JP2000349050A - 被加工物の切削方法及び切削装置 - Google Patents
被加工物の切削方法及び切削装置Info
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- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体ウェーハ等の被加工物を切削する場合
において、経済性、生産性の両面において優れた手法に
よって、チッピングやクラックが生じるのを防止する。 【解決手段】 切削装置の保持テーブルに被加工物を保
持して切削する場合において、被加工物の表面を僅かに
拡張させた状態で被加工物を保持テーブルに保持し、円
形ブレードによって被加工物を切削する切削方法を提供
する。また、被工物を保持する保持テーブルと、該保持
テーブルに保持された被加工物を切削する円形ブレード
を含む切削手段とから少なくとも構成される切削装置で
あって、保持テーブルの保持面が、所定の曲率半径の凸
状の湾曲面に形成されている切削装置を提供する。
において、経済性、生産性の両面において優れた手法に
よって、チッピングやクラックが生じるのを防止する。 【解決手段】 切削装置の保持テーブルに被加工物を保
持して切削する場合において、被加工物の表面を僅かに
拡張させた状態で被加工物を保持テーブルに保持し、円
形ブレードによって被加工物を切削する切削方法を提供
する。また、被工物を保持する保持テーブルと、該保持
テーブルに保持された被加工物を切削する円形ブレード
を含む切削手段とから少なくとも構成される切削装置で
あって、保持テーブルの保持面が、所定の曲率半径の凸
状の湾曲面に形成されている切削装置を提供する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウェーハ等
の被加工物を切削する方法、及び、その方法の実施に用
いることができる切削装置に関する。
の被加工物を切削する方法、及び、その方法の実施に用
いることができる切削装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】例えば、半導体ウェーハを切削して個々
のペレットとする場合は、図１１に示すように、半導体
ウェーハＷが保持テーブル５０に保持される。そして、
保持テーブル５０が矢印の方向に移動し、切削水の供給
と共に高速回転する円形ブレード５１の作用を受けて半
導体ウェーハＷが切削される。
のペレットとする場合は、図１１に示すように、半導体
ウェーハＷが保持テーブル５０に保持される。そして、
保持テーブル５０が矢印の方向に移動し、切削水の供給
と共に高速回転する円形ブレード５１の作用を受けて半
導体ウェーハＷが切削される。
【０００３】しかし、図１２に示すように、円形ブレー
ド５１の側面にはダイヤモンド等の砥粒５１ａが固着さ
れているため、切削時に円形ブレード５１の側面が接触
する切削溝５２の両側には、図１３に示すような細かな
欠けであるチッピング５３やクラックが生じやすい。そ
して、これらが原因となってペレットの抗折強度が低下
したり、パーティクルが発生したりするという問題が生
じる。
ド５１の側面にはダイヤモンド等の砥粒５１ａが固着さ
れているため、切削時に円形ブレード５１の側面が接触
する切削溝５２の両側には、図１３に示すような細かな
欠けであるチッピング５３やクラックが生じやすい。そ
して、これらが原因となってペレットの抗折強度が低下
したり、パーティクルが発生したりするという問題が生
じる。
【０００４】そこで、通常は、半導体ウェーハ等の被加
工物の表面に保護テープを貼着したり、切削水を過剰に
供給したり、円形ブレードの側面における砥粒の突出量
を可能な限り均一化して厚さ精度を高めたり、予め切削
溝となるべき箇所にＶ溝を形成して面取りを行った後に
Ｖ溝の底を切削したりすることにより、チッピングやク
ラックが生じるのを防止している。
工物の表面に保護テープを貼着したり、切削水を過剰に
供給したり、円形ブレードの側面における砥粒の突出量
