JPH07302865A - 半導体ｉｃ等のチップパッケージの放熱方法および放熱装置 - Google Patents
半導体ｉｃ等のチップパッケージの放熱方法および放熱装置Info
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- JPH07302865A JPH07302865A JP6111778A JP11177894A JPH07302865A JP H07302865 A JPH07302865 A JP H07302865A JP 6111778 A JP6111778 A JP 6111778A JP 11177894 A JP11177894 A JP 11177894A JP H07302865 A JPH07302865 A JP H07302865A
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- H01L2224/73253—Bump and layer connectors
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体ＩＣ等を内蔵するシングルチップパッ
ケージやマルチチップ等のＩＣ部品について、その放熱
効率を向上させることにより、ＩＣの誤動作防止と長寿
命化とを図る。 【構成】 半導体ＩＣ等のチップパッケージと、ヒート
シンクと、プリント基板とを具備し、該プリント基板上
に実装され、反対面に前記ヒートシンクが取り付けられ
たチップパッケージを有する装置において、ヒートシン
クとプリント基板との間を、熱伝導率の高い部材で熱的
に結合する。 【効果】 高発熱体である動作中の半導体ＩＣ等のチッ
プパッケージの温度を、従来に比べて低く抑えることが
可能となり、ＩＣの誤動作が防止されると共に、長寿命
化も達成される。
ケージやマルチチップ等のＩＣ部品について、その放熱
効率を向上させることにより、ＩＣの誤動作防止と長寿
命化とを図る。 【構成】 半導体ＩＣ等のチップパッケージと、ヒート
シンクと、プリント基板とを具備し、該プリント基板上
に実装され、反対面に前記ヒートシンクが取り付けられ
たチップパッケージを有する装置において、ヒートシン
クとプリント基板との間を、熱伝導率の高い部材で熱的
に結合する。 【効果】 高発熱体である動作中の半導体ＩＣ等のチッ
プパッケージの温度を、従来に比べて低く抑えることが
可能となり、ＩＣの誤動作が防止されると共に、長寿命
化も達成される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、高発熱体である半導
体ＩＣ等のチップパッケージの放熱方法および放熱装置
に係り、特に、半導体ＩＣ等を１個または複数個内蔵す
るＱＦＰ（Ｑuad Ｆlat Ｐackage），ＰＧＡ（Ｐin Ｇr
id Ａrray），ＢＧＡ（Ｂall ＧridＡrray）等のシング
ルチップパッケージ、あるいは、ハイブリッドＩＣ，Ｍ
ＣＭ（Ｍulti Ｃhip Ｍodule）等のＩＣ部品から発生さ
れる熱を放出するために、ＩＣ部品の一面側をプリント
基板上に実装し、反対面に放熱用のヒートシンクを備え
た半導体ＩＣ等のチップパッケージについて、その放熱
効率を向上させることにより、半導体ＩＣ等の誤動作を
防止すると共に、長寿命化を可能にした放熱方法および
放熱装置に関する。
体ＩＣ等のチップパッケージの放熱方法および放熱装置
に係り、特に、半導体ＩＣ等を１個または複数個内蔵す
るＱＦＰ（Ｑuad Ｆlat Ｐackage），ＰＧＡ（Ｐin Ｇr
id Ａrray），ＢＧＡ（Ｂall ＧridＡrray）等のシング
ルチップパッケージ、あるいは、ハイブリッドＩＣ，Ｍ
ＣＭ（Ｍulti Ｃhip Ｍodule）等のＩＣ部品から発生さ
れる熱を放出するために、ＩＣ部品の一面側をプリント
基板上に実装し、反対面に放熱用のヒートシンクを備え
た半導体ＩＣ等のチップパッケージについて、その放熱
効率を向上させることにより、半導体ＩＣ等の誤動作を
防止すると共に、長寿命化を可能にした放熱方法および
放熱装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来から、半導体ＩＣ等を１個または複
