように
表される。ただし、（２）式中においてはトラック幅ｔ
ｗ₂ のみを示す。

【００１９】 ｔｗ₂ ＝（ｄ₁ ×ｔａｎθ）×２＋Ｍ・・・（２） このとき、θが３０゜以上であること、ｄ₁ ＜ｄである
ことから、ｔｗ₂ ＜ｔｗ₁ となる。なお、トラック幅規
制溝ｔｗ₃ においても同様である。

【００２０】そして、前述のように狭トラック化に対応
できるように最終的なトラック幅を１３μｍとするた
め、ｄを４μｍ、θを３０゜、Ｍを９μｍとすると、ト
ラック幅規制溝ｔｗ₁ は１３．６μｍ、トラック幅規制
溝ｔｗ₂ は１０．１μｍとなり、３．５μｍのばらつき
が生じる。すなわち、製造される磁気ヘッドをトラック
幅寸法公差±１μｍで選別すると、トラック幅寸法不良
が多発して製造歩留りが大幅に低下する。

【００２１】そこで本発明は従来の実情に鑑みて提案さ
れたものであり、高密度記録化を可能とし、隣接イレー
ズが抑えられ、再生出力が良好な磁気ヘッドを、製造歩
留り良好に製造することが可能な磁気ヘッドの製造方法
を提供することを目的とする。

【００２２】

【課題を解決するための手段】上述の目的を達成するた
めに本発明は、基板の一主面に複数のトラック幅規制溝
を所定の間隔で形成し、上記トラック幅規制溝が形成さ
れた基板上に金属磁性薄膜を被着形成し、基板上の金属
磁性薄膜の表面を鏡面加工して、金属磁性薄膜の突き合
わせ幅を規制した後、一対の基板を前記鏡面加工した金
属磁性薄膜同士が対向するようにギャップ材を介して接
合一体化し、磁気ヘッド毎に切断する磁気ヘッドの製造
方法において、基板の一主面に複数のトラック幅規制溝
を形成する際、基板の両端部におけるトラック幅規制溝
間の間隔と、基板の中央部におけるトラック幅規制溝間
の間隔を異なるものとすることを特徴とするものであ
る。

【００２３】なお、本発明の磁気ヘッドの製造方法によ
れば、金属磁性薄膜の突き合わせ幅、すなわちトラック
幅の寸法公差が±１μｍ以下となる。

【００２４】さらに、本発明は、金属磁性薄膜の突き合
わせ幅、すなわちトラック幅が１５μｍ以下とされる磁
気ヘッドの製造に適している。

【００２５】また、本発明の磁気ヘッドの製造方法にお
いては、基板が酸化物磁性材料により構成されていても
良い。

【００２６】

【作用】本発明の磁気ヘッドの製造方法においては、基
板の一主面に複数のトラック幅規制溝を形成する際、基
板の両端部におけるトラック幅規制溝間の間隔と、基板
の中央部におけるトラック幅規制溝間の間隔を異なるも
のとしている。従って、上記トラック幅規制溝が形成さ
れた基板上に金属磁性薄膜を被着形成し、これにより基
板に反りが生じた状態で、金属磁性薄膜の表面を鏡面加
工し、金属磁性薄膜の突き合わせ幅であるトラック幅を
規制しても、基板の中央部のトラック幅と両端部のトラ
ック幅に差が生じ難く、製造される磁気ヘッドのトラッ
ク幅寸法不良が生じ難い。

【００２７】以下に図面を用いて説明する。例えば、図
１１に示すように、金属磁性薄膜２１の形成された基板
の中央部２０ｂの金属磁性薄膜２１の表面２１ａを基準
として該金属磁性薄膜２１を研磨深さＤ（ここでは４μ
ｍとする。）で破線の位置まで研磨して鏡面加工する。
なお、このときの基板の中央部２０ｂにおけるトラック
幅規制溝間の間隔をＡ₁ （ここでは９μｍとする。）、
両端部２０ｃ，２０ｄにおけるトラック幅規制溝間の間
隔をＡ₂ ，Ａ₃ （ここでは１２．５μｍとする。）と異
なるものとしておく。