を可能な限り均一化して厚さ精度を高めたり、予め切削
溝となるべき箇所にＶ溝を形成して面取りを行った後に
Ｖ溝の底を切削したりすることにより、チッピングやク
ラックが生じるのを防止している。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記い
ずれの方法による場合も、以下のような問題点がある。
ずれの方法による場合も、以下のような問題点がある。
【０００６】（１）保護テープを貼着する方法では、テ
ープを大量に使用しなければならないために経済性に欠
けると共に、テープの貼着に時間も要するために生産性
も低下するという問題がある。
ープを大量に使用しなければならないために経済性に欠
けると共に、テープの貼着に時間も要するために生産性
も低下するという問題がある。
【０００７】（２）切削水を過剰に供給する場合には切
削水の使用量が増大するため、経済性の点で問題があ
る。
削水の使用量が増大するため、経済性の点で問題があ
る。
【０００８】（３）円形ブレードの厚さ精度を高める場
合においても、砥粒の突出量を完全に均一化することは
できないため、チッピングやクラックが生じるのを完全
に防止するのは困難である。
合においても、砥粒の突出量を完全に均一化することは
できないため、チッピングやクラックが生じるのを完全
に防止するのは困難である。
【０００９】（４）Ｖ溝の形成後にＶ溝の底を切削する
場合には二段階の切削を行わなければならないため、生
産性が低下するという問題がある。
場合には二段階の切削を行わなければならないため、生
産性が低下するという問題がある。
【００１０】上記の問題は、シリコンやガリウム砒素等
からなる半導体ウェーハを切削する場合のみならず、フ
ェライトやガラス等を切削する場合にも同様に発生しう
る。このように、被加工物を切削する場合においては、
経済性、生産性の両面において優れた手法によって、チ
ッピングやクラックが生じるのを防止することに課題を
有している。
からなる半導体ウェーハを切削する場合のみならず、フ
ェライトやガラス等を切削する場合にも同様に発生しう
る。このように、被加工物を切削する場合においては、
経済性、生産性の両面において優れた手法によって、チ
ッピングやクラックが生じるのを防止することに課題を
有している。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
の具体的手段として本発明は、被加工物を保持する保持
テーブルと、該保持テーブルに保持された被加工物を切
削する円形ブレードを含む切削手段とから少なくとも構
成される切削装置を用いて被加工物を切削する切削方法
であって、被加工物の表面を僅かに拡張させた状態で被
加工物を保持テーブルに保持し、円形ブレードによって
該被加工物を切削する切削方法を提供する。
の具体的手段として本発明は、被加工物を保持する保持
テーブルと、該保持テーブルに保持された被加工物を切
削する円形ブレードを含む切削手段とから少なくとも構
成される切削装置を用いて被加工物を切削する切削方法
であって、被加工物の表面を僅かに拡張させた状態で被
加工物を保持テーブルに保持し、円形ブレードによって
該被加工物を切削する切削方法を提供する。
【００１２】また本発明は、被加工物を保持する保持テ
ーブルと、該保持テーブルに保持された被加工物を切削
する円形ブレードを含む切削手段とから少なくとも構成
される切削装置であって、保持テーブルの保持面が所定
の曲率半径の凸状の湾曲面に形成されている切削装置を
提供する。
ーブルと、該保持テーブルに保持された被加工物を切削
する円形ブレードを含む切削手段とから少なくとも構成
される切削装置であって、保持テーブルの保持面が所定
の曲率半径の凸状の湾曲面に形成されている切削装置を
提供する。
【００１３】そしてこの切削装置は、所定の曲率半径が
１００メートル〜５メートルであること、被加工物が保
持テーブルの保持面に倣って保持され、被加工物の表面
が僅かに拡張することを付加的要件とする。