数個内蔵するＱＦＰ，ＰＧＡ，ＢＧＡ等のシングルチッ
プパッケージ、あるいはハイブリッドＩＣ，ＭＣＭ（マ
ルチチップモジュール）等のマルチチップのＩＣ部品の
実装形態においては、ＩＣ部品をプリント基板上に実装
すると共に、プリント基板と反対の面に放熱用のヒート
シンクが取り付けられている。次に、従来の半導体ＩＣ
等のチップパッケージの実装形態を、図を用いて説明す
る。ここでは、半導体ＩＣ等のマルチチップの実装形態
を示す。
数個内蔵するＱＦＰ，ＰＧＡ，ＢＧＡ等のシングルチッ
プパッケージ、あるいはハイブリッドＩＣ，ＭＣＭ（マ
ルチチップモジュール）等のマルチチップのＩＣ部品の
実装形態においては、ＩＣ部品をプリント基板上に実装
すると共に、プリント基板と反対の面に放熱用のヒート
シンクが取り付けられている。次に、従来の半導体ＩＣ
等のチップパッケージの実装形態を、図を用いて説明す
る。ここでは、半導体ＩＣ等のマルチチップの実装形態
を示す。
【０００３】図３は、従来の高発熱ＩＣのマルチチップ
について、その実装形態の一例を示す側面図である。図
において、１はヒートシンク、２は半導体実装基板、３
は高発熱半導体ベアチップ、４はボンディングワイヤ、
５はプリント基板、６は電気用ピン、黒矢印は熱の伝導
方向を示す。
について、その実装形態の一例を示す側面図である。図
において、１はヒートシンク、２は半導体実装基板、３
は高発熱半導体ベアチップ、４はボンディングワイヤ、
５はプリント基板、６は電気用ピン、黒矢印は熱の伝導
方向を示す。
【０００４】従来の実装形態では、この図３に示すよう
に、例えば高発熱ＩＣのマルチチップである高発熱半導
体ベアチップ３は、例えばセラミックス等で構成された
半導体実装基板２上に、ボンディングワイヤ４によって
固定されている。ボンディングワイヤ４は、例えばＡｇ
ペースト等によってダイボンドされており、ワイヤボン
ディングが施された構成である。
に、例えば高発熱ＩＣのマルチチップである高発熱半導
体ベアチップ３は、例えばセラミックス等で構成された
半導体実装基板２上に、ボンディングワイヤ４によって
固定されている。ボンディングワイヤ４は、例えばＡｇ
ペースト等によってダイボンドされており、ワイヤボン
ディングが施された構成である。
【０００５】この半導体実装基板２は、高発熱半導体ベ
アチップ３が実装されている一面の反対面に、ヒートシ
ンク１が取付けられている。ヒートシンク１は、半導体
実装基板２よりも対向面積が大きいので、半導体実装基
板２の側方に伸びた形状をしており、ヒートシンク１の
中央（半導体実装基板２が存在する部分）で、例えばロ
ウ付け等によって半導体実装基板２と密着された状態で
接着されている。
アチップ３が実装されている一面の反対面に、ヒートシ
ンク１が取付けられている。ヒートシンク１は、半導体
実装基板２よりも対向面積が大きいので、半導体実装基
板２の側方に伸びた形状をしており、ヒートシンク１の
中央（半導体実装基板２が存在する部分）で、例えばロ
ウ付け等によって半導体実装基板２と密着された状態で
接着されている。
【０００６】このように構成することによって、高発熱
半導体ベアチップ３から発生した熱が、半導体実装基板
２を介してヒートシンク１へ伝わり、ヒートシンク１に
よって空気中に放熱され、高発熱半導体ベアチップ３の
空冷が行われる。しかしながら、ヒートシンク１は、熱
伝導率が良好な、例えばＣｕ−Ｗ（熱伝導率２１０ｗ／
ｍ℃）等の高熱伝導体で形成されていても、空気の熱伝
導率は非常に悪い（空気の熱伝導率０．０３ｗ／ｍ℃）
ので、ヒートシンク１から空気中への放熱は、余り良好
ではない。
半導体ベアチップ３から発生した熱が、半導体実装基板
２を介してヒートシンク１へ伝わり、ヒートシンク１に
よって空気中に放熱され、高発熱半導体ベアチップ３の
空冷が行われる。しかしながら、ヒートシンク１は、熱
伝導率が良好な、例えばＣｕ−Ｗ（熱伝導率２１０ｗ／
ｍ℃）等の高熱伝導体で形成されていても、空気の熱伝
導率は非常に悪い（空気の熱伝導率０．０３ｗ／ｍ℃）
ので、ヒートシンク１から空気中への放熱は、余り良好
ではない。
【０００７】その上、半導体実装基板２も、必ずしも熱
伝導率が良好とは限らず、例えばセラミック（熱伝導率
