JPH0732406A - 半導体封止装置 - Google Patents
半導体封止装置Info
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- JPH0732406A JPH0732406A JP17782693A JP17782693A JPH0732406A JP H0732406 A JPH0732406 A JP H0732406A JP 17782693 A JP17782693 A JP 17782693A JP 17782693 A JP17782693 A JP 17782693A JP H0732406 A JPH0732406 A JP H0732406A
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- automatic machine
- plunger
- resin
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
- B29C45/14—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles
- B29C45/14639—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles for obtaining an insulating effect, e.g. for electrical components
- B29C45/14655—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles for obtaining an insulating effect, e.g. for electrical components connected to or mounted on a carrier, e.g. lead frame
- B29C45/1468—Plants therefor
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
- B29C45/03—Injection moulding apparatus
- B29C45/04—Injection moulding apparatus using movable moulds or mould halves
- B29C45/06—Injection moulding apparatus using movable moulds or mould halves mounted on a turntable, i.e. on a rotating support having a rotating axis parallel to the mould opening, closing or clamping direction
- B29C45/062—Injection moulding apparatus using movable moulds or mould halves mounted on a turntable, i.e. on a rotating support having a rotating axis parallel to the mould opening, closing or clamping direction carrying mould halves co-operating with fixed mould halves
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
- Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】封止作業のサイクルタイムを短縮することによ
って生産性を向上させるとともに、小型で重量の小さい
半導体封止装置を提供する。 【構成】対の金型セット５３を移動させ、プレス側位置
Ｓ1 と自動機側位置Ｓ2 を採らせるテーブルが配設され
る。自動機側位置Ｓ2 に隣接してローダ装置が配設さ
れ、また、自動機側位置Ｓ2 に隣接してアンローダ装置
が配設される。また、自動機側位置Ｓ2 においては、金
型セット５３の上方に型開閉装置５７が配設され、型開
き及び型閉じを行う。一方、プレス側位置Ｓ1 において
は、金型セット５３の上方に型締装置５６が配設され、
可動プラテン４９の開閉を行うとともに、下方にトラン
スファ装置６１が配設され、溶解させられた熱硬化性の
樹脂をキャビティ内に注入する。そして、樹脂が硬化を
開始した後は、クランプ装置及びプランジャ保持装置に
よって保圧を低圧で行うことができる。
って生産性を向上させるとともに、小型で重量の小さい
半導体封止装置を提供する。 【構成】対の金型セット５３を移動させ、プレス側位置
Ｓ1 と自動機側位置Ｓ2 を採らせるテーブルが配設され
る。自動機側位置Ｓ2 に隣接してローダ装置が配設さ
れ、また、自動機側位置Ｓ2 に隣接してアンローダ装置
が配設される。また、自動機側位置Ｓ2 においては、金
型セット５３の上方に型開閉装置５７が配設され、型開
き及び型閉じを行う。一方、プレス側位置Ｓ1 において
は、金型セット５３の上方に型締装置５６が配設され、
可動プラテン４９の開閉を行うとともに、下方にトラン
スファ装置６１が配設され、溶解させられた熱硬化性の
樹脂をキャビティ内に注入する。そして、樹脂が硬化を
開始した後は、クランプ装置及びプランジャ保持装置に
よって保圧を低圧で行うことができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体封止装置に関す
るものである。
るものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、リードフレームにボンディングさ
れた半導体素子（以下「半導体素子組立体」という。）
を可動側金型に搭載し、キャビティ内に樹脂を注入して
半導体素子を封止するようにした半導体封止装置におい
ては、トランスファシリンダのポット内にタブレット状
の樹脂を挿入し、加圧して溶解させることができるよう
になっている。そして、プランジャを移動させることに
よってポット内で加圧されて溶解させられた樹脂を、ラ
ンナを介してキャビティ内に注入することができる。
