JPH07321425A - エアブリッジ配線を有する電子部品およびその製造方法 - Google Patents
エアブリッジ配線を有する電子部品およびその製造方法Info
- Publication number
- JPH07321425A JPH07321425A JP6111376A JP11137694A JPH07321425A JP H07321425 A JPH07321425 A JP H07321425A JP 6111376 A JP6111376 A JP 6111376A JP 11137694 A JP11137694 A JP 11137694A JP H07321425 A JPH07321425 A JP H07321425A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- air bridge
- bridge wiring
- layer resist
- lower layer
- post
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 24
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims abstract description 36
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 19
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 19
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 18
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 12
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 claims description 7
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 claims description 3
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 claims description 2
- 238000001017 electron-beam sputter deposition Methods 0.000 claims 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
- H01L21/4814—Conductive parts
- H01L21/4846—Leads on or in insulating or insulated substrates, e.g. metallisation
- H01L21/4857—Multilayer substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F17/00—Fixed inductances of the signal type
- H01F17/0006—Printed inductances
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F41/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties
- H01F41/02—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for manufacturing cores, coils, or magnets
- H01F41/04—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for manufacturing cores, coils, or magnets for manufacturing coils
- H01F41/041—Printed circuit coils
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
- H01L21/76801—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing
- H01L21/7682—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing the dielectric comprising air gaps
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
- H01L23/538—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames the interconnection structure between a plurality of semiconductor chips being formed on, or in, insulating substrates
- H01L23/5381—Crossover interconnections, e.g. bridge stepovers
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/46—Manufacturing multilayer circuits
- H05K3/4685—Manufacturing of cross-over conductors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Manufacturing Cores, Coils, And Magnets (AREA)
