JPH07304932A - 型慣れ材用エポキシ樹脂組成物 - Google Patents

型慣れ材用エポキシ樹脂組成物

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JPH07304932A
JPH07304932A JP10018294A JP10018294A JPH07304932A JP H07304932 A JPH07304932 A JP H07304932A JP 10018294 A JP10018294 A JP 10018294A JP 10018294 A JP10018294 A JP 10018294A JP H07304932 A JPH07304932 A JP H07304932A
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JP
Japan
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mold
epoxy resin
resin composition
silica
accustomed
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JP10018294A
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English (en)
Inventor
Yasuo Fukuhara
康雄 福原
Masaaki Otsu
正明 大津
Hiroyuki Shiraki
啓之 白木
Masayuki Kiyougaku
正之 教学
Takashi Toyama
貴志 外山
Tatsuyoshi Wada
辰佳 和田
Masashi Nakamura
正志 中村
Yoshihiko Nakamura
善彦 中村
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Panasonic Electric Works Co Ltd
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Matsushita Electric Works Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 半導体素子の封止工程において、成形を一時
中断する場合、金型を長時間高温状態に保持しておいて
も金型からの離型効果がなくならず、成形品を金型から
離型し易い状態に保つ型慣れ材用エポキシ樹脂組成物を
提供する。また、例えば、メモリー用半導体装置等の場
合に、α線による半導体素子のソフトエラーが発生し易
いという悪影響を及ぼさない型慣れ材用エポキシ樹脂組
成物をも提供する。 【構成】 エポキシ樹脂に、離型剤、硬化剤及び充填剤
を添加してなる型慣れ材用エポキシ樹脂組成物であっ
て、上記離型剤としてカルボキシル基含有ポリオレフィ
ンを型慣れ材用エポキシ樹脂組成物の全量に対して1〜
5重量%含有する。また、上記充填剤としてウランの含
有量がシリカの全量に対して0.1ppb以下である低
α線シリカを含有することを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体素子等を封止用
樹脂によって封止する前段階として、金型からの離型効
果を持たせるために成形する型慣れ材用エポキシ樹脂組
成物に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、ダイオード、トランジスター、集
積回路等の電気・電子部品や半導体装置等の封止方法と
して、例えば、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂を主成分
とした半導体封止用成形材料を用いて、トランスファー
成形等によって封止する方法が、一般に行われている。
ところが、封止成形後のリードフレーム等と封止樹脂と
の密着性を上げるために、半導体封止用成形材料に含有
される離型剤の量を低減する必要があった。この離型剤
の量を低減した半導体封止用成形材料を成形すると金型
からの離型効果が小さく、成形品が金型から離型し難く
なってしまうという欠点があった。このため、封止成形
の前段階として、金型からの離型効果を持たせるため
に、いわゆる型慣れ材と呼ばれるエポキシ樹脂組成物を
成形することが一般に行われている。この型慣れ材用エ
ポキシ樹脂組成物は、例えば、クレゾールノボラック型
エポキシ樹脂、ビスフェノールA型エポキシ樹脂及びビ
