JPH07325402A - レジスト及びパターン形成方法 - Google Patents
レジスト及びパターン形成方法Info
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- JPH07325402A JPH07325402A JP6120050A JP12005094A JPH07325402A JP H07325402 A JPH07325402 A JP H07325402A JP 6120050 A JP6120050 A JP 6120050A JP 12005094 A JP12005094 A JP 12005094A JP H07325402 A JPH07325402 A JP H07325402A
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は化学増幅レジストに関し、露光部が
アルカリ可溶性になり、酸素プラズマ耐性を有する化学
増幅レジスト、特にポジ型の化学増幅レジストを提供す
る。 【構成】 一般式 【化６０】 （式中、Ｒ1 〜Ｒ3 は少なくとも１つのシリコン原子を
有する基を表し、Ａ1は酸によって脱離する基を有する
繰り返し単位を表す）又は、一般式 【化６１】 （式中、Ｒ4 ，Ｒ5 は少なくとも１つのシリコン原子を
有する基を表し、Ａ2は酸によって脱離する基を有する
繰り返し単位を表す）で示されるベース樹脂と、光酸発
生剤とを有する。
アルカリ可溶性になり、酸素プラズマ耐性を有する化学
増幅レジスト、特にポジ型の化学増幅レジストを提供す
る。 【構成】 一般式 【化６０】 （式中、Ｒ1 〜Ｒ3 は少なくとも１つのシリコン原子を
有する基を表し、Ａ1は酸によって脱離する基を有する
繰り返し単位を表す）又は、一般式 【化６１】 （式中、Ｒ4 ，Ｒ5 は少なくとも１つのシリコン原子を
有する基を表し、Ａ2は酸によって脱離する基を有する
繰り返し単位を表す）で示されるベース樹脂と、光酸発
生剤とを有する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、レジスト及びパターン
形成方法に関し、より詳しくは、化学増幅レジスト及び
２層レジスト法等によるパターンの形成方法に関する。
形成方法に関し、より詳しくは、化学増幅レジスト及び
２層レジスト法等によるパターンの形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体集積回路の更なる高集積化
の要求により、微細化に有利な、より波長の短いＫｒＦ
エキシマレーザが露光光源として用いられ、より感度の
高い化学増幅レジストがレジストとして用いられるよう
になっている。また、高集積化による基板段差の増大に
伴い、このような基板上にフォトリソグラフィー技術を
用いてパターン形成する場合、従来の単層レジスト法か
ら段差の影響を受けにくい多層レジスト法（２層レジス
ト法又は３層レジスト法）が適用されるようになってい
る。
の要求により、微細化に有利な、より波長の短いＫｒＦ
エキシマレーザが露光光源として用いられ、より感度の
高い化学増幅レジストがレジストとして用いられるよう
になっている。また、高集積化による基板段差の増大に
伴い、このような基板上にフォトリソグラフィー技術を
用いてパターン形成する場合、従来の単層レジスト法か
ら段差の影響を受けにくい多層レジスト法（２層レジス
ト法又は３層レジスト法）が適用されるようになってい
る。
【０００３】多層レジスト法では各層に要求される機能
が異なるため、各層の材料としてその機能に適合する材
料が用いられる。例えば、２層レジスト法の場合、下層
の材料として平坦化に適し、かつ紫外線を吸収し、かつ
ドライエッチング耐性の良い材料、例えばノボラック系
レジスト等が用いられ、上層には感光性を有し、かつ解
像度が良く、かつ酸素プラズマ耐性の高い材料、例え
ば、ポリシロキサン系レジストが用いられる。更に、パ
ターン寸法の精度の低下をもたらす現像後の膨潤を避け
るため、上層のレジストとしてアルカリ水溶液に溶ける
ものが好ましい。
が異なるため、各層の材料としてその機能に適合する材
料が用いられる。例えば、２層レジスト法の場合、下層
の材料として平坦化に適し、かつ紫外線を吸収し、かつ
ドライエッチング耐性の良い材料、例えばノボラック系
レジスト等が用いられ、上層には感光性を有し、かつ解
像度が良く、かつ酸素プラズマ耐性の高い材料、例え
ば、ポリシロキサン系レジストが用いられる。更に、パ
ターン寸法の精度の低下をもたらす現像後の膨潤を避け
るため、上層のレジストとしてアルカリ水溶液に溶ける
ものが好ましい。
【０００４】アルカリ水溶液に溶けるポジ型の化学増幅
レジストの一例として、ｔＢＯＣ（tertiary Butoxy Ca
rbonyl）化ポリパラビニールフェノール樹脂（ベース樹
脂）／光酸発生剤（感光剤）を用いたレジストがある。
一方、２層レジスト法に用いられるネガ型の化学増幅レ
ジストとして、酸素プラズマ耐性を向上させるため、ア
ルカリ可溶性シロキサン系樹脂を用いたＣＳＮＲがあ
る。
レジストの一例として、ｔＢＯＣ（tertiary Butoxy Ca
rbonyl）化ポリパラビニールフェノール樹脂（ベース樹
脂）／光酸発生剤（感光剤）を用いたレジストがある。
一方、２層レジスト法に用いられるネガ型の化学増幅レ
ジストとして、酸素プラズマ耐性を向上させるため、ア
ルカリ可溶性シロキサン系樹脂を用いたＣＳＮＲがあ
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、アルカリ水溶
液に溶けるポジ型の化学増幅レジストの場合、ネガ型の
様なベース樹脂にシリコン含有樹脂を用いたものはな
い。本発明は、係る従来例の問題点に鑑みて創作された
ものであり、露光部がアルカリ水溶液に溶け、酸素プラ
ズマ耐性を有する化学増幅レジスト、特にポジ型のシリ
コン含有化学増幅レジストを提供し、２層レジスト法等
によるパターンの形成方法を提供することを目的とする
ものである。
液に溶けるポジ型の化学増幅レジストの場合、ネガ型の
様なベース樹脂にシリコン含有樹脂を用いたものはな
い。本発明は、係る従来例の問題点に鑑みて創作された
ものであり、露光部がアルカリ水溶液に溶け、酸素プラ
ズマ耐性を有する化学増幅レジスト、特にポジ型のシリ
コン含有化学増幅レジストを提供し、２層レジスト法等
によるパターンの形成方法を提供することを目的とする
ものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記課題は、第１に、一
般式
般式
【０００７】
【化２０】
【０００８】（式中、Ｒ1 〜Ｒ3 は少なくとも１つのシ
リコン原子を有する基を表し、Ａ1は酸によって脱離す
る基を有する繰り返し単位を表す）の化学式を有するベ
ース樹脂と、光酸発生剤を有するレジストによって達成
され、第２に、一般式
リコン原子を有する基を表し、Ａ1は酸によって脱離す
る基を有する繰り返し単位を表す）の化学式を有するベ
ース樹脂と、光酸発生剤を有するレジストによって達成
され、第２に、一般式
【０００９】
【化２１】
【００１０】（式中、Ｒ4 ，Ｒ5 は少なくとも１つのシ
リコン原子を有する基を表し、Ａ2は酸によって脱離す
る基を有する繰り返し単位を表す）で示されるベース樹
脂と、光酸発生剤とを有するレジストによって達成さ
れ、第３に、前記Ｒ1 〜Ｒ5 は、化学式ＣＨ2 ＴＭＳ
（式中、ＴＭＳはトリメチルシリルを表し、化学構造式
リコン原子を有する基を表し、Ａ2は酸によって脱離す
る基を有する繰り返し単位を表す）で示されるベース樹
脂と、光酸発生剤とを有するレジストによって達成さ
れ、第３に、前記Ｒ1 〜Ｒ5 は、化学式ＣＨ2 ＴＭＳ
（式中、ＴＭＳはトリメチルシリルを表し、化学構造式
【００１１】
【化２２】
【００１２】で示される）で示されるものであることを
特徴とするレジストによって達成され、第４に、前記Ａ
1 又はＡ2 は、一般式
特徴とするレジストによって達成され、第４に、前記Ａ
1 又はＡ2 は、一般式
【００１３】
【化２３】
【００１４】
【化２４】
【００１５】
【化２５】
【００１６】
【化２６】
【００１７】
【化２７】
【００１８】（式中、ｔＢｕは第３ブチル基を表す）で
示される繰り返し単位のうちいずれかであることを特徴
とするレジストによって達成され、第５に、前記光酸発
生剤は、トリフェニルスルフォニウムヘキサフルオロア
ンチモネート（ＴＰＳＳｂＦ6）、又は、一般式
示される繰り返し単位のうちいずれかであることを特徴
とするレジストによって達成され、第５に、前記光酸発
生剤は、トリフェニルスルフォニウムヘキサフルオロア
ンチモネート（ＴＰＳＳｂＦ6）、又は、一般式
【００１９】
【化２８】
【００２０】
【化２９】
【００２１】
【化３０】
【００２２】
【化３１】
【００２３】
【化３２】
【００２４】
【化３３】
【００２５】
【化３４】
【００２６】
【化３５】
【００２７】
【化３６】
【００２８】
【化３７】
【００２９】
【化３８】
【００３０】で示されるもののうちいずれかであること
を特徴とするレジストによって達成され、第６に、前記
レジストを被パターニング体上に塗布してレジスト膜を
形成する工程と、前記レジスト膜を露光する工程と、前
記露光された前記レジスト膜を現像液に曝し、レジスト
パターンを形成する工程とを有することを特徴とするパ
ターン形成方法によって達成され、第７に、前記レジス
トパターンを形成する工程の後、前記レジストパターン
をマスクとして前記被パターニング体をエッチングし、
除去する工程とを有することを特徴とするパターン形成
方法によって達成され、第８に、被パターニング体上に
平坦化層を形成する工程と、前記レジストを前記被パタ
ーニング体上に塗布してレジスト膜を形成する工程と、
前記レジスト膜を露光する工程と、前記露光された前記
レジスト膜を現像液に曝し、レジストパターンを形成す
る工程と、前記レジストパターンをマスクとして前記平
坦化層をエッチングし、除去する工程とを有することを
特徴とするパターン形成方法によって達成され、第９
に、前記平坦化層はシリコン（Ｓｉ）を含有しない樹脂
膜であることを特徴とするパターン形成方法によって達
成され、第１０に、前記平坦化層をエッチングするガス
として酸素或いは酸素を主とする混合ガスを用いること
を特徴とするパターン形成方法によって達成され、第１
１に、前記平坦化層をエッチングし、除去する工程の
後、少なくとも前記レジストパターン及び平坦化層のい
ずれかをマスクとして前記被パターニング体をエッチン
グし、除去する工程とを有することを特徴とするパター
ン形成方法によって達成され、第１２に、前記現像液は
アルカリ現像液であることを特徴とするパターン形成方
法によって達成され、第１３に、前記現像液は炭素数１
〜１０のアルコールを混合したものを用いることを特徴
とするパターン形成方法によって達成される。
を特徴とするレジストによって達成され、第６に、前記
レジストを被パターニング体上に塗布してレジスト膜を
形成する工程と、前記レジスト膜を露光する工程と、前
記露光された前記レジスト膜を現像液に曝し、レジスト
パターンを形成する工程とを有することを特徴とするパ
ターン形成方法によって達成され、第７に、前記レジス
トパターンを形成する工程の後、前記レジストパターン
をマスクとして前記被パターニング体をエッチングし、
除去する工程とを有することを特徴とするパターン形成
方法によって達成され、第８に、被パターニング体上に
平坦化層を形成する工程と、前記レジストを前記被パタ
ーニング体上に塗布してレジスト膜を形成する工程と、
前記レジスト膜を露光する工程と、前記露光された前記
レジスト膜を現像液に曝し、レジストパターンを形成す
る工程と、前記レジストパターンをマスクとして前記平
坦化層をエッチングし、除去する工程とを有することを
特徴とするパターン形成方法によって達成され、第９
に、前記平坦化層はシリコン（Ｓｉ）を含有しない樹脂
膜であることを特徴とするパターン形成方法によって達
成され、第１０に、前記平坦化層をエッチングするガス
として酸素或いは酸素を主とする混合ガスを用いること
を特徴とするパターン形成方法によって達成され、第１
１に、前記平坦化層をエッチングし、除去する工程の
後、少なくとも前記レジストパターン及び平坦化層のい
ずれかをマスクとして前記被パターニング体をエッチン
グし、除去する工程とを有することを特徴とするパター
ン形成方法によって達成され、第１２に、前記現像液は
アルカリ現像液であることを特徴とするパターン形成方