- Coils Or Transformers For Communication (AREA)
- Printing Elements For Providing Electric Connections Between Printed Circuits (AREA)
- Structure Of Printed Boards (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】エアブリッジ配線の本体が平坦で、配線の損失
がなく、Qが高く、そして消費電力の低減が可能なエア
ブリッジ配線を有する電子部品およびその製造方法を提
供する。 【構成】ポスト土台電極2a、2b上のポスト4aの選
択メッキと、エアブリッジ配線本体4bの選択メッキと
の2段階選択メッキにより、平坦な構造のエアブリッジ
配線本体を得る。
がなく、Qが高く、そして消費電力の低減が可能なエア
ブリッジ配線を有する電子部品およびその製造方法を提
供する。 【構成】ポスト土台電極2a、2b上のポスト4aの選
択メッキと、エアブリッジ配線本体4bの選択メッキと
の2段階選択メッキにより、平坦な構造のエアブリッジ
配線本体を得る。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、平坦な構造のエアブリ
ッジ配線を有する電子部品およびその製造方法に関す
る。
ッジ配線を有する電子部品およびその製造方法に関す
る。
【0002】
【従来の技術】従来のエアブリッジ配線を有する電子部
品は、図11に示すように、エアブリッジ配線本体14
bが、ポスト14a上部において、その製造方法に起因
する凹状の配線段差部14cを有していた。この従来構
造のエアブリッジ配線を有する電子部品の製造方法につ
いて、図7乃至図11を参照して説明する。図7に示す
ように、基板11にポスト土台電極12a、12bと、
これらのポスト土台電極12a、12bの間にブリッジ
される下層配線12cとを形成する。つぎに、ポスト土
台電極12a、12bの上に、開口13aが形成される
ように、そして下層配線12cが覆われるように、基板
11上に下層レジスト13を形成する。
品は、図11に示すように、エアブリッジ配線本体14
bが、ポスト14a上部において、その製造方法に起因
する凹状の配線段差部14cを有していた。この従来構
造のエアブリッジ配線を有する電子部品の製造方法につ
いて、図7乃至図11を参照して説明する。図7に示す
ように、基板11にポスト土台電極12a、12bと、
これらのポスト土台電極12a、12bの間にブリッジ
される下層配線12cとを形成する。つぎに、ポスト土
台電極12a、12bの上に、開口13aが形成される
ように、そして下層配線12cが覆われるように、基板
11上に下層レジスト13を形成する。
【0003】図8に示すように、下層レジスト13およ
びポスト土台電極12a、12bの開口13aに、メッ
キ用給電膜15を形成する。
びポスト土台電極12a、12bの開口13aに、メッ
キ用給電膜15を形成する。
【0004】図9に示すように、ポスト土台電極12
a、12bおよび下層配線12c上のメッキ用給電膜上
に、所定のブリッジ配線本体の長さに相当する開口16
aが形成されるように、上層レジスト16を形成する。
a、12bおよび下層配線12c上のメッキ用給電膜上
に、所定のブリッジ配線本体の長さに相当する開口16
aが形成されるように、上層レジスト16を形成する。
【0005】図10に示すように、エアブリッジ配線の
ポスト14aと本体14bとなる金属を同時に形成す
る。そして、下層レジスト13、その上のメッキ用給電
膜15および上層レジスト16を除去して、図11に示
すようなエアブリッジ配線を有する電子部品が製造され
る。
ポスト14aと本体14bとなる金属を同時に形成す
る。そして、下層レジスト13、その上のメッキ用給電
膜15および上層レジスト16を除去して、図11に示
すようなエアブリッジ配線を有する電子部品が製造され
る。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図11
に示すような従来のエアブリッジ配線を有する電子部品
は、エアブリッジ配線のポスト14aと本体14bとな
る金属を同時に設けることによって製造されるので、ポ
スト14a上部のエアブリッジ配線本体14bに配線段
差部14cが形成され、この配線段差部14cは、配線
膜厚のばらつきを生じさせ、導体損およびQ劣化の原因
となっていた。
に示すような従来のエアブリッジ配線を有する電子部品
は、エアブリッジ配線のポスト14aと本体14bとな
る金属を同時に設けることによって製造されるので、ポ
スト14a上部のエアブリッジ配線本体14bに配線段
差部14cが形成され、この配線段差部14cは、配線
膜厚のばらつきを生じさせ、導体損およびQ劣化の原因
となっていた。
【0007】したがって、本発明は、エアブリッジ配線
の本体が平坦で、配線の損失がなく、Qが高く、そして
消費電力の低減が可能なエアブリッジ配線を有する電子
部品およびその製造方法を提供することを目的とする。
の本体が平坦で、配線の損失がなく、Qが高く、そして
消費電力の低減が可能なエアブリッジ配線を有する電子
部品およびその製造方法を提供することを目的とする。
【0008】
1)ポスト土台電極上のポストに形成されたエアブリッ
ジ配線本体が平坦な構造よりなることを特徴とするエア
ブリッジ配線を有する電子部品。
ジ配線本体が平坦な構造よりなることを特徴とするエア
ブリッジ配線を有する電子部品。
【0009】2)以下の工程よりなることを特徴とする
エアブリッジ配線を有する電子部品の製造方法。 1.基板に、エアブリッジ配線のポスト土台電極を形成
する工程と、 2.前記ポスト土台電極上にポスト用開口を有する下層
レジストを、基板に形成する工程と、 3.前記ポスト土台電極上のポスト用開口に、金属を下
層レジストと同一平面になるように、設ける工程と、 4.前記金属および下層レジストの上に、メッキ用給電