３８ｗ／ｍ℃）等の熱伝導率の低い材料で構成されてい
る場合には、厚み方向については、寸法が小である（薄
い）から一応熱は伝わるが、長手方向については、寸法
が大であるため、熱が伝わり難くて放熱効率が良くな
い、という問題があった。なお、電気用ピン６を放熱用
として兼用しても、電気用ピン６による放熱効果は余り
期待できない。
伝導率が良好とは限らず、例えばセラミック（熱伝導率
３８ｗ／ｍ℃）等の熱伝導率の低い材料で構成されてい
る場合には、厚み方向については、寸法が小である（薄
い）から一応熱は伝わるが、長手方向については、寸法
が大であるため、熱が伝わり難くて放熱効率が良くな
い、という問題があった。なお、電気用ピン６を放熱用
として兼用しても、電気用ピン６による放熱効果は余り
期待できない。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】この発明では、従来の
半導体ＩＣ等のチップパッケージを有する装置では、ヒ
ートシンクを採用しても、放熱効果が余り期待できない
ために、ＩＣの誤動作や短寿命化の一因になる、という
不都合を解決し、簡単な構成の安価な手段で、放熱効果
の高い放熱方法および放熱装置を提供することを目的と
する（請求項１から請求項６の発明）。
半導体ＩＣ等のチップパッケージを有する装置では、ヒ
ートシンクを採用しても、放熱効果が余り期待できない
ために、ＩＣの誤動作や短寿命化の一因になる、という
不都合を解決し、簡単な構成の安価な手段で、放熱効果
の高い放熱方法および放熱装置を提供することを目的と
する（請求項１から請求項６の発明）。
【０００９】
【課題を解決するための手段】この発明は、第１に、少
なくとも、半導体ＩＣ等のチップパッケージと、ヒート
シンクと、プリント基板とを具備し、該プリント基板上
に実装され、反対面に前記ヒートシンクが取り付けられ
たチップパッケージを有する装置において、前記ヒート
シンクとプリント基板との間を、熱伝導率の高い部材で
熱的に結合した半導体ＩＣ等のチップパッケージの放熱
方法である。
なくとも、半導体ＩＣ等のチップパッケージと、ヒート
シンクと、プリント基板とを具備し、該プリント基板上
に実装され、反対面に前記ヒートシンクが取り付けられ
たチップパッケージを有する装置において、前記ヒート
シンクとプリント基板との間を、熱伝導率の高い部材で
熱的に結合した半導体ＩＣ等のチップパッケージの放熱
方法である。
【００１０】第２に、少なくとも、半導体ＩＣ等のチッ
プパッケージと、ヒートシンクと、プリント基板とを具
備し、該プリント基板上に実装され、反対面に前記ヒー
トシンクが取り付けられたチップパッケージを有する装
置において、前記ヒートシンクとプリント基板との間
で、前記チップパッケージと接触しない外方に熱伝導率
の高い部材を設けた構成である。
プパッケージと、ヒートシンクと、プリント基板とを具
備し、該プリント基板上に実装され、反対面に前記ヒー
トシンクが取り付けられたチップパッケージを有する装
置において、前記ヒートシンクとプリント基板との間
で、前記チップパッケージと接触しない外方に熱伝導率
の高い部材を設けた構成である。
【００１１】第３に、上記第２のチップパッケージの放
熱装置において、上記熱伝導率の高い部材は、棒状に形
成された形状であり、かつ、複数本であるように構成し
ている。
熱装置において、上記熱伝導率の高い部材は、棒状に形
成された形状であり、かつ、複数本であるように構成し
ている。
【００１２】第４に、上記第２のチップパッケージの放
熱装置において、上記熱伝導率の高い部材は、棒状部の
直径が、上記プリント基板と半導体ＩＣ等のチップパッ
ケージとの間を電気的に接続するピン部材の直径より大
であるように構成している。
熱装置において、上記熱伝導率の高い部材は、棒状部の
直径が、上記プリント基板と半導体ＩＣ等のチップパッ
ケージとの間を電気的に接続するピン部材の直径より大
であるように構成している。
【００１３】第５に、上記第２および／または第３のチ
ップパッケージの放熱装置において、上記熱伝導率の高
い部材は、ヒートシンクより熱伝導率の大きい材料で構
成している。
ップパッケージの放熱装置において、上記熱伝導率の高