法によって達成され、第１３に、前記現像液は炭素数１
〜１０のアルコールを混合したものを用いることを特徴
とするパターン形成方法によって達成される。
【００３１】
【作用】本発明のレジストにおいては、酸によって脱離
する基を有する繰り返し単位Ａ 1 又はＡ2 を含むベース
樹脂と、光酸発生剤とを有する。従って、本発明のパタ
ーン形成方法のように、このレジストに紫外線を当てる
と、光酸発生剤から酸が発生して、ベース樹脂に作用す
る。そして、脱離基を脱離して水素と置換し、水酸基(-
OH) 又はカルボン酸(-COOH) に変わるので、その部分が
アルカリに溶解するようになる。これにより、紫外線照
射部分のベース樹脂が選択的にアルカリ現像液に溶解
し、レジストパターンが形成される。
する基を有する繰り返し単位Ａ 1 又はＡ2 を含むベース
樹脂と、光酸発生剤とを有する。従って、本発明のパタ
ーン形成方法のように、このレジストに紫外線を当てる
と、光酸発生剤から酸が発生して、ベース樹脂に作用す
る。そして、脱離基を脱離して水素と置換し、水酸基(-
OH) 又はカルボン酸(-COOH) に変わるので、その部分が
アルカリに溶解するようになる。これにより、紫外線照
射部分のベース樹脂が選択的にアルカリ現像液に溶解
し、レジストパターンが形成される。
【００３２】このように、本発明のレジストはポジ型の
レジストとして用いることができる。また、アルカリ現
像液を用いることができるので、形成されたレジストパ
ターンの膨潤を防止しつつ、レジストパターンの形成が
可能となる。更に、ベース樹脂として繰り返し単位中に
少なくとも１つのシリコン原子を有する基Ｒ1 〜Ｒ5 を
含むものを用いている。
レジストとして用いることができる。また、アルカリ現
像液を用いることができるので、形成されたレジストパ
ターンの膨潤を防止しつつ、レジストパターンの形成が
可能となる。更に、ベース樹脂として繰り返し単位中に
少なくとも１つのシリコン原子を有する基Ｒ1 〜Ｒ5 を
含むものを用いている。
【００３３】このため、形成されたレジストパターンは
シリコン（Ｓｉ）を含むので、酸素プラズマ耐性を有す
る。従って、レジストパターンをマスクとして被パター
ニング体或いは平坦化層をエッチングする際に、薄い膜
厚のレジストパターンでも酸素プラズマからなるエッチ
ングガスに十分に耐え得る。これにより、レジスト膜の
膜厚を薄くすることができるので、レジスト膜の解像度
を向上させ、レジストパターン形成の精度を向上させる
ことができる。
シリコン（Ｓｉ）を含むので、酸素プラズマ耐性を有す
る。従って、レジストパターンをマスクとして被パター
ニング体或いは平坦化層をエッチングする際に、薄い膜
厚のレジストパターンでも酸素プラズマからなるエッチ
ングガスに十分に耐え得る。これにより、レジスト膜の
膜厚を薄くすることができるので、レジスト膜の解像度
を向上させ、レジストパターン形成の精度を向上させる
ことができる。
【００３４】
【実施例】以下、図面を参照しながら、本発明の実施例
について説明する。 （Ａ）トランスアコニン酸トリス（トリメチルシリルメ
チル）系のベース樹脂を用いたレジスト及びこのレジス
トを用いたパターン形成方法についての説明 （ｉ）第１の実施例についての説明 トランスアコニン酸トリス（トリメチルシリルメチル）
とメタクリル酸ｔ−ブチルとをモル比１：１で混合して
モノマを作成し、このモノマを含有量５モル／リットル
の割合でトルエンに溶かしてトルエン溶液とする。
について説明する。 （Ａ）トランスアコニン酸トリス（トリメチルシリルメ
チル）系のベース樹脂を用いたレジスト及びこのレジス
トを用いたパターン形成方法についての説明 （ｉ）第１の実施例についての説明 トランスアコニン酸トリス（トリメチルシリルメチル）
とメタクリル酸ｔ−ブチルとをモル比１：１で混合して
モノマを作成し、このモノマを含有量５モル／リットル
の割合でトルエンに溶かしてトルエン溶液とする。
【００３５】このトルエン溶液に上記モノマの２モル％
の割合でＡＩＢＮ（2,2'−アゾビス（イソブチロニトリ
ル） 2,2'-Azobis(isobutyronitrile) ）を加えて加熱
し、その温度を８０℃に上げる。そして、この溶液を８
０℃に保持し、攪拌しながら６時間保持する。次いで、
メタノールと水を１：１の割合で混合し、この混合溶媒
中に上記反応生成物を加える。これにより沈殿物が生じ
るので、その沈殿物を濾別し、乾燥すると、下の化学式
に示すようなトランスアコニン酸トリス（トリメチルシ
リルメチル）−メタクリル酸ｔブチル共重合体（組成比
１：１）からなるポリマを得ることができる。
の割合でＡＩＢＮ（2,2'−アゾビス（イソブチロニトリ
ル） 2,2'-Azobis(isobutyronitrile) ）を加えて加熱
し、その温度を８０℃に上げる。そして、この溶液を８
０℃に保持し、攪拌しながら６時間保持する。次いで、
メタノールと水を１：１の割合で混合し、この混合溶媒
中に上記反応生成物を加える。これにより沈殿物が生じ
るので、その沈殿物を濾別し、乾燥すると、下の化学式
に示すようなトランスアコニン酸トリス（トリメチルシ
リルメチル）−メタクリル酸ｔブチル共重合体（組成比
１：１）からなるポリマを得ることができる。
【００３６】
【化３９】
【００３７】次に、このポリマに、光酸発生剤であるト
リフェニルスルフォニウムヘキサフルオロアンチモネー
ト（ＴＰＳＳｂＦ6 ）をポリマの１５ｗｔ％の割合で加
えた。ポリマが１２ｗｔ％の割合になるようにメチルイ
ソブチルケトン（ＭＩＢＫ）液に溶かし、メチルイソブ
チルケトン溶液を作成する。これにより、化学増幅レジ
ストが完成する。なお、ＴＰＳＳｂＦ6 の含有率は、少
ないと感度が落ち、逆に多いと析出等が起こったり、酸
素プラズマ耐性が低下したりするため、適量混合するこ
とが好ましい。
リフェニルスルフォニウムヘキサフルオロアンチモネー
ト（ＴＰＳＳｂＦ6 ）をポリマの１５ｗｔ％の割合で加
えた。ポリマが１２ｗｔ％の割合になるようにメチルイ
ソブチルケトン（ＭＩＢＫ）液に溶かし、メチルイソブ
チルケトン溶液を作成する。これにより、化学増幅レジ
ストが完成する。なお、ＴＰＳＳｂＦ6 の含有率は、少
ないと感度が落ち、逆に多いと析出等が起こったり、酸
素プラズマ耐性が低下したりするため、適量混合するこ
とが好ましい。
【００３８】次に、上記の化学増幅レジストを用いた２
層レジスト法によりパターニングする方法について図１
（ａ）〜（ｃ），図２（ａ）〜（ｃ）を参照しながら説
明する。図１（ａ）〜（ｃ），図２（ａ）〜（ｃ）は半
導体装置の断面図を示す。まず、図１（ａ）に示すよう
に、回転塗布法によりシリコン基板１上のシリコン酸化
膜４の上にノボラック系レジストを塗布し、更に２００
℃で加熱し、固化して膜厚約２μｍの下層の平坦化層５
を形成する。図１（ａ）において、他の符号２はシリコ
ン基板上に形成されたシリコン酸化膜、３はＡｌ膜から
なる配線層、４は配線層３を被覆するシリコン酸化膜で
ある。
層レジスト法によりパターニングする方法について図１
（ａ）〜（ｃ），図２（ａ）〜（ｃ）を参照しながら説
明する。図１（ａ）〜（ｃ），図２（ａ）〜（ｃ）は半
導体装置の断面図を示す。まず、図１（ａ）に示すよう
に、回転塗布法によりシリコン基板１上のシリコン酸化
膜４の上にノボラック系レジストを塗布し、更に２００
℃で加熱し、固化して膜厚約２μｍの下層の平坦化層５
を形成する。図１（ａ）において、他の符号２はシリコ
ン基板上に形成されたシリコン酸化膜、３はＡｌ膜から
なる配線層、４は配線層３を被覆するシリコン酸化膜で
ある。
【００３９】次いで、図１（ｂ）に示すように、回転塗
布法により平坦化層５上に上記で作成したメチルイソブ
チルケトン溶液を塗布した後、温度６０℃で１００秒間
加熱し、固化する。これにより、膜厚約０．３μｍの感
光層６を形成する。次に、図１（ｃ）に示すように、Ｋ
ｒＦエキシマレーザ（ＮＡ＝0.45）によりフォトマスク
７に基づいて感光層６を１分間露光する。ところで、ベ
ースポリマを構成するメタクリル酸ｔブチルの部分には
酸によって主鎖から脱離するｔブチル（ｔ−Ｂｕ：第３
ブチル基）からなる脱離基を有する。従って、露光によ
り光酸発生剤から酸が生じる。
布法により平坦化層５上に上記で作成したメチルイソブ
チルケトン溶液を塗布した後、温度６０℃で１００秒間
加熱し、固化する。これにより、膜厚約０．３μｍの感
光層６を形成する。次に、図１（ｃ）に示すように、Ｋ
ｒＦエキシマレーザ（ＮＡ＝0.45）によりフォトマスク
７に基づいて感光層６を１分間露光する。ところで、ベ
ースポリマを構成するメタクリル酸ｔブチルの部分には
酸によって主鎖から脱離するｔブチル（ｔ−Ｂｕ：第３
ブチル基）からなる脱離基を有する。従って、露光によ
り光酸発生剤から酸が生じる。
【００４０】次いで、温度１００℃で６０秒間加熱する
と、前記発生した酸の作用により脱離基が脱離するとと
もにその部分が水素に置き代わる。このため、ベースポ
リマはアルカリ可溶性となる。続いて、図２（ａ）に示
すように、露光した感光層６を水性アルカリ現像液に１
分間曝す。これにより、０．３μｍのラインアンドスペ
ース（Ｌ／Ｓ）を有するレジストパターン６ａが形成さ
れる。このとき、ベースポリマはアルカリ可溶性となっ
ているので、アルカリ現像液に曝すことにより露光部分
のレジストは容易に溶解する。しかも、アルカリ現像液
が使用できるので、膨潤は起こらない。従って、レジス
トパターン６ａの寸法精度を維持することができる。
と、前記発生した酸の作用により脱離基が脱離するとと
もにその部分が水素に置き代わる。このため、ベースポ
リマはアルカリ可溶性となる。続いて、図２（ａ）に示
すように、露光した感光層６を水性アルカリ現像液に１
分間曝す。これにより、０．３μｍのラインアンドスペ
ース（Ｌ／Ｓ）を有するレジストパターン６ａが形成さ
れる。このとき、ベースポリマはアルカリ可溶性となっ
ているので、アルカリ現像液に曝すことにより露光部分
のレジストは容易に溶解する。しかも、アルカリ現像液
が使用できるので、膨潤は起こらない。従って、レジス
トパターン６ａの寸法精度を維持することができる。
【００４１】次に、図２（ｂ）に示すように、上記レジ
ストパターン６ａをマスクとして、酸素プラズマを用い
たＲＩＥ法により下層の平坦化層５をエッチングした。
このとき、レジストパターン６ａはトランスアコニン酸
トリス（トリメチルシリルメチル）の構成部分にＴＭＳ
として多量のシリコンを含むので、酸素プラズマに対す
るエッチング耐性を有しており、薄い膜厚のレジストパ
ターン６ａでも酸素プラズマに十分に耐え得る。これに
より、レジストパターン６ａを残しつつ、膜厚２μｍの
平坦化層５を完全に除去し、０．３μｍのＬ／Ｓを転写
することができる。
ストパターン６ａをマスクとして、酸素プラズマを用い
たＲＩＥ法により下層の平坦化層５をエッチングした。
このとき、レジストパターン６ａはトランスアコニン酸
トリス（トリメチルシリルメチル）の構成部分にＴＭＳ
として多量のシリコンを含むので、酸素プラズマに対す
るエッチング耐性を有しており、薄い膜厚のレジストパ
ターン６ａでも酸素プラズマに十分に耐え得る。これに
より、レジストパターン６ａを残しつつ、膜厚２μｍの
平坦化層５を完全に除去し、０．３μｍのＬ／Ｓを転写
することができる。
【００４２】その後、図２（ｃ）に示すように、レジス
トパターン６ａ及び５ａをマスクとして配線層３上のシ
リコン酸化膜４をエッチングし、除去する。これによ
り、配線層３上にビアホール４ａが形成される。以上の
ように、本発明の第１の実施例によれば、感光層６のベ
ースポリマにはメタクリル酸ｔブチルが含まれるので、
露光部分のベースポリマはアルカリ現像液に容易に溶け
るようになる。このため、形成されたレジストパターン
６ａの膨潤を防止しつつ、レジストパターン６ａ形成が
可能となる。従って、平坦化層５のパターニング精度が
向上する。
トパターン６ａ及び５ａをマスクとして配線層３上のシ
リコン酸化膜４をエッチングし、除去する。これによ
り、配線層３上にビアホール４ａが形成される。以上の
ように、本発明の第１の実施例によれば、感光層６のベ
ースポリマにはメタクリル酸ｔブチルが含まれるので、
露光部分のベースポリマはアルカリ現像液に容易に溶け
るようになる。このため、形成されたレジストパターン
６ａの膨潤を防止しつつ、レジストパターン６ａ形成が
可能となる。従って、平坦化層５のパターニング精度が
向上する。
【００４３】更に、形成されたレジストパターン６ａは
シリコンを多量に含むため、酸素プラズマ耐性を有して