１００メートル〜５メートルであること、被加工物が保
持テーブルの保持面に倣って保持され、被加工物の表面
が僅かに拡張することを付加的要件とする。
【００１４】このように構成される被加工物の切削方法
及び切削装置によれば、切削により被加工物に形成され
る切削溝が外側に僅かに広がるため、一度切削溝が形成
されるとその後は円形ブレードの側面と切削溝とが接触
しなくなり、チッピングやクラックが発生しなくなる。
及び切削装置によれば、切削により被加工物に形成され
る切削溝が外側に僅かに広がるため、一度切削溝が形成
されるとその後は円形ブレードの側面と切削溝とが接触
しなくなり、チッピングやクラックが発生しなくなる。
【００１５】
【発明の実施の形態】本発明の第一の実施の形態とし
て、図１に示す切削装置１０を用いて、図２に示す如く
湾曲している半導体ウェーハ２０を切削する方法につい
て説明する。この半導体ウェーハ２０は、外周部が浮き
上がって湾曲したものであり、上側の面を表面２０ａ、
下側の面を裏面２０ｂとする。なお、理解を容易とする
ために図２においては湾曲の状態を誇張して示している
が、実際には最大でも高低差が数百μｍ程度の微小な湾
曲である。
て、図１に示す切削装置１０を用いて、図２に示す如く
湾曲している半導体ウェーハ２０を切削する方法につい
て説明する。この半導体ウェーハ２０は、外周部が浮き
上がって湾曲したものであり、上側の面を表面２０ａ、
下側の面を裏面２０ｂとする。なお、理解を容易とする
ために図２においては湾曲の状態を誇張して示している
が、実際には最大でも高低差が数百μｍ程度の微小な湾
曲である。
【００１６】図１に示した切削装置１０を用いて湾曲し
た半導体ウェーハ２０を切削する場合は、保持テープＴ
を介してフレームＦに保持された半導体ウェーハＷが、
保持テーブル１１に吸引保持される。
た半導体ウェーハ２０を切削する場合は、保持テープＴ
を介してフレームＦに保持された半導体ウェーハＷが、
保持テーブル１１に吸引保持される。
【００１７】そして、半導体ウェーハ２０を保持した保
持テーブル１１がＸ軸方向に移動してアライメント手段
１２の直下に位置付けられ、ここで半導体ウェーハ２０
の表面が撮像されて円形ブレード１３ａと切削すべき領
域との位置合わせがなされた後、更に保持テーブル１１
が同方向に移動することにより、Ｙ軸方向及びＺ軸方向
に移動可能な切削手段１３の作用を受ける。
持テーブル１１がＸ軸方向に移動してアライメント手段
１２の直下に位置付けられ、ここで半導体ウェーハ２０
の表面が撮像されて円形ブレード１３ａと切削すべき領
域との位置合わせがなされた後、更に保持テーブル１１
が同方向に移動することにより、Ｙ軸方向及びＺ軸方向
に移動可能な切削手段１３の作用を受ける。
【００１８】切削手段１３には高速回転可能な円形ブレ
ード１３ａを備えており、切削手段１３のＹ軸方向の移
動により半導体ウェーハ２０における切削すべき領域と
円形ブレード１３ａとの位置合わせがなされた状態で、
切削手段１３のＺ軸方向の制御により切削手段１３が下
降し、保持テーブル１１がＸ軸方向に移動しながら高速
回転する円形ブレード１３ａと接触して半導体ウェーハ
Ｗが切削される。
ード１３ａを備えており、切削手段１３のＹ軸方向の移
動により半導体ウェーハ２０における切削すべき領域と
円形ブレード１３ａとの位置合わせがなされた状態で、
切削手段１３のＺ軸方向の制御により切削手段１３が下
降し、保持テーブル１１がＸ軸方向に移動しながら高速
回転する円形ブレード１３ａと接触して半導体ウェーハ
Ｗが切削される。
【００１９】保持テーブル１１は、図３に示すように、
ポーラス部材等からなり半導体ウェーハ２０が載置され
る保持面１４と、保持面１４の下部において保持面１４
に吸引作用を施す吸引源１５と、半導体ウェーハ２０を
保持するフレームＦを固定する２つのクランプ部１６と
から概ね構成されている。
ポーラス部材等からなり半導体ウェーハ２０が載置され
る保持面１４と、保持面１４の下部において保持面１４
に吸引作用を施す吸引源１５と、半導体ウェーハ２０を