膜を形成する工程と、 5.前記メッキ用給電膜の上に、エアブリッジ配線本体
の長さに相当する本体用開口を有する上層レジストを形
成する工程と、 6.前記本体用開口に、電解メッキによりエアブリッジ
配線本体の金属を形成する工程と、および 7.下層レジスト、メッキ用給電膜および上層レジスト
を除去する工程。
エアブリッジ配線を有する電子部品の製造方法。 1.基板に、エアブリッジ配線のポスト土台電極を形成
する工程と、 2.前記ポスト土台電極上にポスト用開口を有する下層
レジストを、基板に形成する工程と、 3.前記ポスト土台電極上のポスト用開口に、金属を下
層レジストと同一平面になるように、設ける工程と、 4.前記金属および下層レジストの上に、メッキ用給電
膜を形成する工程と、 5.前記メッキ用給電膜の上に、エアブリッジ配線本体
の長さに相当する本体用開口を有する上層レジストを形
成する工程と、 6.前記本体用開口に、電解メッキによりエアブリッジ
配線本体の金属を形成する工程と、および 7.下層レジスト、メッキ用給電膜および上層レジスト
を除去する工程。
【0010】3)上記2項記載のエアブリッジ配線を有
する電子部品の製造方法において、メッキ用給電膜が電
子ビーム蒸着またはスパッタリングで形成されることを
特徴とするエアブリッジ配線を有する電子部品の製造方
法。
する電子部品の製造方法において、メッキ用給電膜が電
子ビーム蒸着またはスパッタリングで形成されることを
特徴とするエアブリッジ配線を有する電子部品の製造方
法。
【0011】4)以下の工程よりなるエアブリッジ配線
を有する電子部品の製造方法。 1.基板に、エアブリッジ配線のポスト土台電極を形成
する工程と、 2.前記ポスト土台電極上にポスト用開口を有する下層
レジストを、基板に形成する工程と、 3.前記ポスト土台電極上のポスト用開口に、金属を下
層レジストと同一平面になるように、設ける工程と、 4.前記金属および下層レジストの上にエアブリッジ配
線本体の長さに相当する本体用開口を有する上層レジス
トを、下層レジスト上に形成する工程と、 5.前記本体用開口に、無電解メッキによりエアブリッ
ジ配線本体の金属を形成する工程と、および 6.下層レジストおよび上層レジストを除去する工程。
を有する電子部品の製造方法。 1.基板に、エアブリッジ配線のポスト土台電極を形成
する工程と、 2.前記ポスト土台電極上にポスト用開口を有する下層
レジストを、基板に形成する工程と、 3.前記ポスト土台電極上のポスト用開口に、金属を下
層レジストと同一平面になるように、設ける工程と、 4.前記金属および下層レジストの上にエアブリッジ配
線本体の長さに相当する本体用開口を有する上層レジス
トを、下層レジスト上に形成する工程と、 5.前記本体用開口に、無電解メッキによりエアブリッ
ジ配線本体の金属を形成する工程と、および 6.下層レジストおよび上層レジストを除去する工程。
【0012】
【作用】本発明に係るエアブリッジ配線を有する電子部
品は、エアブリッジ配線本体が平坦な構造に形成される
ので、エアブリッジ配線の損失がなくなり、Qが高くな
って、そして消費電力が低減する。
品は、エアブリッジ配線本体が平坦な構造に形成される
ので、エアブリッジ配線の損失がなくなり、Qが高くな
って、そして消費電力が低減する。
【0013】また、本発明に係るエアブリッジ配線を有
する電子部品の製造方法は、エアブリッジ配線のポスト
を周囲の下層レジスト表面の高さと同一に形成する選択
メッキと、これらの上にエアブリッジ配線本体の金属膜
を形成する選択メッキとの2段階選択メッキにより行う
ので、エアブリッジ配線の本体が平坦に形成されること
になる。
する電子部品の製造方法は、エアブリッジ配線のポスト
を周囲の下層レジスト表面の高さと同一に形成する選択
メッキと、これらの上にエアブリッジ配線本体の金属膜
を形成する選択メッキとの2段階選択メッキにより行う
ので、エアブリッジ配線の本体が平坦に形成されること
になる。
【0014】
【実施例】以下に、本発明製造方法の第1実施例につい
て図1乃至図5を参照して説明する。図1に示すよう
に、セラミック基板1に、エアブリッジ配線のポスト土
台電極2a、2bと、これらのポスト土台電極2a、2
bの間にエアブリッジされる下層配線2cとを、金属A
uで5μmの膜厚に形成する。つぎに、ポスト土台電極
2a、2b上に開口3aが形成されるように、かつ、下
層配線2cが覆われるように、基板1上に下層レジスト
3を形成する。
て図1乃至図5を参照して説明する。図1に示すよう
に、セラミック基板1に、エアブリッジ配線のポスト土
台電極2a、2bと、これらのポスト土台電極2a、2
bの間にエアブリッジされる下層配線2cとを、金属A
uで5μmの膜厚に形成する。つぎに、ポスト土台電極
2a、2b上に開口3aが形成されるように、かつ、下
層配線2cが覆われるように、基板1上に下層レジスト
3を形成する。
【0015】図2に示すように、ポスト土台電極2a、
2b上の開口3aに、電解メッキにより、下層レジスト
3と同一平面になるように、エアブリッジ配線のポスト
4aを金属Auで形成する。このときの電解メッキの条
件は、電流値3mA/cm2 、メッキ液温度65℃、メッ
キ時間30分である。
2b上の開口3aに、電解メッキにより、下層レジスト
3と同一平面になるように、エアブリッジ配線のポスト
4aを金属Auで形成する。このときの電解メッキの条
件は、電流値3mA/cm2 、メッキ液温度65℃、メッ
キ時間30分である。
【0016】図3に示すように、メッキ用給電膜5を、
下層レジスト3およびポスト4a上に、金属Auで50
nm、電子ビーム蒸着により形成する。その蒸着条件
は、自公転プラネタリ治具を用い、蒸着レート3nm/
secである。なお、基板加熱はレジストの耐熱性を考
慮して行わない。つぎに、フォトリソグラフィにより、
所定のブリッジ配線本体の長さに相当する本体開口6a
を有する上層レジスト6を、メッキ用給電膜5上に7μ
mの膜厚に形成する。