いるので、薄い膜厚のレジストパターン６ａでも平坦化
層５をエッチングするための酸素プラズマに十分に耐え
る。このため、感光層６を薄くすることができるので、
解像度を向上させ、レジストパターン６ａ形成の精度を
向上させることができる。
シリコンを多量に含むため、酸素プラズマ耐性を有して
いるので、薄い膜厚のレジストパターン６ａでも平坦化
層５をエッチングするための酸素プラズマに十分に耐え
る。このため、感光層６を薄くすることができるので、
解像度を向上させ、レジストパターン６ａ形成の精度を
向上させることができる。
【００４４】（ii）第２の実施例についての説明 トランスアコニン酸トリス（トリメチルシリルメチル）
とメタクリル酸ジメチルベンジルをモル比１：１で混合
してモノマを作成した後、このモノマを５モル／リット
ルの割合でトルエン液に溶かし、トルエン溶液を作成す
る。このトルエン溶液にモノマの２モル％の割合でＡＩ
ＢＮを加え、８０℃で攪拌しながら６時間保持する。
とメタクリル酸ジメチルベンジルをモル比１：１で混合
してモノマを作成した後、このモノマを５モル／リット
ルの割合でトルエン液に溶かし、トルエン溶液を作成す
る。このトルエン溶液にモノマの２モル％の割合でＡＩ
ＢＮを加え、８０℃で攪拌しながら６時間保持する。
【００４５】次いで、メタノールと水を１：１の割合で
混合した溶媒中に上記の反応生成物を加えた後、生じた
沈殿物を濾別し、乾燥する。これにより、下の化学式に
示す、トランスアコニン酸トリス（トリメチルシリルメ
チル）−メタクリル酸ジメチルベンジル共重合体（組成
比１：１）からなるポリマが得られる。
混合した溶媒中に上記の反応生成物を加えた後、生じた
沈殿物を濾別し、乾燥する。これにより、下の化学式に
示す、トランスアコニン酸トリス（トリメチルシリルメ
チル）−メタクリル酸ジメチルベンジル共重合体（組成
比１：１）からなるポリマが得られる。
【００４６】
【化４０】
【００４７】次いで、このポリマに、光酸発生剤である
トリフェニルスルフォニウムヘキサフルオロアンチモネ
ート（ＴＰＳＳｂＦ6 ）をポリマの１５ｗｔ％の割合で
加えた。ポリマが１２ｗｔ％の割合になるようにメチル
イソブチルケトン液に溶かし、メチルイソブチルケトン
溶液を作成する。これにより、化学増幅レジストが完成
する。
トリフェニルスルフォニウムヘキサフルオロアンチモネ
ート（ＴＰＳＳｂＦ6 ）をポリマの１５ｗｔ％の割合で
加えた。ポリマが１２ｗｔ％の割合になるようにメチル
イソブチルケトン液に溶かし、メチルイソブチルケトン
溶液を作成する。これにより、化学増幅レジストが完成
する。
【００４８】次に、上記の化学増幅レジストを用いた２
層レジスト法によりパターニングする方法について説明
する。まず、第１の実施例と同様にして、基板上に膜厚
２μｍの平坦化層と膜厚約０．３μｍの感光層を重ねて
形成する。次に、ＫｒＦエキシマレーザ（ＮＡ＝0.45）
で感光層を１分間露光する。このとき、露光により光酸
発生剤から酸が生じる。
層レジスト法によりパターニングする方法について説明
する。まず、第１の実施例と同様にして、基板上に膜厚
２μｍの平坦化層と膜厚約０．３μｍの感光層を重ねて
形成する。次に、ＫｒＦエキシマレーザ（ＮＡ＝0.45）
で感光層を１分間露光する。このとき、露光により光酸
発生剤から酸が生じる。
【００４９】続いて、温度６０℃で６０秒間ベークする
と、その酸の作用によりメタクリル酸ジメチルベンジル
の部分の脱離基が脱離し、その部分が水素と置き代わ
る。このため、ベースポリマはアルカリ可溶性となる。
次に、感光層をアルカリ現像液に１分間浸漬する。これ
により、０．３μｍのラインアンドスペース（Ｌ／Ｓ）
を解像できた。このとき、露光部分の感光層はアルカリ
可溶性となっているので、アルカリ現像液に曝すことに
よりその部分のレジストは容易に溶解する。しかも、ア
ルカリ現像液が使用できるので、膨潤は起こらない。こ
のため、レジストパターンの寸法精度を維持することが
できる。
と、その酸の作用によりメタクリル酸ジメチルベンジル
の部分の脱離基が脱離し、その部分が水素と置き代わ
る。このため、ベースポリマはアルカリ可溶性となる。
次に、感光層をアルカリ現像液に１分間浸漬する。これ
により、０．３μｍのラインアンドスペース（Ｌ／Ｓ）
を解像できた。このとき、露光部分の感光層はアルカリ
可溶性となっているので、アルカリ現像液に曝すことに
よりその部分のレジストは容易に溶解する。しかも、ア
ルカリ現像液が使用できるので、膨潤は起こらない。こ
のため、レジストパターンの寸法精度を維持することが
できる。
【００５０】次いで、酸素プラズマを用いたＲＩＥ法に
より、膜厚約０．３μｍ，Ｌ／Ｓ０．３μｍのレジスト
パターンをマスクとして下層の平坦化層をエッチングす
る。このとき、レジストパターンはトランスアコニン酸
トリス（トリメチルシリルメチル）の構成部分にＴＭＳ
として多量のシリコンを含むので、酸素プラズマに対す
るエッチング耐性を有しており、薄い膜厚のレジストパ
ターンでも酸素プラズマに十分に耐え得る。これによ
り、レジストパターンを残しつつ、膜厚２μｍの平坦化
膜を完全に除去し、Ｌ／Ｓ０．３μｍのパターンを転写
することができる。
より、膜厚約０．３μｍ，Ｌ／Ｓ０．３μｍのレジスト
パターンをマスクとして下層の平坦化層をエッチングす
る。このとき、レジストパターンはトランスアコニン酸
トリス（トリメチルシリルメチル）の構成部分にＴＭＳ
として多量のシリコンを含むので、酸素プラズマに対す
るエッチング耐性を有しており、薄い膜厚のレジストパ
ターンでも酸素プラズマに十分に耐え得る。これによ
り、レジストパターンを残しつつ、膜厚２μｍの平坦化
膜を完全に除去し、Ｌ／Ｓ０．３μｍのパターンを転写
することができる。
【００５１】その後、レジストパターン及びパターニン
グされた平坦化層をマスクとして下層の被パターニング
体をエッチングする。以上のように、本発明の第２の実
施例によれば、感光層のベースポリマにはメタクリル酸
ジメチルベンジルが含まれるので、露光部分のベースポ
リマはアルカリ現像液に容易に溶けるようになる。この
ため、形成されたレジストパターンの膨潤を防止しつ
つ、レジストパターン形成が可能となる。従って、平坦
化層のパターニング精度が向上する。
グされた平坦化層をマスクとして下層の被パターニング
体をエッチングする。以上のように、本発明の第２の実
施例によれば、感光層のベースポリマにはメタクリル酸
ジメチルベンジルが含まれるので、露光部分のベースポ
リマはアルカリ現像液に容易に溶けるようになる。この
ため、形成されたレジストパターンの膨潤を防止しつ
つ、レジストパターン形成が可能となる。従って、平坦
化層のパターニング精度が向上する。
【００５２】更に、形成されたレジストパターンはシリ
コンを含むため、酸素プラズマ耐性を有しているので、
薄い膜厚のレジストパターンでも平坦化層をエッチング
するための酸素プラズマに十分に耐える。このため、感
光層を薄くすることができるので、解像度を向上させ、
レジストパターン形成の精度を向上させることができ
る。
コンを含むため、酸素プラズマ耐性を有しているので、
薄い膜厚のレジストパターンでも平坦化層をエッチング
するための酸素プラズマに十分に耐える。このため、感
光層を薄くすることができるので、解像度を向上させ、
レジストパターン形成の精度を向上させることができ
る。
【００５３】（iii ）第３の実施例についての説明 トランスアコニン酸トリス（トリメチルシリルメチル）
とメタクリル酸テトラヒドロピラニルをモル比１：１の
割合で混合して５モル／リットルの割合でトルエン液に
溶かし、トルエン溶液を作成する。これにモノマの２モ
ル％の割合でＡＩＢＮを加え、８０℃で攪拌しながら６
時間保持する。
とメタクリル酸テトラヒドロピラニルをモル比１：１の
割合で混合して５モル／リットルの割合でトルエン液に
溶かし、トルエン溶液を作成する。これにモノマの２モ
ル％の割合でＡＩＢＮを加え、８０℃で攪拌しながら６
時間保持する。
【００５４】その後、メタノールと水を１：１の割合で
混合した溶媒中に上記により生じた反応生成物を加えた
後、生じた沈殿物を濾別し、乾燥する。これにより、下
の化学式に示す、トランスアコニン酸トリス（トリメチ
ルシリルメチル）−メタクリル酸テトラヒドロピラニル
共重合体（組成比１：１）からなるポリマを得る。
混合した溶媒中に上記により生じた反応生成物を加えた
後、生じた沈殿物を濾別し、乾燥する。これにより、下
の化学式に示す、トランスアコニン酸トリス（トリメチ
ルシリルメチル）−メタクリル酸テトラヒドロピラニル
共重合体（組成比１：１）からなるポリマを得る。
【００５５】
【化４１】
【００５６】次いで、このポリマに光酸発生剤であるト
リフェニルスルフォニウムヘキサフルオロアンチモネー
ト（ＴＰＳＳｂＦ6 ）をポリマの１５ｗｔ％の割合で混
合した。ポリマが１２ｗｔ％の割合になるようにメチル
イソブチルケトン液に溶かし、メチルイソブチルケトン
溶液を作成する。これにより、化学増幅レジストが完成
する。
リフェニルスルフォニウムヘキサフルオロアンチモネー
ト（ＴＰＳＳｂＦ6 ）をポリマの１５ｗｔ％の割合で混
合した。ポリマが１２ｗｔ％の割合になるようにメチル
イソブチルケトン液に溶かし、メチルイソブチルケトン
溶液を作成する。これにより、化学増幅レジストが完成
する。
【００５７】次いで、この化学増幅レジストを用いた２
層レジスト法によりパターン形成する方法について説明
する。まず、第１の実施例と同様にして、基板上に膜厚
約２μｍの平坦化層と膜厚約０．３μｍの感光層を順次
形成する。次に、ＫｒＦエキシマレーザ（ＮＡ＝0.45）
で感光層を１分間露光する。このとき、露光により光酸
発生剤から酸が生じる。
層レジスト法によりパターン形成する方法について説明
する。まず、第１の実施例と同様にして、基板上に膜厚
約２μｍの平坦化層と膜厚約０．３μｍの感光層を順次
形成する。次に、ＫｒＦエキシマレーザ（ＮＡ＝0.45）
で感光層を１分間露光する。このとき、露光により光酸
発生剤から酸が生じる。
【００５８】続いて、温度６０℃で６０秒間ベークする
と、この酸の作用によりメタクリル酸テトラヒドロピラ
ニルの部分の脱離基が脱離し、その部分が水素と置き代
わる。このため、ベースポリマはアルカリ可溶性とな
る。次いで、感光層をアルカリ現像液で１分間浸漬す
る。これにより、０．３μｍのラインアンドスペース
（Ｌ／Ｓ）を解像できた。このとき、露光部分の感光層
はアルカリ可溶性となっているので、アルカリ現像液に
曝すことによりその部分のレジストは容易に溶解する。
しかも、アルカリ現像液が使用できるので、膨潤は起こ
らない。このため、レジストパターンの寸法精度を維持
することができる。
と、この酸の作用によりメタクリル酸テトラヒドロピラ
ニルの部分の脱離基が脱離し、その部分が水素と置き代
わる。このため、ベースポリマはアルカリ可溶性とな
る。次いで、感光層をアルカリ現像液で１分間浸漬す
る。これにより、０．３μｍのラインアンドスペース
（Ｌ／Ｓ）を解像できた。このとき、露光部分の感光層
はアルカリ可溶性となっているので、アルカリ現像液に
曝すことによりその部分のレジストは容易に溶解する。
しかも、アルカリ現像液が使用できるので、膨潤は起こ
らない。このため、レジストパターンの寸法精度を維持
することができる。
【００５９】次いで、酸素プラズマを用いたＲＩＥ法に
より、膜厚約０．３μｍ，Ｌ／Ｓ０．３μｍのレジスト
パターンをマスクとして下層の平坦化層をエッチングし
た。このとき、レジストパターンはトランスアコニン酸
トリスの構成部分にＴＭＳとして多量のシリコンを含む
ので、酸素プラズマに対するエッチング耐性を有してお
り、薄い膜厚のレジストパターンでも酸素プラズマに十
分に耐え得る。これにより、レジストパターンを残しつ
つ、膜厚２μｍの平坦化膜を完全に除去し、Ｌ／Ｓ０．
３μｍのパターンを転写することができた。
より、膜厚約０．３μｍ，Ｌ／Ｓ０．３μｍのレジスト
パターンをマスクとして下層の平坦化層をエッチングし
た。このとき、レジストパターンはトランスアコニン酸
トリスの構成部分にＴＭＳとして多量のシリコンを含む
ので、酸素プラズマに対するエッチング耐性を有してお
り、薄い膜厚のレジストパターンでも酸素プラズマに十
分に耐え得る。これにより、レジストパターンを残しつ
つ、膜厚２μｍの平坦化膜を完全に除去し、Ｌ／Ｓ０．
３μｍのパターンを転写することができた。
【００６０】その後、レジストパターン及びパターンニ
ングされた平坦化層をマスクとして下層の被パターニン
