JPH07302832A - 真空吸着装置、真空吸着装置用シール具および真空吸着方法 - Google Patents
真空吸着装置、真空吸着装置用シール具および真空吸着方法Info
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- JPH07302832A JPH07302832A JP4524095A JP4524095A JPH07302832A JP H07302832 A JPH07302832 A JP H07302832A JP 4524095 A JP4524095 A JP 4524095A JP 4524095 A JP4524095 A JP 4524095A JP H07302832 A JPH07302832 A JP H07302832A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 加工液が真空吸着面と試料の裏面との間に流
入するのを防止し、メンテナンス性を良好にし、確実に
半導体ウェハを吸着し、半導体ウェハの吸着作業を能率
良く行なう。 【構成】 装置本体１の上面に半導体ウェハ１５を吸着
する円板状でかつ多孔質セラミックからなる真空吸着部
１７を設け、真空吸着部１７に連通孔３を接続し、真空
吸着部１７の外側に平面状の第１のシール部１８ａを配
設し、シール部１８ａの外側に円環状溝５を配設し、円
環状溝５の外側に第２のシール部１８ｂを配設し、円環
状溝５に連通孔１３を接続する。
入するのを防止し、メンテナンス性を良好にし、確実に
半導体ウェハを吸着し、半導体ウェハの吸着作業を能率
良く行なう。 【構成】 装置本体１の上面に半導体ウェハ１５を吸着
する円板状でかつ多孔質セラミックからなる真空吸着部
１７を設け、真空吸着部１７に連通孔３を接続し、真空
吸着部１７の外側に平面状の第１のシール部１８ａを配
設し、シール部１８ａの外側に円環状溝５を配設し、円
環状溝５の外側に第２のシール部１８ｂを配設し、円環
状溝５に連通孔１３を接続する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は半導体ウェハ等の試料
に研削、研磨、切断などの加工を行なう加工装置の試料
保持装置に関し、とくにその真空吸着装置、真空吸着装
置用シール具および真空吸着方法に関するものである。
に研削、研磨、切断などの加工を行なう加工装置の試料
保持装置に関し、とくにその真空吸着装置、真空吸着装
置用シール具および真空吸着方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図９は従来の半導体ウェハ真空吸着装置
の一部を示す概略正断面図、図１０は図９に示した真空
吸着装置を示す概略平面図である。図に示すように、装
置本体１の上面に半導体ウェハ１５を吸着する円板状の
真空吸着部１７が設けられ、真空吸着部１７は数十〜５
０％の空孔を有する多孔質セラミックからなる。また、
真空吸着部１７に真空排気手段である連通孔３が接続さ
れ、真空吸着部１７の外側に平面状のシール部１８が設
けられ、シール部１８は緻密なセラミックからなる。
の一部を示す概略正断面図、図１０は図９に示した真空
吸着装置を示す概略平面図である。図に示すように、装
置本体１の上面に半導体ウェハ１５を吸着する円板状の
真空吸着部１７が設けられ、真空吸着部１７は数十〜５
０％の空孔を有する多孔質セラミックからなる。また、
真空吸着部１７に真空排気手段である連通孔３が接続さ
れ、真空吸着部１７の外側に平面状のシール部１８が設
けられ、シール部１８は緻密なセラミックからなる。
【０００３】この半導体ウェハ真空吸着装置において
は、連通孔３と真空ポンプ（図示せず）とを接続し、半
導体ウェハ１５を装置本体１上に載置したのち、真空ポ
ンプを作動すると、半導体ウェハ１５の裏面は真空吸着
部１７の真空吸着面１７ａに押し付けられ、半導体ウェ
ハ１５は真空吸着面１７ａの高精度な平面に倣うから、
半導体ウェハ１５の反り、曲がりなどは矯正される。
は、連通孔３と真空ポンプ（図示せず）とを接続し、半
導体ウェハ１５を装置本体１上に載置したのち、真空ポ
ンプを作動すると、半導体ウェハ１５の裏面は真空吸着
部１７の真空吸着面１７ａに押し付けられ、半導体ウェ
ハ１５は真空吸着面１７ａの高精度な平面に倣うから、
半導体ウェハ１５の反り、曲がりなどは矯正される。
【０００４】図１１は従来の他の半導体ウェハ真空吸着
装置（実公昭６２−２８７５９号公報）を示す概略断面
図である。図に示すように、装置本体１の上面に多数の
微小突起２が設けられ、微小突起２の上面は高精度な平
面に加工されている。また、微小突起２の底部と装置本
体１の側面とを連通する連通孔３が設けられ、装置本体
１の連通孔３部に接続具４が取り付けられ、連通孔３、
接続具４によって真空排気手段が構成されている。ま
た、微小突起２の周囲に円環状溝５が設けられ、円環状
溝５内にリング６が取り付けられ、リング６の上部に円
環状の膜シール７の内周部が取り付けられている。
装置（実公昭６２−２８７５９号公報）を示す概略断面
図である。図に示すように、装置本体１の上面に多数の
微小突起２が設けられ、微小突起２の上面は高精度な平
面に加工されている。また、微小突起２の底部と装置本
体１の側面とを連通する連通孔３が設けられ、装置本体
１の連通孔３部に接続具４が取り付けられ、連通孔３、
接続具４によって真空排気手段が構成されている。ま
た、微小突起２の周囲に円環状溝５が設けられ、円環状
溝５内にリング６が取り付けられ、リング６の上部に円
環状の膜シール７の内周部が取り付けられている。
【０００５】この半導体ウェハ真空吸着装置において
は、接続具４を介して連通孔３と真空ポンプ（図示せ
ず）とを接続し、半導体ウェハ（図示せず）を装置本体