下層レジスト3およびポスト4a上に、金属Auで50
nm、電子ビーム蒸着により形成する。その蒸着条件
は、自公転プラネタリ治具を用い、蒸着レート3nm/
secである。なお、基板加熱はレジストの耐熱性を考
慮して行わない。つぎに、フォトリソグラフィにより、
所定のブリッジ配線本体の長さに相当する本体開口6a
を有する上層レジスト6を、メッキ用給電膜5上に7μ
mの膜厚に形成する。
【0017】図4に示すように、電解メッキにより、エ
アブリッジ配線本体4bを、本体開口6aに、金属Au
により5μm形成する。この電解メッキ条件は、図2に
おいて、ポスト4aを形成する場合と同一である。そし
て、下層レジスト3、その上のメッキ用給電膜5および
上層レジスト6を除去することにより、図5に示すよう
なエアブリッジ配線が完成する。
アブリッジ配線本体4bを、本体開口6aに、金属Au
により5μm形成する。この電解メッキ条件は、図2に
おいて、ポスト4aを形成する場合と同一である。そし
て、下層レジスト3、その上のメッキ用給電膜5および
上層レジスト6を除去することにより、図5に示すよう
なエアブリッジ配線が完成する。
【0018】この第1実施例に係る製造方法を用いて、
図6に示すように、約1.5ターンのスパイラルインダ
クタ7を形成した。GaAs基板1aの大きさは1.6
×3.2×0.6mm、配線幅100μm、膜厚5μ
m、ポスト高さ5μm、インダクタンス10nHであ
る。
図6に示すように、約1.5ターンのスパイラルインダ
クタ7を形成した。GaAs基板1aの大きさは1.6
×3.2×0.6mm、配線幅100μm、膜厚5μ
m、ポスト高さ5μm、インダクタンス10nHであ
る。
【0019】なお、本実施例との比較のため、図6に示
すようなスパイラルインダクタを従来例製造方法を用い
て製造した。そして、本実施例製造品と従来例製造品と
のQ値を、周波数500MHzで測定した。その結果
は、表1に示される。なお、図6に示すスパイラルイン
ダクタ7は、下層配線2cとエアブリッジ配線本体4b
(上層配線)との交叉箇所は一か所であるが、エアブリ
ッジ配線本体4b(上層配線)は、複数個のポスト4a
により、基板1aから全体が浮いている。本実施例は、
従来例に比較して、ポスト上部に配線段差の凹みによる
配線膜厚のばらつきがないので、導体損が低減し、Qを
向上させることができる。
すようなスパイラルインダクタを従来例製造方法を用い
て製造した。そして、本実施例製造品と従来例製造品と
のQ値を、周波数500MHzで測定した。その結果
は、表1に示される。なお、図6に示すスパイラルイン
ダクタ7は、下層配線2cとエアブリッジ配線本体4b
(上層配線)との交叉箇所は一か所であるが、エアブリ
ッジ配線本体4b(上層配線)は、複数個のポスト4a
により、基板1aから全体が浮いている。本実施例は、
従来例に比較して、ポスト上部に配線段差の凹みによる
配線膜厚のばらつきがないので、導体損が低減し、Qを
向上させることができる。
【0020】
【表1】
【0021】この表1より、本実施例製造品は、従来例
製造品に比べて、Q値が約36%高くなっていることが
理解できる。
製造品に比べて、Q値が約36%高くなっていることが
理解できる。
【0022】つぎに、本発明製造方法の第2実施例につ
いて説明する。この第2実施例は、図2および図4記載
の工程におけるポスト4aとエアブリッジ配線本体4b
との膜形成を、第1実施例の電解メッキに代えて、無電
解銅メッキで行うものである。無電解銅メッキ液の条件
は表2記載の通りである。
いて説明する。この第2実施例は、図2および図4記載
の工程におけるポスト4aとエアブリッジ配線本体4b
との膜形成を、第1実施例の電解メッキに代えて、無電
解銅メッキで行うものである。無電解銅メッキ液の条件
は表2記載の通りである。
【0023】
【表2】
【0024】なお、無電解銅メッキとする関係上、第1
実施例においてメッキ用給電膜を形成する第4工程は不
要となる。他の工程は第1実施例と同様である。
実施例においてメッキ用給電膜を形成する第4工程は不
要となる。他の工程は第1実施例と同様である。
【0025】つぎに、本発明製造方法の第3実施例につ
いて説明する。この第3実施例は、図3記載の工程にお
けるメッキ用給電膜5の形成を、第1実施例の電子ビー
ム蒸着に代えて、スパッタリングで行うものである。ス
パッタリング条件は表3記載の通りである。他の工程は
第1実施例と同様である。
いて説明する。この第3実施例は、図3記載の工程にお
けるメッキ用給電膜5の形成を、第1実施例の電子ビー
ム蒸着に代えて、スパッタリングで行うものである。ス
パッタリング条件は表3記載の通りである。他の工程は
第1実施例と同様である。
【0026】
【表3】
【0027】
【発明の効果】本発明に係るエアブリッジ配線を有する
電子部品は、エアブリッジ配線のポスト上に形成された
エアブリッジ配線本体が平坦な構造よりなるので、エア
ブリッジ配線の損失がなく、Qが高く、そして消費電力
が低減する。
電子部品は、エアブリッジ配線のポスト上に形成された
エアブリッジ配線本体が平坦な構造よりなるので、エア
ブリッジ配線の損失がなく、Qが高く、そして消費電力
が低減する。
【0028】また、本発明に係るエアブリッジ配線を有
する電子部品の製造方法は、エアブリッジ配線のポスト
を周囲の下層レジスト表面の高さと同一に形成する選択
メッキと、これらの上にエアブリッジ配線本体の金属膜
を形成する選択メッキとの2段階選択メッキにより行う
ので、エアブリッジ配線の本体が平坦に形成されること
になる。
する電子部品の製造方法は、エアブリッジ配線のポスト
を周囲の下層レジスト表面の高さと同一に形成する選択
メッキと、これらの上にエアブリッジ配線本体の金属膜
を形成する選択メッキとの2段階選択メッキにより行う
ので、エアブリッジ配線の本体が平坦に形成されること
になる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の一実施例の製造工程(図1乃至図