保持するフレームＦを固定する２つのクランプ部１６と
から概ね構成されている。
【００２０】クランプ部１６においては、Ｘ軸方向に一
対のガイドレール１７が配設されており、ガイドレール
１７にガイドされてスライド部１８が所要範囲Ｘ軸方向
にスライド可能となっている。また、クランプ部１６
は、所要角度回動自在な回動部１９を有しており、回動
部１９の下面とスライド部１８の上面との間でフレーム
Ｆを挟持することができる。そして、回動部１９の下面
とスライド部１８の上面との間でフレームＦを挟持する
と共に吸引作用によって、半導体ウェーハＷを保持面１
４上において固定することができる。
対のガイドレール１７が配設されており、ガイドレール
１７にガイドされてスライド部１８が所要範囲Ｘ軸方向
にスライド可能となっている。また、クランプ部１６
は、所要角度回動自在な回動部１９を有しており、回動
部１９の下面とスライド部１８の上面との間でフレーム
Ｆを挟持することができる。そして、回動部１９の下面
とスライド部１８の上面との間でフレームＦを挟持する
と共に吸引作用によって、半導体ウェーハＷを保持面１
４上において固定することができる。
【００２１】このように構成される保持テーブル１１に
おいて、湾曲した半導体ウェーハ２０は、図４において
二点鎖線で示すように、浮き上がった外周側を下方に吸
引することにより平坦にして、その表面２０ａが僅かに
拡張された状態で保持面１４に吸着され、フレームＦが
クランプ部１６に固定され、図５に示す如く保持テーブ
ル１１に保持される。
おいて、湾曲した半導体ウェーハ２０は、図４において
二点鎖線で示すように、浮き上がった外周側を下方に吸
引することにより平坦にして、その表面２０ａが僅かに
拡張された状態で保持面１４に吸着され、フレームＦが
クランプ部１６に固定され、図５に示す如く保持テーブ
ル１１に保持される。
【００２２】こうして表面２０ａが僅かに拡張された状
態の半導体ウェーハ２０が保持テーブル１１に保持され
た状態で円形ブレード１３ａを高速回転させながら切削
手段１３を所定の切り込み深さまで下降させ、保持テー
ブル１１をＸ軸方向に移動させると、円形ブレード１３
ａは円形ゆえに最初に表面２０ａに接触し、徐々に下方
に切り込んでいく。そして、半導体ウェーハ２０は表面
２０ａが拡張された状態で保持されているため、図６に
示すように、円形ブレード１３ａの接触により切削溝２
１が形成されるにつれて切削溝２１が外側に向けて僅か
に拡張されていく。
態の半導体ウェーハ２０が保持テーブル１１に保持され
た状態で円形ブレード１３ａを高速回転させながら切削
手段１３を所定の切り込み深さまで下降させ、保持テー
ブル１１をＸ軸方向に移動させると、円形ブレード１３
ａは円形ゆえに最初に表面２０ａに接触し、徐々に下方
に切り込んでいく。そして、半導体ウェーハ２０は表面
２０ａが拡張された状態で保持されているため、図６に
示すように、円形ブレード１３ａの接触により切削溝２
１が形成されるにつれて切削溝２１が外側に向けて僅か
に拡張されていく。
【００２３】従って、一度切削溝２１が形成されると、
円形ブレード１３ａの側面から突出した砥粒１３ｂが、
既に形成された切削溝２１の側面に接触することがなく
なるため、チッピングやクラックが生じなくなる。図７
は、この切削方法により切削したときの切削溝２１ａ、
２１ｂの状態を表したものであり、図１３に示した従来
の切削後の状態と比較すると、切削溝２１ａ、２１ｂの
側面、即ち切削面にチッピング等が生じていないために
各ペレット２２ａ、２２ｂ、２２ｃ、２２ｄの品質が格
段に向上していることがわかる。このようにペレットの
品質が向上すると、ペレットが破損しなくなり、寿命も
向上する。また、切削面の状態が良好となることによ
り、パーティクルが発生することもなくなり、ペレット
の品質が更に向上する。
円形ブレード１３ａの側面から突出した砥粒１３ｂが、
既に形成された切削溝２１の側面に接触することがなく
なるため、チッピングやクラックが生じなくなる。図７