１上に載置したのち、真空ポンプを作動すると、大気が
半導体ウェハの裏面と膜シール７との間隙を流れるか
ら、この間隙の圧力が減少し、膜シール７が大気圧によ
って下方から押されて弾性変形し、膜シール７が半導体
ウェハの裏面の周辺部に密着する。このため、膜シール
７の内側は真空となり、半導体ウェハは微小突起２部に
強力に押し付けられ、半導体ウェハは微小突起２部の高
精度な平面に倣うから、半導体ウェハの反り、曲がりな
どは矯正される。
は、接続具４を介して連通孔３と真空ポンプ（図示せ
ず）とを接続し、半導体ウェハ（図示せず）を装置本体
１上に載置したのち、真空ポンプを作動すると、大気が
半導体ウェハの裏面と膜シール７との間隙を流れるか
ら、この間隙の圧力が減少し、膜シール７が大気圧によ
って下方から押されて弾性変形し、膜シール７が半導体
ウェハの裏面の周辺部に密着する。このため、膜シール
７の内側は真空となり、半導体ウェハは微小突起２部に
強力に押し付けられ、半導体ウェハは微小突起２部の高
精度な平面に倣うから、半導体ウェハの反り、曲がりな
どは矯正される。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかし、図９、図１０
に示した半導体ウェハ真空吸着装置においては、半導体
ウェハ１５の表面あらさ、凹凸によりシール部１８は完
全に真空漏れを防止することができないから、半導体ウ
ェハ１５を真空吸着して加工するときに、研磨液、ポリ
シ液等の加工液が真空吸着面１７ａと半導体ウェハ１５
の裏面との間に流入し、真空吸着面１７ａと半導体ウェ
ハ１５の裏面を汚すことになる。したがって、半導体ウ
ェハ１５の加工後に必ず真空吸着面１７ａと半導体ウェ
ハ１５の裏面を洗浄しなければならず、洗浄が不十分な
場合には加工液が真空吸着面１７ａに残るから、真空吸
着面１７ａの平面度が劣化し、また次に吸着した半導体
ウェハ１５の裏面に加工液が付着する。
に示した半導体ウェハ真空吸着装置においては、半導体
ウェハ１５の表面あらさ、凹凸によりシール部１８は完
全に真空漏れを防止することができないから、半導体ウ
ェハ１５を真空吸着して加工するときに、研磨液、ポリ
シ液等の加工液が真空吸着面１７ａと半導体ウェハ１５
の裏面との間に流入し、真空吸着面１７ａと半導体ウェ
ハ１５の裏面を汚すことになる。したがって、半導体ウ
ェハ１５の加工後に必ず真空吸着面１７ａと半導体ウェ
ハ１５の裏面を洗浄しなければならず、洗浄が不十分な
場合には加工液が真空吸着面１７ａに残るから、真空吸
着面１７ａの平面度が劣化し、また次に吸着した半導体
ウェハ１５の裏面に加工液が付着する。
【０００７】また、図１１に示した半導体ウェハ真空吸
着装置においては、例えばダイシングソーによる機械加
工を行なったときに、加工クズ等によって膜シール７が
損傷し、吸着能力が低下することがあるが、この場合に
は膜シール７の交換が面倒であるから、メンテナンス性
が良好ではなく、半導体ウェハの吸着作業を能率良く行
なうことができない。また、膜シール７の可撓範囲限界
近くまで半導体ウェハが変形した場合には、膜シール７
を半導体ウェハの裏面の周辺部に密着させることができ
ないから、膜シール７の内側を真空とすることができ
ず、確実に半導体ウェハを吸着することができない。
着装置においては、例えばダイシングソーによる機械加
工を行なったときに、加工クズ等によって膜シール７が
損傷し、吸着能力が低下することがあるが、この場合に
は膜シール７の交換が面倒であるから、メンテナンス性
が良好ではなく、半導体ウェハの吸着作業を能率良く行
なうことができない。また、膜シール７の可撓範囲限界
近くまで半導体ウェハが変形した場合には、膜シール７
を半導体ウェハの裏面の周辺部に密着させることができ
ないから、膜シール７の内側を真空とすることができ
ず、確実に半導体ウェハを吸着することができない。
【０００８】この発明は上述の課題を解決するためにな
されたもので、加工液が真空吸着面と試料の裏面との間
に流入することがない真空吸着装置を提供することを目
的とする。
されたもので、加工液が真空吸着面と試料の裏面との間
に流入することがない真空吸着装置を提供することを目
的とする。
【０００９】また、この発明はメンテナンス性が良好な
真空吸着装置、真空吸着方法を提供することを目的とす
る。
真空吸着装置、真空吸着方法を提供することを目的とす
る。
【００１０】また、この発明は確実に試料を吸着するこ
とができる真空吸着装置、真空吸着装置用シール具を提
供することを目的とする。
とができる真空吸着装置、真空吸着装置用シール具を提
供することを目的とする。
【００１１】また、この発明は試料の吸着作業を能率良
く行なうことができる真空吸着装置用シール具を提供す
ることを目的とする。
く行なうことができる真空吸着装置用シール具を提供す
ることを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するた
め、この発明に係る第１の真空吸着装置においては、装
置本体の上面に試料を吸着する真空吸着部を設け、上記
真空吸着部に真空排気手段を接続し、上記真空吸着部の
外側に平面状の第１のシール部を配設し、上記第１のシ
ール部の外側に環状溝を配設し、上記環状溝の外側に第
２のシール部を配設し、上記環状溝内に陽圧を付与する
陽圧付与手段を設ける。
め、この発明に係る第１の真空吸着装置においては、装
置本体の上面に試料を吸着する真空吸着部を設け、上記
真空吸着部に真空排気手段を接続し、上記真空吸着部の
外側に平面状の第１のシール部を配設し、上記第１のシ
ール部の外側に環状溝を配設し、上記環状溝の外側に第
２のシール部を配設し、上記環状溝内に陽圧を付与する
陽圧付与手段を設ける。
【００１３】この場合、上記真空吸着部を多孔質部材で
形成する。
形成する。
【００１４】また、上記真空吸着部に多数の孔または複