れた半導体素子（以下「半導体素子組立体」という。）
を可動側金型に搭載し、キャビティ内に樹脂を注入して
半導体素子を封止するようにした半導体封止装置におい
ては、トランスファシリンダのポット内にタブレット状
の樹脂を挿入し、加圧して溶解させることができるよう
になっている。そして、プランジャを移動させることに
よってポット内で加圧されて溶解させられた樹脂を、ラ
ンナを介してキャビティ内に注入することができる。
【０００３】図２は従来の半導体封止装置の正面図、図
３は従来の半導体封止装置の平面図、図４は従来の半導
体封止装置の要部断面図、図５は従来の半導体封止装置
のタイムチャートである。図において、１０はプレス、
１１は固定プラテン、１２は該固定プラテン１１に対向
して配設され、メイン駆動装置１６によってタイバー１
３に沿って移動させられる可動プラテンである。前記固
定プラテン１１に固定側金型１４が取り付けられ、ま
た、前記可動プラテン１２に可動側金型１７が取り付け
られる。
３は従来の半導体封止装置の平面図、図４は従来の半導
体封止装置の要部断面図、図５は従来の半導体封止装置
のタイムチャートである。図において、１０はプレス、
１１は固定プラテン、１２は該固定プラテン１１に対向
して配設され、メイン駆動装置１６によってタイバー１
３に沿って移動させられる可動プラテンである。前記固
定プラテン１１に固定側金型１４が取り付けられ、ま
た、前記可動プラテン１２に可動側金型１７が取り付け
られる。
【０００４】そして、前記固定側金型１４及び可動側金
型１７は互いに対向する面に、それぞれ所定の形状の複
数の凹部を有し、型締め時に該凹部によってキャビティ
１５を形成する。前記可動側金型１７の上側表面には、
前記固定側金型１４に向けて開口する複数のポット３０
が形成される。また、該ポット３０は前記可動プラテン
１２、可動側金型１７を貫通して形成されたプランジャ
シリンダ１７ａと連通し、ポット３０内にプランジャヘ
ッド３３が摺動（しゅうどう）自在に配設され、前記ポ
ット３０内に図示しないタブレット状の樹脂を挿入し、
加圧して溶解させることができるようになっている。
型１７は互いに対向する面に、それぞれ所定の形状の複
数の凹部を有し、型締め時に該凹部によってキャビティ
１５を形成する。前記可動側金型１７の上側表面には、
前記固定側金型１４に向けて開口する複数のポット３０
が形成される。また、該ポット３０は前記可動プラテン
１２、可動側金型１７を貫通して形成されたプランジャ
シリンダ１７ａと連通し、ポット３０内にプランジャヘ
ッド３３が摺動（しゅうどう）自在に配設され、前記ポ
ット３０内に図示しないタブレット状の樹脂を挿入し、
加圧して溶解させることができるようになっている。
【０００５】そして、該プランジャヘッド３３はプラン
ジャ３４を介して図示しないトランスファ装置に接続さ
れ、該トランスファ装置を駆動してプランジャヘッド３
３を上方に移動させることによって、前記ポット３０内
で加圧されて溶解させられた樹脂をキャビティ１５内に
注入することができる。前記構成の半導体封止装置にお
いて、前記可動側金型１７に図示しない半導体素子組立
体を搭載するために半導体素子組立体供給側カセット３
５が配設され、該半導体素子組立体供給側カセット３５
に半導体素子組立体が収納される。そして、該半導体素
子組立体はプレヒータ３６に搬送されて予熱され、ロー
ダ装置３８によってプレス１０に搬入され、可動側金型
１７に搭載される。一方、タブレット状の樹脂はタブレ
ットマガジン３９から取り出され、必要に応じて予熱さ
れ、プレス１０に搬送されてポット３０内に挿入され
る。
ジャ３４を介して図示しないトランスファ装置に接続さ
れ、該トランスファ装置を駆動してプランジャヘッド３
３を上方に移動させることによって、前記ポット３０内
で加圧されて溶解させられた樹脂をキャビティ１５内に
注入することができる。前記構成の半導体封止装置にお
いて、前記可動側金型１７に図示しない半導体素子組立
体を搭載するために半導体素子組立体供給側カセット３
５が配設され、該半導体素子組立体供給側カセット３５
に半導体素子組立体が収納される。そして、該半導体素
子組立体はプレヒータ３６に搬送されて予熱され、ロー
ダ装置３８によってプレス１０に搬入され、可動側金型
１７に搭載される。一方、タブレット状の樹脂はタブレ
ットマガジン３９から取り出され、必要に応じて予熱さ
れ、プレス１０に搬送されてポット３０内に挿入され
る。
【０００６】そして、前記メイン駆動装置１６が駆動さ
れて前記可動プラテン１２を上方に移動させ、固定側金
型１４に可動側金型１７を密着させて型閉じを行う。次
に、固定側金型１４と可動側金型１７は図示しない型締
装置によって加圧される。この加圧状態で、前記トラン
スファ装置が駆動されてプランジャヘッド３３が上方に
移動させられ、前記タブレット状の樹脂を加圧して溶解
させる。そして、加圧されて溶解させられた樹脂はキャ
ビティ１５内に注入され、前記半導体素子を封止する。
前記樹脂は熱硬化性の樹脂であり、トランスファ装置に
よって一定時間保圧されると硬化する。
れて前記可動プラテン１２を上方に移動させ、固定側金
型１４に可動側金型１７を密着させて型閉じを行う。次
に、固定側金型１４と可動側金型１７は図示しない型締
装置によって加圧される。この加圧状態で、前記トラン
スファ装置が駆動されてプランジャヘッド３３が上方に
移動させられ、前記タブレット状の樹脂を加圧して溶解
させる。そして、加圧されて溶解させられた樹脂はキャ
ビティ１５内に注入され、前記半導体素子を封止する。
前記樹脂は熱硬化性の樹脂であり、トランスファ装置に
よって一定時間保圧されると硬化する。
【０００７】前記型締装置は、樹脂の注入及び保圧の
間、前記固定側金型１４と可動側金型１７の型締めを高
圧で行う。続いて、樹脂の硬化が終了すると、前記メイ
ン駆動装置１６が駆動されて前記可動プラテン１２を下
方に移動させ、固定側金型１４から可動側金型１７を離
れさせて型開きを行う。そして、アンローダ装置４３は
半導体素子を封止した後の半導体素子組立体（以下「半
導体」という。）を搬出し、不要な樹脂を除去した後、
収納マガジン４４に収納する。
間、前記固定側金型１４と可動側金型１７の型締めを高
圧で行う。続いて、樹脂の硬化が終了すると、前記メイ
ン駆動装置１６が駆動されて前記可動プラテン１２を下