い部材は、ヒートシンクより熱伝導率の大きい材料で構
成している。
【００１４】第６に、上記第２から第５のチップパッケ
ージの放熱装置において、上記半導体ＩＣ等のチップパ
ッケージは、半導体ＩＣ等を１個または複数個内蔵する
ＱＦＰ，ＰＧＡ，ＭＣＭ等のシングルチップパッケー
ジ、あるいは、ハイブリッドＩＣ、マルチチップモジュ
ールである構成である。
ージの放熱装置において、上記半導体ＩＣ等のチップパ
ッケージは、半導体ＩＣ等を１個または複数個内蔵する
ＱＦＰ，ＰＧＡ，ＭＣＭ等のシングルチップパッケー
ジ、あるいは、ハイブリッドＩＣ、マルチチップモジュ
ールである構成である。
【００１５】
【作用】この発明では、プリント基板の放熱効果が、ヒ
ートシンクの放熱効果に比べて比較的大きい点に着目し
て、ヒートシンクとプリント基板との間を熱伝導率の高
い部材（放熱専用ピン）によって熱的に直結することに
より、ヒートシンクだけでなく、プリント基板でも放熱
作用が行えるようにして、高効率の放熱を可能にしてい
る。詳しくいえば、ヒートシンクとプリント基板とを熱
的に直接結合するために、放熱専用ピンのような熱伝導
率の高い部材を付加している。
ートシンクの放熱効果に比べて比較的大きい点に着目し
て、ヒートシンクとプリント基板との間を熱伝導率の高
い部材（放熱専用ピン）によって熱的に直結することに
より、ヒートシンクだけでなく、プリント基板でも放熱
作用が行えるようにして、高効率の放熱を可能にしてい
る。詳しくいえば、ヒートシンクとプリント基板とを熱
的に直接結合するために、放熱専用ピンのような熱伝導
率の高い部材を付加している。
【００１６】この放熱専用ピンは、ヒートシンクと同一
材料または同等以上の熱伝導率を持つ材料によって一体
成形またはハンダ付け等で構成され、この放熱専用ピン
の両端をそれぞれヒートシンクとプリント基板とへハン
ダ付け等により固定する。したがって、従来と同様の放
熱作用を行うヒートシンクから、放熱専用ピンを介して
積極的にプリント基板へ熱を逃がすことが可能となり、
高発熱ＩＣの温度を低く抑えることができる。
材料または同等以上の熱伝導率を持つ材料によって一体
成形またはハンダ付け等で構成され、この放熱専用ピン
の両端をそれぞれヒートシンクとプリント基板とへハン
ダ付け等により固定する。したがって、従来と同様の放
熱作用を行うヒートシンクから、放熱専用ピンを介して
積極的にプリント基板へ熱を逃がすことが可能となり、
高発熱ＩＣの温度を低く抑えることができる。
【００１７】
【実施例】次に、この発明の半導体ＩＣ等のチップパッ
ケージの放熱方法および放熱装置について、その実施例
を詳しく説明する。この実施例は、請求項１から請求項
６の発明に対応している。
ケージの放熱方法および放熱装置について、その実施例
を詳しく説明する。この実施例は、請求項１から請求項
６の発明に対応している。
【００１８】図１は、この発明の半導体ＩＣ等のチップ
パッケージの放熱装置について、その一実施例を示す側
面図である。図における符号は図３と同様であり、ま
た、１１は放熱専用ピンを示す。
パッケージの放熱装置について、その一実施例を示す側
面図である。図における符号は図３と同様であり、ま
た、１１は放熱専用ピンを示す。
【００１９】この図１の構成は、放熱専用ピン１１が付
加された点を除けば、従来例として図３に示した半導体
ＩＣ等のチップパッケージの実装形態に対応している。
新たに付加された放熱専用ピン１１は、ヒートシンク１
と同一材料または同等以上の熱伝導率を持つ材料によっ
て構成されており（請求項５の発明）、この放熱専用ピ
ン１１の一端は、ヒートシンク１の下方で高発熱半導体
ベアチップ３の外側（正確にいえば、高発熱半導体ベア
チップ３よりも大きな対向面積を有している半導体実装
基板２の外側）で、プリント基板５と対向しているヒー
トシンク１の面上で直接接着され、他端はプリント基板
５と直接接着される（請求項１と請求項２の発明）。
加された点を除けば、従来例として図３に示した半導体
ＩＣ等のチップパッケージの実装形態に対応している。
新たに付加された放熱専用ピン１１は、ヒートシンク１
と同一材料または同等以上の熱伝導率を持つ材料によっ
て構成されており（請求項５の発明）、この放熱専用ピ