5)において、基板にポスト土台電極、ブリッジされる
下層配線および下層レジストを形成する工程図
5)において、基板にポスト土台電極、ブリッジされる
下層配線および下層レジストを形成する工程図
【図2】 エアブリッジ配線のポストを形成する工程図
【図3】 メッキ用給電膜とその上に上層レジストを形
成する工程図
成する工程図
【図4】 エアブリッジ配線本体を形成する工程図
【図5】 下層レジス、その上のメッキ用給電膜および
上層レジストを除去する工程図
上層レジストを除去する工程図
【図6】 本実施例製造方法によって製造されたスパイ
ラルインダクタの斜視図
ラルインダクタの斜視図
【図7】 従来例製造工程(図7乃至図11)におい
て、基板にポスト土台電極、ブリッジされる下層配線お
よび下層レジストを形成する工程図
て、基板にポスト土台電極、ブリッジされる下層配線お
よび下層レジストを形成する工程図
【図8】 メッキ用給電膜を形成する工程図
【図9】 上層レジストを形成する工程図
【図10】 エアブリッジ配線のポストと本体を同時形
成する工程図
成する工程図
【図11】 下層レジスト、その上のメッキ用給電膜お
よび上層レジストを除去する工程図
よび上層レジストを除去する工程図
1 セラミック基板 2a、2b ポスト土台電極 2c ブリッジされる下層配線 3 下層レジスト 3a ポスト用開口 4a ポスト 4b エアブリッジ配線の本体 5 メッキ用給電膜 6 上層レジスト 6a 本体用開口 7 スパイラルインダクタ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H05K 3/40 A 7511−4E
Claims (4)
- 【請求項1】 ポスト土台電極上のポストに形成された
エアブリッジ配線本体が平坦な構造よりなることを特徴
とするエアブリッジ配線を有する電子部品。 - 【請求項2】 以下の工程よりなることを特徴とするエ
アブリッジ配線を有する電子部品の製造方法。 1.基板に、エアブリッジ配線のポスト土台電極を形成
する工程と、 2.前記ポスト土台電極上にポスト用開口を有する下層
レジストを、基板に形成する工程と、 3.前記ポスト土台電極上のポスト用開口に、金属を下
層レジストと同一平面になるように、設ける工程と、 4.前記金属および下層レジストの上に、メッキ用給電
膜を形成する工程と、 5.前記メッキ用給電膜の上に、エアブリッジ配線本体
の長さに相当する本体用開口を有する上層レジストを形
成する工程と、 6.前記本体用開口に、電解メッキによりエアブリッジ
配線本体の金属を形成する工程と、および 7.下層レジスト、メッキ用給電膜および上層レジスト
を除去する工程。 - 【請求項3】 請求項2記載のエアブリッジ配線を有す
る電子部品の製造方法において、メッキ用給電膜が電子
ビーム蒸着またはスパッタリングで形成されることを特
徴とするエアブリッジ配線を有する電子部品の製造方
法。 - 【請求項4】 以下の工程よりなるエアブリッジ配線を
有する電子部品の製造方法。 1.基板に、エアブリッジ配線のポスト土台電極を形成
する工程と、 2.前記ポスト土台電極上にポスト用開口を有する下層
レジストを、基板に形成する工程と、 3.前記ポスト土台電極上のポスト用開口に、金属を下
層レジストと同一平面になるように、設ける工程と、 4.前記金属および下層レジストの上にエアブリッジ配
線本体の長さに相当する本体用開口を有する上層レジス
トを、下層レジスト上に形成する工程と、 5.前記本体用開口に、無電解メッキによりエアブリッ
ジ配線本体の金属を形成する工程と、および 6.下層レジストおよび上層レジストを除去する工程。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11137694A JP3267049B2 (ja) | 1994-05-25 | 1994-05-25 | エアブリッジ配線を有するスパイラルインダクタの製造方法 |
EP95104496A EP0684647B1 (en) | 1994-05-25 | 1995-03-27 | Method of manufacturing electronic parts having airbridge interconnection |
DE69523092T DE69523092T2 (de) | 1994-05-25 | 1995-03-27 | Verfahren zur Herstellung elektronischer Teile mit einer Luftbrückenverbindung |
US08/851,805 US6060381A (en) | 1994-05-25 | 1997-05-06 | Method of manufacturing an electronic part having an air-bridge interconnection |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11137694A JP3267049B2 (ja) | 1994-05-25 | 1994-05-25 | エアブリッジ配線を有するスパイラルインダクタの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH07321425A true JPH07321425A (ja) | 1995-12-08 |
JP3267049B2 JP3267049B2 (ja) | 2002-03-18 |
Family
ID=14559625
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP11137694A Expired - Fee Related JP3267049B2 (ja) | 1994-05-25 | 1994-05-25 | エアブリッジ配線を有するスパイラルインダクタの製造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6060381A (ja) |