【００２８】このとき、基板に上記中央部２０ｂが凸と
なるような３μｍの反りが生じていると、基板の両端部
２０ｃ，２０ｄにおける研磨深さＤ₁ （ここでは１μｍ
となる。）が中央部２０ｂにおける研磨深さＤよりも浅
くなる。

【００２９】そして、基板の中央部２０ｂにおける鏡面
加工後のトラック幅Ｔｗ₁ は（１）式のように表され
る。 Ｔｗ₁ ＝（Ｄ×ｔａｎθ）×２＋Ａ₁ ・・・（１） 一方、基板の両端部２０ｃ，２０ｄにおける鏡面加工後
のトラック幅Ｔｗ₂ ，Ｔｗ₃ は（２）式のように表され
る。ただし、（２）式中においてはトラック幅Ｔｗ₂ の
みを示す。

【００３０】 Ｔｗ₂ ＝（Ｄ₁ ×ｔａｎθ）×２＋Ａ₂ ・・・（２）

【００３１】ここで、Ｄが４μｍ、θが３０゜、Ａ₁ が
９μｍであるので、トラック幅Ｔｗ ₁ は１３．６μｍと
なる。そして、Ｄ₁ が１μｍ、Ａ₂ が１２．５μｍであ
るので、トラック幅Ｔｗ₂ は１３．６μｍとなる。な
お、トラック幅Ｔｗ₃ も同様である。すなわち、基板の
中央部２０ｂと両端部２０ｃ，２０ｄにおいて鏡面加工
後のトラック幅Ｔｗ₁ とトラック幅Ｔｗ₂ 及びトラック
幅Ｔｗ₃ 間にばらつきが生じ難い。従って、本発明によ
り製造される磁気ヘッドには、トラック幅寸法不良が発
生し難い。

【００３２】

【実施例】以下、本発明を適用した具体的な実施例につ
いて図面を参照しながら詳細に説明する。先ず、本発明
を適用した磁気ヘッドの製造方法によって形成される磁
気ヘッドについて説明する。

【００３３】上記磁気ヘッドは図１に示すように、フェ
ライト等の酸化物磁性材料よりなる磁気コア基板３，４
の対向面に金属磁性薄膜５，６が被着形成された一対の
磁気コア半体１，２が、上記金属磁性薄膜５，６を突き
合わせるようにして接合一体化されたものであり、当該
金属磁性薄膜５，６の突合わせ面間には記録再生として
動作する磁気ギャップＧ₁ （フロントギャップ）と磁気
ギャップＧ₂ （バックギャップ）が形成されている。

【００３４】この時、図２に示すように、磁気コア基板
３，４の対向面の磁気ギャップＧ₁，Ｇ₂ に相当する位
置には磁気ギャップＧ₁ ，Ｇ₂ と平行なギャップ形成面
３ａ，４ａが形成されており（図２中には磁気ギャップ
Ｇ₁ のみを示す。）、その両端には、磁気ギャップＧ
₁ ，Ｇ₂ のトラック幅を規制するためのトラック幅規制
溝７，８が設けられている。

【００３５】すなわち、磁気コア基板３，４の対向面に
その形状に沿って被着形成される金属磁性薄膜５，６
は、ギャップ形成面３ａ，４ａ上において磁気ギャップ
Ｇ₁ と平行となる。

【００３６】また、トラック幅規制溝７，８によって磁
気コア基板３，４のギャップ形成面３ａ，４ａの幅が規
制されていることから、金属磁性薄膜５，６の突き合わ
せ面の幅も自ずから規制されることとなる。従って、金
属磁性薄膜５，６の突き合わせ面間に形成される磁気ギ
ャップＧ₁ のトラック幅Ｔｗも規制されることとなる。
なお、本実施例においては、トラック幅Ｔｗが１３μｍ
とする。