グ体をエッチングする。以上のように、本発明の第３の
実施例によれば、感光層のベースポリマにはメタクリル
酸テトラヒドロピラニルが含まれるので、露光部分のベ
ースポリマはアルカリ現像液に容易に溶けるようにな
る。このため、形成されたレジストパターンの膨潤を防
止しつつ、レジストパターン形成が可能となる。従っ
て、平坦化層のパターニング精度が向上する。
ングされた平坦化層をマスクとして下層の被パターニン
グ体をエッチングする。以上のように、本発明の第３の
実施例によれば、感光層のベースポリマにはメタクリル
酸テトラヒドロピラニルが含まれるので、露光部分のベ
ースポリマはアルカリ現像液に容易に溶けるようにな
る。このため、形成されたレジストパターンの膨潤を防
止しつつ、レジストパターン形成が可能となる。従っ
て、平坦化層のパターニング精度が向上する。
【００６１】更に、形成されたレジストパターンはシリ
コンを含むため、酸素プラズマ耐性を有しており、この
ため、薄い膜厚のレジストパターンでも平坦化層をエッ
チングするための酸素プラズマに十分に耐える。このた
め、感光層を薄くすることができるので、解像度を向上
させ、レジストパターン形成の精度を向上させることが
できる。
コンを含むため、酸素プラズマ耐性を有しており、この
ため、薄い膜厚のレジストパターンでも平坦化層をエッ
チングするための酸素プラズマに十分に耐える。このた
め、感光層を薄くすることができるので、解像度を向上
させ、レジストパターン形成の精度を向上させることが
できる。
【００６２】（iV）第４の実施例についての説明 トランスアコニン酸トリス（トリメチルシリルメチル）
とメタクリル酸３−オキソシクロヘキシルをモル比１：
１の割合で混合したものを５モル／リットルの割合でト
ルエン液に溶かし、トルエン溶液を作成する。これにモ
ノマの２モル％の割合でＡＩＢＮを加え、８０℃で攪拌
しながら６時間保持する。
とメタクリル酸３−オキソシクロヘキシルをモル比１：
１の割合で混合したものを５モル／リットルの割合でト
ルエン液に溶かし、トルエン溶液を作成する。これにモ
ノマの２モル％の割合でＡＩＢＮを加え、８０℃で攪拌
しながら６時間保持する。
【００６３】その後、メタノールと水を１：１の割合で
混合した溶媒中に上記により生じた反応生成物を加えた
後、生じた沈殿物を濾別し、乾燥する。これにより、下
の化学式に示す、トランスアコニン酸トリス（トリメチ
ルシリルメチル）−メタクリル酸３−オキソシクロヘキ
シル共重合体（組成比１：１）が得られる。
混合した溶媒中に上記により生じた反応生成物を加えた
後、生じた沈殿物を濾別し、乾燥する。これにより、下
の化学式に示す、トランスアコニン酸トリス（トリメチ
ルシリルメチル）−メタクリル酸３−オキソシクロヘキ
シル共重合体（組成比１：１）が得られる。
【００６４】
【化４２】
【００６５】次いで、このポリマに光酸発生剤であるト
リフェニルスルフォニウムヘキサフルオロアンチモネー
ト（ＴＰＳＳｂＦ6 ）をポリマの１５ｗｔ％の割合で加
えた。ポリマが１２ｗｔ％の割合になるようにメチルイ
ソブチルケトン液に溶かし、メチルイソブチルケトン溶
液とする。これにより、化学増幅レジストが完成する。
リフェニルスルフォニウムヘキサフルオロアンチモネー
ト（ＴＰＳＳｂＦ6 ）をポリマの１５ｗｔ％の割合で加
えた。ポリマが１２ｗｔ％の割合になるようにメチルイ
ソブチルケトン液に溶かし、メチルイソブチルケトン溶
液とする。これにより、化学増幅レジストが完成する。
【００６６】次に、この化学増幅レジストを用いた２層
レジスト法によりパターン形成する方法について説明す
る。まず、第１の実施例と同様にして、基板上に膜厚約
２μｍの平坦化層と膜厚約０．３μｍの感光層を順次形
成する。次に、ＫｒＦエキシマレーザ（ＮＡ＝0.45）で
感光層を１分間露光する。このとき、露光により光酸発
生剤から酸が生じる。
レジスト法によりパターン形成する方法について説明す
る。まず、第１の実施例と同様にして、基板上に膜厚約
２μｍの平坦化層と膜厚約０．３μｍの感光層を順次形
成する。次に、ＫｒＦエキシマレーザ（ＮＡ＝0.45）で
感光層を１分間露光する。このとき、露光により光酸発
生剤から酸が生じる。
【００６７】次いで、温度１００℃で６０秒間ベークす
ると、この酸の作用によりメタクリル酸３−オキソシク
ロヘキシルの部分の脱離基が脱離し、その部分が水素と
置き代わる。このため、ベースポリマはアルカリ可溶性
となる。続いて、感光層をアルカリ現像液に１分間浸漬
する。これにより、０．３μｍのラインアンドスペース
（Ｌ／Ｓ）を解像できた。このとき、露光部分の感光層
はアルカリ可溶性となっているので、アルカリ現像液に
曝すことによりその部分のレジストは容易に溶解する。
しかも、アルカリ現像液が使用できるので、膨潤は起こ
らない。このため、レジストパターンの寸法精度を維持
することができる。
ると、この酸の作用によりメタクリル酸３−オキソシク
ロヘキシルの部分の脱離基が脱離し、その部分が水素と
置き代わる。このため、ベースポリマはアルカリ可溶性
となる。続いて、感光層をアルカリ現像液に１分間浸漬
する。これにより、０．３μｍのラインアンドスペース
（Ｌ／Ｓ）を解像できた。このとき、露光部分の感光層
はアルカリ可溶性となっているので、アルカリ現像液に
曝すことによりその部分のレジストは容易に溶解する。
しかも、アルカリ現像液が使用できるので、膨潤は起こ
らない。このため、レジストパターンの寸法精度を維持
することができる。
【００６８】次いで、酸素プラズマを用いたＲＩＥ法に
より、膜厚約０．３μｍ，Ｌ／Ｓ０．３μｍのレジスト
パターンをマスクとして下層の平坦化層をエッチングし
た。このとき、レジストパターンはトランスアコニン酸
トリス（トリメチルシリルメチル）の構成部分にＴＭＳ
として多量のシリコンを含むので、酸素プラズマに対す
るエッチング耐性が増しており、薄い膜厚のレジストパ
ターンでも酸素プラズマに十分に耐え得る。これによ
り、レジストパターンを残しつつ、膜厚２μｍの平坦化
膜を完全に除去し、Ｌ／Ｓ０．３μｍのパターンを転写
することができた。
より、膜厚約０．３μｍ，Ｌ／Ｓ０．３μｍのレジスト
パターンをマスクとして下層の平坦化層をエッチングし
た。このとき、レジストパターンはトランスアコニン酸
トリス（トリメチルシリルメチル）の構成部分にＴＭＳ
として多量のシリコンを含むので、酸素プラズマに対す
るエッチング耐性が増しており、薄い膜厚のレジストパ
ターンでも酸素プラズマに十分に耐え得る。これによ
り、レジストパターンを残しつつ、膜厚２μｍの平坦化
膜を完全に除去し、Ｌ／Ｓ０．３μｍのパターンを転写
することができた。
【００６９】その後、レジストパターン及びパターニン
グされた平坦化層をマスクとして下層の被パターニング
体をエッチングする。以上のように、本発明の第４の実
施例によれば、感光層のベースポリマにはメタクリル酸
３−オキソシクロヘキシルの構成部分が含まれるので、
露光部分のベースポリマはアルカリ現像液に容易に溶け
るようになる。このため、形成されたレジストパターン
の膨潤を防止しつつ、パターン形成が可能となる。
グされた平坦化層をマスクとして下層の被パターニング
体をエッチングする。以上のように、本発明の第４の実
施例によれば、感光層のベースポリマにはメタクリル酸
３−オキソシクロヘキシルの構成部分が含まれるので、
露光部分のベースポリマはアルカリ現像液に容易に溶け
るようになる。このため、形成されたレジストパターン
の膨潤を防止しつつ、パターン形成が可能となる。
【００７０】更に、形成されたレジストパターンはシリ
コンを含むため、酸素プラズマ耐性を有し、このため、
平坦化層をエッチングするマスクとして膜厚を薄くする
ことができる。従って、感光層をフォトリソグラフィに
よりパターニングする際に、解像度を向上させ、パター
ン形成の精度を向上させることができる。 （ｖ）第５の実施例についての説明 トランスアコニン酸トリス（トリメチルシリルメチル）
とＰ−ビニル安息香酸ｔ−ブチルをモル比１：１の割合
で混合したものを５モル／リットルの割合でトルエン液
に溶かし、トルエン溶液とした。これにモノマの２モル
％の割合でＡＩＢＮを加え、８０℃で攪拌しながら２時
間保持する。
コンを含むため、酸素プラズマ耐性を有し、このため、
平坦化層をエッチングするマスクとして膜厚を薄くする
ことができる。従って、感光層をフォトリソグラフィに
よりパターニングする際に、解像度を向上させ、パター
ン形成の精度を向上させることができる。 （ｖ）第５の実施例についての説明 トランスアコニン酸トリス（トリメチルシリルメチル）
とＰ−ビニル安息香酸ｔ−ブチルをモル比１：１の割合
で混合したものを５モル／リットルの割合でトルエン液
に溶かし、トルエン溶液とした。これにモノマの２モル
％の割合でＡＩＢＮを加え、８０℃で攪拌しながら２時
間保持する。
【００７１】上記により生成された反応生成物を大量の
メタノール中に加えた後、生成した沈殿物を濾別し、乾
燥する。これにより、下の化学式に示す、トランスアコ
ニン酸トリス（トリメチルシリルメチル）−P-ビニル安
息香酸ｔ−ブチル共重合体（組成比１：１）を得る。
メタノール中に加えた後、生成した沈殿物を濾別し、乾
燥する。これにより、下の化学式に示す、トランスアコ
ニン酸トリス（トリメチルシリルメチル）−P-ビニル安
息香酸ｔ−ブチル共重合体（組成比１：１）を得る。
【００７２】
【化４３】
【００７３】次いで、このポリマに光酸発生剤であるト
リフェニルスルフォニウムヘキサフルオロアンチモネー
ト（ＴＰＳＳｂＦ6 ）をポリマの１５ｗｔ％の割合で加
えた。ポリマが１２ｗｔ％の割合になるようにメチルイ
ソブチルケトン液に溶かし、メチルイソブチルケトン溶
液を作成する。次に、この化学増幅レジストを用いた２
層レジスト法によりパターン形成する方法について説明
する。
リフェニルスルフォニウムヘキサフルオロアンチモネー
ト（ＴＰＳＳｂＦ6 ）をポリマの１５ｗｔ％の割合で加
えた。ポリマが１２ｗｔ％の割合になるようにメチルイ
ソブチルケトン液に溶かし、メチルイソブチルケトン溶
液を作成する。次に、この化学増幅レジストを用いた２
層レジスト法によりパターン形成する方法について説明
する。
【００７４】まず、第１の実施例と同様にして、基板上
に膜厚約２μｍの平坦化層と膜厚約０．３μｍの感光層
を順次形成する。次に、ＫｒＦエキシマレーザ（ＮＡ＝
0.45）で感光層を１分間露光する。このとき、露光によ
り光酸発生剤から酸が生じる。次いで、温度１００℃で
６０秒間ベークすると、この酸の作用によりＰ−ビニル
安息香酸ｔ−ブチルの部分の脱離基が脱離し、その部分
が水素と置き代わる。このため、ベースポリマはアルカ
リ可溶性となる。
に膜厚約２μｍの平坦化層と膜厚約０．３μｍの感光層
を順次形成する。次に、ＫｒＦエキシマレーザ（ＮＡ＝
0.45）で感光層を１分間露光する。このとき、露光によ
り光酸発生剤から酸が生じる。次いで、温度１００℃で
６０秒間ベークすると、この酸の作用によりＰ−ビニル
安息香酸ｔ−ブチルの部分の脱離基が脱離し、その部分
が水素と置き代わる。このため、ベースポリマはアルカ
リ可溶性となる。
【００７５】続いて、感光層をアルカリ現像液に１分間
浸漬する。これにより、０．３μｍのラインアンドスペ
ース（Ｌ／Ｓ）を解像できる。このとき、露光部分の感
光層はアルカリ可溶性となっているので、アルカリ現像
液に曝すことによりその部分のレジストは容易に溶解す
る。しかも、アルカリ現像液が使用できるので、膨潤は
起こらない。このため、レジストパターンの寸法精度を
維持することができる。
浸漬する。これにより、０．３μｍのラインアンドスペ
ース（Ｌ／Ｓ）を解像できる。このとき、露光部分の感
光層はアルカリ可溶性となっているので、アルカリ現像
液に曝すことによりその部分のレジストは容易に溶解す
る。しかも、アルカリ現像液が使用できるので、膨潤は
起こらない。このため、レジストパターンの寸法精度を
維持することができる。
【００７６】次いで、酸素プラズマを用いたＲＩＥ法に
より、膜厚約０．３μｍ，Ｌ／Ｓ０．３μｍのレジスト
パターンをマスクとして下層の平坦化層をエッチングす
る。このとき、レジストパターンはトランスアコニン酸
トリス（トリメチルシリルメチル）の構成部分にＴＭＳ
として多量のシリコンを含むので、酸素プラズマに対す
るエッチング耐性を有しており、薄い膜厚のレジストパ
ターンでも酸素プラズマに十分に耐え得る。これによ
り、レジストパターンを残しつつ、膜厚２μｍの平坦化
膜を完全に除去し、Ｌ／Ｓ０．３μｍのパターンを転写