フェニル型エポキシ樹脂等のエポキシ樹脂主剤、フェノ
ールノボラック等の硬化剤、三級アミン、イミダゾール
及びホスフィン類等の硬化促進剤、シリカ等の無機粉末
からなる無機充填剤、シランカップリング剤等のカップ
リング剤、カルナウバワックス及びステアリン酸等の離
型剤並びにカーボンブラック等の着色剤等から構成され
ている。
【0003】また、半導体素子の封止工程において、成
形を一時中断する場合、金型を冷やしてしまうと、成形
を再開するときに、金型を成形条件の温度まで上げるの
に長時間を要するため、金型を長時間高温状態に保持し
ておくことが多かった。ところが、このように金型を高
温状態で長時間放置した場合、従来の型慣れ材では、金
型からの離型効果がなくなってしまい、成形品が金型か
ら離型し難くなってしまうという欠点があった。このた
め、改めて型慣れ材で成形をした後に、半導体素子の封
止成形を行わなければならず、成形作業性に問題があっ
た。
【0004】また、例えば、メモリー用半導体装置等で
は、型慣れ材にα線を出すウラン等の含有量の多いシリ
カ等の材料を使用している場合には、この材料が半導体
封止材に混入して、α線により半導体素子のソフトエラ
ーが発生し易いという問題があった。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記の事情に
鑑みてなされたもので、その目的とするところは、半導
体素子の封止工程において、成形を一時中断する場合、
金型を長時間高温状態に保持しておいても金型からの離
型効果がなくならず、成形品を金型から離型し易い状態
に保つ型慣れ材用エポキシ樹脂組成物を提供することに
ある。
【0006】また、例えば、メモリー用半導体装置等の
場合に、α線による半導体素子のソフトエラーが発生し
易いという悪影響を及ぼさない型慣れ材用エポキシ樹脂
組成物をも提供することにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明の請求項1に係る
型慣れ材用エポキシ樹脂組成物は、エポキシ樹脂に、離
型剤、硬化剤及び充填剤を添加してなる型慣れ材用エポ
キシ樹脂組成物であって、上記離型剤としてカルボキシ
ル基含有ポリオレフィンを型慣れ材用エポキシ樹脂組成
物の全量に対して1〜5重量%含有することを特徴とす
る。
【0008】本発明の請求項2に係る型慣れ材用エポキ
シ樹脂組成物は、カルボキシル基含有ポリオレフィンの
分子量が1000〜30000であることを特徴とす
る。
【0009】本発明の請求項3に係る型慣れ材用エポキ
シ樹脂組成物は、カルボキシル基含有ポリオレフィンの
酸価が0.5〜50であることを特徴とする。
【0010】本発明の請求項4に係る型慣れ材用エポキ
シ樹脂組成物は、上記充填剤としてウランの含有量がシ
リカの全量に対して0.1ppb以下である低α線シリ
カを含有することを特徴とする。
【0011】以下、本発明を詳述する。本発明に用いる
エポキシ樹脂は、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビ
スフェノールF型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック
型エポキシ樹脂、グリシジルエーテル型エポキシ樹脂、
ハロゲン化エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキ
シ樹脂等のようにエポキシ樹脂全般を用いることができ
る。
【0012】また、離型剤としての必須成分は、カルボ
キシル基含有ポリオレフィンであり、カルボキシル基含
有ポリオレフィンの含有量は、型慣れ材用エポキシ樹脂
組成物の全量に対して1〜5重量%に制限される。すな
わち、カルボキシル基含有ポリオレフィンの含有量が、
型慣れ材用エポキシ樹脂組成物の全量に対して1重量%
未満の場合には、金型を高温状態で長時間放置したと
き、金型からの離型効果がなくなってしまい、成形品が
金型から離型し難くなる。また、カルボキシル基含有ポ
リオレフィンの含有量が、型慣れ材用エポキシ樹脂組成
物の全量に対して5重量%を越える場合には、半導体装
置の半導体素子やリードフレームと封止樹脂との界面に
剥離が生じる。
【0013】そして、有効な離型性を示すという点か
ら、カルボキシル基含有ポリオレフィンの分子量が、1
000〜30000であることが好ましく、2000〜
12000であることがさらに好ましい。また、同じく
有効な離型性を示すという点から、カルボキシル基含有
ポリオレフィンの酸価が、0.5〜50であることが好