【００３７】また、図１中に示すように、磁気ギャップ
Ｇ₁ （フロントギャップ）側及び磁気ギャップＧ₂ （バ
ックギャップ）側のトラック幅規制溝７，８により形成
される溝部には融着ガラス９，１０が充填され、磁気コ
ア半体１，２は接合一体化されている。

【００３８】さらに、磁気コア基板３，４にはコイルを
巻回するための巻線溝１１，１２及びこれらと相対向す
る位置に巻線補助溝１３，１４が設けられている。さら
に、この磁気ヘッドにおいては、磁気記録媒体に対する
当たりを確保するために磁気記録媒体と摺接する磁気記
録媒体摺動面に段差が設けられている。

【００３９】次いで、本発明を適用した磁気ヘッドの製
造方法の実施例について説明する。先ず、図３に示され
るように、例えば図中Ｘで示す幅が２０ｍｍ，図中Ｙで
示す長さが３ｍｍ，図中Ｚで示す高さが１ｍｍのフェラ
イト等の酸化物磁性材料よりなる基板１６を用意し、研
削盤により面出しを行う。そして、そのギャップ形成面
１６ａに磁気コア基板の突き合わせ面の幅を規制するた
めの複数のトラック幅規制溝１７（本実施例において
は、１７ａ，１７ｂ・・・１７ｌの１２個とする。）を
機械加工により形成する。

【００４０】このとき、本実施例においては、図３中に
示されるようなトラック幅規制溝１７のピッチＬ₁ 〜Ｌ
₁₃及び隣接するトラック幅規制溝１７間の間隔Ｂ₁ 〜Ｂ
₁₃、トラック幅規制溝１７の溝幅Ｎ₁ 〜Ｎ₁₂を表１に示
すような数値とする。

【００４１】

【表１】

【００４２】すなわち、基板１６の中央部よりも両端部
において隣接するトラック幅規制溝１７間の間隔Ｂが広
くとられ、その差は３．５ｍｍ程度となされている。こ
れは、前述のようにこのサイズの基板を用いて最終的な
トラック幅を１３μｍとしようとすると、両端部と中央
部においてトラック幅に３．５μｍ程度のばらつきが生
じるためである。

【００４３】また上記トラック幅規制溝１７の形状は、
断面略半円形状とされ、図２中θで示す磁気ギャップＧ
₁ のエッジ部の開き角が９０゜以上とされる。なお、本
実施例においては、エッジ部の開き角θを１２０゜とす
るために、図４に示すように、基板１６のギャップ形成
面１６ａと垂直な線ａと断面略半円形状のトラック幅規
制溝１７の接線ｂのなす角θが３０゜となるように砥石
成形を行い、溝入れを行ってトラック幅規制溝を設け
た。

【００４４】上記のように基板１６としては、フェライ
ト等の酸化物磁性材料が用いられるが、このような酸化
物磁性材料としては、Ｍｎ−Ｚｎ系フェライト，Ｎｉ−
Ｚｎ系フェライトの単結晶或いは多結晶、これらの接合
材等が挙げられる。なお、本実施例においては、Ｍｎ−
Ｚｎ系フェライトの単結晶を用いた。

【００４５】次いで、図５に示すように、コイルを巻装
するための断面略コ字状の巻線溝１８、ガラス融着接合
を行うための断面略コ字状をなすガラス溝１９をトラッ
ク幅規制溝１７と直交するように機械加工によって形成
する。このとき、巻線溝１８の一方の側面１８ａは、形
成される磁気ギャップＧ₁ （フロントギャップ）深さ
（デプス）を規制することとなるために傾斜面とする。
なお、巻線溝１８の他方の側面１８ｂは、傾斜面または
垂直面のいずれでも良い。