ン１１の一端は、ヒートシンク１の下方で高発熱半導体
ベアチップ３の外側（正確にいえば、高発熱半導体ベア
チップ３よりも大きな対向面積を有している半導体実装
基板２の外側）で、プリント基板５と対向しているヒー
トシンク１の面上で直接接着され、他端はプリント基板
５と直接接着される（請求項１と請求項２の発明）。
【００２０】図２は、図１に示したこの発明の半導体Ｉ
Ｃ等のチップパッケージの放熱装置について、その実装
形態を詳しく示す斜視図である。図における符号は、図
１と同様である。
Ｃ等のチップパッケージの放熱装置について、その実装
形態を詳しく示す斜視図である。図における符号は、図
１と同様である。
【００２１】この図２からも明らかなように、ヒートシ
ンク１とプリント基板５との間に、両者の間を熱的に直
接接続する複数個の放熱専用ピン１１が設けられてい
る。これらの放熱専用ピン１１は、その数をできるだけ
多くする方が放熱効果を高める上で有効であり、また、
その径は、できるだけ太くする方が、放熱効果を一層大
きくすることができる（請求項３と請求項４の発明）。
ンク１とプリント基板５との間に、両者の間を熱的に直
接接続する複数個の放熱専用ピン１１が設けられてい
る。これらの放熱専用ピン１１は、その数をできるだけ
多くする方が放熱効果を高める上で有効であり、また、
その径は、できるだけ太くする方が、放熱効果を一層大
きくすることができる（請求項３と請求項４の発明）。
【００２２】しかし、その長さは、逆に短い方が、一層
大きな効果を奏する。図１と図２に示した半導体ＩＣ等
のチップパッケージを、プリント基板５に実装する場合
には、従来の電気用ピン６の場合と同様に、プリント基
板５の放熱専用ピン１１に対向する位置に設けた穴に、
放熱専用ピン１１の一端を挿入し、ハンダ等によって固
定すればよい。
大きな効果を奏する。図１と図２に示した半導体ＩＣ等
のチップパッケージを、プリント基板５に実装する場合
には、従来の電気用ピン６の場合と同様に、プリント基
板５の放熱専用ピン１１に対向する位置に設けた穴に、
放熱専用ピン１１の一端を挿入し、ハンダ等によって固
定すればよい。
【００２３】図１と図２の構成によれば、高発熱半導体
ベアチップ３から発生した熱は、半導体実装基板２を介
してヒートシンク１に伝わり、その一部は空気中に放熱
されるが、他の一部は放熱専用ピン１１を経由してプリ
ント基板５へ伝わり、ここで放熱される。プリント基板
５の熱伝導率は、例えばＦＲ−４の場合、５ｗ／ｍ℃で
あり、Ｇ−１０の場合、１８ｗ／ｍ℃である。
ベアチップ３から発生した熱は、半導体実装基板２を介
してヒートシンク１に伝わり、その一部は空気中に放熱
されるが、他の一部は放熱専用ピン１１を経由してプリ
ント基板５へ伝わり、ここで放熱される。プリント基板
５の熱伝導率は、例えばＦＲ−４の場合、５ｗ／ｍ℃で
あり、Ｇ−１０の場合、１８ｗ／ｍ℃である。
【００２４】このように、プリント基板５は、空気の
０．０３ｗ／ｍ℃に比べてその熱伝導率がはるかに高い
ので、ヒートシンク１から放熱専用ピン１１を経由して
プリント基板５側へ効率良く伝達され、ここで放熱され
る。したがって、従来の装置に比べて、高発熱ＩＣであ
る高発熱半導体ベアチップ３の温度を、低く抑えること
が可能になる。
０．０３ｗ／ｍ℃に比べてその熱伝導率がはるかに高い
ので、ヒートシンク１から放熱専用ピン１１を経由して
プリント基板５側へ効率良く伝達され、ここで放熱され
る。したがって、従来の装置に比べて、高発熱ＩＣであ
る高発熱半導体ベアチップ３の温度を、低く抑えること
が可能になる。
【００２５】その結果、ＩＣの誤動作が防止され、ま
た、長寿命化を達成することが可能となる。ここで、半
導体実装基板２の材質に関して説明すれば、上述したセ
ラミックスの使用が可能であるだけでなく、ヒートシン
ク１と同じ材料（例えばＣｕ−Ｗ）に比べて、熱伝導率
の低いあらゆる材料からなる基板、例えばシリコン基板
（熱伝導率１０５ｗ／ｍ℃）や、有機基板（熱伝導率５
〜１８ｗ／ｍ℃）等を使用することができる。
た、長寿命化を達成することが可能となる。ここで、半
導体実装基板２の材質に関して説明すれば、上述したセ
ラミックスの使用が可能であるだけでなく、ヒートシン
ク１と同じ材料（例えばＣｕ−Ｗ）に比べて、熱伝導率