方に移動させ、固定側金型１４から可動側金型１７を離
れさせて型開きを行う。そして、アンローダ装置４３は
半導体素子を封止した後の半導体素子組立体（以下「半
導体」という。）を搬出し、不要な樹脂を除去した後、
収納マガジン４４に収納する。
【０００８】この時、前記固定側金型１４及び可動側金
型１７の表面には樹脂かすが残留する。そこで、ダイク
リーナ４５によって前記固定側金型１４及び可動側金型
１７のクリーニングが行われる。このようにして、封止
作業の１サイクルが終了し、次の半導体素子組立体が可
動側金型１７に搭載され、次のサイクルに入る。
型１７の表面には樹脂かすが残留する。そこで、ダイク
リーナ４５によって前記固定側金型１４及び可動側金型
１７のクリーニングが行われる。このようにして、封止
作業の１サイクルが終了し、次の半導体素子組立体が可
動側金型１７に搭載され、次のサイクルに入る。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記従
来の半導体封止装置においては、生産性を向上させる場
合、封止作業の１サイクル当たりに封止される半導体素
子の数を増加させる必要がある。図６は従来の他の半導
体封止装置の正面図である。
来の半導体封止装置においては、生産性を向上させる場
合、封止作業の１サイクル当たりに封止される半導体素
子の数を増加させる必要がある。図６は従来の他の半導
体封止装置の正面図である。
【００１０】図において、１０はプレス、１１は固定プ
ラテン、１２は可動プラテン、１３はタイバー、１６は
メイン駆動装置、３５は半導体素子組立体供給側カセッ
ト、４４は収納マガジン、４６は固定側金型、４７は可
動側金型である。この場合、４枚取り用の半導体封止装
置が示されていて、図２に示す２枚取り用の半導体封止
装置に比べて１サイクル当たりに２倍の数の半導体素子
を封止することができる。
ラテン、１２は可動プラテン、１３はタイバー、１６は
メイン駆動装置、３５は半導体素子組立体供給側カセッ
ト、４４は収納マガジン、４６は固定側金型、４７は可
動側金型である。この場合、４枚取り用の半導体封止装
置が示されていて、図２に示す２枚取り用の半導体封止
装置に比べて１サイクル当たりに２倍の数の半導体素子
を封止することができる。
【００１１】ところが、１サイクル当たりに封止される
半導体素子の数を増加させると、増加させた分だけ図示
しない型締装置の型締力を大きくする必要がある。した
がって、固定プラテン１１、可動プラテン１２及びタイ
バー１３の剛性を高くする必要があり、半導体封止装置
が大型化し、重量が大きくなってしまう。そして、床強
度の点から設置自由度が低くなってしまうだけでなく、
搬入作業や移動作業も困難になってしまう。
半導体素子の数を増加させると、増加させた分だけ図示
しない型締装置の型締力を大きくする必要がある。した
がって、固定プラテン１１、可動プラテン１２及びタイ
バー１３の剛性を高くする必要があり、半導体封止装置
が大型化し、重量が大きくなってしまう。そして、床強
度の点から設置自由度が低くなってしまうだけでなく、
搬入作業や移動作業も困難になってしまう。
【００１２】本発明は、前記従来の半導体封止装置の問
題点を解決して、封止作業のサイクルタイムを短縮する
ことによって生産性を向上させるとともに、小型で重量
の小さい半導体封止装置を提供することを目的とする。
題点を解決して、封止作業のサイクルタイムを短縮する
ことによって生産性を向上させるとともに、小型で重量
の小さい半導体封止装置を提供することを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】そのために、本発明の半
導体封止装置においては、サイクルタイムを短縮するす
ることによって生産性を向上させるようになっていて、
対の金型セットを移動させ、プレス側位置と自動機側位
置を採らせるテーブルが配設される。そして、前記金型
セットの自動機側位置に隣接してローダ装置が配設さ
れ、半導体素子組立体を搬入するとともに、前記金型セ
ットの自動機側位置に隣接してアンローダ装置が配設さ
れ、半導体を搬出する。
導体封止装置においては、サイクルタイムを短縮するす
ることによって生産性を向上させるようになっていて、
対の金型セットを移動させ、プレス側位置と自動機側位
置を採らせるテーブルが配設される。そして、前記金型
セットの自動機側位置に隣接してローダ装置が配設さ
れ、半導体素子組立体を搬入するとともに、前記金型セ
ットの自動機側位置に隣接してアンローダ装置が配設さ
れ、半導体を搬出する。
【００１４】また、前記金型セットの自動機側位置にお
いては、金型セットの上方に型開閉装置が配設され、型
開き及び型閉じを行う。さらに、前記金型セットのプレ
ス側位置においては、上方に型締装置が配設され、可動
プラテンの開閉を行うとともに、下方にトランスファ装
置が配設され、プランジャを上昇させた時に、溶解させ
られた前記樹脂をキャビティ内に注入する。
いては、金型セットの上方に型開閉装置が配設され、型
開き及び型閉じを行う。さらに、前記金型セットのプレ
ス側位置においては、上方に型締装置が配設され、可動
プラテンの開閉を行うとともに、下方にトランスファ装
置が配設され、プランジャを上昇させた時に、溶解させ
られた前記樹脂をキャビティ内に注入する。
【００１５】そして、前記金型セットの金型をクランプ
するクランプ装置と、前記プランジャを保持するプラン
ジャ保持装置とを有する。
するクランプ装置と、前記プランジャを保持するプラン
ジャ保持装置とを有する。
【００１６】
【作用】本発明によれば、前記のように本発明の半導体
封止装置においては、熱硬化性の樹脂を使用して半導体
素子を封止するようになっていて、対の金型セットを移
動させ、プレス側位置と自動機側位置を採らせるテーブ
ルが配設される。そして、前記金型セットの自動機側位
置に隣接してローダ装置が配設され、該ローダ装置によ
って半導体素子組立体が搬入される。
封止装置においては、熱硬化性の樹脂を使用して半導体
素子を封止するようになっていて、対の金型セットを移
動させ、プレス側位置と自動機側位置を採らせるテーブ
ルが配設される。そして、前記金型セットの自動機側位
置に隣接してローダ装置が配設され、該ローダ装置によ
って半導体素子組立体が搬入される。
【００１７】また、前記金型セットの自動機側位置にお