することができる。
より、膜厚約０．３μｍ，Ｌ／Ｓ０．３μｍのレジスト
パターンをマスクとして下層の平坦化層をエッチングす
る。このとき、レジストパターンはトランスアコニン酸
トリス（トリメチルシリルメチル）の構成部分にＴＭＳ
として多量のシリコンを含むので、酸素プラズマに対す
るエッチング耐性を有しており、薄い膜厚のレジストパ
ターンでも酸素プラズマに十分に耐え得る。これによ
り、レジストパターンを残しつつ、膜厚２μｍの平坦化
膜を完全に除去し、Ｌ／Ｓ０．３μｍのパターンを転写
することができる。
【００７７】その後、レジストパターン及びパターニン
グされた平坦化層をマスクとして下層の被パターニング
体をエッチングする。以上のように、本発明の第５の実
施例によれば、感光層のベースポリマにはＰ−ビニル安
息香酸ｔ−ブチルの構成部分が含まれるので、露光後の
ベースポリマはアルカリ現像液に容易に溶けるようにな
る。このため、形成されたレジストパターンの膨潤を防
止しつつ、パターン形成が可能となる。
グされた平坦化層をマスクとして下層の被パターニング
体をエッチングする。以上のように、本発明の第５の実
施例によれば、感光層のベースポリマにはＰ−ビニル安
息香酸ｔ−ブチルの構成部分が含まれるので、露光後の
ベースポリマはアルカリ現像液に容易に溶けるようにな
る。このため、形成されたレジストパターンの膨潤を防
止しつつ、パターン形成が可能となる。
【００７８】更に、形成されたレジストパターンはシリ
コンを含むため、酸素プラズマ耐性を有し、このため、
平坦化層をエッチングするマスクとして膜厚を薄くする
ことができる。従って、感光層をフォトリソグラフィに
よりパターニングする際に解像度を向上させることがで
きる。 （Ｂ）シトラコン酸ビス（トリメチルシリルメチル）系
のベース樹脂を用いたフォトレジスト及びこのフォトレ
ジストを用いたパターン形成方法についての説明。
コンを含むため、酸素プラズマ耐性を有し、このため、
平坦化層をエッチングするマスクとして膜厚を薄くする
ことができる。従って、感光層をフォトリソグラフィに
よりパターニングする際に解像度を向上させることがで
きる。 （Ｂ）シトラコン酸ビス（トリメチルシリルメチル）系
のベース樹脂を用いたフォトレジスト及びこのフォトレ
ジストを用いたパターン形成方法についての説明。
【００７９】（ｉ）第６の実施例についての説明 シトラコン酸ビス（トリメチルシリルメチル）とメタク
リル酸ｔ−ブチルをモル比１：１の割合で混合したもの
を５モル／リットルの割合でトルエン液に溶かし、トル
エン溶液を作成する。これにモノマの２モル％の割合で
ＡＩＢＮを加え、８０℃で攪拌しながら８時間保持す
る。
リル酸ｔ−ブチルをモル比１：１の割合で混合したもの
を５モル／リットルの割合でトルエン液に溶かし、トル
エン溶液を作成する。これにモノマの２モル％の割合で
ＡＩＢＮを加え、８０℃で攪拌しながら８時間保持す
る。
【００８０】次に、メタノールと水を１：１の割合で混
合した溶媒中に上記により生じた反応生成物を加えた
後、生じた沈殿物を濾別し、乾燥する。これにより、下
の化学式に示す、シトラコン酸ビス（トリメチルシリル
メチル）−メタクリル酸ｔ−ブチル共重合体（組成比
１：１）が得られる。
合した溶媒中に上記により生じた反応生成物を加えた
後、生じた沈殿物を濾別し、乾燥する。これにより、下
の化学式に示す、シトラコン酸ビス（トリメチルシリル
メチル）−メタクリル酸ｔ−ブチル共重合体（組成比
１：１）が得られる。
【００８１】
【化４４】
【００８２】次いで、このポリマに光酸発生剤であるト
リフェニルスルフォニウムヘキサフルオロアンチモネー
ト（ＴＰＳＳｂＦ6 ）をポリマの１５ｗｔ％の割合で加
えた。ポリマが１２ｗｔ％の割合になるようにメチルイ
ソブチルケトン液に溶かし、メチルイソブチルケトン溶
液を作成する。これにより、化学増幅レジストが完成す
る。
リフェニルスルフォニウムヘキサフルオロアンチモネー
ト（ＴＰＳＳｂＦ6 ）をポリマの１５ｗｔ％の割合で加
えた。ポリマが１２ｗｔ％の割合になるようにメチルイ
ソブチルケトン液に溶かし、メチルイソブチルケトン溶
液を作成する。これにより、化学増幅レジストが完成す
る。
【００８３】次に、この化学増幅レジストを用いた２層
レジスト法によりパターン形成する方法について説明す
る。まず、第１の実施例と同様にして、基板上に膜厚約
２μｍの平坦化層と膜厚約０．３μｍの感光層を順次形
成する。次に、ＫｒＦエキシマレーザ（ＮＡ＝0.45）で
感光層を１分間露光する。ところで、ベースポリマを構
成するメタクリル酸ｔ−ブチルの部分には酸によって主
鎖から脱離するｔブチルからなる脱離基を有する。従っ
て、露光により光酸発生剤から酸が生じる。
レジスト法によりパターン形成する方法について説明す
る。まず、第１の実施例と同様にして、基板上に膜厚約
２μｍの平坦化層と膜厚約０．３μｍの感光層を順次形
成する。次に、ＫｒＦエキシマレーザ（ＮＡ＝0.45）で
感光層を１分間露光する。ところで、ベースポリマを構
成するメタクリル酸ｔ−ブチルの部分には酸によって主
鎖から脱離するｔブチルからなる脱離基を有する。従っ
て、露光により光酸発生剤から酸が生じる。
【００８４】次いで、温度１００℃で６０秒間ベークす
ると、この酸の作用により脱離基が脱離するとともにそ
の部分が水素に置き代わる。このため、ベースポリマは
アルカリ可溶性となる。続いて、感光層をアルカリ現像
液で１分間浸漬する。これにより、０．３μｍのライン
アンドスペース（Ｌ／Ｓ）を解像できた。このとき、露
光部分の感光層はアルカリ可溶性となっているので、ア
ルカリ現像液に曝すことによりその部分のレジストは容
易に溶解する。しかも、アルカリ現像液が使用できるの
で、膨潤は起こらない。このため、レジストパターンの
寸法精度を維持することができる。
ると、この酸の作用により脱離基が脱離するとともにそ
の部分が水素に置き代わる。このため、ベースポリマは
アルカリ可溶性となる。続いて、感光層をアルカリ現像
液で１分間浸漬する。これにより、０．３μｍのライン
アンドスペース（Ｌ／Ｓ）を解像できた。このとき、露
光部分の感光層はアルカリ可溶性となっているので、ア
ルカリ現像液に曝すことによりその部分のレジストは容
易に溶解する。しかも、アルカリ現像液が使用できるの
で、膨潤は起こらない。このため、レジストパターンの
寸法精度を維持することができる。
【００８５】次いで、酸素プラズマを用いたＲＩＥ法に
より、膜厚約０．３μｍ，Ｌ／Ｓ０．３μｍのレジスト
パターンをマスクとして下層の平坦化層をエッチングし
た。このとき、レジストパターンはシトラコン酸ビスの
構成部分にＴＭＳとして多量のシリコンを含むので、酸
素プラズマに対するエッチング耐性を有しており、薄い
膜厚のレジストパターンでも酸素プラズマに十分に耐え
得る。これにより、レジストパターンを残しつつ、膜厚
２μｍの平坦化膜を完全に除去し、Ｌ／Ｓ０．３μｍの
パターンを転写することができた。
より、膜厚約０．３μｍ，Ｌ／Ｓ０．３μｍのレジスト
パターンをマスクとして下層の平坦化層をエッチングし
た。このとき、レジストパターンはシトラコン酸ビスの
構成部分にＴＭＳとして多量のシリコンを含むので、酸
素プラズマに対するエッチング耐性を有しており、薄い
膜厚のレジストパターンでも酸素プラズマに十分に耐え
得る。これにより、レジストパターンを残しつつ、膜厚
２μｍの平坦化膜を完全に除去し、Ｌ／Ｓ０．３μｍの
パターンを転写することができた。
【００８６】その後、レジストパターン及びパターニン
グされた平坦化層をマスクとして下層の被パターニング
体をエッチングする。以上のように、本発明の第６の実
施例によれば、感光層のベースポリマにはメタクリル酸
ｔ−ブチルが含まれるので、露光部分のベースポリマは
アルカリ現像液に容易に溶けるようになる。このため、
形成されたレジストパターンの膨潤を防止しつつ、レジ
ストパターン形成が可能となる。従って、平坦化層のパ
ターニング精度が向上する。
グされた平坦化層をマスクとして下層の被パターニング
体をエッチングする。以上のように、本発明の第６の実
施例によれば、感光層のベースポリマにはメタクリル酸
ｔ−ブチルが含まれるので、露光部分のベースポリマは
アルカリ現像液に容易に溶けるようになる。このため、
形成されたレジストパターンの膨潤を防止しつつ、レジ
ストパターン形成が可能となる。従って、平坦化層のパ
ターニング精度が向上する。
【００８７】更に、形成されたレジストパターンはシリ
コンを含むため、酸素プラズマ耐性を有しているので、
薄い膜厚のレジストパターンでも平坦化層をエッチング
するための酸素プラズマに十分に耐える。このため、感
光層を薄くすることができるので、解像度を向上させ、
レジストパターン形成の精度を向上させることが出来
る。
コンを含むため、酸素プラズマ耐性を有しているので、
薄い膜厚のレジストパターンでも平坦化層をエッチング
するための酸素プラズマに十分に耐える。このため、感
光層を薄くすることができるので、解像度を向上させ、
レジストパターン形成の精度を向上させることが出来
る。
【００８８】（ii）第７の実施例についての説明 シトラコン酸ビス（トリメチルシリルメチル）とメタク
リル酸ジメチルベンジルをモル比１：１の割合で混合し
たものを５モル／リットルの割合でトルエン液に溶か
し、トルエン溶液を作成する。これにモノマの２モル％
の割合でＡＩＢＮを加え、８０℃で攪拌しながら６時間
保持する。
リル酸ジメチルベンジルをモル比１：１の割合で混合し
たものを５モル／リットルの割合でトルエン液に溶か
し、トルエン溶液を作成する。これにモノマの２モル％
の割合でＡＩＢＮを加え、８０℃で攪拌しながら６時間
保持する。
【００８９】その後、メタノールと水を１：１の割合で
混合した溶媒中に上記により生じた反応生成物を加えた
後、生じた沈殿物を濾別し、乾燥する。これにより、下
の化学式に示す、シトラコン酸ビス（トリメチルシリル
メチル）−メタクリル酸ジメチルベンジル共重合体（組
成比１：１）からなるポリマを得る。
混合した溶媒中に上記により生じた反応生成物を加えた
後、生じた沈殿物を濾別し、乾燥する。これにより、下
の化学式に示す、シトラコン酸ビス（トリメチルシリル
メチル）−メタクリル酸ジメチルベンジル共重合体（組
成比１：１）からなるポリマを得る。
【００９０】
【化４５】
【００９１】次いで、このポリマに光酸発生剤であるト
リフェニルスルフォニウムヘキサフルオロアンチモネー
ト（ＴＰＳＳｂＦ6 ）をポリマの１５ｗｔ％の割合で加
えた。ポリマが１２ｗｔ％の割合になるようにメチルイ
ソブチルケトン液に溶かし、メチルイソブチルケトン溶
液を作成する。これにより、化学増幅レジストが完成す
る。
リフェニルスルフォニウムヘキサフルオロアンチモネー
ト（ＴＰＳＳｂＦ6 ）をポリマの１５ｗｔ％の割合で加
えた。ポリマが１２ｗｔ％の割合になるようにメチルイ
ソブチルケトン液に溶かし、メチルイソブチルケトン溶
液を作成する。これにより、化学増幅レジストが完成す
る。
【００９２】次に、この化学増幅レジストを用いた２層
レジスト法によりパターン形成する方法について説明す
る。まず、第１の実施例と同様にして、膜厚約２μｍの
平坦化層と膜厚約０．３μｍの感光層を順次形成する。
次に、ＫｒＦエキシマレーザ（ＮＡ＝0.45）で１分間露
光する。このとき、露光により光酸発生剤から酸が生じ
る。
レジスト法によりパターン形成する方法について説明す
る。まず、第１の実施例と同様にして、膜厚約２μｍの
平坦化層と膜厚約０．３μｍの感光層を順次形成する。
次に、ＫｒＦエキシマレーザ（ＮＡ＝0.45）で１分間露
光する。このとき、露光により光酸発生剤から酸が生じ
る。
【００９３】次いで、温度６０℃で６０秒間ベークする
と、この酸の作用によりメタクリル酸ジメチルベンジル
の部分の脱離基が脱離し、その部分が水素と置き代わ
る。このため、ベースポリマはアルカリ可溶性となる。
次に、感光層をアルカリ現像液で１分間浸漬する。これ
により、０．３μｍのラインアンドスペース（Ｌ／Ｓ）
を解像できる。このとき、露光部分の感光層はアルカリ
可溶性となっているので、アルカリ現像液に曝すことに
よりその部分のレジストは容易に溶解する。しかも、ア
ルカリ現像液が使用できるので、膨潤は起こらない。こ
のため、レジストパターンの寸法精度を維持することが
できる。
と、この酸の作用によりメタクリル酸ジメチルベンジル
の部分の脱離基が脱離し、その部分が水素と置き代わ
る。このため、ベースポリマはアルカリ可溶性となる。
次に、感光層をアルカリ現像液で１分間浸漬する。これ