の低いあらゆる材料からなる基板、例えばシリコン基板
（熱伝導率１０５ｗ／ｍ℃）や、有機基板（熱伝導率５
〜１８ｗ／ｍ℃）等を使用することができる。
【００２６】なお、以上の実施例では、半導体ＩＣ等の
チップパッケージとして、ハイブリッドＩＣやマルチチ
ップモジュール等の、いわゆるマルチチップを中心に説
明した。しかし、これらのチップパッケージ、いわゆる
マルチチップの実装形態に適用できるだけでなく、ＱＦ
Ｂ，ＰＧＡ，ＢＧＡ等のシングルチップパッケージの場
合でも、ヒートシンクが実装されているチップパッケー
ジには、全て適用することが可能であり（請求項６の発
明）、この発明は、これら全てのＩＣ部品の放熱方法お
よび放熱装置を包含することはいうまでもない。
チップパッケージとして、ハイブリッドＩＣやマルチチ
ップモジュール等の、いわゆるマルチチップを中心に説
明した。しかし、これらのチップパッケージ、いわゆる
マルチチップの実装形態に適用できるだけでなく、ＱＦ
Ｂ，ＰＧＡ，ＢＧＡ等のシングルチップパッケージの場
合でも、ヒートシンクが実装されているチップパッケー
ジには、全て適用することが可能であり（請求項６の発
明）、この発明は、これら全てのＩＣ部品の放熱方法お
よび放熱装置を包含することはいうまでもない。
【００２７】
【発明の効果】この発明の半導体ＩＣ等のチップパッケ
ージの放熱方法および放熱装置では、ヒートシンクの外
周領域、すなわち、高発熱体である半導体ＩＣ等のパッ
ケージやモジュールの外部から側方へせりだしたヒート
シンクの一面と、この面に対向して配置されたプリント
基板側との間に、１本あるいは複数本の放熱専用ピンを
設けている。そのため、半導体ＩＣ等のチップパッケー
ジで発生した熱が、放熱用のヒートシンク側から放熱専
用ピンを介して、プリント基板側へ積極的に伝達され
る。
ージの放熱方法および放熱装置では、ヒートシンクの外
周領域、すなわち、高発熱体である半導体ＩＣ等のパッ
ケージやモジュールの外部から側方へせりだしたヒート
シンクの一面と、この面に対向して配置されたプリント
基板側との間に、１本あるいは複数本の放熱専用ピンを
設けている。そのため、半導体ＩＣ等のチップパッケー
ジで発生した熱が、放熱用のヒートシンク側から放熱専
用ピンを介して、プリント基板側へ積極的に伝達され
る。
【００２８】すなわち、高発熱源である半導体ＩＣ等の
チップパッケージからの熱が、単にヒートシンクだけで
なく、このヒートシンクから放熱専用ピンを経由してプ
リント基板へと効率良く伝達されて、プリント基板から
も放熱される。したがって、高発熱体である動作中の半
導体ＩＣ等のチップパッケージの温度を、従来に比べて
低く抑えることが可能となり、ＩＣの誤動作が防止され
ると共に、長寿命化も達成される。
チップパッケージからの熱が、単にヒートシンクだけで
なく、このヒートシンクから放熱専用ピンを経由してプ
リント基板へと効率良く伝達されて、プリント基板から
も放熱される。したがって、高発熱体である動作中の半
導体ＩＣ等のチップパッケージの温度を、従来に比べて
低く抑えることが可能となり、ＩＣの誤動作が防止され
ると共に、長寿命化も達成される。
【図１】この発明の半導体ＩＣ等のチップパッケージの
放熱装置について、その一実施例を示す側面図である。
放熱装置について、その一実施例を示す側面図である。
【図２】図１に示したこの発明の半導体ＩＣ等のチップ
パッケージの放熱装置について、その実装形態を詳しく
示す斜視図である。
パッケージの放熱装置について、その実装形態を詳しく
示す斜視図である。
【図３】従来の高発熱ＩＣのマルチチップについて、そ
の実装形態の一例を示す側面図である。
の実装形態の一例を示す側面図である。
１ ヒートシンク ２ 半導体実装基板 ３ 高発熱半導体ベアチップ ４ ボンディングワイヤ ５ プリント基板 ６ 電気用ピン １１ 放熱専用ピン
Claims (6)
- 【請求項１】 少なくとも、半導体ＩＣ等のチップパッ
ケージと、ヒートシンクと、プリント基板とを具備し、
該プリント基板上に実装され、反対面に前記ヒートシン
クが取り付けられたチップパッケージを有する装置にお
いて、 前記ヒートシンクとプリント基板との間を、熱伝導率の