いては、金型セットの上方に型開閉装置が配設され、型
開き及び型閉じを行う。さらに、前記金型セットのプレ
ス側位置においては、上方に型締装置が配設され、可動
プラテンの開閉を行うとともに、下方にトランスファ装
置が配設され、プランジャを上昇させた時に、溶解させ
られた前記樹脂をキャビティ内に注入する。
いては、金型セットの上方に型開閉装置が配設され、型
開き及び型閉じを行う。さらに、前記金型セットのプレ
ス側位置においては、上方に型締装置が配設され、可動
プラテンの開閉を行うとともに、下方にトランスファ装
置が配設され、プランジャを上昇させた時に、溶解させ
られた前記樹脂をキャビティ内に注入する。
【００１８】そして、前記金型セットの金型をクランプ
するクランプ装置と、前記プランジャを保持するプラン
ジャ保持装置とを有する。したがって、プレス側位置に
移動させられた金型セットにおいては、可動プラテンが
閉じられて型締装置による型締めが行われた後、トラン
スファ装置がプランジャを上方に移動させ、溶解させら
れた樹脂をキャビティ内に注入して前記半導体素子を封
止する。
するクランプ装置と、前記プランジャを保持するプラン
ジャ保持装置とを有する。したがって、プレス側位置に
移動させられた金型セットにおいては、可動プラテンが
閉じられて型締装置による型締めが行われた後、トラン
スファ装置がプランジャを上方に移動させ、溶解させら
れた樹脂をキャビティ内に注入して前記半導体素子を封
止する。
【００１９】この場合、樹脂を注入している間及び樹脂
が硬化を開始するまでは前記型締装置によって型締め及
び保圧を高圧で行い、樹脂が硬化を開始した後は前記ク
ランプ装置及びプランジャ保持装置によって保圧を低圧
で行う。そのため、樹脂をキャビティ内に注入した後、
樹脂の硬化が開始した後の設定時間が経過すると、前記
可動プラテンが開かれ、前記テーブルによってプレス側
位置にある金型セットが自動機側位置に、自動機側位置
にある金型セットがプレス側位置に移動させられる。
が硬化を開始するまでは前記型締装置によって型締め及
び保圧を高圧で行い、樹脂が硬化を開始した後は前記ク
ランプ装置及びプランジャ保持装置によって保圧を低圧
で行う。そのため、樹脂をキャビティ内に注入した後、
樹脂の硬化が開始した後の設定時間が経過すると、前記
可動プラテンが開かれ、前記テーブルによってプレス側
位置にある金型セットが自動機側位置に、自動機側位置
にある金型セットがプレス側位置に移動させられる。
【００２０】そして、自動機側位置に移動させられた金
型セットにおいては、クランプ装置及びプランジャ保持
装置による保圧が継続され、保圧が終了した後、クラン
プ装置が解除され、型開閉装置によって型開きが行わ
れ、前記金型セットの自動機側位置に隣接して配設され
たアンローダ装置によって半導体が搬出される。一方、
プレス側位置に移動させられた金型セットにおいては樹
脂の注入及び高圧による保圧が行われる。
型セットにおいては、クランプ装置及びプランジャ保持
装置による保圧が継続され、保圧が終了した後、クラン
プ装置が解除され、型開閉装置によって型開きが行わ
れ、前記金型セットの自動機側位置に隣接して配設され
たアンローダ装置によって半導体が搬出される。一方、
プレス側位置に移動させられた金型セットにおいては樹
脂の注入及び高圧による保圧が行われる。
【００２１】図５は従来の半導体封止装置のタイムチャ
ート、図１０は本発明の実施例を示す半導体封止装置の
タイムチャートである。従来の半導体封止装置において
は、樹脂を硬化させるための保圧作業が長くサイクルタ
イムを短縮するには限界がある。本発明の半導体封止装
置においては、この保圧作業をプレス側位置で行う高圧
の保圧と自動機側位置で行う低圧の保圧で構成する。そ
して、対の金型をプレス側位置と自動機側位置で交換す
ることによってサイクルタイムの短縮を可能にしてい
る。
ート、図１０は本発明の実施例を示す半導体封止装置の
タイムチャートである。従来の半導体封止装置において
は、樹脂を硬化させるための保圧作業が長くサイクルタ
イムを短縮するには限界がある。本発明の半導体封止装
置においては、この保圧作業をプレス側位置で行う高圧
の保圧と自動機側位置で行う低圧の保圧で構成する。そ
して、対の金型をプレス側位置と自動機側位置で交換す
ることによってサイクルタイムの短縮を可能にしてい
る。
【００２２】
【実施例】以下、本発明の実施例について図面を参照し
ながら詳細に説明する。図１は本発明の実施例を示す半
導体封止装置の側面図、図７は本発明の実施例を示す半
導体封止装置の平面図、図８は本発明の実施例を示す半
導体封止装置の要部断面図である。
ながら詳細に説明する。図１は本発明の実施例を示す半
導体封止装置の側面図、図７は本発明の実施例を示す半
導体封止装置の平面図、図８は本発明の実施例を示す半
導体封止装置の要部断面図である。
【００２３】図において、１０はプレス、４８ａは上固
定プラテン、４８ｂは下固定プラテンである。そして、
前記上固定プラテン４８ａと下固定プラテン４８ｂの間
にタイバー１３，５０が架設される。４９は前記下固定
プラテン４８ｂと対向して配設された可動プラテンであ
り、タイバー１３，５０に沿って移動自在に配設され
る。
定プラテン、４８ｂは下固定プラテンである。そして、
前記上固定プラテン４８ａと下固定プラテン４８ｂの間
にタイバー１３，５０が架設される。４９は前記下固定
プラテン４８ｂと対向して配設された可動プラテンであ
り、タイバー１３，５０に沿って移動自在に配設され
る。
【００２４】また、５１は前記可動プラテン４９と下固
定プラテン４８ｂの間に配設された回転テーブルであ
り、タイバー５０を軸として回転させられる。該回転テ
ーブル５１の上には軸回りに１８０〔°〕離れた箇所に
一対の金型セット５３が配設され、回転テーブル５１が
回転するのに伴って金型セット５３はプレス側位置Ｓ1
と自動機側位置Ｓ2 とを選択的に採る。
定プラテン４８ｂの間に配設された回転テーブルであ
り、タイバー５０を軸として回転させられる。該回転テ
ーブル５１の上には軸回りに１８０〔°〕離れた箇所に
一対の金型セット５３が配設され、回転テーブル５１が
回転するのに伴って金型セット５３はプレス側位置Ｓ1
と自動機側位置Ｓ2 とを選択的に採る。
【００２５】前記金型セット５３は上金型５３ａ及び下