は、この切削方法により切削したときの切削溝２１ａ、
２１ｂの状態を表したものであり、図１３に示した従来
の切削後の状態と比較すると、切削溝２１ａ、２１ｂの
側面、即ち切削面にチッピング等が生じていないために
各ペレット２２ａ、２２ｂ、２２ｃ、２２ｄの品質が格
段に向上していることがわかる。このようにペレットの
品質が向上すると、ペレットが破損しなくなり、寿命も
向上する。また、切削面の状態が良好となることによ
り、パーティクルが発生することもなくなり、ペレット
の品質が更に向上する。
【００２４】次に、本発明の第二の実施の形態として、
湾曲していない平坦な半導体ウェーハを切削する方法に
ついて説明する。この場合も、図１に示した切削装置１
０とほぼ同様に構成される切削装置を用いることができ
るが、保持テーブルの構成のみが異なる。
湾曲していない平坦な半導体ウェーハを切削する方法に
ついて説明する。この場合も、図１に示した切削装置１
０とほぼ同様に構成される切削装置を用いることができ
るが、保持テーブルの構成のみが異なる。
【００２５】本実施の形態において用いる保持テーブル
３０において湾曲していない半導体ウェーハ４０を保持
した状態を図８に示す。この保持テーブル３０は、図３
に示した保持テーブル１１とほぼ同様に構成されるが、
保持面３１が平坦でない点が異なっている。なお、保持
テーブル１１と同様に構成される部位については同一の
符号を付し、その説明は省略する。
３０において湾曲していない半導体ウェーハ４０を保持
した状態を図８に示す。この保持テーブル３０は、図３
に示した保持テーブル１１とほぼ同様に構成されるが、
保持面３１が平坦でない点が異なっている。なお、保持
テーブル１１と同様に構成される部位については同一の
符号を付し、その説明は省略する。
【００２６】図８において拡大して示すように、保持面
３１は、凸面鏡の如く緩やかな湾曲面に形成されてお
り、この面の曲率半径は１００メートル〜５メートルで
あり、例えば保持テーブル１１の直径が２００ｍｍであ
る場合は高低差が５０μｍ〜１ｍｍ程度の微細な湾曲面
である。
３１は、凸面鏡の如く緩やかな湾曲面に形成されてお
り、この面の曲率半径は１００メートル〜５メートルで
あり、例えば保持テーブル１１の直径が２００ｍｍであ
る場合は高低差が５０μｍ〜１ｍｍ程度の微細な湾曲面
である。
【００２７】この保持テーブル３０において湾曲してい
ない平坦な半導体ウェーハ４０を吸引保持すると、図９
において誇張して示すように、湾曲した保持面３１に倣
って半導体ウェーハの裏面が吸引され、半導体ウェーハ
４０の表面４０ａが拡張された状態で保持される。
ない平坦な半導体ウェーハ４０を吸引保持すると、図９
において誇張して示すように、湾曲した保持面３１に倣
って半導体ウェーハの裏面が吸引され、半導体ウェーハ
４０の表面４０ａが拡張された状態で保持される。
【００２８】こうして半導体ウェーハ４０が保持テーブ
ル３０に保持された状態で、高速回転する円形ブレード
１３ａによって切削を行うと、半導体ウェーハ４０の表
面４０ａが拡張されているため、図１０に示すように、
円形ブレード１３ａが切り込んで切削溝４１が形成され
るにつれて、切削溝４１が外側に向けて拡張されてい
く。
ル３０に保持された状態で、高速回転する円形ブレード
１３ａによって切削を行うと、半導体ウェーハ４０の表
面４０ａが拡張されているため、図１０に示すように、
円形ブレード１３ａが切り込んで切削溝４１が形成され
るにつれて、切削溝４１が外側に向けて拡張されてい
く。
【００２９】従って、一度切削溝４１が形成されると、
円形ブレード１３ａの側面から突出した砥粒１３ｂが、
既に形成された切削溝の側面に接触することがなくなる
ため、チッピングやクラックが生じなくなり、図７に示
したのと同様に、各ペレットの品質が格段に向上する。
円形ブレード１３ａの側面から突出した砥粒１３ｂが、
既に形成された切削溝の側面に接触することがなくなる
ため、チッピングやクラックが生じなくなり、図７に示
したのと同様に、各ペレットの品質が格段に向上する。