数の溝もしくは突起を設ける。
数の溝もしくは突起を設ける。
【００１５】また、この発明に係る第２の真空吸着装置
においては、装置本体の上面に多数の微小突起を設け、
上記微小突起の底部を真空排気手段と接続し、上記微小
突起の周囲に環状溝を設け、上記環状溝内に環状のシー
ル具本体および上記シール具本体の両側面に内周部が取
り付けられた環状の膜シールからなるシール具を挿入す
る。
においては、装置本体の上面に多数の微小突起を設け、
上記微小突起の底部を真空排気手段と接続し、上記微小
突起の周囲に環状溝を設け、上記環状溝内に環状のシー
ル具本体および上記シール具本体の両側面に内周部が取
り付けられた環状の膜シールからなるシール具を挿入す
る。
【００１６】この場合、上記環状溝内に陽圧を付与する
陽圧付与手段を設ける。
陽圧付与手段を設ける。
【００１７】また、上記環状溝の下方に磁石を設け、上
記シール具本体の材質を磁性体とする。
記シール具本体の材質を磁性体とする。
【００１８】また、真空吸着装置の環状溝内に挿入して
用いる真空吸着装置用シール具において、環状のシール
本体の両側面に環状の膜シールの内周部を取り付ける。
用いる真空吸着装置用シール具において、環状のシール
本体の両側面に環状の膜シールの内周部を取り付ける。
【００１９】この場合、上記シール具本体として、磁性
体からなるものを用いる。
体からなるものを用いる。
【００２０】また、上記膜シールとして、高分子材料か
らなるものを用いる。
らなるものを用いる。
【００２１】また、装置本体の上面に設けられた多数の
微小突起の底部を排気して試料を吸着する真空吸着方法
において、上記微小突起の周囲に設けられた環状溝内に
環状のシール具本体および上記シール具本体の両側面に
内周部が取り付けられた環状の膜シールからなるシール
具を挿入し、上記膜シールを上記試料の裏面に密着させ
る。
微小突起の底部を排気して試料を吸着する真空吸着方法
において、上記微小突起の周囲に設けられた環状溝内に
環状のシール具本体および上記シール具本体の両側面に
内周部が取り付けられた環状の膜シールからなるシール
具を挿入し、上記膜シールを上記試料の裏面に密着させ
る。
【００２２】
【作用】第１の真空吸着装置においては、環状溝から吹
き出した陽圧空気が第２のシール部と試料の裏面との間
を通って大気中に放出される。
き出した陽圧空気が第２のシール部と試料の裏面との間
を通って大気中に放出される。
【００２３】また、第２の真空吸着装置、真空吸着方法
においては、加工クズ等によって膜シールが損傷したと
しても、シール具を容易に交換することができる。
においては、加工クズ等によって膜シールが損傷したと
しても、シール具を容易に交換することができる。
【００２４】また、環状溝内に陽圧を付与する陽圧付与
手段を設けたときには、膜シールの可撓範囲限界近くま
で試料の周辺部が大きく変形したとしても、膜シールを
試料の裏面に密着させることができるとともに、環状溝
内に異物が侵入するのを防止することができる。
手段を設けたときには、膜シールの可撓範囲限界近くま
で試料の周辺部が大きく変形したとしても、膜シールを
試料の裏面に密着させることができるとともに、環状溝
内に異物が侵入するのを防止することができる。
【００２５】また、環状溝の下方に磁石を設け、シール
具本体の材質を磁性体としたときには、膜シールを環状
溝の底面に当接することができる。
具本体の材質を磁性体としたときには、膜シールを環状
溝の底面に当接することができる。
【００２６】また、真空吸着装置用シール具において
は、容易に交換することができる。
は、容易に交換することができる。
【００２７】また、シール具本体として、磁性体からな
るものを用いたときには、環状溝の下方に磁石を設けれ
ば、膜シールを環状溝の底面に当接することができる。
るものを用いたときには、環状溝の下方に磁石を設けれ
ば、膜シールを環状溝の底面に当接することができる。
【００２８】また、膜シールとして、高分子材料からな
るものを用いたときには、膜シールを試料の裏面により
有効に密着させることができる。
るものを用いたときには、膜シールを試料の裏面により
有効に密着させることができる。
【００２９】
【実施例】図１はこの発明に係る半導体ウェハ真空吸着
装置の一部を示す概略正断面図、図２は図１に示した半
導体ウェハ真空吸着装置を示す概略平面図である。図に
示すように、真空吸着部１７の外側に平面状の第１のシ
ール部１８ａが配設され、シール部１８ａの外側に円環
状溝５が配設され、円環状溝５の外側に第２のシール部
１８ｂが配設され、円環状溝５内に陽圧付与手段である
連通孔１３が接続されている。
装置の一部を示す概略正断面図、図２は図１に示した半
導体ウェハ真空吸着装置を示す概略平面図である。図に
示すように、真空吸着部１７の外側に平面状の第１のシ
ール部１８ａが配設され、シール部１８ａの外側に円環
状溝５が配設され、円環状溝５の外側に第２のシール部
１８ｂが配設され、円環状溝５内に陽圧付与手段である
連通孔１３が接続されている。
【００３０】この半導体ウェハ真空吸着装置において
は、連通孔１３に陽圧空気供給手段（図示せず）を接続
すれば、円環状溝５から陽圧空気が吹き出し、陽圧空気
がシール部１８ａと半導体ウェハ１５の裏面との間を通
って大気中に放出されるから、加工液が真空吸着面１７
ａと半導体ウェハ１５の裏面との間に流入することがな
い。このため、半導体ウェハ１５の加工後に真空吸着面
１７ａと半導体ウェハ１５の裏面を洗浄する必要がな
く、また加工液によって真空吸着面１７ａの平面度が劣
化することがなく、また次に吸着した半導体ウェハ１５
の裏面に加工液が付着することがない。また、真空吸着
部１７は多孔質セラミックからなるから、半導体ウェハ
１５との接触面積が大きいので、加工圧力が高く、半導
