JP2006282876A - エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 (A)一般式(1)で示されるエポキシ樹脂、(B)一般式(2)で示されるフェノール樹脂、(C)無機充填剤、(D)硬化促進剤、(E)グリセリンと炭素数24〜36の飽和脂肪酸とのグリセリントリ脂肪酸エステル及び(F)ハイドロタルサイト系化合物を必須成分とすることを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
【化7】
(Rは、水素原子又は炭素数1〜4のアルキル基から選択される基であり、互いに同一であっても、異なっていてもよい。nは、平均値で1〜3の正数。)
【化8】
(Rは、水素原子又は炭素数1〜4のアルキル基から選択される基であり、互いに同一であっても、異なっていてもよい。nは、平均値で1〜3の正数。)
Description
これを補う目的で、離型剤の配合量を増やしたり、高離型を示す離型剤を添加したりするのが一般的であるが、この場合、離型剤が金型表面に染み出しすぎることで、金型や半導体装置の表面が汚れやすく、生産性を損なうといった問題が生じる。
このような状況から、生産性と半導体装置の信頼性が高いレベルで両立できる手法の開発が強く望まれていた。
[1](A)一般式(1)で示されるエポキシ樹脂、(B)一般式(2)で示されるフェノール樹脂、(C)無機充填剤、(D)硬化促進剤、(E)グリセリンと炭素数24〜36の飽和脂肪酸とのグリセリントリ脂肪酸エステル及び(F)ハイドロタルサイト系化合物を必須成分とすることを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物、
[3]第[1]又は[2]項記載のエポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子を封止してなることを特徴とする半導体装置、
である。
以下、各成分について詳細に説明する。
さらに、一般式(1)で示されるエポキシ樹脂の低吸水率、低弾性率、低熱応力等の特徴を最大限発現させるには、全エポキシ樹脂中にX重量%の一般式(1)で示されるエポキシ樹脂と全フェノール樹脂中にY重量%の一般式(2)で示されるフェノール樹脂の合計(X+Y)が全エポキシ樹脂と全フェノール樹脂中に50重量%以上含む必要がある。併用する場合の他のエポキシ樹脂としては、例えばフェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ビスフェノール型エポキシ樹脂、スチルベン型エポキシ樹脂、トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、フェノールアラルキル型エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、アルキル変性トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、トリアジン核含有エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン変性フェノール型エポキシ樹脂等が挙げられるが、必ずしもこれらに限定されるものではない。また、これらのエポキシ樹脂は単独で用いても2種類以上併用しても構わない。
一般式(1)で示されるエポキシ樹脂の具体例を以下に示すが、必ずしもこれらに限定されるものではない。
半導体封止用エポキシ樹脂組成物としての耐湿信頼性を考慮すると、イオン性不純物であるNaイオンやClイオンが極力少ない方が好ましく、硬化性の点からエポキシ当量としては100〜500g/eqが好ましい。
さらに、一般式(2)で示されるフェノール樹脂の低吸水率、低弾性率、低熱応力等の特徴を最大限発現させるには、全エポキシ樹脂中にX重量%の一般式(1)で示されるエポキシ樹脂と全フェノール樹脂中にY重量%の一般式(2)で示されるフェノール樹脂の合計(X+Y)が全エポキシ樹脂と全フェノール樹脂中に50重量%以上含む必要がある。併用する場合の他のフェノール樹脂としては、例えばフェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、トリフェノールメタン樹脂、テルペン変性フェノール樹脂、ジシクロペンタジエン変性フェノール樹脂、フェノールアラルキル樹脂、ナフトールアラルキル樹脂等があり、これらは単独でも混合して用いてもよい。一般式(2)で示されるフェノール樹脂の具体例を以下に示すが、これらに限定されるものではない。また,硬化性の点から水酸基当量は90〜250g/eqが好ましい。