ましく、5〜30であることがより好ましく、13〜2
0であることがさらに好ましい。
【0014】本発明で用いられるポリオレフィンとして
は、例えば、エチレン、プロピレン、1−ペンテン、2
−ペンテン、1−ヘキセン及び2−ヘキセン等の1種又
は2種以上が挙げられる。好ましくは、ポリエチレン、
ポリプロピレン及びエチレン−プロピレン共重合体の中
の少なくとも1種を用いるのがよい。また、ポリオレフ
ィンに含有されるカルボキシル基(又はその酸無水物基
も含む)としては、例えば、不飽和カルボン酸の残基等
が挙げられる。不飽和カルボン酸としては、アクリル
酸、メタクリル酸、クロトン酸、マレイン酸、フマル
酸、イタコン酸、無水マレイン酸及び無水イタコン酸等
が挙げられる。好ましくは、マレイン酸がよい。また、
本発明に用いられるポリオレフィンには、他のビニル化
合物が共重合されていてもよい。このビニル化合物とし
ては、例えば、ブタジエン、イソプレン及びネオプレン
等のジエン系ビニル化合物;スチレン、α−メチルスチ
レン、ビニルトルエン及びその他各種の置換スチレン等
の芳香族ビニル化合物;アクリル酸メチル、メタクリル
酸メチル、アクリル酸エチル、メタクリル酸エチル、ア
クリル酸ブチル、メタクリル酸ブチル、アクリル酸2−
エチルヘキシル及びメタクリル酸2−エチルヘキシル等
の不飽和カルボン酸エステル化合物;塩化ビニル及び塩
化ビニリデン等のハロゲン化ビニル;酢酸ビニル及びプ
ロピオン酸ビニル等のカルボン酸ビニルエステル;並び
にアクリロニトリル及びメタクリルニトリル等のニトリ
ル基含有ビニル化合物等が挙げられ、1種又は2種以上
で使用される。なお、カルボキシル基含有のポリオレフ
ィンは、ポリエチレン等を酸化(部分酸化も含む)して
カルボン酸の状態にしたもの、いわゆる酸化ポリエチレ
ン等であってもよい。
【0015】また、溶融シリカ、結晶シリカ、アルミ
ナ、窒化ケイ素、タルク、クレー等の充填材を用いるこ
とを排除するものではないが、例えば、メモリー用半導
体装置等の場合に、α線による半導体素子のソフトエラ
ーが発生し易いという悪影響を及ぼさない型慣れ材用エ
ポキシ樹脂組成物としては、上記充填剤としてウランの
含有量がシリカの全量に対して0.1ppb以下である
低α線シリカを用いるのが好ましい。
【0016】また、硬化剤としては、必要に応じてフェ
ノールノボラック樹脂、メラミン樹脂、アクリル樹脂、
イソシアネート、アミン系硬化剤、酸無水物等が用いら
れ、特に限定する理由はない。
【0017】本発明の型慣れ材用エポキシ樹脂組成物に
は、上記成分以外にも必要に応じて適当な硬化促進剤、
カップリング剤及び着色剤等を添加することができる。
必要に応じて用いられる硬化促進剤として、例えば、
1,8−ジアザ−ビシクロ(5,4,0)ウンデセン−
7、トリエチレンジアミン及びベンジルジメチルアミン
等の三級アミン類;2−メチルイミダゾール、2−エチ
ル−4−メチルイミダゾール、2−フェニルイミダゾー
ル及び2−フェニル−4−メチルイミダゾール等のイミ
ダゾール類;トリブチルホスフィン及びトリフェニルホ
スフィン等の有機ホスフィン類(リン系硬化促進剤);
並びにテトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレ
ート及びトリフェニルホスフィンテトラフェニルボレー
ト等のテトラフェニルボロン塩等を用いることができ
る。また、充填剤の表面処理に用いるカップリング剤と
しては、例えば、γ−グリシドキシプロピルトリメトキ
シシラン及びγ−アミノプロピルトリエトキシシラン等
のシランカップリング剤が用いられる。そして、カーボ
ンブラック等の着色剤等も用いることができる。
【0018】なお、本発明の型慣れ材用エポキシ樹脂組
成物に用いられる硬化剤、硬化促進剤、カップリング剤
及び着色剤等は、上記に例示したものに限定されるもの
ではない。
【0019】
【作用】本発明の請求項1〜請求項3に係る型慣れ材用
エポキシ樹脂組成物は、離型剤としてカルボキシル基含
有ポリオレフィンを型慣れ材用エポキシ樹脂組成物の全
量に対して1〜5重量%含有しているので、封止成形の
前段階として、成形することにより、金型表面に付着し
たカルボキシル基含有ポリオレフィンが金型の熱によ
り、酸化重合して金属表面に強固なポリオレフィン膜を
形成するため、成形品が金型から離型し易く、長時間に
わたり、離型効果が維持されるものと推察される。
【0020】また、本発明の請求項4に係る型慣れ材用
エポキシ樹脂組成物は、充填剤としてウランの含有量が