金型５３ｂから成る。そして、前記上金型５３ａ及び下
金型５３ｂは互いに対向する面に、それぞれ所定の形状
の複数の凹部を有し、型締め時に該凹部によってキャビ
ティ５５を形成する。また、前記プレス１０は金型セッ
ト５３のプレス側位置Ｓ1 における上方に型締装置５６
を、下方にトランスファ装置６１を有し、前記金型セッ
ト５３の自動機側位置Ｓ2 における上方に型開閉装置５
７を、下方にエジェクタ装置５８を有する。
金型５３ｂから成る。そして、前記上金型５３ａ及び下
金型５３ｂは互いに対向する面に、それぞれ所定の形状
の複数の凹部を有し、型締め時に該凹部によってキャビ
ティ５５を形成する。また、前記プレス１０は金型セッ
ト５３のプレス側位置Ｓ1 における上方に型締装置５６
を、下方にトランスファ装置６１を有し、前記金型セッ
ト５３の自動機側位置Ｓ2 における上方に型開閉装置５
７を、下方にエジェクタ装置５８を有する。
【００２６】前記下金型５３ｂは、プレス側位置Ｓ1 に
おいてトランスファ装置６１による樹脂の注入が行わ
れ、自動機側位置Ｓ2 においてエジェクタ装置５８によ
る図示しない半導体の突出しが行われるようになってい
る。一方、上金型５３ａはプレス側位置Ｓ1 において前
記型締装置５６による型締めが行われ、自動機側位置Ｓ
2 において型開閉装置５７による型開き及び型閉じが行
われるようになっている。すなわち、上金型５３ａは型
開き時に上昇させられ、型閉じ時に下降させられる。
おいてトランスファ装置６１による樹脂の注入が行わ
れ、自動機側位置Ｓ2 においてエジェクタ装置５８によ
る図示しない半導体の突出しが行われるようになってい
る。一方、上金型５３ａはプレス側位置Ｓ1 において前
記型締装置５６による型締めが行われ、自動機側位置Ｓ
2 において型開閉装置５７による型開き及び型閉じが行
われるようになっている。すなわち、上金型５３ａは型
開き時に上昇させられ、型閉じ時に下降させられる。
【００２７】そして、前記下金型５３ｂの上側表面に
は、前記上金型５３ａに向けて開口する複数のポット３
０が形成される。また、該ポット３０は前記下金型５３
ｂを貫通して形成されたプランジャシリンダ５３ｃと連
通し、ポット３０内にプランジャヘッド３３が摺動自在
に配設される。そして、前記ポット３０内に図示しない
タブレット状の樹脂を挿入し、加圧して溶解させること
ができるようになっている。
は、前記上金型５３ａに向けて開口する複数のポット３
０が形成される。また、該ポット３０は前記下金型５３
ｂを貫通して形成されたプランジャシリンダ５３ｃと連
通し、ポット３０内にプランジャヘッド３３が摺動自在
に配設される。そして、前記ポット３０内に図示しない
タブレット状の樹脂を挿入し、加圧して溶解させること
ができるようになっている。
【００２８】前記プランジャヘッド３３はプランジャ３
４に接続され、該プランジャ３４はプレス側位置Ｓ1 に
おいてトランスファシリンダ５９に選択的に接続され
る。そして、プランジャ３４がトランスファシリンダ５
９に接続されたとき、トランスファ装置６１を駆動して
プランジャヘッド３３を上方に移動させ、前記ポット３
０内で加圧されて溶解させられた樹脂をキャビティ５５
内に注入することができる。
４に接続され、該プランジャ３４はプレス側位置Ｓ1 に
おいてトランスファシリンダ５９に選択的に接続され
る。そして、プランジャ３４がトランスファシリンダ５
９に接続されたとき、トランスファ装置６１を駆動して
プランジャヘッド３３を上方に移動させ、前記ポット３
０内で加圧されて溶解させられた樹脂をキャビティ５５
内に注入することができる。
【００２９】ところで、前記上金型５３ａと下金型５３
ｂはプレス側位置Ｓ1 から自動機側位置Ｓ2 に移動させ
られる間及び保圧中においてクランプされ、また、その
間プランジャ３４が保持されるようになっている。その
ため、上金型５３ａと下金型５３ｂの間にクランプ装置
６５が配設される。該クランプ装置６５は、前記上金型
５３ａに形成された突出片６５ａ、及び前記下金型５３
ｂに揺動自在に配設された揺動片６５ｂから成り、該揺
動片６５ｂを突出片６５ａに対して係脱することによっ
て上金型５３ａと下金型５３ｂをクランプすることがで
きるようになっている。
ｂはプレス側位置Ｓ1 から自動機側位置Ｓ2 に移動させ
られる間及び保圧中においてクランプされ、また、その
間プランジャ３４が保持されるようになっている。その
ため、上金型５３ａと下金型５３ｂの間にクランプ装置
６５が配設される。該クランプ装置６５は、前記上金型
５３ａに形成された突出片６５ａ、及び前記下金型５３
ｂに揺動自在に配設された揺動片６５ｂから成り、該揺
動片６５ｂを突出片６５ａに対して係脱することによっ
て上金型５３ａと下金型５３ｂをクランプすることがで
きるようになっている。
【００３０】また、プランジャ３４と下金型５３ｂの間
にプランジャ保持装置６６が配設される。該プランジャ
保持装置６６は、前記プランジャ３４に固定されたフラ
ンジ部６６ａ、及び前記下金型５３ｂに進退自在に配設
された係止片６６ｂから成り、該係止片６６ｂをフラン
ジ部６６ａに対して係脱することによってプランジャ３
４を保持することができるようになっている。
にプランジャ保持装置６６が配設される。該プランジャ
保持装置６６は、前記プランジャ３４に固定されたフラ
ンジ部６６ａ、及び前記下金型５３ｂに進退自在に配設
された係止片６６ｂから成り、該係止片６６ｂをフラン
ジ部６６ａに対して係脱することによってプランジャ３
４を保持することができるようになっている。
【００３１】このように、上金型５３ａと下金型５３ｂ
はプレス側位置Ｓ1 から自動機側位置Ｓ2 に移動させら
れる間及び保圧中においてクランプされ、また、その間
プランジャ３４が保持される。したがって、その間、他
方の金型セット５３を自動機側位置Ｓ2 からプレス側位
置Ｓ1 に移動させ、型締め及び樹脂の注入を行うことが
できる。
はプレス側位置Ｓ1 から自動機側位置Ｓ2 に移動させら
れる間及び保圧中においてクランプされ、また、その間
プランジャ３４が保持される。したがって、その間、他
方の金型セット５３を自動機側位置Ｓ2 からプレス側位
置Ｓ1 に移動させ、型締め及び樹脂の注入を行うことが
できる。
【００３２】次に、前記構成の半導体封止装置の動作に
ついて説明する。前記下金型５３ｂに図示しない半導体