エステル化に用いる飽和脂肪酸が、炭素数23以下では十分な離型性が得られないため好ましくない。炭素数37以上では分子量が大きいため流動性が低下したり、過度に染み出すことによって金型汚れやリードフレーム/樹脂間剥離の原因となったりするので好ましくない。また,モノエステル、ジエステルでは、残存する水酸基の影響によってエポキシ樹脂組成物の硬化物の耐湿性が低下し、その結果として耐半田クラック性に悪影響を及ぼすので好ましくない。なお、本発明での飽和脂肪酸の炭素数とは、飽和脂肪酸中のアルキル基とカルボキシル基の炭素数を合計したものを指す。
本発明のエポキシ樹脂組成物を用いて、半導体素子を封止し、半導体装置を製造するには、トランスファーモールド、コンプレッションモールド、インジェクションモールド等の成形方法で成形硬化すればよい。
式(3)のエポキシ樹脂(軟化点58℃、エポキシ当量274) 7.0重量部
式(5)のフェノール樹脂(軟化点67℃、水酸基当量203) 5.1重量部
トリフェニルホスフィン 0.2重量部
球状シリカ(平均粒径20μm) 87.0重量部
グリセリントリモンタン酸エステル(炭素数29) 0.2重量部
ハイドロタルサイト(Mg6Al2(OH)16CO3・4H2O) 0.1重量部
酸化ビスマス 0.1重量部
カーボンブラック 0.3重量部
をミキサーにて常温混合し、80〜100℃の加熱ロールで溶融混練後,冷却後粉砕し、エポキシ樹脂組成物を得た。評価結果を表1に示す。
連続成形性:トランスファー成形機を用いて、金型温度175℃、注入圧力9.3MPa、硬化時間60秒で160pQFP(24mm×24mm×1.4mm厚さ)を連続で成形した。ゲート詰まり、エアベント詰まり、金型へのパッケージ取られ、カル落ち等の成形不良が発生するまでのショット数を離型不良として示した。また,パッケージ表面の油浮き,かすれ等の不良が発生するまでのショット数をパッケージ外観不良として示した。
耐半田性:トランスファー成形機を用いて、金型温度180℃、注入圧力9.3MPa、硬化時間1分で160pQFP(24×24×1.4mm厚さ)を成形した後、175℃、8時間で後硬化させた。このパッケージを温度85℃、相対湿度85%の環境下で168時間吸湿処理し、IRリフロー処理(260℃、3回)をした。その後、超音波探傷装置で内部を透視し、内部剥離不良については半導体素子表面の剥離が無く,かつアイランド裏面の剥離がアイランド全面積の10%のものを良品,半導体素子表面に剥離が発生したもの、あるいはアイランド裏面の剥離がアイランド全面積の10%以上にわたるものについては不良品とした。クラック不良については、発生無きものを良品.発生したものを不良品とした。n=36。
表1の配合に従い、実施例1と同様にして、エポキシ樹脂組成物を製造し、同様にして評価した。評価結果を表1に示す。
実施例1以外で用いた成分について、以下に示す。
ビフェニル型エポキシ樹脂(ジャパンエポキシレジン(株)製、YX4000HK、融点105℃、エポキシ当量191)
フェノールアラルキル樹脂(三井化学(株)製、XLC−LL、軟化点79℃、水酸基当量174)
グリセリントリセロチン酸エステル(炭素数26)
グリセリントリステアリン酸エステル(炭素数18)
グリセリンと炭素数37の脂肪酸とのトリエステル
グリセリンモノモンタン酸エステル(炭素数29)
グリセリンジモンタン酸エステル(炭素数29)
ステアリン酸亜鉛
Claims (3)
- 全エポキシ樹脂中にX重量%の前記エポキシ樹脂(A)と全フェノール樹脂中にY重量%の前記フェノール樹脂(B)の合計(X+Y)が、全エポキシ樹脂と全フェノール樹脂中に50重量%以上である請求項1記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
- 請求項1又は2記載のエポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子を封止してなることを特徴とする半導体装置。
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JP2008133450A (ja) * | 2006-10-30 | 2008-06-12 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
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