により、０．３μｍのラインアンドスペース（Ｌ／Ｓ）
を解像できる。このとき、露光部分の感光層はアルカリ
可溶性となっているので、アルカリ現像液に曝すことに
よりその部分のレジストは容易に溶解する。しかも、ア
ルカリ現像液が使用できるので、膨潤は起こらない。こ
のため、レジストパターンの寸法精度を維持することが
できる。
【００９４】次いで、酸素プラズマを用いたＲＩＥ法に
より、膜厚約０．３μｍ，Ｌ／Ｓ０．３μｍのレジスト
パターンをマスクとして下層の平坦化層をエッチングし
た。このとき、レジストパターンはシトラコン酸ビス
（トタメチルシリルメチル）の構成部分にＴＭＳとして
多量のシリコンを含むので、酸素プラズマに対するエッ
チング耐性を有しており、薄い膜厚のレジストパターン
でも酸素プラズマに十分に耐え得る。これにより、レジ
ストパターンを残しつつ、膜厚２μｍの平坦化膜を完全
に除去し、Ｌ／Ｓ０．３μｍのパターンを転写すること
ができた。
より、膜厚約０．３μｍ，Ｌ／Ｓ０．３μｍのレジスト
パターンをマスクとして下層の平坦化層をエッチングし
た。このとき、レジストパターンはシトラコン酸ビス
（トタメチルシリルメチル）の構成部分にＴＭＳとして
多量のシリコンを含むので、酸素プラズマに対するエッ
チング耐性を有しており、薄い膜厚のレジストパターン
でも酸素プラズマに十分に耐え得る。これにより、レジ
ストパターンを残しつつ、膜厚２μｍの平坦化膜を完全
に除去し、Ｌ／Ｓ０．３μｍのパターンを転写すること
ができた。
【００９５】その後、レジストパターン及びパターニン
グされた平坦化層をマスクとして下層の被パターニング
体をエッチングする。以上のように、本発明の第７の実
施例によれば、感光層のベースポリマにはメタクリル酸
ジメチルベンジルが含まれるので、露光部分のベースポ
リマはアルカリ現像液に容易に溶けるようになる。この
ため、形成されたレジストパターンの膨潤を防止しつ
つ、レジストパターン形成が可能となる。従って、平坦
化層のパターニング精度が向上する。
グされた平坦化層をマスクとして下層の被パターニング
体をエッチングする。以上のように、本発明の第７の実
施例によれば、感光層のベースポリマにはメタクリル酸
ジメチルベンジルが含まれるので、露光部分のベースポ
リマはアルカリ現像液に容易に溶けるようになる。この
ため、形成されたレジストパターンの膨潤を防止しつ
つ、レジストパターン形成が可能となる。従って、平坦
化層のパターニング精度が向上する。
【００９６】更に、形成されたレジストパターンはシリ
コンを含むため、酸素プラズマ耐性を有しているので、
薄い膜厚のレジストパターンでも平坦化層をエッチング
するための酸素プラズマに十分に耐える。このため、感
光層を薄くすることができるので、解像度を向上させ、
レジストパターン形成の精度を向上させることが出来
る。
コンを含むため、酸素プラズマ耐性を有しているので、
薄い膜厚のレジストパターンでも平坦化層をエッチング
するための酸素プラズマに十分に耐える。このため、感
光層を薄くすることができるので、解像度を向上させ、
レジストパターン形成の精度を向上させることが出来
る。
【００９７】（iii ）第８の実施例についての説明 シトラコン酸ビス（トタメチルシリルメチル）とメタク
リル酸テトラヒドロピラニルをモル比１：１の割合で混
合したものを５モル／リットルの割合でトルエン液に溶
かし、トルエン溶液を作成する。これにモノマの２モル
％の割合でＡＩＢＮを加え、８０℃で攪拌しながら６時
間保持する。
リル酸テトラヒドロピラニルをモル比１：１の割合で混
合したものを５モル／リットルの割合でトルエン液に溶
かし、トルエン溶液を作成する。これにモノマの２モル
％の割合でＡＩＢＮを加え、８０℃で攪拌しながら６時
間保持する。
【００９８】その後、メタノールと水を１：１の割合で
混合した溶媒中に上記により生じた反応生成物を加えた
後、生じた沈殿物を濾別し、乾燥する。これにより、下
の化学式に示す、シトラコン酸ビス（トタメチルシリル
メチル）−メタクリル酸テトラヒドロピラニル共重合体
（組成比１：１）からなるポリマを得る。
混合した溶媒中に上記により生じた反応生成物を加えた
後、生じた沈殿物を濾別し、乾燥する。これにより、下
の化学式に示す、シトラコン酸ビス（トタメチルシリル
メチル）−メタクリル酸テトラヒドロピラニル共重合体
（組成比１：１）からなるポリマを得る。
【００９９】
【化４６】
【０１００】次いで、このポリマに光酸発生剤であるト
リフェニルスルフォニウムヘキサフルオロアンチモネー
ト（ＴＰＳＳｂＦ6 ）をポリマの１５ｗｔ％の割合で加
えた。ポリマが１２ｗｔ％の割合になるようにメチルイ
ソブチルケトン液に溶かし、メチルイソブチルケトン溶
液を作成する。これにより、化学増幅レジストが完成す
る。
リフェニルスルフォニウムヘキサフルオロアンチモネー
ト（ＴＰＳＳｂＦ6 ）をポリマの１５ｗｔ％の割合で加
えた。ポリマが１２ｗｔ％の割合になるようにメチルイ
ソブチルケトン液に溶かし、メチルイソブチルケトン溶
液を作成する。これにより、化学増幅レジストが完成す
る。
【０１０１】次に、この化学増幅レジストを用いた２層
レジスト法によりパターン形成する方法について説明す
る。まず、第１の実施例と同様にして、膜厚約２μｍの
平坦化層と膜厚約０．３μｍの感光層を順次形成する。
次に、ＫｒＦエキシマレーザ（ＮＡ＝0.45）で１分間露
光する。このとき、露光により光酸発生剤から酸が生じ
る。
レジスト法によりパターン形成する方法について説明す
る。まず、第１の実施例と同様にして、膜厚約２μｍの
平坦化層と膜厚約０．３μｍの感光層を順次形成する。
次に、ＫｒＦエキシマレーザ（ＮＡ＝0.45）で１分間露
光する。このとき、露光により光酸発生剤から酸が生じ
る。
【０１０２】次いで、温度６０℃で６０秒間ベークする
と、この酸の作用によりメタクリル酸テトラヒドロピラ
ニルの部分の脱離基が脱離し、その部分がＨと置き代わ
る。このため、ベースポリマはアルカリ可溶性となる。
次に、これをアルカリ現像液で１分間浸漬する。これに
より、０．３μｍのラインアンドスペース（Ｌ／Ｓ）を
解像できた。このとき、露光部分の感光層はアルカリ可
溶性となっているので、アルカリ現像液に曝すことによ
りその部分のレジストは容易に溶解する。しかも、アル
カリ現像液が使用できるので、膨潤は起こらない。この
ため、レジストパターンの寸法精度を維持することがで
きる。
と、この酸の作用によりメタクリル酸テトラヒドロピラ
ニルの部分の脱離基が脱離し、その部分がＨと置き代わ
る。このため、ベースポリマはアルカリ可溶性となる。
次に、これをアルカリ現像液で１分間浸漬する。これに
より、０．３μｍのラインアンドスペース（Ｌ／Ｓ）を
解像できた。このとき、露光部分の感光層はアルカリ可
溶性となっているので、アルカリ現像液に曝すことによ
りその部分のレジストは容易に溶解する。しかも、アル
カリ現像液が使用できるので、膨潤は起こらない。この
ため、レジストパターンの寸法精度を維持することがで
きる。
【０１０３】次いで、酸素プラズマを用いたＲＩＥ法に
より、膜厚約０．３μｍ，Ｌ／Ｓ０．３μｍのレジスト
パターンをマスクとして下層の平坦化層をエッチングし
た。このとき、レジストパターンはシトラコン酸ビス
（トリメチルシリルメチル）の構成部分にＴＭＳとして
多量のシリコンを含むので、酸素プラズマに対するエッ
チング耐性を有しており、薄い膜厚のレジストパターン
でも酸素プラズマに十分に耐え得る。これにより、レジ
ストパターンを残しつつ、膜厚２μｍの平坦化膜を完全
に除去し、Ｌ／Ｓ０．３μｍのパターンを転写すること
ができた。
より、膜厚約０．３μｍ，Ｌ／Ｓ０．３μｍのレジスト
パターンをマスクとして下層の平坦化層をエッチングし
た。このとき、レジストパターンはシトラコン酸ビス
（トリメチルシリルメチル）の構成部分にＴＭＳとして
多量のシリコンを含むので、酸素プラズマに対するエッ
チング耐性を有しており、薄い膜厚のレジストパターン
でも酸素プラズマに十分に耐え得る。これにより、レジ
ストパターンを残しつつ、膜厚２μｍの平坦化膜を完全
に除去し、Ｌ／Ｓ０．３μｍのパターンを転写すること
ができた。
【０１０４】その後、レジストパターン及びパターニン
グされた平坦化層をマスクとして下層の被パターニング
体をエッチングする。以上のように、本発明の第８の実
施例によれば、感光層のベースポリマにはメタクリル酸
テトラヒドロピラニルが含まれるので、露光部分のベー
スポリマはアルカリ現像液に容易に溶けるようになる。
このため、形成されたレジストパターンの膨潤を防止し
つつ、レジストパターン形成が可能となる。従って、平
坦化層のパターニング精度が向上する。
グされた平坦化層をマスクとして下層の被パターニング
体をエッチングする。以上のように、本発明の第８の実
施例によれば、感光層のベースポリマにはメタクリル酸
テトラヒドロピラニルが含まれるので、露光部分のベー
スポリマはアルカリ現像液に容易に溶けるようになる。
このため、形成されたレジストパターンの膨潤を防止し
つつ、レジストパターン形成が可能となる。従って、平
坦化層のパターニング精度が向上する。
【０１０５】更に、形成されたレジストパターンはシリ
コンを含むため、酸素プラズマ耐性を有しているので、
薄い膜厚のレジストパターンでも平坦化層をエッチング
するための酸素プラズマに十分に耐える。このため、感
光層を薄くすることができるので、解像度を向上させ、
レジストパターン形成の精度を向上させることができ
る。
コンを含むため、酸素プラズマ耐性を有しているので、
薄い膜厚のレジストパターンでも平坦化層をエッチング
するための酸素プラズマに十分に耐える。このため、感
光層を薄くすることができるので、解像度を向上させ、
レジストパターン形成の精度を向上させることができ
る。
【０１０６】（iv）第９の実施例についての説明 シトラコン酸ビス（トリメチルシリルメチル）とメタク
リル酸３−オキソシクロヘキシルをモル比１：１の割合
で混合したものを５モル／リットルの割合でトルエン液
に溶かし、トルエン溶液を作成する。これにモノマの２
モル％の割合でＡＩＢＮを加え、８０℃で攪拌しながら
６時間保持する。
リル酸３−オキソシクロヘキシルをモル比１：１の割合
で混合したものを５モル／リットルの割合でトルエン液
に溶かし、トルエン溶液を作成する。これにモノマの２
モル％の割合でＡＩＢＮを加え、８０℃で攪拌しながら
６時間保持する。
【０１０７】その後、メタノールと水を１：１の割合で
混合した溶媒中に上記により生じた反応生成物を加えた
後、生じた沈殿物を濾別し、乾燥する。これにより、下
の化学式に示す、シトラコン酸ビス（トリメチルシリル
メチル）−メタクリル酸３−オキソシクロヘキシル共重
合体（組成比１：１）を得る。
混合した溶媒中に上記により生じた反応生成物を加えた
後、生じた沈殿物を濾別し、乾燥する。これにより、下
の化学式に示す、シトラコン酸ビス（トリメチルシリル
メチル）−メタクリル酸３−オキソシクロヘキシル共重
合体（組成比１：１）を得る。
【０１０８】
【化４７】
【０１０９】次いで、このポリマに光酸発生剤であるト
リフェニルスルフォニウムヘキサフルオロアンチモネー
ト（ＴＰＳＳｂＦ6 ）をポリマの１５ｗｔ％の割合で加
えた。ポリマが１２ｗｔ％の割合になるようにメチルイ
ソブチルケトン液に溶かし、メチルイソブチルケトン溶
液を作成する。これにより、化学増幅レジストが完成す
る。
リフェニルスルフォニウムヘキサフルオロアンチモネー
ト（ＴＰＳＳｂＦ6 ）をポリマの１５ｗｔ％の割合で加
えた。ポリマが１２ｗｔ％の割合になるようにメチルイ
ソブチルケトン液に溶かし、メチルイソブチルケトン溶
液を作成する。これにより、化学増幅レジストが完成す
る。
【０１１０】次に、この化学増幅レジストを用いた２層
レジスト法によりパターン形成する方法について説明す
る。まず、第１の実施例と同様にして、基板上に膜厚約
２μｍの平坦化層と膜厚約０．３μｍの感光層を順次形
成する。次に、ＫｒＦエキシマレーザ（ＮＡ＝0.45）で
１分間露光する。このとき、露光により光酸発生剤から
酸が生じる。
レジスト法によりパターン形成する方法について説明す
る。まず、第１の実施例と同様にして、基板上に膜厚約
２μｍの平坦化層と膜厚約０．３μｍの感光層を順次形
成する。次に、ＫｒＦエキシマレーザ（ＮＡ＝0.45）で
１分間露光する。このとき、露光により光酸発生剤から
酸が生じる。
【０１１１】次いで、温度１００℃で６０秒間ベークす
ると、その酸の作用によりメタクリル酸３−オキソシク
ロヘキシルの部分の脱離基が脱離し、その部分がＨと置