体ウェハ１５の厚さが薄い場合にも、半導体ウェハ１５
を変形なく支持することができるため、半導体ウェハ１
５の加工面を凹凸なく加工することができる。
は、連通孔１３に陽圧空気供給手段（図示せず）を接続
すれば、円環状溝５から陽圧空気が吹き出し、陽圧空気
がシール部１８ａと半導体ウェハ１５の裏面との間を通
って大気中に放出されるから、加工液が真空吸着面１７
ａと半導体ウェハ１５の裏面との間に流入することがな
い。このため、半導体ウェハ１５の加工後に真空吸着面
１７ａと半導体ウェハ１５の裏面を洗浄する必要がな
く、また加工液によって真空吸着面１７ａの平面度が劣
化することがなく、また次に吸着した半導体ウェハ１５
の裏面に加工液が付着することがない。また、真空吸着
部１７は多孔質セラミックからなるから、半導体ウェハ
１５との接触面積が大きいので、加工圧力が高く、半導
体ウェハ１５の厚さが薄い場合にも、半導体ウェハ１５
を変形なく支持することができるため、半導体ウェハ１
５の加工面を凹凸なく加工することができる。
【００３１】図３はこの発明に係る他の半導体ウェハ真
空吸着装置の真空吸着部を示す図である。図に示すよう
に、真空吸着部に円環状溝１９が設けられ、円環状溝１
９に連通孔３が開口している。
空吸着装置の真空吸着部を示す図である。図に示すよう
に、真空吸着部に円環状溝１９が設けられ、円環状溝１
９に連通孔３が開口している。
【００３２】図４はこの発明に係る他の半導体ウェハ真
空吸着装置の真空吸着部を示す図である。図に示すよう
に、真空吸着部に多数の微小孔２０が設けられ、微小孔
２０が連通孔３に連通している。
空吸着装置の真空吸着部を示す図である。図に示すよう
に、真空吸着部に多数の微小孔２０が設けられ、微小孔
２０が連通孔３に連通している。
【００３３】図５はこの発明に係る他の半導体ウェハ真
空吸着装置の真空吸着部を示す図である。図に示すよう
に、真空吸着部に多数のピン状の微小突起２が設けら
れ、微小突起２が設けられた部分の底部に連通孔３が開
口している。
空吸着装置の真空吸着部を示す図である。図に示すよう
に、真空吸着部に多数のピン状の微小突起２が設けら
れ、微小突起２が設けられた部分の底部に連通孔３が開
口している。
【００３４】この半導体ウェハ真空吸着装置において
は、真空吸着部と半導体ウェハ１５の裏面との接触面積
が小さいから、ダスト等の影響を受けにくく、また矯正
時の変面度劣化が極めて少ない。
は、真空吸着部と半導体ウェハ１５の裏面との接触面積
が小さいから、ダスト等の影響を受けにくく、また矯正
時の変面度劣化が極めて少ない。
【００３５】図６はこの発明に係る他の半導体ウェハ真
空吸着装置、半導体ウェハ真空吸着装置用シール具を示
す概略断面図である。図に示すように、円環状溝５内に
半導体ウェハ真空吸着装置用シール具８が挿入され、シ
ール具８は磁性体からなる環状のシール具本体９および
シール具本体９の両側面に取り付けられかつ高分子材料
からなる膜シール１０、１１で構成されている。また、
円環状溝５と装置本体１の側面とを連通する連通孔１３
が設けられ、装置本体１の連通孔１３部に接続具１４が
取り付けられ、連通孔１３、接続具１４によって円環状
溝５内に陽圧を付与する陽圧付与手段が構成されてい
る。また、円環状溝５の下方に複数の柱状磁石１２が設
けられている。
空吸着装置、半導体ウェハ真空吸着装置用シール具を示
す概略断面図である。図に示すように、円環状溝５内に
半導体ウェハ真空吸着装置用シール具８が挿入され、シ
ール具８は磁性体からなる環状のシール具本体９および
シール具本体９の両側面に取り付けられかつ高分子材料
からなる膜シール１０、１１で構成されている。また、
円環状溝５と装置本体１の側面とを連通する連通孔１３
が設けられ、装置本体１の連通孔１３部に接続具１４が
取り付けられ、連通孔１３、接続具１４によって円環状
溝５内に陽圧を付与する陽圧付与手段が構成されてい
る。また、円環状溝５の下方に複数の柱状磁石１２が設
けられている。
【００３６】つぎに、この発明に係る半導体ウェハ真空
吸着方法、図６に示した半導体ウェハ真空吸着装置、半
導体ウェハ真空吸着装置用シール具の動作について説明
する。まず、接続具４を介して連通孔３と真空ポンプと
を接続し、図７に示すように、半導体ウェハ１５を装置
本体１上に載置したのち、真空ポンプを作動すると、大
気が半導体ウェハ１５の裏面と膜シール１０との間隙、
膜シール１１と円環状溝５の底面との間隙を流れるか
ら、これらの間隙の圧力が減少し、膜シール１０、１１
が大気圧によって押されて弾性変形し、膜シール１０が
半導体ウェハ１５の裏面の周辺部に密着し、膜シール１
１が円環状溝５の底面に密着する。このため、膜シール
１０、１１の内側は真空となり、半導体ウェハ１５は微
小突起２部に強力に押し付けられ、半導体ウェハ１５は
微小突起２部の高精度な平面に倣うから、半導体ウェハ
１５の反り、曲がりなどは矯正される。
吸着方法、図６に示した半導体ウェハ真空吸着装置、半
導体ウェハ真空吸着装置用シール具の動作について説明
する。まず、接続具４を介して連通孔３と真空ポンプと
を接続し、図７に示すように、半導体ウェハ１５を装置
本体１上に載置したのち、真空ポンプを作動すると、大
気が半導体ウェハ１５の裏面と膜シール１０との間隙、
膜シール１１と円環状溝５の底面との間隙を流れるか
ら、これらの間隙の圧力が減少し、膜シール１０、１１
が大気圧によって押されて弾性変形し、膜シール１０が
半導体ウェハ１５の裏面の周辺部に密着し、膜シール１
１が円環状溝５の底面に密着する。このため、膜シール
１０、１１の内側は真空となり、半導体ウェハ１５は微
小突起２部に強力に押し付けられ、半導体ウェハ１５は
微小突起２部の高精度な平面に倣うから、半導体ウェハ
１５の反り、曲がりなどは矯正される。
【００３７】このような半導体ウェハ真空吸着装置、半