シリカの全量に対して0.1ppb以下である低α線シ
リカを用いているので、封止材料にα線が多く発生する
シリカが混入することがなく、α線による半導体素子の
ソフトエラーの発生を防止できる。
【0021】
【実施例】以下、本発明を実施例によって具体的に説明
する。
【0022】実施例1〜3及び比較例1〜4の配合成分
については、エポキシ樹脂としては、エポキシ当量19
5、軟化点70℃のクレゾールノボラック型エポキシ樹
脂(ESCN195XL−4:住友化学工業株式会社
製)を96.1重量部、硬化剤としては、水酸基当量1
05、軟化点82℃のフェノールノボラック樹脂(PS
M6200:群栄化学株式会社製)を51.7重量部、
硬化促進剤としてトリフェニルホスフィン(TPP)を
1.6重量部、着色剤としてカーボンブラックを0.1
重量部、カップリング剤としてγ−グリシドキシプロピ
ルトリメトキシシランを2.0重量部をそれぞれ用い
た。その他の配合成分は、表1に示したそれぞれの物質
をそれぞれの配合量で用いた。表1に示した数値は、重
量部で示したものである。
【0023】なお、離型剤のカルボキシル基含有ポリオ
レフィンとして、カルボキシル基含有量1.5重量%
(ポリエチレン100ユニットに約1個のカルボキシル
基)、分子量9000、酸化15〜17の酸化ポリエチ
レン離型剤(PED191:ヘキストジャパン株式会社
製)を実施例1、実施例2、比較例1及び比較例2で用
いた。また、比較例3の離型剤としては、モンタン酸エ
チレンビスアマイドを用い、比較例4の離型剤として
は、天然カルナウバワックスを用いた。
【0024】そして、実施例3では、充填剤として、ウ
ランの含有量がシリカの全量に対して0.1ppb以下
である低α線溶融シリカ粉末を用いた。実施例1及び実
施例2並びに比較例1〜比較例4の充填剤としては、汎
用溶融シリカ粉末を用いた。
【0025】上記の各実施例及び、比較例において、充
填剤の表面をカップリング剤で処理し、上記配合成分を
ミキサーで3分間均一に混合分散した後、ロール温度7
5℃のミキシングロールで5分間加熱、溶融、混練し
た。この混練物を、冷却し、約5mmの粒径に粉砕し
て、型慣れ材用エポキシ樹脂組成物を得た。
【0026】
【表1】
【0027】以上で得た各型慣れ材用エポキシ樹脂組成
物をトランスファー成形機を用いて金型温度170〜1
75℃で成形時間90秒で成形して図1に示すように、
クロムめっき板1上にプリン型の成形品2を得た。この
成形品2をクロムめっき板1から取り去り、その後、こ
のクロムめっき板1上に、半導体封止用エポキシ樹脂成
形材料を型慣れ材用エポキシ樹脂組成物と同じ条件で成
形し、成形品2の後硬化を行わずに万能引張試験機を用
いて成形品2とクロムめっき板1との剪断強度を測定
し、成形直後の金型離型強度として表1に示した。この
後、半導体封止用エポキシ樹脂成形材料を50ショット
連続で成形し、成形品2を取り去った後、上記クロムめ
っき板1を170〜175℃で72時間保持し、次いで
半導体封止用エポキシ樹脂成形材料を成形した後、上記
と同様にして万能引張試験機を用いて成形品2とクロム
めっき板1との剪断強度を測定し、72時間高温保持後
の金型離型強度として表1に示した。
【0028】なお、半導体封止用エポキシ樹脂成形材料
については、表2に示したそれぞれの物質を表2に示し
た重量部で配合し、充填剤の表面をカップリング剤で処
理し、上記配合成分をミキサーで3分間均一に混合分散
した後、ロール温度85℃のミキシングロールで8分間
加熱、溶融、混練した。この混練物を、冷却し、約5m
mの粒径に粉砕して、半導体封止用エポキシ樹脂組成物
を得た。
【0029】
【表2】
【0030】また、フラットパッケージ成形品(FP)
のリードフレームと封止樹脂との界面剥離の有無を調べ
るために、外形寸法19mm×15mm、厚み1.8m
mの60ピンフラットパッケージ型IC金型で、各型慣
れ材用エポキシ樹脂組成物を前記の条件で成形した。次
いで、7.6mm×7.6mm、厚み0.4mmの半導
体素子をダイパット寸法8.2mm×8.2mmの42
アロイリードフレームに銀ペーストで実装し、上記IC
金型でフラットパッケージを半導体封止用エポキシ樹脂
成形材料を用いて成形後、超音波探査装置により、リー
ドフレームと封止樹脂との界面剥離の有無を調べること
により、リードフレームと封止樹脂との密着性を評価し
た。その結果を表1に示した。
【0031】表1から明らかなように、実施例1〜実施
例3は、比較例1〜比較例4に比べて、成形直後の金型
離型強度及び72時間高温保持後の金型離型強度が小さ