【００３０】ここで、湾曲した保持面３１に半導体ウェ
ーハ４０を保持して切削を行う場合には、円形ブレード
１３ａもこの湾曲に沿って動作させる必要がある。具体
的には、保持テーブル３０のＸ軸方向の移動に伴って、
円形ブレード１３ａの下端が保持面３１の曲率半径に対
応して弧を描くよう切削手段１３のＺ軸方向の動きを制
御する必要がある。
ーハ４０を保持して切削を行う場合には、円形ブレード
１３ａもこの湾曲に沿って動作させる必要がある。具体
的には、保持テーブル３０のＸ軸方向の移動に伴って、
円形ブレード１３ａの下端が保持面３１の曲率半径に対
応して弧を描くよう切削手段１３のＺ軸方向の動きを制
御する必要がある。
【００３１】なお、本実施の形態においては、半導体ウ
ェーハを切削する場合を例に挙げて説明したが、被加工
物は半導体ウェーハだけには限られず、例えば、ガラ
ス、フェライト等を切削する場合にも本発明を適用する
ことができる。
ェーハを切削する場合を例に挙げて説明したが、被加工
物は半導体ウェーハだけには限られず、例えば、ガラ
ス、フェライト等を切削する場合にも本発明を適用する
ことができる。
【００３２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る被加
工物の切削方法及び切削装置によれば、切削により被加
工物に形成される切削溝が外側に僅かに広がることによ
り、一度切削溝が形成されるとその後は円形ブレードの
側面と切削溝とが接触しなくなり、チッピングやクラッ
クが発生しなくなるため、切削面の状態が良好となり、
ペレットの品質が格段に向上する。
工物の切削方法及び切削装置によれば、切削により被加
工物に形成される切削溝が外側に僅かに広がることによ
り、一度切削溝が形成されるとその後は円形ブレードの
側面と切削溝とが接触しなくなり、チッピングやクラッ
クが発生しなくなるため、切削面の状態が良好となり、
ペレットの品質が格段に向上する。
【００３３】また、切削面の状態が良好となることによ
り、パーティクルの発生がなくなり、ペレットの品質が
より向上する。
り、パーティクルの発生がなくなり、ペレットの品質が
より向上する。
【００３４】更に、切削面の状態が良好となることによ
り、ペレットが破損しにくくなり、寿命も向上する。
り、ペレットが破損しにくくなり、寿命も向上する。
【図１】本発明に係る被加工物の切削方法の実施に用い
る切削装置の一例を示す斜視図である。
る切削装置の一例を示す斜視図である。
【図２】同被加工物の切削方法により切削される湾曲し
た半導体ウェーハを示す正面図である。
た半導体ウェーハを示す正面図である。
【図３】同湾曲した半導体ウェーハを保持する保持テー
ブルを示す斜視図である。
ブルを示す斜視図である。
【図４】同湾曲した半導体ウェーハを保持テーブルに保
持する様子を示す説明図である。
持する様子を示す説明図である。
【図５】同湾曲した半導体ウェーハが保持テーブルに保
持された状態を示す正面図である。
持された状態を示す正面図である。
【図６】同湾曲した半導体ウェーハを切削する様子を示
す説明図である
す説明図である
【図７】本発明に係る被加工物の切削方法により半導体
ウェーハに形成された切削溝を示す平面図である。
ウェーハに形成された切削溝を示す平面図である。
【図８】本発明に係る切削装置を構成する保持テーブル
に半導体ウェーハが保持された状態を示す正面図であ
る。
に半導体ウェーハが保持された状態を示す正面図であ
る。
【図９】同保持テーブルに半導体ウェーハを保持する様
子を示す説明図である。
子を示す説明図である。
【図１０】同保持テーブルに保持された半導体ウェーハ
を切削する様子を示す説明図である。
を切削する様子を示す説明図である。
【図１１】従来の切削方法により半導体ウェーハを切削
する様子を示す説明図である。
する様子を示す説明図である。
【図１２】切削に用いる円形ブレードの一部を拡大して
示す側面図である。
示す側面図である。
【図１３】従来の方法により切削して形成された切削溝
を示す平面図である。
を示す平面図である。