【００４６】そして、基板１６のギャップ形成面１６ａ
をポリッシング等により鏡面に仕上げる。なお、この工
程を一次鏡面加工と称する。また、この一次鏡面加工に
より、後工程により形成される金属磁性薄膜成膜後の鏡
面加工代を確保するべく、図６に示すように、基板１６
の中央部１６ｂのトラック幅規制溝１７ｆ，１７ｇ間の
間隔Ａ₁ が９μｍ、両端部１６ｃ，１６ｄのトラック幅
規制溝１７ａ，１７ｂ間の間隔Ａ₂ 及びトラック幅規制
溝１７ｋ，１７ｌ間の間隔Ａ₃ が１２．５μｍとなるま
で研磨を行う。

【００４７】そして、上記基板１６を切断し、図７に示
すような一対の基板（図中には一方の基板２０のみを示
す。）を形成する。

【００４８】次いで、図８に示すようにトラック幅規制
溝１７，巻線溝１８，ガラス溝１９の形成された上記基
板２０のギャップ形成面２０ａに、金属磁性薄膜２１を
スパッタリング法，蒸着法等により形成する。この際、
金属磁性薄膜２１と基板２０の付着力を向上させるため
に、図９に示すように、これらの間に下地層２２を介在
させても良い。

【００４９】上記金属磁性薄膜２１としては、センダス
ト（Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ系合金）及びこれにＯ，Ｔｉを添
加した結晶質磁性金属膜、Ｆｅ−Ｒｕ−Ｇａ−Ｓｉ系合
金及びこれにＯ，Ｎを添加した結晶質磁性金属膜、或い
はＦｅ系，Ｃｏ系の微結晶磁性金属膜が挙げられ、これ
らの合金膜，積層膜を用いても良い。

【００５０】また、下地膜２２としては、ＳｉＯ₂ ，Ｔ
ａ₂ Ｏ₅ 等の酸化物膜、Ｓｉ₃ Ｎ₄等の窒化物膜、Ｃ
ｒ，Ａｌ，Ｐｔ等の金属膜が挙げられ、これらの積層膜
を用いても良い。なお、本実施例においては、金属磁性
薄膜２１としてＦｅ−Ｒｕ−Ｇａ−Ｓｉ膜を膜厚８μｍ
で形成し、下地膜２２としてＣｒ膜を形成した。

【００５１】なお、本実施例においては上記金属磁性薄
膜２１の上に図示しない反応防止膜を設けても良く、該
反応防止膜によって金属磁性薄膜２１と後工程の接合工
程において溶融充填される融着ガラスの反応を防ぐ構造
としても良い。上記反応防止膜としては、ＳｉＯ₂ ，Ｔ
ａ₂ Ｏ₅ ，Ｃｒ₂ Ｏ₅ ，Ａｌ₂ Ｏ₃ ，ＺｒＯ₂ 等の酸化
物膜、Ｓｉ₃ Ｎ₄ 等の窒化物膜、Ｃｒ等の金属膜が挙げ
られ、これらの積層膜を用いても良い。

【００５２】すると、図１０に示すように、基板２０に
は中央部２０ｂが両端部２０ｃ，２０ｄよりも凸となる
ような３μｍ程度の反りが生じてしまう。

【００５３】なお、図９に示すように、単にスパッタリ
ング法等によって形成される金属磁性薄膜２１において
は、突き合わせ面２１ａのエッジ部２１ａ₁ ，２１ａ₂
に図中に示すようなダレが発生しやすい。従って、金属
磁性薄膜２１に加工を施すことなく、この状態のまま磁
気コア半体ブロックとし、これら磁気コア半体ブロック
同士の接合を行って磁気ヘッドを製造すると、磁気ギャ
ップのエッジ部漏洩磁界が大きなものとなり、隣接イレ
ーズが生じ、その再生特性を大きく低下させることとな
る。

【００５４】また、金属磁性薄膜２１の突き合わせ面２
１ａの突き合わせ幅は所定のトラック幅と必ずしも一致
するものではなく、この状態のまま磁気コア半体ブロッ
ク同士の接合を行うことは、磁気ギャップのトラック幅
精度の点からも好ましくない。