くて優れているとともに、リードフレームと封止樹脂と
の密着性もよいことが確認できた。
【0032】また、実施例3の充填剤として、ウランの
含有量がシリカの全量に対して0.1ppb以下である
低α線溶融シリカ粉末を用いた型慣れ材用エポキシ樹脂
組成物では、半導体封止用エポキシ樹脂成形材料にα線
が多く発生するシリカが混入することがないため、メモ
リー用半導体装置等の場合に、α線による半導体素子の
ソフトエラーが発生し易いという悪影響を及ぼさないと
いうことが確認できた。
【0033】
【発明の効果】本発明の請求項1〜請求項3に係る型慣
れ材用エポキシ樹脂組成物によると、上記のように構成
されているので、半導体素子の封止工程において、成形
を一時中断する場合、金型を長時間高温状態に保持して
おいても金型からの離型効果がなくならず、成形品を金
型から離型し易い状態に保つことができる。
【0034】また、本発明の請求項4に係る型慣れ材用
エポキシ樹脂組成物によると、上記のように構成されて
いるので、例えば、メモリー用半導体装置等の場合に、
α線による半導体素子のソフトエラーが発生し易いとい
う悪影響を及ぼさない。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施例に係るクロムめっき板と成形品
の断面図である。
【符号の説明】
1 クロムめっき板 2 成形品
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H01L 23/31 (72)発明者 教学 正之 大阪府門真市大字門真1048番地松下電工株 式会社内 (72)発明者 外山 貴志 大阪府門真市大字門真1048番地松下電工株 式会社内 (72)発明者 和田 辰佳 大阪府門真市大字門真1048番地松下電工株 式会社内 (72)発明者 中村 正志 大阪府門真市大字門真1048番地松下電工株 式会社内 (72)発明者 中村 善彦 大阪府門真市大字門真1048番地松下電工株 式会社内

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 エポキシ樹脂に、離型剤、充填剤及び硬
    化剤を添加してなる型慣れ材用エポキシ樹脂組成物であ
    って、上記離型剤としてカルボキシル基含有ポリオレフ
    ィンを型慣れ材用エポキシ樹脂組成物の全量に対して1
    〜5重量%含有することを特徴とする型慣れ材用エポキ
    シ樹脂組成物。
  2. 【請求項2】 カルボキシル基含有ポリオレフィンの分
    子量が1000〜30000であることを特徴とする請
    求項1記載の型慣れ材用エポキシ樹脂組成物。
  3. 【請求項3】 カルボキシル基含有ポリオレフィンの酸
    価が0.5〜50であることを特徴とする請求項1又は
    請求項2記載の型慣れ材用エポキシ樹脂組成物。
  4. 【請求項4】 上記充填剤としてウランの含有量がシリ
    カの全量に対して0.1ppb以下である低α線シリカ
    を含有することを特徴とする請求項1〜請求項3いずれ
    かに記載の型慣れ材用エポキシ樹脂組成物。
JP10018294A 1994-05-13 1994-05-13 型慣れ材用エポキシ樹脂組成物 Pending JPH07304932A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006057066A (ja) * 2004-08-24 2006-03-02 Shin Etsu Chem Co Ltd エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP2009110944A (ja) * 2007-10-11 2009-05-21 Nichias Corp 燃料電池用セパレータ用樹脂組成物及び燃料電池用セパレータ

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006057066A (ja) * 2004-08-24 2006-03-02 Shin Etsu Chem Co Ltd エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP2009110944A (ja) * 2007-10-11 2009-05-21 Nichias Corp 燃料電池用セパレータ用樹脂組成物及び燃料電池用セパレータ

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