１０…切削装置 １１…保持テーブル １２…アライメント手段 １３…切削手段 １３…円形ブレード １４…保持面 １５…吸引源 １６…クランプ部 １７…ガイドレール １８…スライド部 １９…回動部 ２０…半導体ウェーハ ２１…切削溝 ２２ａ、２２ｂ、２２ｃ、２２ｄ…ペレット ３０…保持テーブル ３１…保持面 ４０…半導体ウェーハ ４１…切削溝 ５０…保持テーブル ５１…円形ブレード ５１ａ…砥粒 ５２…切削溝 ５３…チッピング
Claims (4)
- 【請求項１】 被加工物を保持する保持テーブルと、該
保持テーブルに保持された被加工物を切削する円形ブレ
ードを含む切削手段とから少なくとも構成される切削装
置を用いて被加工物を切削する切削方法であって、 被加工物の表面を僅かに拡張させた状態で該被加工物を
該保持テーブルに保持し、該円形ブレードによって該被
加工物を切削する切削方法。 - 【請求項２】 被加工物を保持する保持テーブルと、該
保持テーブルに保持された被加工物を切削する円形ブレ
ードを含む切削手段とから少なくとも構成される切削装
置であって、 該保持テーブルの保持面は、所定の曲率半径の凸状の湾
曲面に形成されている切削装置。 - 【請求項３】 所定の曲率半径は、１００メートル〜５
メートルである請求項２に記載の切削装置 - 【請求項４】 被加工物は保持テーブルの保持面に倣っ
て保持され、該被加工物の表面が僅かに拡張する請求項
２または３に記載の切削装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11162209A JP2000349050A (ja) | 1999-06-09 | 1999-06-09 | 被加工物の切削方法及び切削装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11162209A JP2000349050A (ja) | 1999-06-09 | 1999-06-09 | 被加工物の切削方法及び切削装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000349050A true JP2000349050A (ja) | 2000-12-15 |
Family
ID=15750051
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11162209A Pending JP2000349050A (ja) | 1999-06-09 | 1999-06-09 | 被加工物の切削方法及び切削装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000349050A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014045144A (ja) * | 2012-08-28 | 2014-03-13 | Fujitsu Semiconductor Ltd | ダイシング方法及びダイシング装置 |
Citations (6)
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| JPS5258457A (en) * | 1975-11-10 | 1977-05-13 | Hitachi Ltd | Removal of objects |
| JPH04167543A (ja) * | 1990-10-31 | 1992-06-15 | Mitsumi Electric Co Ltd | 半導体基板のチッピング方法 |
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-
1999
- 1999-06-09 JP JP11162209A patent/JP2000349050A/ja active Pending
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