【００５５】そこで、本実施例の磁気ヘッドの製造方法
においては、ギャップ形成面２０ａ上に被着形成された
金属磁性薄膜２１の表面（反応防止膜を設けた場合にお
いては、反応防止膜表面）を鏡面加工して磁気コア半体
ブロックを得る。なお、この鏡面加工工程を二次鏡面加
工と称する。

【００５６】すなわち、基板２０の図１１中に示すよう
な中央部２０ｂの金属磁性薄膜２１の表面である突き合
わせ面２１ａを基準として該金属磁性薄膜２１を研磨深
さＤ（本実施例においては４μｍとする。）で破線の位
置まで研磨する。その結果、金属磁性薄膜２１のエッジ
部のダレが除去される。

【００５７】そして、このとき、基板２０には上記中央
部２０ｂが凸となるような３μｍの反りが生じているこ
とから、基板２０の図１１中に示すような両端部２０
ｃ，２０ｄにおいては研磨深さＤ₁ （本実施例において
は１μｍとなる。）が中央部２０ｂにおける研磨深さＤ
よりも浅くなる。

【００５８】従って、基板２０の図１１中に示すような
中央部２０ｂにおける二次鏡面加工後の金属磁性薄膜２
１の突き合わせ幅、すなわちトラック幅Ｔｗ₁ は（１）
式のように表される。 Ｔｗ₁ ＝（Ｄ×ｔａｎθ）×２＋Ａ₁ ・・・（１） 一方、基板２０の図１１中に示すような両端部２０ｃ，
２０ｄにおける鏡面加工後の金属磁性薄膜２１の突き合
わせ幅、すなわちトラック幅Ｔｗ₂ ，Ｔｗ₃ は（２）式
のように表される。ただし、（２）式中においてはトラ
ック幅Ｔｗ₂ のみを示す。

【００５９】 Ｔｗ₂ ＝（Ｄ₁ ×ｔａｎθ）×２＋Ａ₂ ・・・（２）

【００６０】本実施例においては、Ｄが４μｍ、θが３
０゜、Ａ₁ が９μｍであるので、トラック幅Ｔｗ₁ は１
３．６μｍとなる。そして、Ｄ₁ が１μｍ、Ａ₂ が１
２．５μｍであるので、トラック幅Ｔｗ₂ は１３．６μ
ｍとなる。なお、トラック幅Ｔｗ₃ も同様である。すな
わち、本実施例においては、基板２０の中央部２０ｂと
両端部２０ｃ，２０ｄにおいて二次鏡面加工後のトラッ
ク幅Ｔｗ₁ とトラック幅Ｔｗ₂ 及びトラック幅Ｔｗ₃ 間
にばらつきが生じ難い。従って、製造される磁気ヘッド
をトラック幅寸法公差±１μｍで選別しても、トラック
幅寸法不良は発生し難く、製造歩留りが大幅に向上す
る。

【００６１】次に、上記のようにして得られる磁気コア
半体ブロックとこれと同様に形成される磁気コア半体ブ
ロックの接合を行う。この際、各磁気コア半体ブロック
半体の突き合わせ面には、所定のギャップ長を形成でき
るような図示しないギャップ膜がそれぞれ形成されてい
る。

【００６２】磁気コア半体ブロック同士の接合を行うに
あたっては、図１２に示すように、それぞれに形成され
る金属磁性薄膜２１，２８を対向させて突き合わせ面と
し、トラック幅規制溝１７，２５、巻線溝１８，２６、
ガラス溝１９，２７の位置合わせを行った上で、巻線溝
１８，２６、ガラス溝１９，２７間に融着ガラス２９，
３０を配し、図中に示すように溶融充填して磁気半体コ
アブロック２３，２４を接合する。このようにして接合
された金属磁性薄膜２１，２８の突き合わせ面間には、
磁気ギャップＧ₁ （フロントギャップ）と図示しないバ
ックギャップが形成される。