導体ウェハ真空吸着方法においては、加工クズ等によっ
て膜シール１０、１１が損傷したとしても、シール具８
を容易に交換することができるから、メンテナンス性が
良好である。また、円環状溝５内に陽圧を付与する陽圧
付与手段が設けられているから、図７に示すように、膜
シール１０の可撓範囲限界近くまで半導体ウェハ１５の
周辺部が大きく変形したとしても、膜シール１０を半導
体ウェハ１５の裏面に密着させることができ、また膜シ
ール１１を円環状溝５の底面に密着させることができる
から、確実に半導体ウェハ１５を吸着することができる
とともに、例えばダイシングソーによる機械加工を行な
ったときにも、円環状溝５内に加工クズ、切削油、切削
水等の異物が侵入するのを防止することができるから、
膜シール１０、１１が損傷するのを防止することができ
る。また、柱状磁石１２によってシール具本体９が吸引
されるから、シール具８の加工精度が低くとも、膜シー
ル１１を円環状溝５の底面に当接することができるの
で、確実に半導体ウェハ１５を吸着することができる。
また、シール具８においては、容易に交換することがで
きるから、半導体ウェハ１５の吸着作業を能率良く行な
うことができる。また、膜シール１０、１１として高分
子材料からなるものを用いているから、膜シール１０、
１１を半導体ウェハ１５の裏面の周辺部、円環状溝５の
底面により有効に密着させることができるので、確実に
半導体ウェハ１５を吸着することができる。
導体ウェハ真空吸着方法においては、加工クズ等によっ
て膜シール１０、１１が損傷したとしても、シール具８
を容易に交換することができるから、メンテナンス性が
良好である。また、円環状溝５内に陽圧を付与する陽圧
付与手段が設けられているから、図７に示すように、膜
シール１０の可撓範囲限界近くまで半導体ウェハ１５の
周辺部が大きく変形したとしても、膜シール１０を半導
体ウェハ１５の裏面に密着させることができ、また膜シ
ール１１を円環状溝５の底面に密着させることができる
から、確実に半導体ウェハ１５を吸着することができる
とともに、例えばダイシングソーによる機械加工を行な
ったときにも、円環状溝５内に加工クズ、切削油、切削
水等の異物が侵入するのを防止することができるから、
膜シール１０、１１が損傷するのを防止することができ
る。また、柱状磁石１２によってシール具本体９が吸引
されるから、シール具８の加工精度が低くとも、膜シー
ル１１を円環状溝５の底面に当接することができるの
で、確実に半導体ウェハ１５を吸着することができる。
また、シール具８においては、容易に交換することがで
きるから、半導体ウェハ１５の吸着作業を能率良く行な
うことができる。また、膜シール１０、１１として高分
子材料からなるものを用いているから、膜シール１０、
１１を半導体ウェハ１５の裏面の周辺部、円環状溝５の
底面により有効に密着させることができるので、確実に
半導体ウェハ１５を吸着することができる。
【００３８】ここで、直径が１３０ｍｍのステンレス円
板からなる装置本体１を用い、微小突起２の上面の平面
度を０．３μｍ以下に加工し、微小突起２を直径が約９
０ｍｍの円状範囲内に設け、微小突起２の上面の面積の
合計を上記円状範囲の面積の１０％とし、着磁ステンレ
スからなるシール具本体８の両面に膜厚が１０μｍの膜
シール１０、１１を接着により取り付け、厚さが５００
μｍ、直径が４インチ（約１０１．６ｍｍ）で、上下面
が平行度１μｍ以内に鏡面研磨された標準半導体ウェハ
を微小突起２上に載置し、微小突起２の底部を５ｍｍＨ
ｇまで減圧して標準半導体ウェハを吸着し、標準半導体
ウェハの表面をレーザ干渉計で形状測定した結果、面精
度が１．５μｍ以内で平面状に吸着されていることを確
認した。
板からなる装置本体１を用い、微小突起２の上面の平面
度を０．３μｍ以下に加工し、微小突起２を直径が約９
０ｍｍの円状範囲内に設け、微小突起２の上面の面積の
合計を上記円状範囲の面積の１０％とし、着磁ステンレ
スからなるシール具本体８の両面に膜厚が１０μｍの膜
シール１０、１１を接着により取り付け、厚さが５００
μｍ、直径が４インチ（約１０１．６ｍｍ）で、上下面
が平行度１μｍ以内に鏡面研磨された標準半導体ウェハ
を微小突起２上に載置し、微小突起２の底部を５ｍｍＨ
ｇまで減圧して標準半導体ウェハを吸着し、標準半導体
ウェハの表面をレーザ干渉計で形状測定した結果、面精
度が１．５μｍ以内で平面状に吸着されていることを確
認した。
【００３９】また、標準半導体ウェハの上下面に径が
０．５μｍのアルミナビーズ入りの研磨液を滴下したの
ちに、同じ条件で標準半導体ウェハを吸着したところ、
標準半導体ウェハの表面の面精度は±３μｍに低下し
た。つぎに、吸着を停止し、標準半導体ウェハの位置を
ずらして再び吸着して面精度を測定したところ、標準半
導体ウェハの表面の面精度は１．５μｍ以内に回復し
た。
０．５μｍのアルミナビーズ入りの研磨液を滴下したの
ちに、同じ条件で標準半導体ウェハを吸着したところ、
標準半導体ウェハの表面の面精度は±３μｍに低下し
た。つぎに、吸着を停止し、標準半導体ウェハの位置を
ずらして再び吸着して面精度を測定したところ、標準半
導体ウェハの表面の面精度は１．５μｍ以内に回復し
た。
【００４０】また、厚さが１．５ｍｍで裏面が凸であ
り、反り量２００μｍの機械加工用半導体ウェハを従来
の半導体ウェハ真空吸着装置で吸着したところ、吸着す
ることができなかったが、図６に示した半導体ウェハ真
空吸着装置で吸着したところ、吸着することができ、機
械加工用半導体ウェハの表面の面精度は１．８μｍ以内
であった。さらに、反り量が４００μｍの機械加工用半
導体ウェハを図６に示した半導体ウェハ真空吸着装置で
円環状溝５内を陽圧にしないで吸着したが、膜シール１
０の周辺から空気がリークして、吸着が不可能であっ
た。しかし、円環状溝５内に圧力が０．５ｋｇ／ｃｍ2