高い部材で熱的に結合したことを特徴とする半導体ＩＣ
等のチップパッケージの放熱方法。 - 【請求項２】 少なくとも、半導体ＩＣ等のチップパッ
ケージと、ヒートシンクと、プリント基板とを具備し、
該プリント基板上に実装され、反対面に前記ヒートシン
クが取り付けられたチップパッケージを有する装置にお
いて、 前記ヒートシンクとプリント基板との間で、前記チップ
パッケージと接触しない外周位置に、熱伝導率の高い部
材を設けたことを特徴とする半導体ＩＣ等のチップパッ
ケージの放熱装置。 - 【請求項３】 請求項２のチップパッケージの放熱装置
において、 上記熱伝導率の高い部材は、棒状に形成された形状であ
り、かつ、複数本であることを特徴とする半導体ＩＣ等
のチップパッケージの放熱装置。 - 【請求項４】 請求項２のチップパッケージの放熱装置
において、 上記熱伝導率の高い部材は、棒状部の直径が、上記プリ
ント基板と半導体ＩＣ等のチップパッケージとの間を電
気的に接続するピン部材の直径より大であることを特徴
とする半導体ＩＣ等のチップパッケージの放熱装置。 - 【請求項５】 請求項２および／または請求項３のチッ
プパッケージの放熱装置において、 上記熱伝導率の高い部材は、ヒートシンクより熱伝導率
の大きい材料で構成されていることを特徴とするチップ
パッケージの放熱装置。 - 【請求項６】 請求項２から請求項５のチップパッケー
ジの放熱装置において、 上記半導体ＩＣ等のチップパッケージは、半導体ＩＣ等
を１個または複数個内蔵するＱＦＰ，ＰＧＡ，ＢＧＡ等
のシングルチップパッケージ、あるいは、ハイブリッド
ＩＣ、マルチチップモジュールであることを特徴とする
半導体ＩＣ等のチップパッケージの放熱装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6111778A JPH07302865A (ja) | 1994-04-28 | 1994-04-28 | 半導体ｉｃ等のチップパッケージの放熱方法および放熱装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6111778A JPH07302865A (ja) | 1994-04-28 | 1994-04-28 | 半導体ｉｃ等のチップパッケージの放熱方法および放熱装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07302865A true JPH07302865A (ja) | 1995-11-14 |
Family
ID=14569936
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6111778A Pending JPH07302865A (ja) | 1994-04-28 | 1994-04-28 | 半導体ｉｃ等のチップパッケージの放熱方法および放熱装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07302865A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100362654C (zh) * | 2003-12-12 | 2008-01-16 | 矽统科技股份有限公司 | 具有散热装置的球栅阵列封装 |
| JP2011015513A (ja) * | 2009-07-01 | 2011-01-20 | Mitsubishi Electric Corp | 回転電機 |
-
1994
- 1994-04-28 JP JP6111778A patent/JPH07302865A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100362654C (zh) * | 2003-12-12 | 2008-01-16 | 矽统科技股份有限公司 | 具有散热装置的球栅阵列封装 |
| JP2011015513A (ja) * | 2009-07-01 | 2011-01-20 | Mitsubishi Electric Corp | 回転電機 |
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