EP (1) | EP0684647B1 (ja) |
JP (1) | JP3267049B2 (ja) |
DE (1) | DE69523092T2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9663861B2 (en) | 2015-03-23 | 2017-05-30 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Acoustic wave device and method for manufacturing the same |
US10218334B2 (en) | 2015-03-18 | 2019-02-26 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Acoustic wave device |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6169320B1 (en) * | 1998-01-22 | 2001-01-02 | Raytheon Company | Spiral-shaped inductor structure for monolithic microwave integrated circuits having air gaps in underlying pedestal |
KR20000011585A (ko) * | 1998-07-28 | 2000-02-25 | 윤덕용 | 반도체소자및그제조방법 |
US6204165B1 (en) * | 1999-06-24 | 2001-03-20 | International Business Machines Corporation | Practical air dielectric interconnections by post-processing standard CMOS wafers |
KR100411811B1 (ko) * | 2001-04-02 | 2003-12-24 | 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 | 반도체패키지 |
US7094621B2 (en) * | 2003-03-05 | 2006-08-22 | Jbcr Innovations, L.L.P. | Fabrication of diaphragms and “floating” regions of single crystal semiconductor for MEMS devices |
US6812056B2 (en) * | 2003-03-05 | 2004-11-02 | Jbcr Innovations, Inc. | Technique for fabricating MEMS devices having diaphragms of “floating” regions of single crystal material |
US6790745B1 (en) | 2003-12-15 | 2004-09-14 | Jbcr Innovations | Fabrication of dielectrically isolated regions of silicon in a substrate |
DE102007020288B4 (de) * | 2007-04-30 | 2013-12-12 | Epcos Ag | Elektrisches Bauelement |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
NL7608901A (nl) * | 1976-08-11 | 1978-02-14 | Philips Nv | Werkwijze ter vervaardiging van een halfge- leiderinrichting en halfgeleiderinrichting vervaardigd door middel van een dergelijke werkwijze. |
JPS6481343A (en) * | 1987-09-24 | 1989-03-27 | Nec Corp | Manufacture of integrated circuit |
JP2856778B2 (ja) * | 1989-09-07 | 1999-02-10 | 株式会社東芝 | 半導体装置の配線構造 |
US5171713A (en) * | 1990-01-10 | 1992-12-15 | Micrunity Systems Eng | Process for forming planarized, air-bridge interconnects on a semiconductor substrate |
JPH042151A (ja) * | 1990-04-18 | 1992-01-07 | Sumitomo Electric Ind Ltd | エアーブリッジ構造配線の作成方法 |
US5219713A (en) * | 1990-12-17 | 1993-06-15 | Rockwell International Corporation | Multi-layer photoresist air bridge fabrication method |
JPH04268750A (ja) * | 1991-02-25 | 1992-09-24 | Toshiba Corp | 半導体集積回路 |
JPH04290212A (ja) * | 1991-03-18 | 1992-10-14 | Murata Mfg Co Ltd | 半導体装置 |