【００６３】最後に、磁気コア半体ブロック２３，２４
の巻線溝１８，２６に相対向する位置に巻線補助溝を形
成し、これらの媒体対向面に円筒研削を施し、所定のア
ジマス角に傾斜させ、当たり幅加工を行い、所定のチッ
プ厚に切断して図１に示すような磁気ヘッドを完成す
る。

【００６４】本発明の磁気ヘッドの製造方法において
は、磁気コア半体ブロックの中央部と両端部でトラック
幅にばらつきが生じ難いことから、所定のチップ厚に切
断されて製造される磁気ヘッドにおいてトラック幅寸法
不良が発生し難く、製造歩留りが大幅に向上する。

【００６５】また、本実施例の製造方法により製造され
る磁気ヘッドにおいては、トラック幅が１３μｍ程度と
されていることから、高密度記録化が可能であり、また
金属磁性薄膜のトラックエッジ近傍のダレが除去されて
いることから隣接イレーズが抑えられて再生出力が良好
である。

【００６６】続いて、本実施例の効果を確認すべく、従
来の磁気ヘッドの製造方法と本実施例の磁気ヘッドの製
造方法により磁気ヘッドの製造を行い、トラック幅寸法
不良発生率を評価した。なお、１回の製造個数を１００
０個とし、それぞれの方法で３回製造を行い、トラック
幅が１３±１μｍの範囲とならないものをトラック幅寸
法不良としてその発生率を求めた。結果を表２に示す。

【００６７】

【表２】

【００６８】表２の結果を見てわかるように、従来の磁
気ヘッドの製造方法を用いた場合のトラック幅寸法不良
発生率が５６〜６６％程度であるのに対し、本実施例の
磁気ヘッドの製造方法を用いた場合のトラック幅寸法不
良発生率は５％程度であった。すなわち、本実施例の製
造方法によれば、トラック幅を１３±１μｍの精度で規
制することが可能であり、製造歩留りを大幅に向上させ
ることが可能であることが確認された。

【００６９】本実施例においては、基板上に金属磁性薄
膜を形成した場合に、基板が中央部が凸となるように反
る場合について述べたが、基板が中央部が凹となるよう
に反る場合においても、本発明が適用可能であることは
言うまでもない。

【００７０】また、本実施例においては、基板の反り量
が３μｍ程度である場合について述べたが、基板の反り
量が異なる場合においても本発明が適用可能であること
は言うまでもない。

【００７１】

【発明の効果】以上の説明からも明らかなように、本発
明は、基板の一主面に複数のトラック幅規制溝を所定の
間隔で形成し、上記トラック幅規制溝が形成された基板
上に金属磁性薄膜を被着形成し、基板上の金属磁性薄膜
の表面を鏡面加工して、金属磁性薄膜の突き合わせ幅を
規制した後、一対の基板を前記鏡面加工した金属磁性薄
膜同士が対向するようにギャップ材を介して接合一体化
し、磁気ヘッド毎に切断する磁気ヘッドの製造方法にお
いて、基板の一主面に複数のトラック幅規制溝を形成す
る際、基板の両端部におけるトラック幅規制溝間の間隔
と、基板の中央部におけるトラック幅規制溝間の間隔を
異なるものとしている。従って、基板上に金属磁性薄膜
を被着形成することで基板に反りが生じた状態で、金属
磁性薄膜の表面を鏡面加工して、金属磁性薄膜の突き合
わせ幅であるトラック幅を規制しても、基板の中央部の
トラック幅と両端部のトラック幅に差が生じ難いことか
ら、製造される磁気ヘッドのトラック幅不良が生じ難
く、製造歩留りが大幅に向上する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明を適用した磁気ヘッドの製造方法によっ
て製造される磁気ヘッドを示す斜視図である。