の圧縮空気を供給したところ、機械加工用半導体ウェハ
を吸着することができた。
り、反り量２００μｍの機械加工用半導体ウェハを従来
の半導体ウェハ真空吸着装置で吸着したところ、吸着す
ることができなかったが、図６に示した半導体ウェハ真
空吸着装置で吸着したところ、吸着することができ、機
械加工用半導体ウェハの表面の面精度は１．８μｍ以内
であった。さらに、反り量が４００μｍの機械加工用半
導体ウェハを図６に示した半導体ウェハ真空吸着装置で
円環状溝５内を陽圧にしないで吸着したが、膜シール１
０の周辺から空気がリークして、吸着が不可能であっ
た。しかし、円環状溝５内に圧力が０．５ｋｇ／ｃｍ2
の圧縮空気を供給したところ、機械加工用半導体ウェハ
を吸着することができた。
【００４１】つぎに、この状態でダイシングソーで切削
水を半導体ウェハの表面に吹き付けながら切削加工を行
なったところ、切削終了後に円環状溝５の内部に切削水
は殆ど観察されなかった。
水を半導体ウェハの表面に吹き付けながら切削加工を行
なったところ、切削終了後に円環状溝５の内部に切削水
は殆ど観察されなかった。
【００４２】図８はこの発明に係る他の半導体ウェハ真
空吸着装置を示す概略断面図である。図に示すように、
円環状溝５の下方にリング状磁石１６が埋め込まれれて
いる。
空吸着装置を示す概略断面図である。図に示すように、
円環状溝５の下方にリング状磁石１６が埋め込まれれて
いる。
【００４３】この半導体ウェハ真空吸着装置において
も、リング状磁石１６によってシール具本体９が吸引さ
れるから、シール具８の加工精度が低くとも、膜シール
１１を円環状溝５の底面に当接することができるので、
確実に半導体ウェハ１５を吸着することができる。
も、リング状磁石１６によってシール具本体９が吸引さ
れるから、シール具８の加工精度が低くとも、膜シール
１１を円環状溝５の底面に当接することができるので、
確実に半導体ウェハ１５を吸着することができる。
【００４４】なお、上述実施例においては、試料が半導
体ウェハ１５の場合について説明したが、試料が半導体
ウェハ１５以外の場合にもこの発明を適用することがで
きる。また、上述実施例においては、円環状溝５を設け
たが、他の環状溝を設けてもよい。また、図６、図８に
示した実施例においては、装置本体１の円環状溝５の外
側の上面を平面としたが、この面に微小突起を設けても
よい。
体ウェハ１５の場合について説明したが、試料が半導体
ウェハ１５以外の場合にもこの発明を適用することがで
きる。また、上述実施例においては、円環状溝５を設け
たが、他の環状溝を設けてもよい。また、図６、図８に
示した実施例においては、装置本体１の円環状溝５の外
側の上面を平面としたが、この面に微小突起を設けても
よい。
【００４５】
【発明の効果】以上説明したように、この発明に係る第
１の真空吸着装置においては、環状溝から陽圧空気を吹
き出し、陽圧空気が第２のシール部と試料の裏面との間
を通って大気中に放出されるから、加工液が真空吸着面
と試料の裏面との間に流入することがない。
１の真空吸着装置においては、環状溝から陽圧空気を吹
き出し、陽圧空気が第２のシール部と試料の裏面との間
を通って大気中に放出されるから、加工液が真空吸着面
と試料の裏面との間に流入することがない。
【００４６】また、この発明に係る第２の真空吸着装
置、真空吸着方法においては、加工クズ等によって膜シ
ールが損傷したとしても、シール具を容易に交換するこ
とができるから、メンテナンス性が良好である。
置、真空吸着方法においては、加工クズ等によって膜シ
ールが損傷したとしても、シール具を容易に交換するこ
とができるから、メンテナンス性が良好である。
【００４７】また、環状溝内に陽圧を付与する陽圧付与
手段を設けたときには、膜シールの可撓範囲限界近くま
で試料の周辺部が大きく変形したとしても、膜シールを
試料の裏面に密着させることができるから、確実に試料
を吸着することができるとともに、環状溝内に異物が侵
入するのを防止することができるから、膜シールが損傷
するのを防止することができる。
手段を設けたときには、膜シールの可撓範囲限界近くま
で試料の周辺部が大きく変形したとしても、膜シールを
試料の裏面に密着させることができるから、確実に試料
を吸着することができるとともに、環状溝内に異物が侵
入するのを防止することができるから、膜シールが損傷
するのを防止することができる。
【００４８】また、環状溝の下方に磁石を設け、シール
具本体の材質を磁性体としたときには、膜シールを環状
溝の底面に当接することができるから、確実に試料を吸
着することができる。
具本体の材質を磁性体としたときには、膜シールを環状
溝の底面に当接することができるから、確実に試料を吸
着することができる。
【００４９】また、真空吸着装置用シール具において
は、容易に交換することができるから、試料の吸着作業
を能率良く行なうことができる。
は、容易に交換することができるから、試料の吸着作業
を能率良く行なうことができる。
【００５０】また、シール具本体として、磁性体からな
るものを用いたときには、環状溝の下方に磁石を設けれ
ば、膜シールを環状溝の底面に当接することができるか
ら、確実に試料を吸着することができる。
るものを用いたときには、環状溝の下方に磁石を設けれ
ば、膜シールを環状溝の底面に当接することができるか
ら、確実に試料を吸着することができる。
【００５１】また、膜シールとして、高分子材料からな
るものを用いたときには、膜シールを試料の裏面により
有効に密着させることができるから、確実に試料を吸着
することができる。
るものを用いたときには、膜シールを試料の裏面により
有効に密着させることができるから、確実に試料を吸着
することができる。
【図１】この発明に係る半導体ウェハ真空吸着装置の一
部を示す概略断面図である。