US5408742A (en) * | 1991-10-28 | 1995-04-25 | Martin Marietta Corporation | Process for making air bridges for integrated circuits |
JPH0689940A (ja) * | 1992-09-08 | 1994-03-29 | Mitsubishi Electric Corp | エアブリッジ配線構造 |
-
1994
- 1994-05-25 JP JP11137694A patent/JP3267049B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1995
- 1995-03-27 EP EP95104496A patent/EP0684647B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1995-03-27 DE DE69523092T patent/DE69523092T2/de not_active Expired - Lifetime
-
1997
- 1997-05-06 US US08/851,805 patent/US6060381A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10218334B2 (en) | 2015-03-18 | 2019-02-26 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Acoustic wave device |
US9663861B2 (en) | 2015-03-23 | 2017-05-30 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Acoustic wave device and method for manufacturing the same |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP3267049B2 (ja) | 2002-03-18 |
EP0684647A1 (en) | 1995-11-29 |
DE69523092T2 (de) | 2002-05-29 |
DE69523092D1 (de) | 2001-11-15 |
US6060381A (en) | 2000-05-09 |
EP0684647B1 (en) | 2001-10-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US3959874A (en) | Method of forming an integrated circuit assembly | |
US8258411B2 (en) | Printed circuit board with improved via design | |
US4125441A (en) | Isolated bump circuitry on tape utilizing electroforming | |
JPH07321425A (ja) | エアブリッジ配線を有する電子部品およびその製造方法 | |
JP3618997B2 (ja) | 電子回路上に金属スタンドオフを作成する方法 | |
US7678608B2 (en) | Process for producing wiring circuit board | |
JP2002222823A (ja) | 半導体集積回路およびその製造方法 | |
US5215866A (en) | Broadband printed spiral | |
US4925525A (en) | Process for producing a printed circuit board | |
JP2005057264A (ja) | パッケージ化された電気構造およびその製造方法 | |
JP3049948B2 (ja) | パッケージの製造方法 | |
JPS627109A (ja) | ネツトワ−ク電子部品の製造方法 | |
JP2000349196A (ja) | 電子部品の電解めっき方法および電子部品の製造方法 | |
JP2000331830A (ja) | 平面型磁気素子一体型半導体デバイス | |
JP2000286536A (ja) | 可撓性回路基板の製造法 | |
JP3655902B2 (ja) | バンプを備えたウエハーの製造方法 | |
JPH0245996A (ja) | 混成集積回路の製造方法 | |
JP2002050715A (ja) | 半導体パッケージの製造方法 | |
JPH065609A (ja) | バンプ形成方法 | |
JP3032643B2 (ja) | 半導体装置の実装方法 | |
JP2885974B2 (ja) | フィルムキャリア用テープの製造方法およびフィルムキャリアの製造方法 | |
JPS6031245A (ja) | 半導体装置 | |
JP2796864B2 (ja) | 電気的接続部材の製造方法 | |
JPH02260443A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JPH0590271A (ja) | バンプ電極形成方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090111 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090111 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100111 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110111 Year of fee payment: 9 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |