JPH07311241A - 帯電防止用ソケット - Google Patents
帯電防止用ソケットInfo
- Publication number
- JPH07311241A JPH07311241A JP6128232A JP12823294A JPH07311241A JP H07311241 A JPH07311241 A JP H07311241A JP 6128232 A JP6128232 A JP 6128232A JP 12823294 A JP12823294 A JP 12823294A JP H07311241 A JPH07311241 A JP H07311241A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor device
- pedestal
- socket
- package
- mounting surface
- Prior art date
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- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K7/00—Constructional details common to different types of electric apparatus
- H05K7/02—Arrangements of circuit components or wiring on supporting structure
- H05K7/10—Plug-in assemblages of components, e.g. IC sockets
- H05K7/1015—Plug-in assemblages of components, e.g. IC sockets having exterior leads
- H05K7/1023—Plug-in assemblages of components, e.g. IC sockets having exterior leads co-operating by abutting, e.g. flat pack
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Connecting Device With Holders (AREA)
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Elimination Of Static Electricity (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 静電気の帯電を抑制する帯電防止用ソケット
を提供すること。 【構成】 非導電性材料のパッケージ１１にて内部素子
を封止して成る半導体装置１０を載置した状態で、半導
体装置１０から延出するリード１２を介して測定装置と
半導体装置１０との導通を得る帯電防止用ソケット１
で、非導電性材料から成り半導体装置１０のパッケージ
１１をその搭載面２ａに載置するための受け台２と、こ
の受け台２の周辺に配置され半導体装置１０を載置した
状態でリード１２と接触する触子３とを備え、さらに受
け台２の搭載面２ａよりも小さな接触面２１ａにてパッ
ケージ１１を支持する凸部２１を搭載面２ａに備える。
を提供すること。 【構成】 非導電性材料のパッケージ１１にて内部素子
を封止して成る半導体装置１０を載置した状態で、半導
体装置１０から延出するリード１２を介して測定装置と
半導体装置１０との導通を得る帯電防止用ソケット１
で、非導電性材料から成り半導体装置１０のパッケージ
１１をその搭載面２ａに載置するための受け台２と、こ
の受け台２の周辺に配置され半導体装置１０を載置した
状態でリード１２と接触する触子３とを備え、さらに受
け台２の搭載面２ａよりも小さな接触面２１ａにてパッ
ケージ１１を支持する凸部２１を搭載面２ａに備える。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置のリードと
接触して測定装置と半導体装置との電気的な導通を得る
帯電防止用ソケットに関する。
接触して測定装置と半導体装置との電気的な導通を得る
帯電防止用ソケットに関する。
【０００２】
【従来の技術】樹脂等の非導電性材料から成るパッケー
ジにて内部素子が封止された半導体装置の電気的特性を
測定するには、その半導体装置のリードと測定装置との
間の導通を得るための専用のソケットが用いられてい
る。このソケットは、主に半導体装置を搭載する搭載面
を備え非導電性材料にて形成された受け台と、受け台の
周辺に配置され半導体装置を受け台に載置した状態でリ
ードと接触する金属性の触子とから構成されている。
ジにて内部素子が封止された半導体装置の電気的特性を
測定するには、その半導体装置のリードと測定装置との
間の導通を得るための専用のソケットが用いられてい
る。このソケットは、主に半導体装置を搭載する搭載面
を備え非導電性材料にて形成された受け台と、受け台の
周辺に配置され半導体装置を受け台に載置した状態でリ
ードと接触する金属性の触子とから構成されている。
【０００３】このソケットを用いて半導体装置の電気的
な特性を測定するには、予めソケットを測定装置に接続
しておき、この状態で半導体装置のパッケージを受け台
の搭載面に載置する。そして、パッケージをわずかに押
圧することにより半導体装置のリードとソケットの触子
とが接触して半導体装置と測定装置との電気的な接続が
得られる。この状態で測定装置から半導体装置へ所定の
信号を与え、この信号に対する半導体装置からの応答信
号に基づいて特性の測定を行う。
な特性を測定するには、予めソケットを測定装置に接続
しておき、この状態で半導体装置のパッケージを受け台
の搭載面に載置する。そして、パッケージをわずかに押
圧することにより半導体装置のリードとソケットの触子
とが接触して半導体装置と測定装置との電気的な接続が
得られる。この状態で測定装置から半導体装置へ所定の
信号を与え、この信号に対する半導体装置からの応答信
号に基づいて特性の測定を行う。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな半導体装置の電気的特性を測定するためのソケット
には次のような問題がある。すなわち、このソケットの
受け台の搭載面に半導体装置のパッケージを載置する
と、受け台とパッケージとの間に接触摩擦が生じ、この
摩擦により発生した静電気が非導電性材料から成る受け
台内に蓄積されてしまう。
うな半導体装置の電気的特性を測定するためのソケット
には次のような問題がある。すなわち、このソケットの
受け台の搭載面に半導体装置のパッケージを載置する
と、受け台とパッケージとの間に接触摩擦が生じ、この
摩擦により発生した静電気が非導電性材料から成る受け
台内に蓄積されてしまう。
【０００５】例えば、受け台として抵抗値１０16〜１０
17（Ω）のポリエーテルイミド（以下、ＰＥＩとする）
を用いた場合において、半導体装置の搭載、離脱を１０
００回以上行うと受け台の帯電量が５００（Ｖ）以上と
なってしまう。特に、ソケットの受け台は絶縁性を保つ
ためフローティング機構を採用しており、蓄積した静電
気が放出しにくい構造となっている。受け台にこのよう
な高電圧の静電気が蓄積した状態で半導体装置のリード
が接触すると、その静電気が半導体装置を通じて放電す
ることになり、内部素子の破壊を招くことになる。この
ような静電気による内部素子の破壊を防止するため、ソ
ケットに向けて帯電の電荷と反対極性の電荷から成るイ
オンを吹き付けて帯電量を例えば１００（Ｖ）以下に押
さえることが考えられるが、処理の煩わしさが問題とな
る。よって、本発明は静電気の帯電を抑制する帯電防止
用ソケットを提供することを目的とする。
17（Ω）のポリエーテルイミド（以下、ＰＥＩとする）
を用いた場合において、半導体装置の搭載、離脱を１０
００回以上行うと受け台の帯電量が５００（Ｖ）以上と
なってしまう。特に、ソケットの受け台は絶縁性を保つ
ためフローティング機構を採用しており、蓄積した静電
気が放出しにくい構造となっている。受け台にこのよう
な高電圧の静電気が蓄積した状態で半導体装置のリード
が接触すると、その静電気が半導体装置を通じて放電す
ることになり、内部素子の破壊を招くことになる。この
ような静電気による内部素子の破壊を防止するため、ソ
ケットに向けて帯電の電荷と反対極性の電荷から成るイ
オンを吹き付けて帯電量を例えば１００（Ｖ）以下に押
さえることが考えられるが、処理の煩わしさが問題とな
る。よって、本発明は静電気の帯電を抑制する帯電防止
用ソケットを提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、このような課
題を解決するために成された帯電防止用ソケットであ
る。すなわち、非導電性材料のパッケージにて内部素子
を封止して成る半導体装置を載置した状態で、半導体装
置から延出するリードを介して測定装置と半導体装置と
の導通を得るソケットにおいて、この帯電防止用ソケッ
トは、非導電性材料から成り半導体装置のパッケージを
その搭載面に載置するための受け台と、この受け台の周
辺に配置され半導体装置を載置した状態でリードと接触
する触子とを備え、さらに受け台の搭載面よりも小さな
接触面にてパッケージを支持する凸部を搭載面に備えた
ものである。
題を解決するために成された帯電防止用ソケットであ
る。すなわち、非導電性材料のパッケージにて内部素子
を封止して成る半導体装置を載置した状態で、半導体装
置から延出するリードを介して測定装置と半導体装置と
の導通を得るソケットにおいて、この帯電防止用ソケッ
トは、非導電性材料から成り半導体装置のパッケージを
その搭載面に載置するための受け台と、この受け台の周
辺に配置され半導体装置を載置した状態でリードと接触
する触子とを備え、さらに受け台の搭載面よりも小さな
接触面にてパッケージを支持する凸部を搭載面に備えた
ものである。
【０００７】
【作用】受け台の搭載面に備えられた凸部は、その搭載
面の面積よりも小さな接触面を有しており、半導体装置
を受け台に載置した状態でこの接触面にて半導体装置の
パッケージを支持するようになる。つまり、非導電性材
料から成るパッケージと受け台とが凸部の接触面のみで
接触する状態となり、パッケージが搭載面全面と接触す
る場合に比べてパッケージと受け台との間の摩擦面積が
低減し受け台における静電気の蓄積量が低下するように
なる。
面の面積よりも小さな接触面を有しており、半導体装置
を受け台に載置した状態でこの接触面にて半導体装置の
パッケージを支持するようになる。つまり、非導電性材
料から成るパッケージと受け台とが凸部の接触面のみで
接触する状態となり、パッケージが搭載面全面と接触す
る場合に比べてパッケージと受け台との間の摩擦面積が
低減し受け台における静電気の蓄積量が低下するように
なる。
【０００８】
【実施例】以下に、本発明の帯電防止用ソケットの実施
例を図に基づいて説明する。図１は本発明の帯電防止用
ソケットを説明する図で、（ａ）は断面図、（ｂ）は平
面図である。すなわち、この帯電防止用ソケット１は、
半導体装置１０から延出するリード１２と外部の測定回
路（図示せず）との導通を得るためのものであり、主と
してハンドラー等の測定装置に接続して用いられる。
例を図に基づいて説明する。図１は本発明の帯電防止用
ソケットを説明する図で、（ａ）は断面図、（ｂ）は平
面図である。すなわち、この帯電防止用ソケット１は、
半導体装置１０から延出するリード１２と外部の測定回
路（図示せず）との導通を得るためのものであり、主と
してハンドラー等の測定装置に接続して用いられる。
【０００９】測定対象となる半導体装置１０は、モール
ド樹脂等の非導電性材料から成るパッケージ１１にて内
部素子（図示せず）を封止して成るものであり、例えば
パッケージ１１の側面側から信号の入出力を行うための
リード１２が複数本延出している。このような半導体装
置１０を帯電防止用ソケット１に載置することで半導体
装置１０のリード１２を介してハンドラー等の測定装置
内に設けられた測定回路との導通を得ている。
ド樹脂等の非導電性材料から成るパッケージ１１にて内
部素子（図示せず）を封止して成るものであり、例えば
パッケージ１１の側面側から信号の入出力を行うための
リード１２が複数本延出している。このような半導体装
置１０を帯電防止用ソケット１に載置することで半導体
装置１０のリード１２を介してハンドラー等の測定装置
内に設けられた測定回路との導通を得ている。
【００１０】帯電防止用ソケット１は、例えばＰＥＩの
ような非導電性材料から成り半導体装置１０のパッケー
ジ１１をその搭載面２ａに載置および位置決めするため
の受け台２と、この受け台２の周辺に配置され半導体装
置１０を載置した状態でそのリード１２と接触する金属
性の触子３とを備えている。
ような非導電性材料から成り半導体装置１０のパッケー
ジ１１をその搭載面２ａに載置および位置決めするため
の受け台２と、この受け台２の周辺に配置され半導体装
置１０を載置した状態でそのリード１２と接触する金属
性の触子３とを備えている。
【００１１】例えば、ＱＦＰ（Ｑｕａｄ Ｆｌａｔ Ｐ
ａｃｋａｇｅ）から成る半導体装置１０の場合にはその
パッケージ１１の４側面から複数のリード１２がそれぞ
れ延出しており、これらのリード１２との接触を得るた
め触子３は略四角形から成る受け台２の各辺側の周辺に
リード１２のピッチと対応して配置されている。
ａｃｋａｇｅ）から成る半導体装置１０の場合にはその
パッケージ１１の４側面から複数のリード１２がそれぞ
れ延出しており、これらのリード１２との接触を得るた
め触子３は略四角形から成る受け台２の各辺側の周辺に
リード１２のピッチと対応して配置されている。
【００１２】さらに、この受け台２の搭載面２ａには、
搭載面２ａの面積よりも小さな接触面２１ａ（図１
（ｂ）の斜線部参照）を備えた凸部２１が設けられてい
る。例えば、凸部２１は搭載面２ａの略中央とその周辺
の四箇所に設けられており、半導体装置１０を受け台２
に載置した状態でその接触面２１ａにてパッケージ１１
を支持できるようになっている。
搭載面２ａの面積よりも小さな接触面２１ａ（図１
（ｂ）の斜線部参照）を備えた凸部２１が設けられてい
る。例えば、凸部２１は搭載面２ａの略中央とその周辺
の四箇所に設けられており、半導体装置１０を受け台２
に載置した状態でその接触面２１ａにてパッケージ１１
を支持できるようになっている。
【００１３】受け台２は、ばね４１を介して基台４に取
り付けられており、半導体装置１０を搭載した後にパッ
ケージ１１を上から押圧することでわずかに下降して、
半導体装置１０のリード１２と帯電防止用ソケット１の
触子３とが接触できるようになっている。
り付けられており、半導体装置１０を搭載した後にパッ
ケージ１１を上から押圧することでわずかに下降して、
半導体装置１０のリード１２と帯電防止用ソケット１の
触子３とが接触できるようになっている。
【００１４】このように半導体装置１０を受け台２に載
置した状態において、半導体装置１０は受け台２の搭載
面２ａに設けられた凸部２１の接触面２１ａのみと接触
することになる。つまり、接触面２１ａが受け台２の搭
載面２ａの面積よりも小さく設けられているため、半導
体装置１０のパッケージ１１と受け台２の搭載面２ａと
の接触面積も搭載面２ａの全面積より小さいことにな
る。
置した状態において、半導体装置１０は受け台２の搭載
面２ａに設けられた凸部２１の接触面２１ａのみと接触
することになる。つまり、接触面２１ａが受け台２の搭
載面２ａの面積よりも小さく設けられているため、半導
体装置１０のパッケージ１１と受け台２の搭載面２ａと
の接触面積も搭載面２ａの全面積より小さいことにな
る。
【００１５】パッケージ１１と搭載面２ａとの接触面積
が小さくなることで、これらの間の摩擦が低減し、発生
する静電気の量も減少することになる。すなわち、パッ
ケージ１１が搭載面２ａの全面と接触する場合に比べ、
受け台２に蓄積される静電気の量が軽減し、例えば同じ
帯電量に達するまでの半導体装置１０の搭載、離脱の回
数が増すことになる。
が小さくなることで、これらの間の摩擦が低減し、発生
する静電気の量も減少することになる。すなわち、パッ
ケージ１１が搭載面２ａの全面と接触する場合に比べ、
受け台２に蓄積される静電気の量が軽減し、例えば同じ
帯電量に達するまでの半導体装置１０の搭載、離脱の回
数が増すことになる。
【００１６】図２は、本発明の他の例を説明する受け台
の部分平面図で、（ａ）はその１、（ｂ）はその２であ
る。図２（ａ）に示すように、この受け台２に設けられ
た凸部２１は搭載面２ａの略中央部分に設けられたもの
であり、搭載面２ａの全面積に対する接触面２１ａの面
積の比率が約３４．９％となっている。また、図２
（ｂ）に示す受け台２は、搭載面２ａの四隅に凸部２１
が設けられたものであり、搭載面２ａの全面積に対する
接触面２１ａの面積の比率が約３．９％となっている。
の部分平面図で、（ａ）はその１、（ｂ）はその２であ
る。図２（ａ）に示すように、この受け台２に設けられ
た凸部２１は搭載面２ａの略中央部分に設けられたもの
であり、搭載面２ａの全面積に対する接触面２１ａの面
積の比率が約３４．９％となっている。また、図２
（ｂ）に示す受け台２は、搭載面２ａの四隅に凸部２１
が設けられたものであり、搭載面２ａの全面積に対する
接触面２１ａの面積の比率が約３．９％となっている。
【００１７】このように、接触面２１ａの面積比率を小
さくすることで、受け台２に搭載する半導体装置１０の
パッケージ１１との接触面積が小さくなり、摩擦による
静電気の発生量を少なくすることができるようになる。
なお、凸部２１の接触面２１ａをあまり小さくすると半
導体装置１０を載置した際の安定性に欠けるため、半導
体装置１０の大きさや形状に応じて最適な凸部２１の位
置および接触面２１ａの面積を決定すればよい。
さくすることで、受け台２に搭載する半導体装置１０の
パッケージ１１との接触面積が小さくなり、摩擦による
静電気の発生量を少なくすることができるようになる。
なお、凸部２１の接触面２１ａをあまり小さくすると半
導体装置１０を載置した際の安定性に欠けるため、半導
体装置１０の大きさや形状に応じて最適な凸部２１の位
置および接触面２１ａの面積を決定すればよい。
【００１８】また、従来受け台２の材質として用いられ
るＰＥＩは１０16〜１０17（Ω）程度の抵抗値を有して
おり、受け台２のフローティング構造と相まって静電気
が外部へ逃げにくいようになっている。そこで、本発明
の帯電防止用ソケット１においては、受け台２の材質と
して従来の抵抗値よりも小さい抵抗値から成る非導電性
材料を用い、静電気による電荷を拡散できるようにして
もよい。
るＰＥＩは１０16〜１０17（Ω）程度の抵抗値を有して
おり、受け台２のフローティング構造と相まって静電気
が外部へ逃げにくいようになっている。そこで、本発明
の帯電防止用ソケット１においては、受け台２の材質と
して従来の抵抗値よりも小さい抵抗値から成る非導電性
材料を用い、静電気による電荷を拡散できるようにして
もよい。
【００１９】受け台２の材質として、例えば１０10〜１
０14（Ω）程度のＰＥＩを用いることで受け台２の絶縁
性を保ちながら蓄積した静電気による電荷が拡散しやす
くなる。この受け台２の材質の抵抗値は、搭載する半導
体装置１０の特性（耐リーク電流等）に基づき絶縁性を
保てる範囲内においてなるべく低い値にしておく。
０14（Ω）程度のＰＥＩを用いることで受け台２の絶縁
性を保ちながら蓄積した静電気による電荷が拡散しやす
くなる。この受け台２の材質の抵抗値は、搭載する半導
体装置１０の特性（耐リーク電流等）に基づき絶縁性を
保てる範囲内においてなるべく低い値にしておく。
【００２０】受け台２をこのような抵抗値の材質にて形
成するとともに、受け台２の搭載面２ａに先に説明した
ような凸部２１を設けることにより、半導体装置１０の
搭載、離脱により発生した静電気の拡散作用および静電
気の蓄積量の軽減作用を得ることができる。
成するとともに、受け台２の搭載面２ａに先に説明した
ような凸部２１を設けることにより、半導体装置１０の
搭載、離脱により発生した静電気の拡散作用および静電
気の蓄積量の軽減作用を得ることができる。
【００２１】例えば、この帯電防止用ソケット１におい
て受け台２を１０10〜１０14（Ω）程度のＰＥＩを用い
ることで、半導体装置１０の搭載、離脱を１０００回以
上行っても受け台２の帯電量が１００（Ｖ）以下とな
り、イオンを吹き付けて帯電量を抑制する場合と同等な
値を得ることができる。なお、本実施例では受け台２の
材質としてＰＥＩを用いた例を説明したが、本発明はこ
れに限定されることはない。
て受け台２を１０10〜１０14（Ω）程度のＰＥＩを用い
ることで、半導体装置１０の搭載、離脱を１０００回以
上行っても受け台２の帯電量が１００（Ｖ）以下とな
り、イオンを吹き付けて帯電量を抑制する場合と同等な
値を得ることができる。なお、本実施例では受け台２の
材質としてＰＥＩを用いた例を説明したが、本発明はこ
れに限定されることはない。
【００２２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の帯電防止
用ソケットによれば次のような効果がある。すなわち、
この帯電防止用ソケットは、受け台に設けた凸部によっ
て半導体装置の搭載、離脱での摩擦によって生じる静電
気の帯電量を軽減できたり、非導電性材料から成る受け
台の抵抗値を下げることで帯電した静電気の電荷を拡散
できるため、半導体装置への静電気放電による内部素子
の破壊を抑制することが可能となる。また、特にイオン
吹き付け等による帯電防止処理を施す必要がないため、
測定における作業性の向上を図ることが可能となる。
用ソケットによれば次のような効果がある。すなわち、
この帯電防止用ソケットは、受け台に設けた凸部によっ
て半導体装置の搭載、離脱での摩擦によって生じる静電
気の帯電量を軽減できたり、非導電性材料から成る受け
台の抵抗値を下げることで帯電した静電気の電荷を拡散
できるため、半導体装置への静電気放電による内部素子
の破壊を抑制することが可能となる。また、特にイオン
吹き付け等による帯電防止処理を施す必要がないため、
測定における作業性の向上を図ることが可能となる。
【図１】本発明の帯電防止用ソケットを説明する図で、
（ａ）は断面図、（ｂ）は平面図である。
（ａ）は断面図、（ｂ）は平面図である。
【図２】他の例を説明する部分平面図で、（ａ）はその
１、（ｂ）はその２である。
１、（ｂ）はその２である。
１ 帯電防止用ソケット ２ 受け台 ２ａ 搭載面 ３ 触子 １０ 半導体装置 １１ パッケージ １２ リード ２１ 凸部 ２１ａ 接触面
Claims (1)
- 【請求項１】 非導電性材料のパッケージにて内部素子
を封止して成る半導体装置を載置した状態で、該半導体
装置から延出するリードを介して測定装置と該半導体装
置との導通を得るソケットにおいて、 非導電性材料から成り前記半導体装置のパッケージをそ
の搭載面に載置するための受け台と、 前記受け台の周辺に配置され前記半導体装置を載置した
状態で前記リードと接触する触子と、 前記受け台の搭載面に備えられ該搭載面の面積よりも小
さな接触面にて前記パッケージを支持する凸部とから成
ることを特徴とする帯電防止用ソケット。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6128232A JPH07311241A (ja) | 1994-05-17 | 1994-05-17 | 帯電防止用ソケット |
| US08/440,092 US5620327A (en) | 1994-05-17 | 1995-05-12 | Antistatic socket apparatus |
| TW084104777A TW431035B (en) | 1994-05-17 | 1995-05-15 | Anti-static socket |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6128232A JPH07311241A (ja) | 1994-05-17 | 1994-05-17 | 帯電防止用ソケット |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07311241A true JPH07311241A (ja) | 1995-11-28 |
Family
ID=14979768
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6128232A Pending JPH07311241A (ja) | 1994-05-17 | 1994-05-17 | 帯電防止用ソケット |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5620327A (ja) |
| JP (1) | JPH07311241A (ja) |
| TW (1) | TW431035B (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20060024986A1 (en) * | 2004-07-28 | 2006-02-02 | International Business Machines Corporation | Electrostatic discharge dissipative sockets |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2008333B (en) * | 1977-11-14 | 1982-05-26 | Amp Inc | Electrical connector |
| US4388371A (en) * | 1981-06-29 | 1983-06-14 | General Electric Company | Self-bonding acrylic polymer overcoat for coated metal substrates |
| US4417777A (en) * | 1981-10-13 | 1983-11-29 | Molex Incorporated | Integrated circuit carrier assembly |
| US4595794A (en) * | 1984-03-19 | 1986-06-17 | At&T Bell Laboratories | Component mounting apparatus |
| US4560218A (en) * | 1984-12-03 | 1985-12-24 | Amp Incorporated | Socket for surface mount dip |
| US4684184A (en) * | 1986-01-14 | 1987-08-04 | Amp Incorporated | Chip carrier and carrier socket for closely spaced contacts |
| JPH0715826B2 (ja) * | 1989-12-28 | 1995-02-22 | 山一電機工業株式会社 | Ｉｃソケット |
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