素子組立体を搭載するために半導体素子組立体供給側カ
セット３５が配設され、該半導体素子組立体供給側カセ
ット３５に半導体素子組立体が収納される。そして、該
半導体素子組立体はローダ装置３８によって搬入され、
自動機側位置Ｓ2 にある金型セット５３の下金型５３ｂ
に搭載される。
ついて説明する。前記下金型５３ｂに図示しない半導体
素子組立体を搭載するために半導体素子組立体供給側カ
セット３５が配設され、該半導体素子組立体供給側カセ
ット３５に半導体素子組立体が収納される。そして、該
半導体素子組立体はローダ装置３８によって搬入され、
自動機側位置Ｓ2 にある金型セット５３の下金型５３ｂ
に搭載される。
【００３３】また、タブレット状の樹脂は図示しないタ
ブレットマガジンから取り出され、必要に応じて予熱さ
れ、前記下金型５３ｂのポット３０内に挿入される。そ
して、型開閉装置５７が駆動され、下金型５３ｂに上金
型５３ａを密着させて型閉じを行う。次に、前記クラン
プ装置６５によって上金型５３ａと下金型５３ｂがクラ
ンプされ、簡易型締めが行われる。
ブレットマガジンから取り出され、必要に応じて予熱さ
れ、前記下金型５３ｂのポット３０内に挿入される。そ
して、型開閉装置５７が駆動され、下金型５３ｂに上金
型５３ａを密着させて型閉じを行う。次に、前記クラン
プ装置６５によって上金型５３ａと下金型５３ｂがクラ
ンプされ、簡易型締めが行われる。
【００３４】一方、プレス側位置Ｓ1 にある金型セット
５３においては、プランジャ３４がプランジャ保持装置
６６によって保持され、前記トランスファ装置６１から
分離される。この状態において、前記回転テーブル５１
が回転させられ、自動機側位置Ｓ2にある金型セット５
３がプレス側位置Ｓ1 に、プレス側位置Ｓ1 にある金型
セット５３が自動機側位置Ｓ2 に移動させられる。
５３においては、プランジャ３４がプランジャ保持装置
６６によって保持され、前記トランスファ装置６１から
分離される。この状態において、前記回転テーブル５１
が回転させられ、自動機側位置Ｓ2にある金型セット５
３がプレス側位置Ｓ1 に、プレス側位置Ｓ1 にある金型
セット５３が自動機側位置Ｓ2 に移動させられる。
【００３５】プレス側位置Ｓ1 に移動させられた金型セ
ット５３においては、可動プラテン４９が閉じられ、型
締装置５６による型締めが行われた後、プランジャ３４
がトランスファシリンダ５９に接続される。そして、ト
ランスファ装置６１を駆動してプランジャヘッド３３を
上方に移動させ、前記ポット３０内で加圧されて溶解さ
せられた樹脂をキャビティ５５内に注入し、前記半導体
素子を封止することができる。なお、４３はアンローダ
装置、４４は収納マガジンである。
ット５３においては、可動プラテン４９が閉じられ、型
締装置５６による型締めが行われた後、プランジャ３４
がトランスファシリンダ５９に接続される。そして、ト
ランスファ装置６１を駆動してプランジャヘッド３３を
上方に移動させ、前記ポット３０内で加圧されて溶解さ
せられた樹脂をキャビティ５５内に注入し、前記半導体
素子を封止することができる。なお、４３はアンローダ
装置、４４は収納マガジンである。
【００３６】ところで、前記樹脂としては熱硬化性のも
のが使用される。そこで、図９を併用して熱硬化性の樹
脂の硬化パターンについて説明する。図９に熱硬化性の
樹脂の硬化パターンの例を示す図である。図の横軸は時
間を、縦軸は平均見掛け粘度を示す。図に示すように、
熱硬化性の樹脂の加熱を開始した後約２０秒が経過する
と、樹脂は十分な粘度を有するようになり、自然に硬化
していく。
のが使用される。そこで、図９を併用して熱硬化性の樹
脂の硬化パターンについて説明する。図９に熱硬化性の
樹脂の硬化パターンの例を示す図である。図の横軸は時
間を、縦軸は平均見掛け粘度を示す。図に示すように、
熱硬化性の樹脂の加熱を開始した後約２０秒が経過する
と、樹脂は十分な粘度を有するようになり、自然に硬化
していく。
【００３７】したがって、その後は型締装置５６及びト
ランスファ装置６１を使用する保圧は不要になり、保圧
力を低くすることができる。そこで、樹脂を注入してい
る間及び樹脂が硬化を開始するまでは前記型締装置５６
及びトランスファ装置６１によって型締め及び保圧を高
圧で行い、樹脂が硬化を開始した後は前記クランプ装置
６５及びプランジャ保持装置６６によって保圧を低圧で
行うようにする。
ランスファ装置６１を使用する保圧は不要になり、保圧
力を低くすることができる。そこで、樹脂を注入してい
る間及び樹脂が硬化を開始するまでは前記型締装置５６
及びトランスファ装置６１によって型締め及び保圧を高
圧で行い、樹脂が硬化を開始した後は前記クランプ装置
６５及びプランジャ保持装置６６によって保圧を低圧で
行うようにする。
【００３８】そのため、前記ポット３０内で加圧して溶
解させた樹脂をキャビティ５５内に注入した後、設定時
間が経過すると、前記可動プラテン４９が開かれ、前記
回転テーブル５１が回転させられて、プレス側位置Ｓ1
にある金型セット５３が自動機側位置Ｓ2 に、自動機側
位置Ｓ2 にある金型セット５３がプレス側位置Ｓ1 に移
動させられる。
解させた樹脂をキャビティ５５内に注入した後、設定時
間が経過すると、前記可動プラテン４９が開かれ、前記
回転テーブル５１が回転させられて、プレス側位置Ｓ1
にある金型セット５３が自動機側位置Ｓ2 に、自動機側
位置Ｓ2 にある金型セット５３がプレス側位置Ｓ1 に移
動させられる。
【００３９】そして、自動機側位置Ｓ2 に移動させられ
た金型セット５３においては、クランプ装置６５及びプ
ランジャ保持装置６６による保圧が継続され、保圧が終
了した後、クランプ装置６５が解除され、型開閉装置５
７によって上金型５３ａが上方に移動させられて型開き
が行われる。また、この時エジェクタ装置５８によって
半導体は下金型５３ｂから分離させられる。
た金型セット５３においては、クランプ装置６５及びプ
ランジャ保持装置６６による保圧が継続され、保圧が終
了した後、クランプ装置６５が解除され、型開閉装置５
７によって上金型５３ａが上方に移動させられて型開き
が行われる。また、この時エジェクタ装置５８によって
半導体は下金型５３ｂから分離させられる。
【００４０】型開きが終了すると、アンローダ装置４３
は半導体を搬出して収納マガジン４４に収納する。この