き代わる。このため、ベースポリマはアルカリ可溶性と
なる。次に、感光層をアルカリ現像液で１分間浸漬す
る。これにより、０．３μｍのラインアンドスペース
（Ｌ／Ｓ）を解像できる。このとき、露光部分の感光層
はアルカリ可溶性となっているので、アルカリ現像液に
曝すことによりその部分のレジストは容易に溶解する。
しかも、アルカリ現像液が使用できるので、膨潤は起こ
らない。このため、レジストパターンの寸法精度を維持
することができる。
ると、その酸の作用によりメタクリル酸３−オキソシク
ロヘキシルの部分の脱離基が脱離し、その部分がＨと置
き代わる。このため、ベースポリマはアルカリ可溶性と
なる。次に、感光層をアルカリ現像液で１分間浸漬す
る。これにより、０．３μｍのラインアンドスペース
（Ｌ／Ｓ）を解像できる。このとき、露光部分の感光層
はアルカリ可溶性となっているので、アルカリ現像液に
曝すことによりその部分のレジストは容易に溶解する。
しかも、アルカリ現像液が使用できるので、膨潤は起こ
らない。このため、レジストパターンの寸法精度を維持
することができる。
【０１１２】次いで、酸素プラズマを用いたＲＩＥ法に
より、膜厚約０．３μｍ，Ｌ／Ｓ０．３μｍのレジスト
パターンをマスクとして下層の平坦化層をエッチングす
る。このとき、レジストパターンはシトラコン酸ビス
（トリメチルシリルメチル）の構成部分にＴＭＳとして
多量のシリコンを含むので、酸素プラズマに対するエッ
チング耐性が増しており、薄い膜厚のレジストパターン
でも酸素プラズマに十分に耐え得る。これにより、レジ
ストパターンを残しつつ、膜厚２μｍの平坦化膜を完全
に除去し、Ｌ／Ｓ０．３μｍのパターンを転写すること
ができた。
より、膜厚約０．３μｍ，Ｌ／Ｓ０．３μｍのレジスト
パターンをマスクとして下層の平坦化層をエッチングす
る。このとき、レジストパターンはシトラコン酸ビス
（トリメチルシリルメチル）の構成部分にＴＭＳとして
多量のシリコンを含むので、酸素プラズマに対するエッ
チング耐性が増しており、薄い膜厚のレジストパターン
でも酸素プラズマに十分に耐え得る。これにより、レジ
ストパターンを残しつつ、膜厚２μｍの平坦化膜を完全
に除去し、Ｌ／Ｓ０．３μｍのパターンを転写すること
ができた。
【０１１３】その後、レジストパターン及びパターニン
グされた平坦化層をマスクとして下層の被パターニング
体をエッチングする。以上のように、本発明の第９の実
施例によれば、感光層のベースポリマにはメタクリル酸
３−オキソシクロヘキシルが含まれるので、露光部分の
ベースポリマはアルカリ現像液に容易に溶けるようにな
る。このため、形成されたレジストパターンの膨潤を防
止しつつ、レジストパターン形成が可能となる。従っ
て、平坦化層のパターニング精度が向上する。
グされた平坦化層をマスクとして下層の被パターニング
体をエッチングする。以上のように、本発明の第９の実
施例によれば、感光層のベースポリマにはメタクリル酸
３−オキソシクロヘキシルが含まれるので、露光部分の
ベースポリマはアルカリ現像液に容易に溶けるようにな
る。このため、形成されたレジストパターンの膨潤を防
止しつつ、レジストパターン形成が可能となる。従っ
て、平坦化層のパターニング精度が向上する。
【０１１４】更に、形成されたレジストパターンはシリ
コンを含むため、酸素プラズマ耐性を有しているので、
薄い膜厚のレジストパターンでも平坦化層をエッチング
するための酸素プラズマに十分に耐える。このため、感
光層を薄くすることができるので、解像度を向上させ、
レジストパターン形成の精度を向上させることができ
る。
コンを含むため、酸素プラズマ耐性を有しているので、
薄い膜厚のレジストパターンでも平坦化層をエッチング
するための酸素プラズマに十分に耐える。このため、感
光層を薄くすることができるので、解像度を向上させ、
レジストパターン形成の精度を向上させることができ
る。
【０１１５】（ｖ）第１０の実施例についての説明 シトラコン酸ビス（トリメチルシリルメチル）とＰ−ビ
ニル安息香酸ｔ−ブチルをモル比１：１の割合で混合し
たものを５モル／リットルの割合でトルエン液に溶か
し、トルエン溶液を作成する。これにモノマの２モル％
の割合でＡＩＢＮを加え、８０℃で攪拌しながら２時間
保持する。
ニル安息香酸ｔ−ブチルをモル比１：１の割合で混合し
たものを５モル／リットルの割合でトルエン液に溶か
し、トルエン溶液を作成する。これにモノマの２モル％
の割合でＡＩＢＮを加え、８０℃で攪拌しながら２時間
保持する。
【０１１６】その後、上記により生じた反応生成物を大
量のメタノール中に加えた後、生じた沈殿物を濾別し、
乾燥する。これにより、下の化学式に示す、シトラコン
酸ビス（トリメチルシリルメチル）−Ｐ−ビニル安息香
酸ｔ−ブチル共重合体（組成比１：１）を得る。
量のメタノール中に加えた後、生じた沈殿物を濾別し、
乾燥する。これにより、下の化学式に示す、シトラコン
酸ビス（トリメチルシリルメチル）−Ｐ−ビニル安息香
酸ｔ−ブチル共重合体（組成比１：１）を得る。
【０１１７】
【化４８】
【０１１８】次いで、このポリマに光酸発生剤であるト
リフェニルスルフォニウムヘキサフルオロアンチモネー
ト（ＴＰＳＳｂＦ6 ）をポリマの１５ｗｔ％割合で加え
たものを１２ｗｔ％の割合でメチルイソブチルケトン液
に溶かし、メチルイソブチルケトン溶液を作成する。こ
れにより、化学増幅レジストが完成する。次に、この化
学増幅レジストを用いた２層レジスト法によりパターン
形成する方法について説明する。
リフェニルスルフォニウムヘキサフルオロアンチモネー
ト（ＴＰＳＳｂＦ6 ）をポリマの１５ｗｔ％割合で加え
たものを１２ｗｔ％の割合でメチルイソブチルケトン液
に溶かし、メチルイソブチルケトン溶液を作成する。こ
れにより、化学増幅レジストが完成する。次に、この化
学増幅レジストを用いた２層レジスト法によりパターン
形成する方法について説明する。
【０１１９】まず、第１の実施例同様にして、基板上に
膜厚約２μｍの平坦化層と膜厚約０．３μｍの感光層を
順次形成する。次に、ＫｒＦエキシマレーザ（ＮＡ＝0.
45）で１分間露光する。このとき、露光により光酸発生
剤から酸が生じる。次いで、温度１００℃で６０秒間ベ
ークすると、この酸の作用によりＰ−ビニル安息香酸ｔ
−ブチルの部分の脱離基が脱離し、その部分が水素と置
き代わる。このため、ベースポリマはアルカリ可溶性と
なる。
膜厚約２μｍの平坦化層と膜厚約０．３μｍの感光層を
順次形成する。次に、ＫｒＦエキシマレーザ（ＮＡ＝0.
45）で１分間露光する。このとき、露光により光酸発生
剤から酸が生じる。次いで、温度１００℃で６０秒間ベ
ークすると、この酸の作用によりＰ−ビニル安息香酸ｔ
−ブチルの部分の脱離基が脱離し、その部分が水素と置
き代わる。このため、ベースポリマはアルカリ可溶性と
なる。
【０１２０】次に、これをアルカリ現像液に１分間浸漬
する。これにより、０．３μｍのラインアンドスペース
（Ｌ／Ｓ）を解像できる。このとき、露光部分の感光層
はアルカリ可溶性となっているので、アルカリ現像液に
曝すことによりその部分のレジストは容易に溶解する。
しかも、アルカリ現像液が使用できるので、膨潤は起こ
らない。このため、レジストパターンの寸法精度を維持
することができる。
する。これにより、０．３μｍのラインアンドスペース
（Ｌ／Ｓ）を解像できる。このとき、露光部分の感光層
はアルカリ可溶性となっているので、アルカリ現像液に
曝すことによりその部分のレジストは容易に溶解する。
しかも、アルカリ現像液が使用できるので、膨潤は起こ
らない。このため、レジストパターンの寸法精度を維持
することができる。
【０１２１】次いで、酸素プラズマを用いたＲＩＥ法に
より、膜厚約０．３μｍ，Ｌ／Ｓ０．３μｍのレジスト
パターンをマスクとして下層の平坦化層をエッチングす
る。このとき、レジストパターンはシトラコン酸ビス
（トリメチルシリルメチル）の構成部分にＴＭＳとして
多量のシリコンを含むので、酸素プラズマに対するエッ
チング耐性を有しており、薄い膜厚のレジストパターン
でも酸素プラズマに十分に耐え得る。これにより、レジ
ストパターンを残しつつ、膜厚２μｍの平坦化膜を完全
に除去し、Ｌ／Ｓ０．３μｍのパターンを転写すること
ができた。
より、膜厚約０．３μｍ，Ｌ／Ｓ０．３μｍのレジスト
パターンをマスクとして下層の平坦化層をエッチングす
る。このとき、レジストパターンはシトラコン酸ビス
（トリメチルシリルメチル）の構成部分にＴＭＳとして
多量のシリコンを含むので、酸素プラズマに対するエッ
チング耐性を有しており、薄い膜厚のレジストパターン
でも酸素プラズマに十分に耐え得る。これにより、レジ
ストパターンを残しつつ、膜厚２μｍの平坦化膜を完全
に除去し、Ｌ／Ｓ０．３μｍのパターンを転写すること
ができた。
【０１２２】その後、レジストパターン及びパターニン
グされた平坦化層をマスクとして下層の被パターニング
体をエッチングする。以上のように、本発明の第１０の
実施例によれば、感光層のベースポリマにはＰ−ビニル
安息香酸ｔ−ブチルの構成部分が含まれるので、露光部
分のベースポリマはアルカリ現像液に容易に溶けるよう
になる。このため、形成されたレジストパターンの膨潤
を防止しつつ、レジストパターン形成が可能となる。従
って、平坦化層のパターニング精度が向上する。
グされた平坦化層をマスクとして下層の被パターニング
体をエッチングする。以上のように、本発明の第１０の
実施例によれば、感光層のベースポリマにはＰ−ビニル
安息香酸ｔ−ブチルの構成部分が含まれるので、露光部
分のベースポリマはアルカリ現像液に容易に溶けるよう
になる。このため、形成されたレジストパターンの膨潤
を防止しつつ、レジストパターン形成が可能となる。従
って、平坦化層のパターニング精度が向上する。
【０１２３】更に、形成されたレジストパターンはシリ
コンを含むため、酸素プラズマ耐性を有しているので、
薄い膜厚のレジストパターンでも平坦化層をエッチング
するための酸素プラズマに十分に耐える。このため、感
光層を薄くすることができるので、解像度を向上させ、
レジストパターン形成の精度を向上させることが出来
る。
コンを含むため、酸素プラズマ耐性を有しているので、
薄い膜厚のレジストパターンでも平坦化層をエッチング
するための酸素プラズマに十分に耐える。このため、感
光層を薄くすることができるので、解像度を向上させ、
レジストパターン形成の精度を向上させることが出来
る。
【０１２４】なお、上記第１〜第１０の実施例では、現
像液として水性アルカリ現像液を用いているが、水性ア
ルカリ現像液に更に炭素数１〜１０のアルコールを混合
したものを用いてもよい。これにより、現像速度が増
す。また、光酸発生剤として、トリフェニルスルフォニ
ウムヘキサフルオロアンチモネート（ＴＰＳＳｂＦ6 ）
を用いているが、他のスルフォニウム塩やスルホン酸エ
ステル系化合物、ヨードニウム塩、ハロゲン化合物等を
用いてもよい。下にこれらを例示する。
像液として水性アルカリ現像液を用いているが、水性ア
ルカリ現像液に更に炭素数１〜１０のアルコールを混合
したものを用いてもよい。これにより、現像速度が増
す。また、光酸発生剤として、トリフェニルスルフォニ
ウムヘキサフルオロアンチモネート（ＴＰＳＳｂＦ6 ）
を用いているが、他のスルフォニウム塩やスルホン酸エ
ステル系化合物、ヨードニウム塩、ハロゲン化合物等を
用いてもよい。下にこれらを例示する。
【０１２５】スルフォニウム塩として、
【０１２６】
【化４９】
【０１２７】を用いることができる。スルホン酸エステ
ル系化合物として、
ル系化合物として、
【０１２８】
【化５０】
【０１２９】
【化５１】
【０１３０】
【化５２】
【０１３１】
【化５３】
【０１３２】
【化５４】
【０１３３】
【化５５】
【０１３４】を用いることができる。更に、ヨードニウ
ム塩として、
ム塩として、
【０１３５】
【化５６】
【０１３６】を用いることができる。また、ハロゲン化
合物として、
合物として、
【０１３７】
【化５７】
【０１３８】
【化５８】
【０１３９】
【化５９】
【０１４０】を用いることができる。なお、本発明のパ
ターン形成方法の実施例として２層レジスト法によるパ
ターン形成法について説明しているが、本発明のパター
ン形成方法は化学増幅レジストを単独で用いたパターン
形成方法にも適用できる。また、３層レジスト法による
パターン形成方法にも適用することができる。この場
合、化学増幅レジストは最上層に形成される。
ターン形成方法の実施例として２層レジスト法によるパ
ターン形成法について説明しているが、本発明のパター
ン形成方法は化学増幅レジストを単独で用いたパターン
形成方法にも適用できる。また、３層レジスト法による
パターン形成方法にも適用することができる。この場
合、化学増幅レジストは最上層に形成される。
【０１４１】これらの場合において、化学増幅レジスト
の酸素プラズマ耐性が向上しているので、薄い膜厚の化
学増幅レジストを用いることができ、解像度を向上させ
ることができる。
の酸素プラズマ耐性が向上しているので、薄い膜厚の化
学増幅レジストを用いることができ、解像度を向上させ
ることができる。
【０１４２】
【発明の効果】本発明のレジストにおいては、酸によっ
て脱離する基を有する繰り返し単位を含み、なおかつシ
リコン（Ｓｉ）を含有するベース樹脂と、光酸発生剤と
を有する。このレジストをエキシマレーザ等の放射線で
露光すると、光酸発生剤から酸が発生し、更にベークす
ることで、その酸により脱離基が脱離し、水素と置換し
て水酸基又はカルボン酸が生成するするので、露光部分
はアルカリに溶解するようになる。
て脱離する基を有する繰り返し単位を含み、なおかつシ
リコン（Ｓｉ）を含有するベース樹脂と、光酸発生剤と
を有する。このレジストをエキシマレーザ等の放射線で
露光すると、光酸発生剤から酸が発生し、更にベークす
ることで、その酸により脱離基が脱離し、水素と置換し
て水酸基又はカルボン酸が生成するするので、露光部分
はアルカリに溶解するようになる。
【０１４３】このように、本発明のレジストはポジ型の
レジストとして用いることができる。また、本発明のパ
ターン形成方法のように、アルカリ現像液を用いること
ができるので、形成されたレジストパターンの膨潤を防
止しつつ、レジストパターンの形成が可能となる。
レジストとして用いることができる。また、本発明のパ
ターン形成方法のように、アルカリ現像液を用いること
ができるので、形成されたレジストパターンの膨潤を防
止しつつ、レジストパターンの形成が可能となる。
【０１４４】更に、ベース樹脂として繰り返し単位中に
少なくとも１つのシリコン原子を有する基を含むものを
用いている。このため、形成されたレジストパターンは
シリコンを多量に含むので、薄い膜厚のレジストパター
ンでも被エッチング体をエッチングするための酸素プラ
ズマに十分に耐え得る。
少なくとも１つのシリコン原子を有する基を含むものを
用いている。このため、形成されたレジストパターンは
シリコンを多量に含むので、薄い膜厚のレジストパター
ンでも被エッチング体をエッチングするための酸素プラ
ズマに十分に耐え得る。
【０１４５】これにより、レジスト膜の膜厚を薄くする
ことができるので、解像度を向上させ、レジストパター
ン形成の精度を向上させることができる。
ことができるので、解像度を向上させ、レジストパター
ン形成の精度を向上させることができる。
【図１】本発明の実施例に係る２層レジスト法によるパ
ターン形成方法について示す断面図（その１）である。
ターン形成方法について示す断面図（その１）である。
【図２】本発明の実施例に係る２層レジスト法によるパ
ターン形成方法について示す断面図（その２）である。
ターン形成方法について示す断面図（その２）である。
１ シリコン基板、 ２，４ シリコン酸化膜、 ３ 配線層、 ４ａ ビアホール、 ５ 平坦化層、 ５ａ，６ａ 開口、 ６ 感光層、 ７ フォトマスク。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/027 21/3065
Claims (28)
- 【請求項１】 一般式 【化１】 （式中、Ｒ1 〜Ｒ3 は少なくとも１つのシリコン原子を
有する基を表し、Ａ1は酸によって脱離する基を有する
繰り返し単位を表す）で示されるベース樹脂と、光酸発
生剤とを有するレジスト。 - 【請求項２】 一般式 【化２】 （式中、Ｒ4 ，Ｒ5 は少なくとも１つのシリコン原子を
有する基を表し、Ａ2は酸によって脱離する基を有する
繰り返し単位を表す）で示されるベース樹脂と、光酸発
生剤とを有するレジスト。 - 【請求項３】 前記Ｒ1 〜Ｒ5 は化学式ＣＨ2 ＴＭＳ
（式中、ＴＭＳはトリメチルシリルを表し、化学構造式 【化３】 で示される）で示されるものであることを特徴とする請
求項１又は請求項２記載のレジスト。 - 【請求項４】 前記Ａ1 又はＡ2 は、化学構造式 【化４】 （式中、ｔＢｕは第３ブチル基を表す）で示されるもの
であることを特徴とする請求項１〜請求項３のいずれか
に記載のレジスト。 - 【請求項５】 前記Ａ1 又はＡ2 は、化学構造式 【化５】 で示されるものであることを特徴とする請求項１〜請求
項３のいずれかに記載のレジスト。 - 【請求項６】 前記Ａ1 又はＡ2 は、化学構造式 【化６】 で示されるものであることを特徴とする請求項１〜請求
項３のいずれかに記載のレジスト。 - 【請求項７】 前記Ａ1 又はＡ2 は、化学構造式 【化７】 で示されるものであることを特徴とする請求項１〜請求
項３のいずれかに記載のレジスト。 - 【請求項８】 前記Ａ1 又はＡ2 は、化学構造式 【化８】 （式中、ｔＢｕは第３ブチル基を表す）で示されるもの
であることを特徴とする請求項１〜請求項３のいずれか
に記載のレジスト。 - 【請求項９】 前記光酸発生剤はトリフェニルスルフォ
ニウムヘキサフルオロアンチモネート（ＴＰＳＳｂ
Ｆ6 ）であることを特徴とする請求項１〜請求項８のい
ずれかに記載のレジスト。 - 【請求項１０】 前記光酸発生剤は、一般式 【化９】 で示されるものであることを特徴とする請求項１〜請求
項８のいずれかに記載のレジスト。 - 【請求項１１】 前記光酸発生剤は、一般式 【化１０】 で示されるものであることを特徴とする請求項１〜請求
項８のいずれかに記載のレジスト。 - 【請求項１２】 前記光酸発生剤は、一般式 【化１１】 で示されるものであることを特徴とする請求項１〜請求
項８のいずれかに記載のレジスト。 - 【請求項１３】 前記光酸発生剤は、一般式 【化１２】 で示されるものであることを特徴とする請求項１〜請求
項８のいずれかに記載のレジスト。 - 【請求項１４】 前記光酸発生剤は、一般式 【化１３】 で示されるものであることを特徴とする請求項１〜請求
項８のいずれかに記載のレジスト。 - 【請求項１５】 前記光酸発生剤は、一般式 【化１４】 で示されるものであることを特徴とする請求項１〜請求
項８のいずれかに記載のレジスト。 - 【請求項１６】 前記光酸発生剤は、一般式 【化１５】 で示されるものであることを特徴とする請求項１〜請求
項８のいずれかに記載のレジスト。 - 【請求項１７】 前記光酸発生剤は、一般式 【化１６】 で示されるものであることを特徴とする請求項１〜請求
項８のいずれかに記載のレジスト。 - 【請求項１８】 前記光酸発生剤は、一般式 【化１７】 で示されるものであることを特徴とする請求項１〜請求
項８のいずれかに記載のレジスト。 - 【請求項１９】 前記光酸発生剤は、一般式 【化１８】 で示されるものであることを特徴とする請求項１〜請求
項８のいずれかに記載のレジスト。 - 【請求項２０】 前記光酸発生剤は、一般式 【化１９】 で示されるものであることを特徴とする請求項１〜請求
項８のいずれかに記載のレジスト。 - 【請求項２１】 請求項１〜請求項２０のいずれかに記
載のレジストを被パターニング体上に塗布してレジスト
膜を形成する工程と、 前記レジスト膜を露光する工程と、 前記露光された前記レジスト膜を現像液に曝し、レジス
トパターンを形成する工程とを有することを特徴とする
パターン形成方法。 - 【請求項２２】 前記レジストパターンを形成する工程
の後、 前記レジストパターンをマスクとして前記被パターニン
グ体をエッチングし、除去する工程を有することを特徴
とする請求項２１に記載のパターン形成方法。 - 【請求項２３】 被パターニング体上に平坦化層を形成
する工程と、 請求項１〜請求項２０のいずれかに記載のレジストを前
記被パターニング体上に塗布してレジスト膜を形成する
工程と、 前記レジスト膜を露光する工程と、 前記露光された前記レジスト膜を現像液に曝し、レジス
トパターンを形成する工程と、 前記レジストパターンをマスクとして前記平坦化層をエ
ッチングし、除去する工程とを有することを特徴とする
パターン形成方法。 - 【請求項２４】 前記平坦化層はシリコン（Ｓｉ）を含
有しない樹脂膜であることを特徴とする請求項２３記載
のパターン形成方法。 - 【請求項２５】 前記平坦化層をエッチングするガスと
して酸素或いは酸素を主とする混合ガスを用いることを
特徴とする請求項２４記載のパターン形成方法。 - 【請求項２６】 前記平坦化層をエッチングし、除去す
る工程の後、 少なくとも前記レジストパターン及び平坦化層のいずれ
かをマスクとして前記被パターニング体をエッチング
し、除去する工程とを有することを特徴とする請求項２
３記載のパターン形成方法。 - 【請求項２７】 前記現像液はアルカリ現像液であるこ
とを特徴とする請求項２１又は請求項２３のいずれかに
記載のパターン形成方法。 - 【請求項２８】 前記現像液に炭素数１〜１０のアルコ
ールを混合したものを用いることを特徴とする請求項２
７記載のパターン形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12005094A JP3407825B2 (ja) | 1994-06-01 | 1994-06-01 | レジスト及びパターン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12005094A JP3407825B2 (ja) | 1994-06-01 | 1994-06-01 | レジスト及びパターン形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07325402A true JPH07325402A (ja) | 1995-12-12 |
| JP3407825B2 JP3407825B2 (ja) | 2003-05-19 |
Family
ID=14776657
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12005094A Expired - Fee Related JP3407825B2 (ja) | 1994-06-01 | 1994-06-01 | レジスト及びパターン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3407825B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20100057509A (ko) * | 2008-11-21 | 2010-05-31 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 포지티브형 레지스트 재료 및 패턴 형성 방법 |
| WO2011040175A1 (ja) * | 2009-09-30 | 2011-04-07 | Jsr株式会社 | 重合体及び感放射線性組成物並びに単量体及びその製造方法 |
-
1994
- 1994-06-01 JP JP12005094A patent/JP3407825B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20100057509A (ko) * | 2008-11-21 | 2010-05-31 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 포지티브형 레지스트 재료 및 패턴 형성 방법 |
| JP2010122579A (ja) * | 2008-11-21 | 2010-06-03 | Shin-Etsu Chemical Co Ltd | ポジ型レジスト材料及びパターン形成方法 |
| US8968979B2 (en) | 2008-11-21 | 2015-03-03 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Positive resist composition and patterning process |
| WO2011040175A1 (ja) * | 2009-09-30 | 2011-04-07 | Jsr株式会社 | 重合体及び感放射線性組成物並びに単量体及びその製造方法 |
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