部を示す概略断面図である。
【図２】図１に示した半導体ウェハ真空吸着装置を示す
概略平面図である。
概略平面図である。
【図３】この発明に係る他の半導体ウェハ真空吸着装置
の真空吸着部を示す図である。
の真空吸着部を示す図である。
【図４】この発明に係る他の半導体ウェハ真空吸着装置
の真空吸着部を示す図である。
の真空吸着部を示す図である。
【図５】この発明に係る他の半導体ウェハ真空吸着装置
の真空吸着部を示す図である。
の真空吸着部を示す図である。
【図６】この発明に係る半導体ウェハ真空吸着装置、半
導体ウェハ真空吸着装置用シール具を示す概略断面図で
ある。
導体ウェハ真空吸着装置用シール具を示す概略断面図で
ある。
【図７】この発明に係る半導体ウェハ真空吸着方法、図
１に示した半導体ウェハ真空吸着装置、半導体ウェハ真
空吸着装置用シール具の動作の説明図である。
１に示した半導体ウェハ真空吸着装置、半導体ウェハ真
空吸着装置用シール具の動作の説明図である。
【図８】この発明に係る他の半導体ウェハ真空吸着装置
を示す概略断面図である。
を示す概略断面図である。
【図９】従来の半導体ウェハ真空吸着装置の一部を示す
概略断面図である。
概略断面図である。
【図１０】図９に示した半導体ウェハ真空吸着装置を示
す概略平面図である。
す概略平面図である。
【図１１】従来の他の半導体ウェハ真空吸着装置を示す
概略断面図である。
概略断面図である。
１…装置本体 ２…微小突起 ３…連通孔 ４…接続具 ５…円環状溝 ８…シール具 ９…シール具本体 １０…膜シール １１…膜シール １２…柱状磁石 １３…連通孔 １４…接続具 １６…リング状磁石 １７…真空吸着部 １８ａ…第１のシール部 １８ｂ…第２のシール部 １９…円環状溝 ２０…微小孔
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/301 (72)発明者 金井 宗統 東京都千代田区内幸町一丁目１番６号 日 本電信電話株式会社内 (72)発明者 宇根 篤暢 東京都武蔵野市御殿山一丁目１番３号 エ ヌ・ティ・ティ・アドバンステクノロジ株 式会社内
Claims (10)
- 【請求項１】装置本体の上面に試料を吸着する真空吸着
部を設け、上記真空吸着部に真空排気手段を接続し、上
記真空吸着部の外側に平面状の第１のシール部を配設
し、上記第１のシール部の外側に環状溝を配設し、上記
環状溝の外側に第２のシール部を配設し、上記環状溝内
に陽圧を付与する陽圧付与手段を設けたことを特徴とす
る真空吸着装置。 - 【請求項２】上記真空吸着部を多孔質部材で形成したこ
とを特徴とする請求項１に記載の真空吸着装置。 - 【請求項３】上記真空吸着部に多数の孔または複数の溝
もしくは突起を設けたことを特徴とする請求項１に記載
の真空吸着装置。 - 【請求項４】装置本体の上面に多数の微小突起を設け、
上記微小突起の底部を真空排気手段と接続し、上記微小
突起の周囲に環状溝を設け、上記環状溝内に環状のシー
ル具本体および上記シール具本体の両側面に内周部が取
り付けられた環状の膜シールからなるシール具を挿入し
たことを特徴とする真空吸着装置。 - 【請求項５】上記環状溝内に陽圧を付与する陽圧付与手
段を設けたことを特徴とする請求項４に記載の真空吸着
装置。 - 【請求項６】上記環状溝の下方に磁石を設け、上記シー
ル具本体の材質を磁性体としたことを特徴とする請求項
４または５に記載の真空吸着装置。 - 【請求項７】真空吸着装置の環状溝内に挿入して用いる
真空吸着装置用シール具において、環状のシール本体の
両側面に環状の膜シールの内周部を取り付けたことを特
徴とする真空吸着装置用シール具。 - 【請求項８】上記シール具本体として、磁性体からなる
ものを用いたことを特徴とする請求項７に記載の真空吸
着装置用シール具。 - 【請求項９】上記膜シールとして、高分子材料からなる
ものを用いたことを特徴とする請求項７または８に記載
の真空吸着装置用シール具。 - 【請求項１０】装置本体の上面に設けられた多数の微小
突起の底部を排気して試料を吸着する真空吸着方法にお
いて、上記微小突起の周囲に設けられた環状溝内に環状
のシール具本体および上記シール具本体の両側面に内周
部が取り付けられた環状の膜シールからなるシール具を
挿入し、上記膜シールを上記試料の裏面に密着させるこ
とを特徴とする真空吸着方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4524095A JP3252074B2 (ja) | 1994-03-09 | 1995-03-06 | 真空吸着装置、真空吸着装置用シール具および真空吸着方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3808094 | 1994-03-09 | ||
| JP6-38080 | 1994-03-09 | ||
| JP4524095A JP3252074B2 (ja) | 1994-03-09 | 1995-03-06 | 真空吸着装置、真空吸着装置用シール具および真空吸着方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07302832A true JPH07302832A (ja) | 1995-11-14 |
| JP3252074B2 JP3252074B2 (ja) | 2002-01-28 |
Family
ID=26377264
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4524095A Expired - Lifetime JP3252074B2 (ja) | 1994-03-09 | 1995-03-06 | 真空吸着装置、真空吸着装置用シール具および真空吸着方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3252074B2 (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11307619A (ja) * | 1998-04-20 | 1999-11-05 | Yamatake Corp | ウエハ固定装置 |
| JP2000349050A (ja) * | 1999-06-09 | 2000-12-15 | Disco Abrasive Syst Ltd | 被加工物の切削方法及び切削装置 |
| JP2003209071A (ja) * | 2002-01-15 | 2003-07-25 | Towa Corp | 樹脂封止済基板の切断用治具 |
| JP2009166214A (ja) * | 2008-01-18 | 2009-07-30 | Disco Abrasive Syst Ltd | 研削装置 |
| JP2010110858A (ja) * | 2008-11-06 | 2010-05-20 | Disco Abrasive Syst Ltd | 保持テーブルおよび切削装置 |
| US7780505B2 (en) | 2006-12-13 | 2010-08-24 | Nec Electronics Corporation | Semiconductor manufacturing apparatus and semiconductor manufacturing method |
| TWI385489B (zh) * | 2009-02-02 | 2013-02-11 | Ushio Electric Inc | A workpiece table and an exposure apparatus using the work table |
| CN112720119A (zh) * | 2020-12-19 | 2021-04-30 | 华中科技大学 | 一种晶圆快速定位装置及方法 |
| CN113910072A (zh) * | 2021-10-28 | 2022-01-11 | 华海清科股份有限公司 | 吸盘转台和晶圆加工系统 |
| JP2023010932A (ja) * | 2019-01-16 | 2023-01-20 | 株式会社東京精密 | ウェーハチャック及びウェーハ保持装置 |
| KR102560005B1 (ko) * | 2023-04-06 | 2023-07-25 | 김동수 | 정밀부품 검사용 지그 및 이를 이용한 검사방법 |
-
1995
- 1995-03-06 JP JP4524095A patent/JP3252074B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11307619A (ja) * | 1998-04-20 | 1999-11-05 | Yamatake Corp | ウエハ固定装置 |
| JP2000349050A (ja) * | 1999-06-09 | 2000-12-15 | Disco Abrasive Syst Ltd | 被加工物の切削方法及び切削装置 |
| JP2003209071A (ja) * | 2002-01-15 | 2003-07-25 | Towa Corp | 樹脂封止済基板の切断用治具 |
| US7780505B2 (en) | 2006-12-13 | 2010-08-24 | Nec Electronics Corporation | Semiconductor manufacturing apparatus and semiconductor manufacturing method |
| JP2009166214A (ja) * | 2008-01-18 | 2009-07-30 | Disco Abrasive Syst Ltd | 研削装置 |
| JP2010110858A (ja) * | 2008-11-06 | 2010-05-20 | Disco Abrasive Syst Ltd | 保持テーブルおよび切削装置 |
| TWI385489B (zh) * | 2009-02-02 | 2013-02-11 | Ushio Electric Inc | A workpiece table and an exposure apparatus using the work table |
| JP2023010932A (ja) * | 2019-01-16 | 2023-01-20 | 株式会社東京精密 | ウェーハチャック及びウェーハ保持装置 |
| CN112720119A (zh) * | 2020-12-19 | 2021-04-30 | 华中科技大学 | 一种晶圆快速定位装置及方法 |
| CN112720119B (zh) * | 2020-12-19 | 2021-11-30 | 华中科技大学 | 一种晶圆快速定位装置及方法 |
| CN113910072A (zh) * | 2021-10-28 | 2022-01-11 | 华海清科股份有限公司 | 吸盘转台和晶圆加工系统 |
| CN113910072B (zh) * | 2021-10-28 | 2022-11-22 | 华海清科股份有限公司 | 吸盘转台和晶圆加工系统 |
| KR102560005B1 (ko) * | 2023-04-06 | 2023-07-25 | 김동수 | 정밀부품 검사용 지그 및 이를 이용한 검사방법 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3252074B2 (ja) | 2002-01-28 |
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