時、前記上金型５３ａ及び下金型５３ｂの表面には樹脂
かすが残留する。そこで、図示しないダイクリーナによ
って前記上金型５３ａ及び下金型５３ｂのクリーニング
が行われる。そして、次の半導体素子組立体はローダ装
置３８によって自動機側位置Ｓ2 にある金型セット５３
の下金型５３ｂに搭載される。また、タブレット状の樹
脂はタブレットマガジンから取り出され、必要に応じて
予熱され、搬送されて前記下金型５３ｂのポット３０内
に挿入される。
は半導体を搬出して収納マガジン４４に収納する。この
時、前記上金型５３ａ及び下金型５３ｂの表面には樹脂
かすが残留する。そこで、図示しないダイクリーナによ
って前記上金型５３ａ及び下金型５３ｂのクリーニング
が行われる。そして、次の半導体素子組立体はローダ装
置３８によって自動機側位置Ｓ2 にある金型セット５３
の下金型５３ｂに搭載される。また、タブレット状の樹
脂はタブレットマガジンから取り出され、必要に応じて
予熱され、搬送されて前記下金型５３ｂのポット３０内
に挿入される。
【００４１】一方、プレス側位置Ｓ1 に移動させられた
金型セット５３においては、再び可動プラテン４９が閉
じられ、型締装置５６による型締めが行われた後、プラ
ンジャ３４がトランスファシリンダ５９に接続される。
そして、トランスファ装置６１を駆動してプランジャヘ
ッド３３を上方に移動させ、前記ポット３０内で加圧さ
れて溶解させられた樹脂をキャビティ５５内に注入して
前記半導体素子を封止することができる。
金型セット５３においては、再び可動プラテン４９が閉
じられ、型締装置５６による型締めが行われた後、プラ
ンジャ３４がトランスファシリンダ５９に接続される。
そして、トランスファ装置６１を駆動してプランジャヘ
ッド３３を上方に移動させ、前記ポット３０内で加圧さ
れて溶解させられた樹脂をキャビティ５５内に注入して
前記半導体素子を封止することができる。
【００４２】図１０は本発明の実施例を示す半導体封止
装置のタイムチャートである。図に示すように、金型セ
ット５３（図１）のプレス側位置Ｓ1 においては、可動
プラテン４９が閉じられ、樹脂がキャビティ５５（図
８）内に注入され、保圧が高圧で行われた後、可動プラ
テン４９が開かれるとともに、この動作が各金型セット
５３について繰り返される。
装置のタイムチャートである。図に示すように、金型セ
ット５３（図１）のプレス側位置Ｓ1 においては、可動
プラテン４９が閉じられ、樹脂がキャビティ５５（図
８）内に注入され、保圧が高圧で行われた後、可動プラ
テン４９が開かれるとともに、この動作が各金型セット
５３について繰り返される。
【００４３】また、金型セット５３の自動機側位置Ｓ2
においては、保圧が低圧で行われ、型開きが行われ、半
導体が搬出された後、クリーニングが行われ、次の半導
体素子組立体が搬入されて型閉じが行われるとともに、
この動作が各金型セット５３について繰り返される。こ
のようにすることによって、保圧を低圧で行っている間
に樹脂の注入を行うことができ、サイクルタイムを従来
のサイクルタイムＴ0 の１／２の時間に短縮することが
できる。
においては、保圧が低圧で行われ、型開きが行われ、半
導体が搬出された後、クリーニングが行われ、次の半導
体素子組立体が搬入されて型閉じが行われるとともに、
この動作が各金型セット５３について繰り返される。こ
のようにすることによって、保圧を低圧で行っている間
に樹脂の注入を行うことができ、サイクルタイムを従来
のサイクルタイムＴ0 の１／２の時間に短縮することが
できる。
【００４４】本実施例においては、一対の金型セット５
３は同じものを使用しているが、互いに異なるものを使
用することもできる。この場合、異種の半導体素子を同
時に封止することができる。なお、本発明は前記実施例
に限定されるものではなく、本発明の趣旨に基づいて種
々変形することが可能であり、それらを本発明の範囲か
ら排除するものではない。
３は同じものを使用しているが、互いに異なるものを使
用することもできる。この場合、異種の半導体素子を同
時に封止することができる。なお、本発明は前記実施例
に限定されるものではなく、本発明の趣旨に基づいて種
々変形することが可能であり、それらを本発明の範囲か
ら排除するものではない。
【００４５】
【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明によ
れば半導体封止装置においては、熱硬化性の樹脂を使用
して半導体素子を封止するようになっていて、対の金型
セットを移動させ、プレス側位置と自動機側位置を採ら
せるテーブルが配設される。前記金型セットの自動機側
位置に隣接してローダ装置が配設され、該ローダ装置に
よって半導体素子組立体が搬入され、また、前記金型セ
ットの自動機側位置に隣接してアンローダ装置が配設さ
れ、該アンローダ装置によって半導体が搬出される。
れば半導体封止装置においては、熱硬化性の樹脂を使用
して半導体素子を封止するようになっていて、対の金型
セットを移動させ、プレス側位置と自動機側位置を採ら
せるテーブルが配設される。前記金型セットの自動機側
位置に隣接してローダ装置が配設され、該ローダ装置に
よって半導体素子組立体が搬入され、また、前記金型セ
ットの自動機側位置に隣接してアンローダ装置が配設さ
れ、該アンローダ装置によって半導体が搬出される。
【００４６】そして、前記金型セットの自動機側位置に
おいては、金型セットの上方に型開閉装置が配設され、
型開き及び型閉じを行う。一方、前記金型セットのプレ
ス側位置においては、金型セットの上方に型締装置が配
設され、可動プラテンの開閉を行うとともに、下方にト
ランスファ装置が配設され、プランジャを上昇させた時
に、溶解させられた前記樹脂をキャビティ内に注入す
る。
おいては、金型セットの上方に型開閉装置が配設され、
型開き及び型閉じを行う。一方、前記金型セットのプレ
ス側位置においては、金型セットの上方に型締装置が配
設され、可動プラテンの開閉を行うとともに、下方にト
ランスファ装置が配設され、プランジャを上昇させた時
に、溶解させられた前記樹脂をキャビティ内に注入す
る。
【００４７】さらに、前記金型セットの金型をクランプ
するクランプ装置と、前記プランジャを保持するプラン
ジャ保持装置とを有する。したがって、樹脂を注入して
いる間及び樹脂が硬化を開始するまでは金型セットをプ