【図２】本発明を適用した磁気ヘッドの製造方法によっ
て製造される磁気ヘッドの磁気ギャップ近傍を示す要部
拡大平面図である。

【図３】本発明を適用した磁気ヘッドの製造方法を工程
順に示すものであり、基板にトラック幅規制溝を形成す
る工程を示す斜視図である。

【図４】トラック幅規制溝部分を示す要部拡大側面図で
ある。

【図５】本発明を適用した磁気ヘッドの製造方法を工程
順に示すものであり、基板に巻線溝，ガラス溝を形成す
る工程を示す斜視図である。

【図６】本発明を適用した磁気ヘッドの製造方法を工程
順に示すものであり、基板に一次鏡面加工を行う工程を
模式的に示す側面図である。

【図７】本発明を適用した磁気ヘッドの製造方法を工程
順に示すものであり、基板を一対の基板に切断する工程
を示す斜視図である。

【図８】本発明を適用した磁気ヘッドの製造方法を工程
順に示すものであり、基板に金属磁性薄膜を形成する工
程を示す斜視図である。

【図９】基板に形成される金属磁性薄膜近傍を示す要部
拡大側面図である。

【図１０】基板に反りが生じている状態を模式的に示す
要部拡大側面図である。

【図１１】本発明を適用した磁気ヘッドの製造方法を工
程順に示すものであり、金属磁性薄膜に二次鏡面加工を
施す工程を模式的に示す要部拡大側面図である。

【図１２】本発明を適用した磁気ヘッドの製造方法を工
程順に示すものであり、一対の磁気コア半体ブロックを
接合する工程を示す斜視図である。

【図１３】磁気テープに記録された情報を再生する際の
トラックパターンと磁気ヘッドの関係の一例を示す模式
図である。

【図１４】磁気テープに記録された情報を再生する際の
トラックパターンと磁気ヘッドの関係の他の例を示す模
式図である。

【図１５】磁気テープに記録された情報を再生する際の
トラックパターンと磁気ヘッドの関係のさらに他の例を
示す模式図である。

【図１６】従来の磁気ヘッドの製造方法を工程順に示す
ものであり、基板にトラック幅規制溝を形成する工程を
示す斜視図である。

【図１７】従来の磁気ヘッドの製造方法を工程順に示す
ものであり、基板に金属磁性薄膜を形成し、基板に反り
が生じた状態を模式的に示す要部拡大側面図である。

【図１８】従来の磁気ヘッドの製造方法を工程順に示す
ものであり、金属磁性薄膜に二次鏡面加工を施す工程を
模式的に示す要部拡大側面図である。

【符号の説明】

１６ 基板 １６ａ 一主面 １６ｂ 中央部 １６ｃ，１６ｄ 端部 １７ トラック幅規制溝 ２１ 金属磁性薄膜 ２３，２４ 磁気コア半体ブロック Ｂ 間隔 Ｌ ピッチ Ｎ 溝幅

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板の一主面に複数のトラック幅規制溝
   を所定の間隔で形成し、上記トラック幅規制溝が形成さ
   れた基板上に金属磁性薄膜を被着形成し、基板上の金属
   磁性薄膜の表面を鏡面加工して、金属磁性薄膜の突き合
   わせ幅を規制した後、一対の基板を前記鏡面加工した金
   属磁性薄膜同士が対向するようにギャップ材を介して接
   合一体化し、磁気ヘッド毎に切断する磁気ヘッドの製造
   方法において、 基板の一主面に複数のトラック幅規制溝を形成する際、
   基板の両端部におけるトラック幅規制溝間の間隔と、基
   板の中央部におけるトラック幅規制溝間の間隔を異なる
   ものとすることを特徴とする磁気ヘッドの製造方法。
2. 【請求項２】 基板が酸化物磁性材料よりなることを特
   徴とする請求項１記載の磁気ヘッドの製造方法。
3. 【請求項３】 金属磁性薄膜の突き合わせ幅の寸法公差
   が±１μｍ以下とされている請求項１記載の磁気ヘッド
   の製造方法。
4. 【請求項４】 金属磁性薄膜の突き合わせ幅が１５μｍ
   以下とされている請求項１記載の磁気ヘッドの製造方
   法。