レス側の型締装置によって型締め及び保圧を高圧で行
い、樹脂が硬化を開始した後は金型セットを自動機側位
置に移動させ、前記クランプ装置及びプランジャ保持装
置によって保圧を低圧で行うことができる。
するクランプ装置と、前記プランジャを保持するプラン
ジャ保持装置とを有する。したがって、樹脂を注入して
いる間及び樹脂が硬化を開始するまでは金型セットをプ
レス側の型締装置によって型締め及び保圧を高圧で行
い、樹脂が硬化を開始した後は金型セットを自動機側位
置に移動させ、前記クランプ装置及びプランジャ保持装
置によって保圧を低圧で行うことができる。
【００４８】その結果、保圧を低圧で行っている間にプ
レス側位置に移動させられた金型セットにおいては樹脂
の注入を行うことができ、サイクルタイムを短縮するこ
とができ、封止作業の生産性を向上させることができ
る。しかも、取り枚数は従来の半導体封止装置と同じな
ので型締力を増大させる必要はなく、半導体封止装置を
小型にするとともに、重量を小さくすることができる。
レス側位置に移動させられた金型セットにおいては樹脂
の注入を行うことができ、サイクルタイムを短縮するこ
とができ、封止作業の生産性を向上させることができ
る。しかも、取り枚数は従来の半導体封止装置と同じな
ので型締力を増大させる必要はなく、半導体封止装置を
小型にするとともに、重量を小さくすることができる。
【図１】本発明の実施例を示す半導体封止装置の側面図
である。
である。
【図２】従来の半導体封止装置の正面図である。
【図３】従来の半導体封止装置の平面図である。
【図４】従来の半導体封止装置の要部断面図である。
【図５】従来の半導体封止装置のタイムチャートであ
る。
る。
【図６】従来の他の半導体封止装置の正面図である。
【図７】本発明の実施例を示す半導体封止装置の平面図
である。
である。
【図８】本発明の実施例を示す半導体封止装置の要部断
面図である。
面図である。
【図９】熱硬化性の樹脂の硬化パターンの例を示す図で
ある。
ある。
【図１０】本発明の実施例を示す半導体封止装置のタイ
ムチャートである。
ムチャートである。
３４ プランジャ ３８ ローダ装置 ４３ アンローダ装置 ４９ 可動プラテン ５１ 回転テーブル ５３ 金型セット ５５ キャビティ ５６ 型締装置 ５７ 型開閉装置 ６１ トランスファ装置 ６５ クランプ装置 ６６ プランジャ保持装置 Ｓ1 プレス側位置 Ｓ2 自動機側位置
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 // Ｂ２９Ｌ 31:34
Claims (1)
- 【請求項１】 熱硬化性の樹脂を使用して半導体素子を
封止する半導体封止装置において、（ａ）対の金型セッ
トを移動させ、プレス側位置と自動機側位置を採らせる
テーブルと、（ｂ）前記金型セットの自動機側位置に隣
接して配設され、半導体素子組立体を搬入するローダ装
置と、（ｃ）前記金型セットの自動機側位置における上
方に配設され、型開き及び型閉じを行う型開閉装置と、
（ｄ）前記金型セットのプレス側位置における上方に配
設され、可動プラテンの開閉を行う型締装置と、（ｅ）
前記金型セットのプレス側位置における下方に配設さ
れ、プランジャを上昇させた時に、溶解させられた前記
樹脂をキャビティ内に注入するトランスファ装置と、
（ｆ）前記金型セットの自動機側位置に隣接して配設さ
れ、半導体を搬出するアンローダ装置と、（ｇ）前記金
型セットの金型をクランプするクランプ装置と、（ｈ）
前記プランジャを保持するプランジャ保持装置とを有す
ることを特徴とする半導体封止装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17782693A JPH0732406A (ja) | 1993-07-19 | 1993-07-19 | 半導体封止装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17782693A JPH0732406A (ja) | 1993-07-19 | 1993-07-19 | 半導体封止装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0732406A true JPH0732406A (ja) | 1995-02-03 |
Family
ID=16037785
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17782693A Withdrawn JPH0732406A (ja) | 1993-07-19 | 1993-07-19 | 半導体封止装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0732406A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006016609A1 (ja) * | 2004-08-11 | 2006-02-16 | Japan Gmt Co., Ltd. | スタンピング成形金型、スタンピング成形装置、スタンピング成形品の製造方法およびスタンピング成形品 |
| JP2012045734A (ja) * | 2010-08-24 | 2012-03-08 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | 封止装置及び封止方法 |
-
1993
- 1993-07-19 JP JP17782693A patent/JPH0732406A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006016609A1 (ja) * | 2004-08-11 | 2006-02-16 | Japan Gmt Co., Ltd. | スタンピング成形金型、スタンピング成形装置、スタンピング成形品の製造方法およびスタンピング成形品 |
| JP2012045734A (ja) * | 2010-08-24 | 2012-03-08 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | 封止装置及び封止方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20001003 |